「surface mobility」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To add a metal capable of forming an electric dipole for reducing a threshold voltage at the interface of an oxide film formed on the surface of a semiconductor substrate and a high electric constant insulating film, while suppressing increase in EOT and decrease in carrier mobility.例文帳に追加

ＥＯＴの増大及びキャリア移動度の低下を抑制しつつ、半導体基板表面に形成されている酸化膜と高誘電率絶縁膜との界面に、しきい値電圧を低減する電気双極子を形成可能な金属を添加する。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor high electron mobility transistor and a manufacturing method thereof, achieving excellent contact resistance and current characteristics by preventing surface oxidation and carbon-contamination of an epitaxially grown layer and corrosion of an ohmic electrode.例文帳に追加

エピタキシャル成長層の表面酸化やカーボン汚染を防ぐとともに、オーミック電極の腐食を防ぐ事で、コンタクト抵抗や電流などの特性に優れた、ＩＩＩ族窒化物半導体高電子移動度トランジスタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To remove an insulating film and a natural oxide film formed on a hole bottom surface without damaging the gate insulating film 10 nor lowering mobility in a method of manufacturing a vertical MISFET in which a channel portion 12 is formed after a gate electrode 7 is formed.例文帳に追加

ゲート電極７作製後にチャネル部１２を作製する縦型ＭＩＳＦＥＴの製造方法において、ゲート絶縁膜１０に損傷を与えたり移動度を劣化させたりすることなく、孔底面に形成された絶縁膜や、自然酸化膜を除去する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which has oxide on a surface of a group III nitride-based compound semiconductor, the interface level density of an interface between the group III nitride-based compound semiconductor and oxide being made small and the mobility being made high.例文帳に追加

III族窒化物系化合物半導体の表面上に酸化物を備えた半導体装置であって、上記III族窒化物系化合物半導体と上記酸化物との間の界面の界面準位密度を小さくでき、移動度を高くできるものを提供すること。 - 特許庁

Spreading of paste on a paste applying surface is preferably suppressed while keeping appropriate mobility at the time of squeezing since the paste thixotropy is improved in view of the fact that an ethylcellulose with a degree of ethoxylation as low as 45-47% is contained with a proportion of 60% or more of the entire resin.例文帳に追加

45〜47(％)とエトキシ化度の低いエチルセルロースが樹脂全体の60(％)以上の割合で含まれることから、ペーストのチキソトロピーが高められるので、スキージング時の適度な流動性を確保しながら、ペーストの塗布面における広がりを好適に抑制できる。 - 特許庁

The formation of a vertical element such as a vertical power MOSFET by the n^+-type SiC substrate 1 whose both surfaces are the (000-1) C-faces can obtain high channel mobility on the first surface side of the n^+-type SiC substrate 1, and can reduce the contact resistance between a drain electrode and a SiC contact face on the second surface side.例文帳に追加

また、このように両面が（０００−１）Ｃ面のｎ^+型ＳｉＣ基板１を用いて、縦型パワーＭＯＳＦＥＴなどの縦型素子を形成することにより、ｎ^+型ＳｉＣ基板１の表面側においては高チャネル移動度が得られ、裏面側においてはドレイン電極とＳｉＣ接触面とのコンタクト抵抗を低くすることができる。 - 特許庁

Such a driving voltage that electric charges of high mobility are moved on the surface of the second dielectric film 3 from a first dielectric film 3 to a second dielectric film 4 is applied between the first electrode 5 and second electrode 2 and then charged particles reaching the first dielectric film 4 further move around to the top surface of the first electrode 5.例文帳に追加

第２の誘電体膜３の表面において移動度の高い電荷が第１の誘電体膜３から第２の誘電体膜４へ移動させるような駆動電圧を第１の電極５と第２の電極２の間に印加すると、第１の誘電体膜４に到達した荷電粒子はさらに第１の電極５の上面に回りこむ。 - 特許庁

To provide a production method of a positive stagger-type thin film transistor which can form a gate insulating film having good dielectric strength on an active layer composed of a polysilicon thin film by leveling the surface of the polysilicon thin film featuring high mobility of a carrier.例文帳に追加

キャリアのモビリティの高いポリシリコン薄膜表面を平坦化することにより、このポリシリコン薄膜からなる活性層上に良好な絶縁耐圧を有するゲート絶縁膜を形成することが可能な正スタガ型の薄膜トランジスタの製造方法を提供しようとものである。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device in which the unevenness of ON current, mobility or a threshold value of a TFT can be suppressed by suppressing the occurrence of the uneven state of the surface of a semiconductor film or crystallinity, and to provide the semiconductor device manufactured by using this manufacturing method.例文帳に追加

本発明は、半導体膜の表面の状態や結晶性にむらが生じるのを抑え、ＴＦＴのオン電流、移動度、閾値のばらつきを抑えることができる半導体装置の作製方法と、該作製方法を用いて作製された半導体装置の提供を課題とする。 - 特許庁

By making the fiber carbon carried on the face opposing to the semiconductor electrode by the electro-spinning method, the counter electrode having a large surface area can be fabricated, the charge mobility of the counter-electrode is improved, and the conversion efficiency of the dye-sensitized solar cell can be improved.例文帳に追加

エレクトロスピニング法により、繊維状カーボンを半導体電極と対向する面に担持させることにより、大きな表面積を持つ対向電極を作製することができ、対向電極の電荷移動性を高めて色素増感太陽電池の変換効率を向上することが出来る。 - 特許庁

By discharge with Q1, radius of surface at the peripheral edge is corrected, and component of the solvent is evaporated more briskly by change to Q2, however evaporation is enabled while the corrected form is maintained since the solvent is already evaporated to some extent and mobility of a coating liquid film is decreased.例文帳に追加

Ｑ１で排気することにより周縁部の表面の丸みが補正され、次いでＱ２に切り替えることにより溶剤成分の蒸発がより盛んに行われるが、既に溶剤がある程度蒸発して塗布液膜の流動性が少なくなっているので補正した形状を維持したまま蒸発させることができる。 - 特許庁

After forming an electron transport layer 16D composed of a nitrogen-containing heterocyclic compound having electron mobility of 1.0×10^-6 to 1.0×10^-1 cm^2/Vs on the entire surface of the blue light-emitting layer 16CB, an electron injection layer 16E and an upper electrode 17 are formed thus obtaining an organic EL display device.例文帳に追加

青色発光層１６ＣＢの全面に電子移動度が１．０×１０^-6ｃｍ^2／Ｖｓ以上１．０×１０^-1ｃｍ^2／Ｖｓ以下の含窒素複素環式化合物からなる電子輸送層１６Ｄを形成したのち電子注入層１６Ｅおよび上部電極１７を形成し有機ＥＬ表示装置を得る。 - 特許庁

To avoid the problem that a threshold voltage of a transistor is shifted to the negative side to deteriorate a channel mobility, by previously forming a nitrogen-silicon bond layer on a surface of a silicon oxide film, eliminating a hiding period of forming a silicon nitride film by a chemical vapor deposition method, and suppressing nitriding of a silicon oxide-silicon boundary.例文帳に追加

酸化シリコン膜表面に予め窒素−シリコン結合層を形成して、化学的気相成長法による窒化シリコン膜形成の潜伏時間を解消し、酸化シリコン−シリコン界面の窒化を抑えることで、トランジスタのしきい値電圧が負側にシフトし、チャネル移動度を劣化させる問題を回避する。 - 特許庁

To enable a high electron mobility transistor to increase a gate voltage swing range by improving the scattering of a stress caused by a mismatched heterogeneous contact surface lattice, to cause a drain saturation current to produce a phenomenon of step-up increase, and further to generate a working area region of voltage-compliant multiple-stage extrinsic transconductance amplification.例文帳に追加

不均質接面格子ミスマッチによる応力の散乱を改善して、ゲート電圧振幅の範囲を増加し、また、ドレーン飽和電流に、ステップアップ増加する現象を起こさせ、更に、電圧順応性のある多段階外因相互コンダクタンス増幅ワーキング・エリア域の高電子移動度トランジスタを形成することを課題とする。 - 特許庁

To provide a technique for materializing a polycrystalline thin film having crystal structure capable of materializing high mobility as regards a positive hole carrier, by suppressing the grain boundary dispersion and lessening the surface irregularity in a cryogenic poly-Si thin film to serve as the element material of a thin film transistor, so as to materialize an image display of high performance and large area at low cost.例文帳に追加

高性能で大面積の画像表示装置を低コストで実現するため、薄膜トランジスタの素子材となる低温poly-Si薄膜において粒界散乱を抑制し、表面凹凸を小さくし、正孔キャリアについても高移動度が実現できる結晶構造を持つ多結晶薄膜を実現する技術を提供する。 - 特許庁

In the etching process, the specimen 21 is heated to a temperature not lower than the point where the surface mobility of deposit begins to grow large, which is a reaction product between plasma 40 and the specimen 21 or the product resulting from the sputtering of the resist pattern 30 by plasma 40, and lower than the point where the deposit is firmly fixed on the surface of the specimen 21.例文帳に追加

該エッチング工程は試料２１を加熱し、試料２１の加熱温度は、プラズマ４０と試料２１とが反応してなる反応生成物又はレジストパターン３０がプラズマ４０によりスパッタされてなる生成物が試料２１の表面上に堆積物として堆積する際の堆積物の表面移動度が大きくなり始める温度以上で、且つ堆積物が試料の表面に固着する温度よりも低い温度に設定する。 - 特許庁

A thin film transistor device can materialize high mobility TFT by introducing Ge into the polycrystalline Si film, and varying Ge composition ratio between a crystal grain 7 and a crystal grain boundary 8 by the phase separation accompanying the crystallization thereby suppressing the carrier scattering factors at the crystal grain boundary 8, and besides by suppressing the surface irregularity, making use of the volume difference of the crystals.例文帳に追加

薄膜トランジスタ装置は、多結晶Si薄膜中にGeを導入し結晶化に伴う相分離で結晶粒内７と結晶粒界８との間にGe組成比を異ならせることで、結晶粒界８におけるキャリア散乱要因を抑制し、かつ結晶の体積差を利用して表面凹凸を抑制することにより高移動度ＴＦＴを実現する。 - 特許庁

The semiconductor evaluating apparatus 100 irradiates a thin planar device under test 10 to be measured with a laser beam 17, generates a current by moving a carrier generated in the device under test 10 to be measured in the surface direction of the device under test 10 to be measured, and evaluates the carrier mobility of the device under test 10 to be measured from the duration of the current.例文帳に追加

本発明の半導体評価装置１００は、薄型平板状の被測定試料１０にレーザ光１７を照射し、被測定試料１０に発生するキャリアを被測定試料１０の表面方向に移動させることにより電流を生成し、その電流の持続時間から被測定試料１０のキャリア移動度を評価する。 - 特許庁

To provide both a method for producing a cellulose derivative (cellulose levulinate) having carbonyl group having mobility imparted thereto near the molecular surface of the cellulose as the cellulose derivative expectable of adsorbing performances for coloring matters, metals, suspended materials, etc., and new characteristics such as cross-linking or gelation ability due to chelating, and the cellulose levulinate obtained by the method.例文帳に追加

本発明は、色素、金属、浮遊物などの吸着性能やキレート化により架橋やゲル化能を持つなどの新規特性が期待できるセルロース誘導体として、セルロースの分子表面近辺で運動性を持つカルボニル基が付与されたセルロース誘導体（レブリン酸セルロース）の製造方法およびそれにより得られるレブリン酸セルロースを提供する。 - 特許庁

To improve characteristics of an organic thin film transistor by suppressing repellency of a coating in an area corresponding to a semiconductor thin film region by patterning a surface by using a finishing agent having a specified structure, improving crystallinity of a semiconductor, improving carrier mobility of a semiconductor thin film, and precisely forming a semiconductor film pattern.例文帳に追加

本発明の目的は、特定構造の表面処理剤を用いて表面をパターン化することにより、半導体薄膜領域に相当する領域における塗膜のはじきを抑え、半導体の結晶性を向上させ、半導体薄膜のキャリア移動度を向上させると共に、半導体薄膜パターンを精度よく形成して有機薄膜トランジスタの特性を向上させることにある。 - 特許庁

To provide a laser irradiating apparatus for providing a crystalline semiconductor film in which, by controlling a Marangoni convection occurring on the surface of a liquid solution in laser annealing, crystallinity is excellent and besides there is less variation in quality, then to provide a semiconductor film crystallizing method using the same, and further to provide a semiconductor device using an FET for attaining high electric field effect mobility by the crystalline semiconductor film made by the crystallizing method.例文帳に追加

レーザーアニールにおいて融液表面でのマランゴニ対流を制御して、結晶性に優れ、且つその品質のばらつきが少ない結晶性半導体膜を提供するレーザー照射装置及びそれを用いた半導体膜の結晶化方法、並びに、それにより作製される結晶性半導体膜で高い電界効果移動度を実現する電界効果トランジスタを用いた半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁