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surface mobilityの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 76



例文

The mobility μ and the Vg-Id characteristic of the TFT are measured and 3 mobilities, Coulomb scattering mobility μ (Coulomb), phonon scattering mobility μ (phonon) and surface roughness scattering μ (surface), and an effective electric field Eeff are calculated from the measured mobility μ and the Vg-Id characteristic of the TFT.例文帳に追加

該TFTの移動度μおよびVg−Id特性を測定し、測定された移動度μおよびVg−Id特性からクーロン散乱移動度μ(Coulomb)、フォノン散乱移動度μ(phonon)、そして表面ラフネス散乱μ(surface)の3つの移動度と実効電界Eeffを算出する。 - 特許庁

ELASTIC METAL GATE MOS TRANSISTOR FOR SURFACE MOBILITY MEASUREMENT IN SEMICONDUCTOR MATERIALS例文帳に追加

半導体材料中の表面移動度測定用の弾性メタルゲートMOSトランジスタ - 特許庁

The low carrier-mobility semiconductor material can greatly suppress surface recombination of carriers.例文帳に追加

低キャリア移動度の半導体材料はキャリアの表面再結合を効果的に抑制できる。 - 特許庁

Mobility of the nanotube in the capillary is determined by the size and an individual capillary shape, and a surface state has influence on the mobility of the nanotube.例文帳に追加

毛管中のナノチューブの移動度は、サイズ及び個々の毛管の形状によって決まるが、表面の状態もナノチューブの移動度に影響する。 - 特許庁

例文

If a channel is formed along the upper surface of the channel formation part 121, mobility of electron becomes smaller.例文帳に追加

このため、チャネル形成部121の上面に沿ってチャネルを形成すると、電子の移動度が小さくなる。 - 特許庁


例文

To provide a bathing care apparatus in which a seat surface can move between a seat surface rising and falling position and a seat surface transferring position, and which is especially excellent in mobility of this seat surface.例文帳に追加

座面が座面昇降位置と座面移乗位置との間を移動可能な入浴介助装置であって、特にこの座面の移動性に優れた入浴介助装置を提供する。 - 特許庁

A surface of a semiconductor like silicon that has a surface (110) thereon is made of Ra with a thickness of 0.15 nm or smaller, so that a transistor can be fabricated with a high mobility.例文帳に追加

(110)シリコンのような半導体表面をRaで0.15nm以下にすることにより、移動度の高いトランジスタの作製を可能にする。 - 特許庁

To provide a mounting device which mounts a flat display device in an arbitrary position on a wall surface and is high in flexibility of mobility.例文帳に追加

平面型表示装置を壁面の任意の位置に取り付け、および、移動可能な自由度の高い取り付け装置を提供する。 - 特許庁

On one surface of the planar substrate 108, a high electron mobility transistor 101, distal end open type lines 102a and 102b, a bonding wire 106 and a grounding surface 104 are provided.例文帳に追加

平面基板108の一方面に、高電子移動度トランジスタ101、先端開放型線路102a,102b、および、ボンディングワイヤー106、接地面104を有している。 - 特許庁

例文

As the carrier mobility can be increased while the carrier concentration is increased in the quantum well structure, the surface plasmon waves can be propagated longer.例文帳に追加

量子井戸構造ではキャリア濃度を上げながらキャリア移動度を上げることができるため、表面プラズモン波をより長く伝搬できる。 - 特許庁

例文

The surface of the gate diffusion layer 24 and a metal layer as the gate electrode 25 in a high electron mobility transistor are made into an alloy.例文帳に追加

高電子移動度トランジスタにおけるゲート拡散層24の表面とゲート電極25としての金属層とが合金化している。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing semiconductor device by which the mobility of carriers can be improved by reducing the surface roughness of a silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板の表面のラフネスを低減してキャリアの移動度を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The surface mobility of minority carriers in the semiconductor wafer or sample 10 is determined as a function of the applied electrical bias and the value of the measured current.例文帳に追加

半導体ウエハまたはサンプル10中の少数キャリアの表面移動度が、印加された電気バイアスと測定電流値の関数として決定される。 - 特許庁

On the substrate having an insulating surface, a semiconductor display part and other circuit blocks are integrally formed by using a TFT manufacturing process realizing high mobility.例文帳に追加

絶縁表面を有する基板上に、高移動度を実現するTFT作製プロセスを用いて、半導体表示部および他の回路ブロックを一体形成する。 - 特許庁

To form single-crystalline semiconductor layers with high mobility over approximately the entire surface of a glass substrate even when the glass substrate is increased in size.例文帳に追加

ガラス基板が大型化した場合においても、ガラス基板の概略全面に移動度の高い単結晶半導体層を形成することを課題とする。 - 特許庁

To improve surface stability between an insulating film and semiconductor interface while exhibiting high mobility, and also to obtain high on/off ratio.例文帳に追加

高い移動度を発現させつつ、絶縁膜と半導体界面の表面安定性を向上させることが可能となるとともに、高いオン/オフ比を得る。 - 特許庁

To provide a semiconductor substrate capable of preventing the deterioration of the carrier mobility resulting from the surface unevenness on the surface thereof by controlling the direction and the width of an atomic level step/terrace on the semiconductor substrate surface, and to provide a semiconductor device.例文帳に追加

半導体基板表面上で原子レベルのステップ/テラスの方向と幅を制御し、その表面上に表面凹凸起因のキャリア移動度劣化を抑制できる半導体基板および半導体装置を提供する。 - 特許庁

Since the interface between the first and second layers 10 and 11 has a very small uneven surface, that is, a smooth surface, carriers moving through the channel region are not subjected to surface scanning and thus the transistor has a high carrier mobility.例文帳に追加

第1の炭化珪素半導体層10と第2の炭化珪素半導体層11との界面の凹凸は非常に小さく平滑なため、チャネル領域を走行するキャリア担体が表面散乱されることなく高い移動度を持つ。 - 特許庁

These components comprise: a standard deviation of sheet resistivity lower than 3% on the entire wafer surface; a standard deviation of electron mobility lower than 1% on the entire wafer surface; a standard deviation of carrier density lower than 3.3% on the entire wafer surface; and a standard deviation of conductivity of about 2.5% on the entire wafer surface.例文帳に追加

これらは、ウェハ全面で3パーセント未満のシート抵抗率の標準偏差;ウェハ全面で1パーセント未満の電子移動度の標準偏差;ウェハ全面で約3.3パーセント以下のキャリア密度の標準偏差;およびウェハ全面で約2.5パーセントの導電性の標準偏差を含む。 - 特許庁

The adverse influence upon reading caused by wave motion on the film surface is excluded by the resin 2b having mobility, thereby accomplishing a solid-state imaging apparatus which improves reading accuracy.例文帳に追加

この流動性を有する樹脂2bにより、フィルム表面のうねりによる読み取りへの悪影響を排除し、読み取り精度に優れた固体撮像装置を実現している。 - 特許庁

To efficiently transmit drive power transmitted from a power unit to a road surface, to reduce a turning radius and to enhance mobility in a saddle riding type rocking four-wheel vehicle.例文帳に追加

鞍乗型揺動四輪車両において、パワーユニットから路面に伝達される駆動力を効率良く伝達するとともに、旋回半径を小さくし、機動性を向上する。 - 特許庁

To provide a semiconductor lamination structure which obtains an HEMT having high sheet carrier density and electronic mobility with excellent surface quality, and an HEMT element.例文帳に追加

表面品質に優れ、かつ、高いシートキャリア濃度と電子移動度を有するHEMTを実現する半導体積層構造、およびHEMT素子を提供する。 - 特許庁

To provide a driving method of an organic EL light emission part in which deterioration in quality of a display surface due to variation in time length of mobility correction processing can be suppressed.例文帳に追加

移動度補正処理の時間長の変動に起因した表示画面の品質の劣化を抑制することができる有機EL発光部の駆動方法を提供する。 - 特許庁

A semiconductor display section and other circuit blocks are integrally formed on a substrate including an insulating surface by making use of a TFT manufacturing process that realizes high mobility.例文帳に追加

絶縁表面を有する基板上に、高移動度を実現するTFT作製プロセスを用いて、半導体表示部および他の回路ブロックを一体形成する。 - 特許庁

The edge and top surface of a first electrode 5 are opened and a dielectric material whose mobility depends upon the polarity of electric charges is used for a second dielectric film 3.例文帳に追加

第1の電極5の縁部及び上面が開放されており、第2の誘電体膜3には、移動度が電荷の極性に依存する誘電体材料を用いる。 - 特許庁

The high mobility group protein adsorbent carrier for hepatitis treatment includes a functional group having an amino group which is introduced to the surface of a water-insoluble carrier.例文帳に追加

本発明は、水不溶性担体の表面に、アミノ基を有する官能基が導入されている、肝炎治療用のハイモビリティーグループタンパク吸着担体を提供する。 - 特許庁

The antioxidant film formed on the surface of the microcrystalline semiconductor film can prevent a surface of a microcrystal grain from being oxidized, thereby preventing the mobility of the thin film transistor from decreasing.例文帳に追加

微結晶半導体膜の表面に酸化防止膜を形成するため、微結晶粒の表面が酸化することを低減することが可能であるため、薄膜トランジスタの移動度の低下を防止することができる。 - 特許庁

While the surface of channels of a field effect transistor is being scanned by a probe, the surface potential of the channels and potentials by trap charge just beneath the probe at each point are measured through potential measurement using an atomic force microscope, and the local mobility is calculated from the measured potentials, and further the distribution of mobility is obtained based on the mobilities calculated at each point.例文帳に追加

探針で電界効果トランジスタのチャンネル表面を走査しながら、各点において探針直下のチャンネルの表面電位およびトラップ電荷による電位を、原子間力顕微鏡を用いた電位測定により測定し求めた電位から局所的な移動度を算出し、さらに各点で算出された移動度に基づいて移動度分布を求める。 - 特許庁

Regarding the electrophotographic photoreceptor 10 in which the surface of a cylindrical support 1, a photosensitive layer 2 and an outermost surface layer 5 are stacked in order from the side of the cylindrical support 1, the outermost surface layer 5 is the one having hole transportability, and also, the hole mobility in the thickness direction in the outermost surface layer is made higher than that in the surface direction.例文帳に追加

円筒状支持体1上に、該円筒状支持体1側から順に、感光層2と最表面層5とを積層した電子写真感光体10において、最表面層5が正孔輸送性の層であり、且つ前記最表面層における厚み方向の正孔移動度が沿面方向の正孔移動度よりも大きくする。 - 特許庁

To activate a stress given in the gate width direction in a channel region toward the direction of increasing the mobility, and to prevent a leakage when a silicide layer is formed on the surface of a source drain region.例文帳に追加

チャネル領域のゲート幅方向に与える応力を移動度が向上する方向に働かすとともに、ソース・ドレイン領域表面にシリサイド層を形成した際のリークを防止する。 - 特許庁

To provide a carrier moving mechanism which can install an operation panel of an ATM at a relatively low position, does not deform an installation surface, and has excellent mobility back and forth.例文帳に追加

ATMの操作パネルを比較的低い位置に設定することができ、設置面を変形させることがなく、前後方向への移動性も良好な、台車移動機構を提供する。 - 特許庁

To enhance sensitivity by increasing light absorption efficiency at a photoelectric conversion part in a rear surface irradiation CMOS solid state image sensor, and to ensure high speed stable driving by increasing mobility of charges.例文帳に追加

裏面照射型のCMOS固体撮像装置における光電変換部での光吸収効率を上げて感度の向上を図り、かつ電荷の移動度を高めて高速で安定な駆動を可能にする。 - 特許庁

In order to achieve a high carrier mobility in an active region of a semiconductor device, germanium atoms are fired at the surface of a semiconductor substrate to form a layer including germanium inside the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体素子の活性領域内における高いキャリア移動度を達成するために、ゲルマニウム原子を半導体基板の表面に打ち込み、半導体基板の内部にゲルマニウムを含む層を形成する。 - 特許庁

The hydrophilic surface is obtained by forming a hydrophilic graft having high mobility by converting the hydrophobic group in the high molecular compound to hydrophilic group by irradiating the hydrophilic material precursor with energy.例文帳に追加

この親水性部材前駆体にエネルギーを付与し、高分子化合物中の疎水性基を親水性に変換することで、高い運動性を有する親水性グラフトが形成された親水性表面が得られる。 - 特許庁

To provide a semiconductor element including an indium-based compound semiconductor thin film with superior electron mobility owing to significant surface flatness improvement, and also to provide a semiconductor device including the semiconductor element.例文帳に追加

表面平坦性を大きく改善し、さらに良好な電子移動度を有するインジウム系化合物半導体薄膜を備えた半導体素子及びそれを備えた半導体装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a method capable of manufacturing a thin film semiconductor device which is excellent in electrical properties (semiconductor characteristic), such as mobility, etc. , with this in which a surface orientation is controlled and it has a crystal structure of single crystal.例文帳に追加

面方位が制御され、しかも単結晶の結晶構造を有し、これによって移動度等の電気的特性(半導体特性)に優れた薄膜半導体装置を製造し得る、方法を提供する。 - 特許庁

In order to improve the mobility of the carriers present in the Si post 11a, a stress applying layer 21 for giving to the Si post 11a an extending stress in the vertical direction orthogonal to the principal surface of the Si substrate 11 is disposed constitutionally on each side surface of the Si post 11a.例文帳に追加

Siポスト11aでのキャリア移動度を向上させるために、Siポスト11aの各側面には、Si基板11の主表面と直交する垂直方向に伸び応力を与えるための、ストレス印加層21が設置されてなる構成となっている。 - 特許庁

To provide a transparent electroconductive film which can be formed under a condition that the surface temperature of a substrate is300°C in a high productivity and has a low carrier density, a high carrier mobility and a low resistivity; and a method for depositing the same.例文帳に追加

生産性に優れ、基材の表面温度が300℃以下で形成でき、低キャリア密度、高キャリア移動度及び低抵抗率の透明導電膜及びその形成方法を提供することである。 - 特許庁

To allow a low-molecular organic semiconductor material to be applied on the surface of a gate insulation film that is low in coating property without repelling, and to allow the resulting organic semiconductor film to obtain a high mobility with minimum dispersion.例文帳に追加

塗布性の低いゲート絶縁膜表面に低分子有機半導体材料をハジキを発生することなく塗布することが可能となり、形成された有機半導体膜はバラツキの少ない、優れた移動度を得ること。 - 特許庁

To provide a noncontact measuring method for the electric conduction property of a semiconductor using a surface acoustic wave which specifies electric conductivity, mobility, and impurity level easily, at low cost, and efficiently and a method of the same.例文帳に追加

簡単、低コストで効率的に電気伝導率、移動度、及び不純物準位の特定が可能な弾性表面波を用いた半導体の電気伝導特性の非接触測定方法及びその装置を提供する。 - 特許庁

To provide a laser irradiation apparatus that restrains unevenness in a surface condition or crystallinity of a semiconductor film in order to crystallize the semiconductor film uniformly; in addition, a production method of the semiconductor device using the laser irradiation apparatus, which restrains on-current of TFT, mobility, and scattering of a threshold value; and a semiconductor device produced using the production method.例文帳に追加

半導体膜の表面の状態や結晶性にむらが生じるのを抑え、半導体膜の結晶化を均一に行なうことができるレーザ照射装置の提供を課題とする。 - 特許庁

The heat treatment process removes a metal oxide produced by the selective oxidation process by a reducing a reaction or prevents the formation of whisker nuclei by making the metal oxide contain hydrogen atoms to suppress surface mobility.例文帳に追加

熱処理工程は選択的酸化工程による金属酸化物を還元反応によって除去したり、又は、金属酸化物の内部に水素原子を含ませて、ウィスカ核の形成を防止し、表面移動度を抑制する。 - 特許庁

The thus obtained surface affords uniform water repellency and excellent water droplet mobility, therefore, when the above agent is coated on the surface of a glass of an automobile or the like, rainwater droplets rapidly move by the aid of wind velocity in automobile running, thus securing good visibility.例文帳に追加

この撥水処理面は、むらのない均一な撥水性および優れた水滴移動性を得ることができるので、この撥水処理剤を、自動車などのガラス表面に塗布すれば、走行時の風速により雨水の水滴がすばやく移動して、良好な視界を確保することができる。 - 特許庁

The image projection device 10 which enlarges and projects an image to a surface 90 to be projected includes a movable portion 15 for adjusting a projection angle in the horizontal direction of the image with respect to the surface 90 to be projected, and movable portion control means 13 for controlling control mobility of the movable portion 15.例文帳に追加

画像投射装置10は、画像を被投射面90に拡大投射する画像投射装置10であって、被投射面90に対して画像の水平方向の投射角度を調節する可動部15と、可動部15の動きやすさを制御する可動部制御手段13と、を有する。 - 特許庁

To eliminate a vehicle body stabilizing mechanism such as an outrigger, make a vehicle weight light and assure its mobility by eliminating a tire for use in dampening an input from a running road surface, the dampening function of a suspending device when a cargo or the like is hung with a boom and stabilizing the vehicle body with respect to the ground surface.例文帳に追加

荷物等をブームで吊上げる際に、走行路面からの入力を緩和するためのタイヤ及び懸架装置の緩衝機能をなくし、車両本体を地面に対して安定化させることにより、アウトリガ等の車体安定化機構を不要とし、車両を軽量化し機動性を確保する。 - 特許庁

To pattern the surface of a semiconductor thin film by the surface preparation agent having a specific structure corresponding to the semiconductor thin film region to suppress a defect coating film, to improve a crystalline property of the semiconductor, to improve a carrier mobility of the semiconductor thin film, and to improve a characteristic of the organic thin film transistor.例文帳に追加

半導体薄膜領域に相当する特定構造の表面処理剤により表面をパターン化して、塗膜のハジキを抑え、かつ半導体の結晶性を向上させ、半導体薄膜のキャリア移動度を向上させ、有機薄膜トランジスタの特性を向上させることにある。 - 特許庁

To provide a water bottom tilling machine which can travel without sinking even on a water bottom surface where a soft precipitation material such as sludge is deposited, is excellent in mobility, and can do plowing work even when the bottom surface is muddy or under water.例文帳に追加

水底面を耕耘するにあたって、表面にヘドロ等軟らかな堆積物が堆積している水底面でも沈み込むことなく走行できて機動性に優れており、水底面が干潟となっている場合でも水に沈んでいる場合でも耕耘作業ができるようにした水底耕耘機を提供する。 - 特許庁

Since the interface of the gate oxide film 7 and the surface channel layer 5 can be brought into a state substantially containing no residual carbon, higher channel mobility can be obtained and ON resistance can be reduced furthermore.例文帳に追加

このようにすれば、ゲート酸化膜7と表面チャネル層5との界面が残留炭素をほぼ含まない状態にすることができ、さらに高いチャネル移動度を実現できると共に、オン抵抗のさらなる低減を図ることができる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device, which forms n-type and p-type FinFETs provided with a channel surface having a high mobility by removing the constraint on the circuit designing using a semiconductor substrate wherein two wafers are bonded together.例文帳に追加

2枚のウェーハを貼り合わせた半導体基板を用い、回路設計上の制約を抑え、高い移動度を有するチャネル面を備えたn型、p型のFinFETを形成できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

例文

For this reason, since the sidewalls of the trench 6 have the same state as that of a trench in a taper shape when a C plane is used as the primary surface, the reduction in channel mobility can be lowered even if variation in the sidewall angle of the trench 6 occurs.例文帳に追加

これにより、C面を主面とした場合においてトレンチ6の側壁がテーパ形状になる場合と同じ状態となり、トレンチ6の側壁角度にバラツキが生じたとしても、チャネル移動度の低下を少なくすることができる。 - 特許庁




  
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