「surface oxide」に関連した英語例文の一覧と使い方(21ページ目) - Weblio英語例文検索

Rare earth oxide is added to glass composed of silicon oxide and alkali oxide so as to be high strength glass HIG, and chemical strengthening is applied thereto so as to form a chemically strengthened layer CSL on the surface of the glass.例文帳に追加

酸化珪素とアルカリ酸化物からなるガラスの中に希土類酸化物を添加して高強度ガラス素材ＨＩＧとし、これに化学強化を施してガラス表面に化学強化層ＣＳＬを形成する。 - 特許庁

The first LOCOS separation structure is composed of a LOCOS oxide film formed on the surface of the semiconductor substrate and a CVD oxide film formed thereon, and the second LOCOS separation structure is composed of the LOCOS oxide film.例文帳に追加

第１ＬＯＣＯＳ分離構造は、半導体基板の表面に形成されたＬＯＣＯＳ酸化膜と、その上に形成されたＣＶＤ酸化膜からなり、第２ＬＯＣＯＳ分離構造は、ＬＯＣＯＳ酸化膜からなる。 - 特許庁

The silicon nitride film 31 is used as a mask for selective oxidation to form a silicon oxide film 33, and after the silicon nitride film 31 and silicon oxide film 30 are removed, a silicon oxide film 34 is formed over the entire surface.例文帳に追加

その後、シリコン窒化膜３１をマスクとして選択酸化を行ってシリコン酸化膜３３を形成し、シリコン窒化膜３１、シリコン酸化膜３０を除去した後、さらに全面にシリコン酸化膜３４を形成する。 - 特許庁

This cooking utensil member has a metallic oxide coating film with dispersed fluorine compound fine particulates in a metallic oxide 3 layer, and a metallic oxide surface covered with organic molecules 2 having carbon fluoride chains.例文帳に追加

金属酸化３物層中にフッ素化合物微粒子１が分散し、かつ、前記金属酸化物表面をフッ化炭素鎖を有する有機分子２で被覆した金属酸化物被膜を調理器具部材に備えたものである。 - 特許庁

A surface of the reflection layer is preferably smoothed by calender processing, and the white pigment is preferably at least one white pigment selected from alumina, yttrium oxide, zirconium oxide, and titanium oxide.例文帳に追加

反射層の表面はカレンダー処理により平滑化されていることが好ましく、白色顔料はアルミナ、酸化イットリウム、酸化ジルコニウムおよび酸化チタンから選ばれる少なくとも一種の白色顔料であることが好ましい。 - 特許庁

The glass for electric bulb with a metal oxide film is readily provided, by attaching a composite for metal oxide film with zirconium oxide as a major component on the surface of a base material for the bulb glass and by crystallizing it.例文帳に追加

酸化ジルコニウムを主成分とする金属酸化物薄膜用組成物を電球ガラス基材表面に付与し、結晶化させることにより、容易に金属酸化物薄膜を有する電球用ガラスが提供される。 - 特許庁

At least one inorganic treating material 4 selected from silicon dioxide, zinc silicate, zinc hydroxide, zinc oxide, aluminum silicate, aluminum hydroxide, aluminum oxide and titanium oxide is stuck to the surface of a phosphor particle 2.例文帳に追加

蛍光体粒子２の表面には、二酸化珪素、珪酸亜鉛、水酸化亜鉛、酸化亜鉛、珪酸アルミニウム、水酸化アルミニウム、酸化アルミニウムおよび酸化チタンから選ばれる少なくとも1種の無機処理材４が付着されている。 - 特許庁

The heated inert gas is blown against the metal with the oxide film formed on the metal surface, and the metal is irradiated with the laser beam to melt and blown the oxide film in the method for removing the metal oxide film.例文帳に追加

表面に酸化膜が生成した金属に、加熱された不活性ガスを噴射すると同時に、レーザー光を照射することによって、該酸化膜を焼き飛ばすことを特徴とする金属酸化膜の除去方法。 - 特許庁

In the hot-dip galvanized steel sheet with a plated layer essentially comprising a η phase, an oxide containing a Zn oxide and an Al oxide is present at the surface of the plating.例文帳に追加

めっき層が主としてη相からなる溶融亜鉛めっき鋼板において、めっき表面にＺｎ系酸化物およびＡｌ系酸化物を含む酸化物が存在し、その平均厚さが１０ｎｍ以上である。 - 特許庁

A metal oxide particle composite provided with metal oxide particles and organic acid salt comprised through surface treatment to the metal oxide particles is incorporated into a resin, so as to be the resin composition.例文帳に追加

金属酸化物粒子と、この金属酸化物粒子に対する表面処理を経て含まれる有機酸塩とを具えることを特徴とする、金属酸化物粒子複合体を樹脂中に含有させて樹脂組成物を得る。 - 特許庁

The titanium oxide dispersion liquid for a photocatalyst includes titanium oxide particles, the surface of which is covered at least partially with zinc phosphate, and the titanium oxide particles are dispersed in an aqueous medium of the neutral range.例文帳に追加

リン酸亜鉛で少なくとも部分的に表面が被覆された酸化チタン粒子を含み、該酸化チタン粒子が中性領域の水性媒体に分散していることを特徴とする光触媒用酸化チタン分散液。 - 特許庁

The cerium oxide catalyst carrier has: the substrate; and the cerium oxide catalyst fine particles which have a surface each coated with a silane monomer, are immobilized to the surface of the substrate via the chemical bond between the silane monomer and the substrate surface, and are bonded mutually by the chemical bond of silane monomer.例文帳に追加

基体と、各々シランモノマーにより表面を被覆されており、シランモノマーと基体表面との化学結合を介して基体の表面に固定され、シランモノマーの化学結合により互いに結合した酸化セリウム触媒微粒子を有する。 - 特許庁

By selective oxidizing, a gate oxide film 83 along a bottom surface of the trench 51 is so formed as to be thicker than the gate oxide film 59 on the side surface of the trench, and further to get thicker as it approaches from an end of the bottom surface of the trench to a drain polysilicon 63.例文帳に追加

また、選択酸化により、トレンチ５１の底面に沿うゲート酸化膜８３を、トレンチ側面のゲート酸化膜５９よりも厚く、かつトレンチ底面の端部からドレインポリシリコン６３に向かって連続的に厚くなるように形成する。 - 特許庁

In the front plate glass 111, the deeper the depth from the surface of its bottom surface is made, the lower the concentration of tin oxide is made, and the concentration of tin oxide in the range where the depth from the bottom surface is shallower than 3 μm is 1% by mass or more.例文帳に追加

前面板ガラス１１１は、そのボトム面の表面からの深さが深くなるほど酸化錫の濃度が小さくなり、且つボトム面からの深さが３μｍより浅い範囲における酸化錫の濃度が１質量％以上である。 - 特許庁

In the nano-structured body where there is an insulation film on a substrate having perovskite type oxide surface and an insulation film contains multiple pores being through from the film surface to the substrate surface, perovskite type oxide exists at least in these pores.例文帳に追加

ペロブスカイト型酸化物表面を有する基体上に絶縁膜を有し、該絶縁膜が表面から基体表面まで達する複数の細孔を有するナノ構造体において、少なくとも該細孔中にペロブスカイト型酸化物が存在するナノ構造体。 - 特許庁

The method of manufacturing a compound semiconductor 1 comprises forming silicon nitride 3 on a GaAs substrate 1, forming silicon oxide 4 on the silicon nitride 3, forming a resist on the silicon oxide 4, etching the silicon oxide 4, removing the resist to form a silicon oxide sidewall 5 on the entire surface, and etching the entire surface, to form openings 6 reaching the surface of the GaAs substrate 1.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１上に窒化シリコン３を形成し、窒化シリコン３上に酸化シリコン４を形成し、酸化シリコン４上にレジストを形成して酸化シリコン４をエッチングし、レジストを除去して全面に酸化シリコンからなるサイドウォール５を形成し、全面をエッチングしてＧａＡｓ基板１の表面に達する開口部６を形成して化合物半導体１を製造する構成にした。 - 特許庁

The magnesium oxide film 1 is formed by growing magnesium oxide plate crystal 5 on the surface of the magnesium oxide thin film part 4 by the chemical gas phase deposition method (the CVD method) under an open atmosphere, on the surface of a base layer 3 formed by coating magnesium compound solution generating magnesium oxide by thermal decomposition on a surface of a base material 2 and heat-treating it.例文帳に追加

酸化マグネシウム膜１は、熱分解により酸化マグネシウムを生成するマグネシウム化合物の溶液を基材２の表面に塗布して熱処理することにより形成した下地層３の表面に、大気開放下での化学気相析出法（ＣＶＤ法）によって酸化マグネシウム薄膜部４の表面に酸化マグネシウム板状結晶５を成長させることにより形成される。 - 特許庁

The photocatalyst layer is a carbon-doped titanium oxide layer or a carbon-doped titanium alloy oxide layer and is formed by heat-treating the surface of the base body, the surface layer of which consists of titanium, a titanium alloy, a titanium alloy oxide, titanium oxide or the like at the least, in such an atmosphere that chemical pieces containing carbon and oxygen are supplied to the surface of the base body.例文帳に追加

光触媒層としては、炭素がドープされた炭素ドープ酸化チタン層や炭素ドープチタン合金酸化物層であり、このような光触媒層は、少なくとも表面層がチタン、チタン合金、チタン合金酸化物、酸化チタンなどからなる基体の表面を、炭素、酸素を含む化学種が表面に供給される雰囲気下で加熱処理することにより形成できる。 - 特許庁

The electrode for electrolysis comprises: a substrate made of a valve metal; a coating layer containing particles of electroconductive titanium oxide, formed on the substrate surface; an intermediate layer containing 5 to 30 wt.% iridium oxide, and tantalum oxide, formed on the surface of the coating layer; and an electrode material layer mainly containing iridium oxide, formed on the surface of the intermediate layer.例文帳に追加

弁金属基材、該基材表面に被覆された導電性酸化チタン粒子を有する被覆層、該被覆層表面に形成され、酸化イリジウムと酸化タンタルを含み前記酸化イリジウムの含有量が５から30重量％である中間層、及び該中間層表面に形成された酸化イリジウムを主とする電極物質層を含んで成る電解用電極。 - 特許庁

In the gas barrier laminated film wherein the inorganic compound layer is provided on at least the single surface of the base material film, the inorganic compound layer is formed by laminating a transparent conductive oxide layer and a gas barrier layer comprising either one of or both of aluminum oxide and silicon oxide on the surface of the base material film so that the transparent conductive oxide layer is formed on the surface of the base material film.例文帳に追加

基材の少なくとも片面に、無機化合物層を設けてなるガスバリア性積層フィルムにおいて、前記無機化合物層が、透明導電性酸化物層とアルミニウム酸化物、珪素酸化物の何れか一方、もしくは両方からなるガスバリア層とを、基材表面に透明導電性酸化物層がくるように積層させたなガスバリア性積層フィルムを提供する - 特許庁

A conductive layer is formed on the surface of the titanium oxide particles obtained by a vapor-phase oxidation method, and further the surface is treated by using a hydrophobizing agent.例文帳に追加

気相酸化法によって得られた酸化チタン粒子の表面に導電層を形成し、さらに疎水化剤によって表面処理する。 - 特許庁

The low resistivity light attenuation reflection preventing film has eight oxide layers, and the surface layer material of the film is the transparent surface conductive layer, and has the high refractive index of 1.9-2.2.例文帳に追加

これは８つの酸化物層を有し、該フィルムの表層の材料が透過可能な導電層で、１．９〜２．２の高屈折率を有する。 - 特許庁

Thereby, a mixed gas of raw materials is uniformly blown to the surface of the substrate and a metal oxide film is uniformly deposited on the surface of the substrate.例文帳に追加

これにより、基材表面に均一に原料混合ガスが吹き付けられ、基材表面に金属酸化物膜が均一に堆積する。 - 特許庁

Since the surface of the silicon wafer 4 having an oxide film 4a formed thereto is hydrophilic, the recovery liquid 5 spreads over the whole surface of the silicon wafer 4.例文帳に追加

酸化膜４ａが形成されているシリコンウェーハ４の表面は親水性なので、回収液５はシリコンウェーハ４の表面全体に広がる。 - 特許庁

This silicon carbide sintered compact is characterized in that the silicon carbide sintered compact has a silicon oxide film having 0.01-0.2 μm surface roughness (Ra) on the surface.例文帳に追加

表面の粗度（Ｒａ）が０．０１〜０．２μｍである酸化ケイ素膜を表面に有することを特徴とする炭化ケイ素焼結体である。 - 特許庁

Consequently, an organic substance on a surface of the substrate is dissolved and removed and also an oxide film is formed on the surface of the substrate.例文帳に追加

これにより、半導体基板の表面上の有機物を分解・除去すると共に半導体基板の表面に酸化膜を形成する。 - 特許庁

The magnesium oxide particle has the ratio of (median diameter)/(specific surface area diameter which is obtained from the specific surface area) of 3 or less and the value of D90/D10 of 4 or less.例文帳に追加

（メジアン径）／（比表面積から求められる比表面積径）の比が３以下であり、Ｄ９０／Ｄ１０が４以下である酸化マグネシウム粒子。 - 特許庁

An n-type semiconductor 22 is formed on the surface of an n-type silicon substrate 21, and a mask oxide film is formed on the surface of the n-type semiconductor 22.例文帳に追加

ｎ型シリコン基板２１の表面にｎ型半導体２２を形成し、ｎ型半導体２２の表面にマスク酸化膜を形成する。 - 特許庁

To realize a clean surface of a cupper wiring, by removing an oxide film in high repeatability without generating ruggedness on the surface of the copper wiring.例文帳に追加

銅配線の表面に凹凸を生ぜしめることなく、再現性良く酸化物層のみを除去して清浄な前記表面を実現する。 - 特許庁

A conical hole is formed on the surface side of a substrate, and an oxide membrane is formed on the surface side of the substrate by including the part of the conical hole.例文帳に追加

まず、基板表面側に円錐状の穴を形成し、その円錐状の穴部分を含む基板表面側に酸化膜を形成する。 - 特許庁

The upper surface 11S of the gap layer 11 is protruded in a direction farther from the word line 21 than the upper surface 51S of the silicon oxide layer 51.例文帳に追加

キャップ層１１の上面１１Ｓは、シリコン酸化物層５１の上面５１Ｓよりもワード線２１から離れる方向へ突き出している。 - 特許庁

Aluminum is laminated on a surface of the oxide film 10 by sputtering to form an aluminum film 2 of a (111) plane over the entire surface.例文帳に追加

そして、この酸化膜１０の表面に、スパッタリングによってアルミニウムを積層することで、全面が（１１１）面のアルミニウム膜２を形成する。 - 特許庁

The surface layer of the board 505 is modified to a porous metal oxide by anodization and supports catalyst ingredients on the surface layer.例文帳に追加

また、基板５０５の表層は陽極酸化により多孔質金属酸化物に変質しており、その表層に触媒成分が担持されている。 - 特許庁

Because of the inclination, a gallium nitride semiconductor epitaxially grown on the principal surface 32a of the gallium oxide support base has a flat surface.例文帳に追加

この傾斜により、酸化ガリウム支持基体主面３２ａ上にエピタキシャル成長された窒化ガリウム系半導体は平坦な表面を有する。 - 特許庁

The silicon oxide 31 easily grows on the silicon 11a' of the bottom surface of the trench, and has difficulty in growing on the thermal oxidation film 12b of the wall surface.例文帳に追加

この酸化シリコン３１は、トレンチ底面のシリコン１１ａ’上には成長しやすく、壁面の熱酸化膜１２ｂ上には成長しにくい。 - 特許庁

If necessary, a second barrier type anode oxide film 108 is formed on the side surface and top surface of the gate electrode at a comparatively high voltage.例文帳に追加

必要に応じては比較的高い電圧でバリア型の第２の陽極酸化膜１０８をゲイト電極の側面および上面に形成する。 - 特許庁

To provide an ozone treatment apparatus which can form an oxide film of sufficient thickness on the surface of a substrate by guiding high-density ozone gas to the substrate surface.例文帳に追加

高濃度オゾンガスを基板表面に導いて、十分な膜厚の酸化膜を基板表面に生成し得るオゾン処理装置を提供する。 - 特許庁

Irregular polysilicon surface 16a and silicon surface 16b are formed by performing heat treatment for the oxide film under vacuum (a second process).例文帳に追加

この酸化膜を減圧下で熱処理することによって、凹凸を有するポリシリコン面１６ａ、及びシリコン面１６ｂを形成する（第２の工程）。 - 特許庁

Hydrofluoric acid 103 is adsorbed on the surface of each silicon oxide-based member and the bond between atoms is broken, and the surface becomes chemically active.例文帳に追加

それぞれの酸化珪素系部材の表面はフッ酸ガス１０３が吸着し、原子と原子の結合が切られ、化学的に活性になる。 - 特許庁

A p-type metal oxide semiconductor layer (7) for surface stabilization is provided on the other main surface (11) of the main semiconductor area (1).例文帳に追加

主半導体領域（１）の一方の主面（１１）上に表面安定化用のｐ型金属酸化物半導体層（７）が設けられている。 - 特許庁

The thickness of a surface oxide film 2 in an aluminum extension material 1 after final annealing is controlled to ≤5 nm, and the contact angle of the surface is controlled to 35 to 65 degrees.例文帳に追加

最終焼鈍後のアルミニウム展伸材１の表面酸化皮膜２の厚さを５ｎｍ以下、表面の接触角を３５〜６５度とする。 - 特許庁

In addition, any dirt stuck to the front surface of the front panel 4 can be naturally peeled off by the self-purifying effect of the titanium oxide coated to the front surface.例文帳に追加

さらに、前板４の前面に付着する汚れは、この前面にコーティングしてある酸化チタンの自浄作用により自然に剥離される。 - 特許庁

This platinum-carrying titanium oxide carrier carries platinum microparticles on the surface of a titanium oxide carrier, wherein the titanium oxide carrier comprises titanium oxide microparticles with an average particle diameter of 1-100 nm, and more than 30% of the titanium oxide microparticles constituting the titanium oxide carrier has a crystal form of a Magneli phase structure, and the platinum microparticle has an average particle diameter of 1-5 nm.例文帳に追加

酸化チタン担体の表面に、白金微粒子が担持されてなる白金担持酸化チタン担体であって、前記酸化チタン担体は、平均粒子径が１〜１００ｎｍの酸化チタン微粒子からなり、且つ、該酸化チタン担体を構成する酸化チタン微粒子の３０％以上が、マグネリ相構造の結晶形態を有し、前記白金微粒子は、平均粒子径が１〜５ｎｍである、白金担持酸化チタン担体。 - 特許庁

After finishing the heat treatment process in the wet oxygen atmosphere, the wafer may be subjected to oxide film removal cleaning so as to remove an oxide film formed on the wafer surface.例文帳に追加

ウェット酸素雰囲気下での熱処理工程の終了後に、ウェーハ表面に形成された酸化膜を除去するため酸化膜除去洗浄を行ってもよい。 - 特許庁

A first oxide film 32 is deposited on an inner periphery surface of the trench 31 for separating devices by the CVD method, and the active part trench 35 is buried with the first oxide film 32.例文帳に追加

ＣＶＤ法により素子分離用トレンチ３１の内周面に第１酸化膜３２を堆積するとともに、活性部トレンチ３５を第１酸化膜３２で埋める。 - 特許庁