「surface oxide」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

In this manner, the rigid oxide film 18a is formed on the surface of the I/O electrode 18 made of single crystal aluminum in the surface acoustic wave element 12.例文帳に追加

それにより、圧電性単結晶基板２８上に形成された入出力電極１８とバンプ２６とが導通している。 - 特許庁

Irregularity of the surface of the silicon oxide film 3 is observed that a tangent of an angle with the surface of the light transmitting substrate 2 is ≤0.06.例文帳に追加

酸化珪素膜３の表面の凹凸は、光透過性基板２の表面とのなす角度の正接が０．０６以下となっていた。 - 特許庁

A CVD oxidation film 3 is formed on the surface of a substrate 1 without directly forming the thermal oxide film on the surface of the substrate 1.例文帳に追加

基板１表面上に直接、熱酸化膜を形成するのではなく、基板１表面上に、ＣＶＤ酸化膜３を形成する。 - 特許庁

In initial chemical processing, a silicon oxide film is formed on the substrate surface Wf, and the substrate surface Wf is a hydrophilic face.例文帳に追加

初期薬液処理では、基板表面Ｗｆにシリコン酸化膜が形成されており、基板表面Ｗｆは親水面となっている。 - 特許庁

A surface treatment layer containing an alkaline metal oxide is formed on at least either one out of substrates constituting the surface light source device.例文帳に追加

面光源装置を構成する基板の中で少なくともいずれか一方にアルカリ金属酸化物を含む表面処理層を形成する。 - 特許庁

An iron base oxide layer having the thickness of ≤2 μm per one surface in the steel sheet surface is desirable to form with the heating treatment.例文帳に追加

前記加熱処理により、鋼板表面に片面あたり２μｍ以下の厚さの鉄系酸化物層を形成することが望ましい。 - 特許庁

The surface of each of the oxide particles 16 is coated with an insulating thin film 18, and an organic electron acceptor is carried on the surface.例文帳に追加

酸化物微粒子１６の表面は絶縁性薄膜１８で被覆され、さらに、その表面に有機電子アクセプターが担持される。 - 特許庁

The semiconductor of an ultrafine particle holds on the surface an organic component and forms additionally on the outermost side of the surface a covering layer of an oxide.例文帳に追加

表面に有機成分が保持され、さらにその上に酸化物からなる被覆層が形成されている半導体超微粒子。 - 特許庁

A first conductive layer of a platinum group element or an alloy containing a platinum group element is provided on the surface of the oxide surface layer.例文帳に追加

酸化物表面層の表面上に、白金族または白金族を含む合金からなる第１の導電層とが配置されている。 - 特許庁

An underlay oxide film 102, a polysilicon film 103 and a silicon nitride film 104 are sequentially formed on each of a main surface and a rear surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の主表面および裏面に、下敷酸化膜１０２、ポリシリコン膜１０３，シリコン窒化膜１０４を形成する。 - 特許庁

The crystal-growth device 10 has a solid surface 11a made of silicon oxide and a solid surface 12a formed by alumina.例文帳に追加

結晶成長用装置１０は、シリコン酸化物からなる固体表面１１ａおよびアルミナからなる固体表面１２ａを有する。 - 特許庁

The sealing part is interposed at least between the first surface and second surface, contains a reductant for reducing an oxide film and seals the joint.例文帳に追加

封止部は、少なくとも第一面と第二面との間に介在し、酸化膜を還元する還元剤を含み、接合部を封止する。 - 特許庁

The dielectric element 10 includes the substrate 12 formed of metal, and the oxide dielectric layer 14 laminated on a surface of the substrate 12; the surface of the substrate 10 includes metal oxide regions 16 distributed in island-like forms; and the oxide dielectric layer 14 adheres tightly to the substrate 12 through the metal oxide regions 16.例文帳に追加

誘電体素子１０は、金属からなる基板１２と基板１２の表面上に積層された酸化物誘電体層１４とを備え、基板１０の表面は島状に分布する金属酸化物領域１６を有し、酸化物誘電体層１４は金属酸化物領域１６を介して基板１２と密着する。 - 特許庁

The interlayer film for the heat-shielding laminated glass contains a matrix resin, a plasticizer, and tin-doped indium oxide fine particles each having a surface coated with an amorphous (noncrystalline) indium oxide and/or antimony-doped tin oxide fine particles each having a surface coated with an amorphous(noncrystalline) tin oxide.例文帳に追加

マトリックス樹脂、可塑剤、並びに、アモルファス状（非結晶質）酸化インジウムにより表面が被覆された錫ドープ酸化インジウム微粒子及び／又はアモルファス状（非結晶質）酸化錫により表面が被覆されたアンチモンドープ酸化錫微粒子を含有することを特徴とする遮熱合わせガラス用中間膜。 - 特許庁

A process to form the gate insulating film 105 comprises oxide film forming process (a) for forming a silicon oxide film 105, reducing process (a-1) for reducing a surface part 105a of the silicon oxide film 105 in a reducing atmosphere, and nitriding process (b-1) to introduce nitride from surface 105s side into the silicon oxide film 105.例文帳に追加

ゲート絶縁膜１０５を設ける工程は、シリコン酸化膜１０５を形成する酸化膜形成処理（ａ）と、還元性雰囲気中でシリコン酸化膜１０５の表面部分１０５ａを還元する還元処理（ａ−１）と、シリコン酸化膜１０５中に表面１０５ｓ側から窒素を導入する窒化処理（ｂ−１）を含む。 - 特許庁

On a first surface of a Si wafer 1, a pad oxide film 4 and a nitride film 5 are laminated successively, field oxidation is formed between the etched nitride films 5 to form a field oxide film 6, and on a second surface of the Si wafer an oxide film 2, a polysilicon film 3, a pad oxide film 4 and a nitride film 5 are laminated successively.例文帳に追加

シリコンウェハ１の第１の面側においては、パッド酸化膜４及び窒化膜５を順次積層し、エッチングされた窒化膜５間をフィールド酸化させてフィールド酸化膜６を形成し、シリコンウェハの第２の面側には、酸化膜２とポリシリコン膜３とパッド酸化膜４と窒化膜５とを順次積層する。 - 特許庁

This invention provides a photocatalyst dispersion liquid prepared by dispersing photocatalytic titanium oxide particles and photocatalytic tungsten oxide particles in a dispersion medium, wherein both the photocatalytic titanium oxide particles and the photocatalytic tungsten oxide particles are positively surface-charged or negatively surface-charged.例文帳に追加

本発明の光触媒体分散液は、光触媒酸化チタン粒子および光触媒酸化タングステン粒子が分散媒中に分散されてなり、光触媒酸化チタン粒子および光触媒酸化タングステン粒子は、表面が共にプラスに帯電しているか、または表面が共にマイナスに帯電していることを特徴とする。 - 特許庁

The apparatus 1 for cleaning the semiconductor manufacturing apparatus includes: an oxide removing section 3 for removing an oxide on the surface of deposits which have been deposited on a component of a semiconductor manufacturing apparatus; and a deposit removing section 2 for removing the deposits in which the oxide on the surface of the deposits has been removed by the oxide removing section 3.例文帳に追加

半導体製造装置の洗浄装置１には、半導体製造装置の部品に付着した付着物の表面の酸化物を除去する酸化物除去部３と、酸化物除去部３により表面の酸化物が除去された付着物を除去する付着物除去部２と、が設けられている。 - 特許庁

A gate electrode is formed on a center of a gate oxide film formed on the substrate, then a silicon oxide film is formed on the entire surface of the substrate, including the gate electrode, and the entire surface of the formed silicon oxide film is etched to form a side wall by the silicon oxide film on a side face of the gate electrode.例文帳に追加

前記基板上に形成されたゲート酸化膜の中央部上にゲート電極を形成後、前記ゲート電極を含む前記基板表面全体にシリコン酸化膜を形成し、形成されたシリコン酸化膜を全面エッチングすることにより、前記ゲート電極の側面に前記シリコン酸化膜による側壁を形成する。 - 特許庁

The catalyst member includes an oxide support 20 and a particle 30 deposited on the surface of the oxide support 20, supported by the oxide support 20, having the outermost shell of the deposition, which is composed of at least a Cu oxide consisting of CuO or Cu_2O, and having a predetermined average particle diameter and catalyst specific surface area.例文帳に追加

酸化物担体２０と、この酸化物担体２０の表面から析出し、かつ酸化物担体２０に担持され、少なくとも析出部の最外殻がＣｕＯまたはＣｕ_２ＯからなるＣｕ酸化物で構成され、所定の平均粒径および触媒比表面積を有する微粒子３０とを具備する。 - 特許庁

The internal surface of the heat-treatment device is covered with an oxide passivated film, and, at the same time, the surface roughness Ra of the internal surface is adjusted to ≤1 μm in roughness of median value.例文帳に追加

加熱処理装置の内表面を酸化物不働態膜によって覆うと共に、当該内表面の表面粗さを中心平均粗さＲａで１μｍ以下にする。 - 特許庁

The surface (charged surface) of the electrostatic charging member 3 is formed of aluminum material, and a porous anodic oxide film is formed with a thickness of 300 to 5,000 nm on the surface of the aluminum material.例文帳に追加

帯電部材３の表面（帯電面）はアルミニウム材で形成され、そのアルミニウム材の表面には多孔質の陽極酸化皮膜が300〜5000ｎｍの厚さで形成されている。 - 特許庁

A surface of a raceway groove 11 of an outer ring 1, a surface of a raceway groove 21 of an inner ring 2, a surface of each ball 3 and all surfaces of a cage 4 are coated with titanium oxide.例文帳に追加

外輪１の軌道溝１１の表面、内輪２の軌道溝２１の表面、各玉３の表面、および、保持器４の全面を、酸化チタンでコーティングする。 - 特許庁

To provide ultralow carbon steel which hardly allows surface defects, especially surface defects due to oxide scales, to appear on the surface; and a continuous casting method for preparing the ultralow carbon steel.例文帳に追加

本発明は鋼板の表面欠陥、特に酸化スケールに起因した表面欠陥の発生が極めて少ない極低炭素鋼および連続鋳造方法を提供する。 - 特許庁

The surface of the roll made of the molten silica is reformed by impregnating the surface with an aqueous solution containing chromium oxide or a mixture containing a sintering aid therein and firing the surface.例文帳に追加

溶融シリカ製ロールの表面を、含酸化クロム水溶液あるいはこれに焼結助剤効果を含む混合物で含浸、焼成することによって改質する。 - 特許庁

This manufacturing method of the titanium oxide photocatalyst thin film having a surface layer containing silicon oxide and titanium oxide has a process where the titanium oxide photocatalyst thin film of which the surface layer is a layer containing silicon oxide and titanium oxide is irradiated with excimer light while heating a base material on which the titanium oxide photocatalyst thin film has been formed, in the presence of a silicon-containing compound, in a vacuum or a gas atmosphere.例文帳に追加

酸化チタン光触媒薄膜であって、表面層が酸化珪素と酸化チタンを含む層である酸化チタン光触媒薄膜、および酸化チタン薄膜を形成した基材に、珪素含有化合物の存在下、真空あるいはガス雰囲気において、基材を加熱しながら酸化チタン薄膜にエキシマ光を照射する工程を有することを特徴とする、酸化珪素と酸化チタンを含む表面層を有する酸化チタン光触媒薄膜の製造方法。 - 特許庁

The method for removing hydroxy groups and adsorbed water on an oxide fine structure is a method for removing hydroxy groups and adsorbed water existing on the surface of an oxide fine structure and includes a first step of modifying the surface of the oxide fine structure with a surface treating agent, and a second step of subjecting the oxide fine structure modified with the surface treating agent to microwave irradiation.例文帳に追加

酸化物微小構造体の表面に存在する水酸基及び吸着水を除去する方法であって、当該酸化物微小構造体の表面に表面処理剤を修飾する第１工程と、当該表面処理剤により修飾された酸化物微小構造体にマイクロ波を照射する第２工程と、を含む酸化物微小構造体の水酸基及び吸着水の除去方法である。 - 特許庁

The zinc oxide thin film with a flat zinc surface is provided by promoting the nuclear formation of the zinc oxide to cause a high concentration aluminum composition to be the surface of the zinc by using the zinc oxide sintered compact to which 1% of the aluminum is added as a target.例文帳に追加

ターゲットとしてアルミニウムを１％添加した酸化亜鉛焼結体を用いて、高濃度のアルミニウム成分が亜鉛面の表面となる酸化亜鉛の核形成を促すことによって、表面が平坦な亜鉛表面を有する酸化亜鉛薄膜が得られる。 - 特許庁

In a metal contamination analysis method of the silicon wafer with the oxide film, the oxide film on the silicon wafer surface is etched and removed by the method, and scanning is performed with a solution along the silicon wafer surface after removal of the oxide film, and then a metal component in the solution is analyzed.例文帳に追加

上記方法によりシリコンウェーハ表面の酸化膜をエッチングにより除去し、酸化膜除去後のシリコンウェーハ表面に溶液を走査させた後、該溶液中の金属成分を分析することを含む酸化膜付きシリコンウェーハの金属汚染分析方法。 - 特許庁

The sealing treatment method for the anodic oxide film includes: treating the surface of the anodic oxide film formed on the surface of aluminum or an aluminum alloy with a sealing treatment solution, and then immersing the anodic oxide film after subjected to the sealing treatment in water.例文帳に追加

アルミニウム又はアルミニウム合金の表面に形成された陽極酸化皮膜の表面を、封孔処理液で処理した後に、該封孔処理された陽極酸化皮膜を水中に浸漬させることを特徴とする陽極酸化皮膜の封孔処理方法を提供する。 - 特許庁

In the substrate on whose surface the perovskite type metal oxide is formed, an electrode layer contacting with the perovskite type metal oxide, an adhesion layer contacting with the surface oxide layer of the substrate and an alumina layer interposed between the adhesion layer and the electrode layer are provided.例文帳に追加

表面にペロブスカイト型酸化物の金属酸化物が成膜される基板において、ペロブスカイト型酸化物膜に接する電極層、基板の表面酸化層に接する密着層、この密着層と電極層との間に介在するアルミナ層を介在させる。 - 特許庁

The metal compact composed of a metal with an oxide film formed on the surface by anodizing is characterized by that microparticles are included in the oxide film and the exposed microparticles over the oxide film occupy 20% or more of the metal surface.例文帳に追加

陽極酸化法によって表面に酸化被膜を形成した金属であって、酸化被膜中に微小粒子を含有し、金属表面の２０％以上が酸化被膜から露出した微小粒子によって占められることを特徴とする金属製成形体。 - 特許庁

After a mask oxide film 19 is formed partially on the surface of a silicon substrate 12, oxygen ions 16 are injected onto the surface of a substrate via the mask oxide film, and the substrate is annealed, to form the embedded oxide film 13 in the inside of the substrate.例文帳に追加

シリコン基板１２の表面に部分的にマスク酸化膜１９を形成した後に、このマスク酸化膜を介して基板の表面に酸素イオン１６を注入し、更にこの基板をアニール処理して基板の内部に埋込み酸化膜１３を形成する。 - 特許庁

A protective film 3, formed on the surface of a semiconductor device 1, comprises a silicon oxide film 4 forming the lowest layer, a silicon nitride oxide film 5 formed on the silicon oxide film 4, a polysilicon film 6 formed on the silicon nitride oxide film 5, and a silicon nitride oxide film 7 formed on the polysilicon film 6.例文帳に追加

半導体装置１の表面に形成された保護膜３は、最下層のシリコン酸化膜４と、シリコン酸化膜４上に形成されたシリコン窒化酸化膜５と、シリコン窒化酸化膜５上に形成されたポリシリコン膜６と、ポリシリコン膜６上に形成されたシリコン窒化酸化膜７とから構成される。 - 特許庁

A first aluminum oxide layer 12, a silver layer or silver alloy layer 13, a second aluminum oxide layer 14, a magnesium fluoride layer 15, a titanium oxide layer or tantalum oxide layer or multiple oxide layer 16 of titanium and lanthanum are laminated successively from the substrate side on at least one surface on a substrate 11.例文帳に追加

基板１１上の少なくとも一面に、第１の酸化アルミニウム層１２と、銀層または銀合金層１３と、第２の酸化アルミニウム層１４と、フッ化マグネシウム層１５と、チタン酸化物層またはタンタル酸化物層またはチタンとランタンとの複合酸化物層１６とを、基板側から順に積層する。 - 特許庁

A first-layer wiring metal film 3 and an interlayer oxide film 4 are formed on a field oxide film 2, an organic material such as SOG, etc., is applied and then is etched back to flatten the surface of first inter-layer oxide film 4, and a second interlayer oxide film 5 is formed on the first-layer wiring metal film 3 and the first interlayer oxide film 4.例文帳に追加

フィールド酸化膜２上に第１層目の配線用金属膜３と第１層間酸化膜４を形成し、ＳＯＧ等の有機物を塗布し、エッチバックして、第１層間酸化膜４上を平坦化し、第１層目の配線用金属膜３上と第１層間酸化膜４上に第２層間酸化膜５を形成する。 - 特許庁

A thin film of a metal selected from titanium oxide, aluminum oxide and copper oxide is formed with a thickness of ≤2 nm on the surface of an oriented polypropylene (OPP) film by a film forming method achieving high adhesion, e.g. the sputtering method, and a gas-barrier thin film, e.g. a film of aluminum oxide or silicon oxide, is then formed.例文帳に追加

延伸ポリプロピレン（ＯＰＰ）フィルムの表面に酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化銅のうち何れかの金属の薄膜をスパッタ法などの密着力が強い成膜方法にて２ｎｍ以下形成した後、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、その他のガスバリア性薄膜を形成することによって密着強度が弱いという問題を解決した。 - 特許庁

This radiological image conversion panel comprises the substrate whose at least the surface is constituted by metal or alloy, the polyparaxylene film formed on the surface of the substrate, an oxide film formed on the surface of the polyparaxylene film, and the phosphor layer formed on the surface of the oxide film.例文帳に追加

本発明の放射線像変換パネルは、少なくとも表面が金属または合金により構成された基板と、この基板の表面に形成されたポリパラキシリレン膜と、ポリパラキシリレン膜の表面に形成された酸化物膜と、酸化物膜の表面に形成された蛍光体層とを有する。 - 特許庁

The ratio of the thickness of a silicon oxide film formed on the sidewall surface of a silicon having an irregular shape formed on a wafer W and the thickness of a silicon oxide film formed on the bottom wall surface of a recess (film thickness of sidewall surface / film thickness of bottom wall surface) is set within the range of 0.6 or less by this plasma.例文帳に追加

このプラズマにより、ウエハＷ上に形成された凹凸形状のシリコンの側壁面に形成されるシリコン酸化膜の膜厚と、凹部の底壁面に形成されるシリコン酸化膜の膜厚との比［側壁面の膜厚／底壁面の膜厚］が０．６以下の範囲内となるようにする。 - 特許庁

The method for treating the copper surface includes processes of: discretely forming metal which is nobler than copper on the copper surface; then forming copper oxide on the surface by oxidizing the surface with an alkaline solution containing an oxidizer; and then dissolving the copper oxide in an acid solution.例文帳に追加

銅表面の処理方法であって、銅表面に銅よりも貴な金属を離散的に形成する工程、その後、酸化剤を含むアルカリ性溶液で酸化して表面に酸化銅を形成する工程、その後、前記酸化銅を酸性溶液で溶解する工程を有する銅表面の処理方法。 - 特許庁

The surface treatment method for copper comprises: a step of discretely forming a metal nobler than copper on the copper surface; a subsequent step of oxidizing the copper surface with an alkaline solution containing an oxidizer to form copper oxide on the copper surface; and a subsequent step of dissolving the copper oxide with an acidic solution.例文帳に追加

銅表面に銅よりも貴な金属を離散的に形成する工程、その後、酸化剤を含むアルカリ性溶液で酸化して銅表面に酸化銅を形成する工程、その後、前記酸化銅を酸性溶液で溶解する工程を有する銅表面の処理方法。 - 特許庁

To provide an iron oxide particle having high blackness and excellent dispersibility and having a carbon-based component firmly and uniformly treated on the surface of the particle, iron oxide powder containing the iron oxide particle, and black pigment powder containing the iron oxide powder.例文帳に追加

黒色性が高く、かつ分散性に優れ、粒子表面に炭素系成分がより強固かつ均一処理された酸化鉄粒子を提供し、さらには該酸化鉄粒子を含有する酸化鉄粉末、及び該酸化鉄粉末を含有する黒色顔料粉を提供する。 - 特許庁

Reaction between the γ-phase silver vanadium oxide and a silver salt generates the novel ε-phase silver vanadium oxide having a low surface area compared with that of an ε-phase silver vanadium oxide using vanadium oxide (V_2O_5) and a similar silver salt as the starting material.例文帳に追加

γ相酸化バナジウム銀と銀塩との反応により、酸化バナジウム（Ｖ_２Ｏ_５）およびこれと同様の銀塩を出発物質として生成されるε相酸化バナジウム銀よりも小さい表面積を有する新たなε相酸化バナジウム銀を生成する。 - 特許庁

The spacer of the image display device is to be an oxide thin film showing electron conductivity on the surface of a glass substrate, and that oxide thin film is formed of solid solution of an oxide showing metallic electric conductivity and another oxide with higher resistance than the former.例文帳に追加

画像表示装置のスペーサを、ガラス基材の表面に電子伝導性を示す酸化物薄膜を有するものとし、その酸化物薄膜を金属的な電気伝導性を示す酸化物とその酸化物よりも高抵抗の酸化物との固溶体により形成する。 - 特許庁

In the positive electrode active material used in the nonaqueous electrolyte secondary battery, the positive electrode active material is a lithium nickel composite oxide, and the surface of the lithium nickel composite oxide is covered with an aluminum oxide and a titanium oxide.例文帳に追加

非水電解質二次電池に用いられる正極活物質において、前記正極活物質は、リチウムニッケル複合酸化物であって、前記リチウムニッケル複合酸化物の表面は、アルミニウム酸化物およびチタン酸化物によって被覆されている構成とする。 - 特許庁