「surface passivation method」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The method for forming an interface layer on a substrate surface, for which the hydrogen passivation is carried out, is provided.例文帳に追加

水素パッシベーションした表面上に界面層を形成する方法が提供される。 - 特許庁

To provide a method for forming on a silicon surface a surface passivation layer comprising an Al_2O_3 layer, by which good surface passivation quality of the surface passivation layer is maintained while blister formation is avoided even at high temperature.例文帳に追加

シリコン表面に、Ａｌ２Ｏ３層を備えて表面パッシベーション層を形成するに際し、表面パッシベーション層は、パッシベーション層の良好な表面パッシベーション品質が維持されると共に、ブリスター形成が、高温でも回避される方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a photoelectric conversion device having a rear surface passivation effect and high in efficiency at a low cost.例文帳に追加

裏面パッシベーション効果を有する高効率な光電変換素子の製造方法を低コストに提供すること。 - 特許庁

METHOD FOR PASSIVATION OF SURFACE OF COATED METAL BAND AND DEVICE FOR APPLICATION OF PASSIVE LAYER ON METAL COATED STEEL BAND例文帳に追加

メッキを施された金属帯の不動態化方法およびメッキを施された帯鋼に不動態化層を塗布する装置 - 特許庁

Formation of a passivation layer (11) which is to be left between the individual contacts on the surface of the substrate may be added optionally to the method.例文帳に追加

随意に、基板表面の個々の接点の間に残ることになるパッシベーション層（１１）を、この方法の間に加えてもよい。 - 特許庁

A method includes forming an oxidation cavity partially through the VCSEL structure, oxidizing a layer in the VCSEL structure, forming a first passivation layer 80 over a surface of the oxidation cavity, and forming a second passivation layer 120 over the first passivation layer 80.例文帳に追加

ＶＣＳＥＬ構造を部分的に貫通する酸化空洞を形成し、ＶＣＳＥＬ構造内の層を酸化し、酸化空洞の表面上に第１のパッシベーション層８０を形成し、第１のパッシベーション層８０の上に第２のパッシベーション層１２０を形成する。 - 特許庁

The method includes the steps of: providing a silicon substrate 2; depositing a surface passivation layer 3 at a rear side of the silicon substrate 2; forming delaminated regions or bubbles 1 at an interface between the surface passivation layer 3 and the silicon substrate 2; depositing a metal layer 4 on the surface passivation layer 3; and performing a metal firing.例文帳に追加

シリコン基板２を提供する工程と、シリコン基板２の裏側に表面パッシベーション層３を堆積する工程と、表面パッシベーション層３とシリコン基板２との間の界面に薄い層に裂けた領域または泡１を形成する工程と、表面パッシベーション層３の上に金属層４を堆積する工程と、金属の焼成を行う工程とを含む。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a solar cell capable of inexpensively manufacturing a solar cell having a passivation film on a rear surface of a substrate and excellent photoelectric conversion efficiency in a simple step.例文帳に追加

基板の裏面にパッシベーション膜を有する光電変換効率に優れた太陽電池を簡略な工程で安価に得ること。 - 特許庁

To provide a flexible printed circuit board which restrains generation of pin holes especially on a passivation and can improve non-tuck nature (non-adhesiveness) of a surface of the passivation, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

特に保護膜にピンホールが発生するを抑制するとともに、前記保護膜の表面の非タック性（非粘着性）を向上させることが可能なフレキシブルプリント基板及びその製造方法を提供することを目的としている。 - 特許庁

To provide a high-current density electrolysis method for copper, which can inhibit passivation of an anode and deposition of slime onto the surface of a cathode, without filtrating an electrolytic solution.例文帳に追加

電解液のろ過なしでアノード不働態化及びカソード表面へのスライム付着を抑制できる銅の高電流密度電解法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for passivation treatment of a metal surface, having no effect on a corrosion-resistant and non-heat-resistant packing and excellent in workability.例文帳に追加

耐食性を有するが非耐熱性であるパッキンに影響を与えないで作業性に優れた金属表面の不動態化処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide an electro-chemical machining method for stably machining a fine shape at a high accuracy without receiving an influence of passivation of a surface to be machined.例文帳に追加

加工対象面の不動態化の影響を受けず、微細な形状を高精度に安定して加工することのできる電解加工方法を提供する。 - 特許庁

To provide a life time measurement method of a silicon wafer capable of maintaining and measuring the passivation effect for controlling surface recombination over a long time in measuring the lifetime of a silicon wafer.例文帳に追加

シリコンウェーハのライフタイムを測定するに際し、長時間にわたり表面再結合を抑制するためのパッシベーション効果を持続して測定する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a solar cell which does not use a high-temperature process, such as thermal oxidation, and has the same surface passivation characteristic as thermal oxidation at low temperature.例文帳に追加

熱酸化法のような高温プロセスを用いず、低温で熱酸化法と同程度の表面パッシベーション特性をもつ太陽電池の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a printing mask and a flip chip-type IC, by which the surface of a passivation layer can effectively be prevented from being damaged at the time of printing paste.例文帳に追加

ペーストの印刷時にパッシベーション層の表面に傷がつくことを有効に防止することが可能な印刷マスク及びフリップチップ型ＩＣの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for continuing passivation effect for suppressing surface recombination for long time so as to measure an electric characteristic of a semiconductor wafer at the time of measuring it.例文帳に追加

半導体ウェーハの電気特性を測定するに際し、長時間にわたり表面再結合を抑制するためのパッシベーション効果を持続して測定する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a passivation treatment method, capable of preventing deterioration of a chromium surface of a mask regardless of cleaning with a chemical solution such as ozone water.例文帳に追加

本発明は、オゾン水等の薬液で洗浄してもマスクのクロム表面の劣化を防止することができる不動態処理方法を提供することを目的とするものである。 - 特許庁

In the method of measuring the lifetime of a silicon wafer by a microwave light electric conductive vibration decay method, the electric charge charged on the silicon wafer surface is maintained in the fixed state by performing chemical passivation processing so as to control surface recombination.例文帳に追加

シリコンウェーハをマイクロ波光導電減衰法によりライフタイムを測定する方法において、表面再結合を抑制するためにケミカルパシベーション処理し、シリコンウェーハ表面に帯電した電荷を一定状態に維持する。 - 特許庁

To achieve a method for manufacturing solar cell device, with a reaer-surface passivation structure that allows formation of a back electrode without requiring formation of an opening in a passivation film and fine precision alignment with the opening and prevents deterioration of the silicon substrate during electrode formation.例文帳に追加

パッシベーション膜に対する開口の形成や精細な精度の位置合わせを必要とすることなく裏面電極を形成が可能で、電極形成時のシリコン基板の劣化が小さい裏面パッシベーション構造の太陽電池素子の製造方法を得ること。 - 特許庁

In a method of forming the protective film of a silicon nitride (SiNx) film on a semiconductor surface of low-temperature polysilicon, material gas containing gas for H_2 passivation and Si is introduced into the semiconductor surface and a low-temperature plasma process is carried out to achieve H_2 passivation and deposition with a silicon nitride (SiN_x) film.例文帳に追加

低温ポリシリコンの半導体表面に窒化シリコン（ＳｉＮ_ｘ）膜の保護膜を形成する成膜方法において、半導体表面にＨ_２パッシベーション用ガスとＳｉを含む材料性ガスとを導入し、低周波プラズマ処理により、Ｈ_２パッシベーションと窒化シリコン（ＳｉＮ_ｘ）膜の成膜とを行う。 - 特許庁

A passivation film 11 (film for preventing diffusion of movable ions) is formed on the surface of the device side of a glass substrate 10 by a sputtering method, a CVD method, a dipping method or the like in order to intercept the thermal diffusion of Na ions in the substrate 10 to the surface of the device side of the substrate 10.例文帳に追加

ガラス基板１０のデバイス側表面には、基板１０中のＮａイオンの該デバイス側基板表面への熱拡散を遮断すべく、スパッタ法、ＣＶＤ法、ディップ法等により形成されたパッシベーション膜１１（可動イオン拡散防止膜）が成膜されている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a back electrode solar cell capable of reducing a recombination current due to passivation properties on the light-receiving surface side by reducing the number of steps.例文帳に追加

工程数を低減して、受光面側のパッシベーション性に起因した再結合電流を低減することが可能な裏面電極型太陽電池の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a metal separator enabling grinding of a surface rolling influence layer of a base material and at the same time applying a passivation treatment on a newborn face obtained.例文帳に追加

母材の表面圧延影響層の研削と同時に、ここで得られた新生面に対して不動態化処理を施すことを可能とした燃料電池用金属製セパレータの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a solar cell that has improved passivation effect on an internal wall surface of a via hole formed in its semiconductor substrate, a solar cell module, and its manufacturing method.例文帳に追加

半導体基板に形成された貫通孔の内壁面におけるパッシベーション効果を向上した太陽電池、太陽電池モジュール及び太陽電池の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The method comprises a step of forming a passivation film on a semiconductor substrate surface having desired element regions and a wiring layer, a step of etching the passivation film to expose pad regions for external connections, and a step of etching the wiring layer surface with a liquid containing ammonium fluoride after that etching step.例文帳に追加

所望の素子領域および配線層の形成された半導体基板表面にパッシベーション膜を形成する工程と、外部接続を行うべきパッド領域を露呈せしめるべく、前記パッシベーション膜をエッチングするエッチング加工工程と、前記エッチング加工工程後、弗化アンモニウム含有液を用いて配線層表面をエッチングする工程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a photoelectric conversion device which can reduce the number of manufacturing steps of a photoelectric conversion device having an impurity region on the side surface of a semiconductor substrate covered with a passivation film.例文帳に追加

パッシベーション膜で覆われた半導体基板の側面に不純物領域を有する光電変換装置の製造工程数を少なくすることの可能な光電変換装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To improve a method for manufacturing a solar cell for attaining an improved surface passivation and volume passivation, besides excellent optical properties of a substrate in manufacturing a semiconductor element, with respect to the process for forming a layer containing a hydrogen-containing silicon on a substrate formed of silicon or a substrate containing silicon such as a wafer or a film substrate.例文帳に追加

本発明はシリコンからなる基板はシリコンを含む基板、例えばウエハ又はフィルムの基板上に水素含有シリコンを含む層を形成して半導体素子を製造する方法に関し、良好な光学的性質のほかに基板の良好な表面不動態化も体積不動態化も可能なように太陽電池の製造方法を改良することを課題とする。 - 特許庁

Organic substances sticking on the silicon wafer surface are removed using a mixed liquid of ammonia and a hydrogen peroxide solution etc., a natural oxide film on the silicon surface is removed with an HF solution, and passivation is carried out by an iodine ethanol method, so that the recombination lifetime of a carrier is measured by a reflective microwave photoconduction attenuation method.例文帳に追加

まずシリコンウェーハ表面に付着した有機物をアンモニアと過酸化水素水との混合液等を用いて除去し、次にＨＦ溶液によりシリコンウェーハ表面の自然酸化膜を除去し、ヨウ素エタノール法によりパッシベーションを行い、反射マイクロ波光導電減衰法によりキャリアの再結合ライフタイムを測定する。 - 特許庁

In the method for performing passivation for suppressing surface recombination and measuring life time of the semiconductor wafer, a reflective microwave photoconductive attenuation method is used for the semiconductor wafer where a natural oxide film on a surface of the semiconductor wafer is removed by hydrofluoric acid and pure water rinse cleaning is performed under nitrogen atmosphere.例文帳に追加

表面再結合を抑制するためのパシベーションを実施して半導体ウェーハのライフタイムを測定する方法において、半導体ウェーハ表面の自然酸化膜をフッ酸で除去し純水リンス洗浄を施した半導体ウェーハを窒素雰囲気下において反射マイクロ波光導電減衰法を用いる。 - 特許庁

To provide a high current density electrolysis method by which the generation of the passivation of an anode, the deposition of slime onto the surface of a cathode, the formation of knobs (granular copper) and wrinkly ruggedness on the surface of the cathode are eliminated, and moreover, the production increase of copper high in purity is made possible without increasing electrolytic cells.例文帳に追加

アノードの不動態化の発生、カソード表面へのスライムの付着、カソード表面でのこぶ（粒銅）やしわ状の凹凸の生成がなく、しかも純度の高い銅の増産が電解槽の増設なしで可能となる銅の高電流密度電解法を提供する。 - 特許庁

To prevent a defective overlap-type TCP semiconductor device caused by damage to a passivation film or an oxide film by a method, wherein stress is less developed on the primary surface of a semiconductor chip in a stage where potting resin is cured.例文帳に追加

オーバーラップ型ＴＣＰ半導体装置において、ポッティング樹脂のキュアの段階で発生する半導体チップ主面への応力を低減し、これによってパッシベーション膜や酸化膜が破壊されることによるチップの不良を防止する。 - 特許庁

To easily form a passivation film on upper electrodes by a generally used and easily applicable method in a surface-shape recognition sensor provided with openings on the upper electrodes for easily forming hollow structures.例文帳に追加

上部電極に開口部を備えることで容易に中空構造を形成できるようにした表面形状認識用センサにおいて、一般的に用いられている適用しやすい方法で、上部電極上により容易に保護膜が形成できるようにする。 - 特許庁

The method for removing the silica-base scale adhering to the metal surface is characterized by (1) cleaning the silica-base scale including silica and/or silicate adhering to the metal surface with a cleaning liquid containing fluoride, and subsequently (2) passivating the metal surface with a passivation liquid containing fluoride and peroxide.例文帳に追加

金属表面に付着したシリカおよび／又は珪酸塩を含むシリカ系スケールに対して、（１）フッ化物を含む洗浄液を用いて該スケールを洗浄し、次いで（２）フッ化物及び過酸化物を含む不働態化処理液を用いて金属表面を不働態化することを特徴とする金属表面に付着したシリカ系スケールの除去方法。 - 特許庁

To provide a chemical cleaning method for effectively removing silica- base scale including silica and/or silicate adhering to the metal surface, out of the removal method, without damaging a passivation coating, while inhibiting corrosion of the metal to the minimum.例文帳に追加

本発明の課題は、金属表面に付着したシリカおよび／又は珪酸塩を含むシリカ系スケールの除去において、金属の腐食を最小に抑えるとともに、不働態化皮膜を損なうことなく、金属表面に付着したシリカ系スケールを効率的に除去できる化学的洗浄方法を提供することである。 - 特許庁

To provide a method of measuring a carrier life time of a silicon wafer by the microwave photoconductivity decay method, which accurately measures the carrier life time by easily and stably keeping a chemical passivation effect over the entire surface of the silicon wafer while avoiding the influences of impurities and so on.例文帳に追加

マイクロ波光導電減衰法によりシリコンウェーハのキャリアライフタイムを測定する際に、不純物等による影響を受けることなく、シリコンウェーハ表面全面にわたって、ケミカルパッシベーション効果を、簡便かつ安定的に保持し、正確なキャリアライフタイム測定が可能となるシリコンウェーハのキャリアライフタイム測定方法を提供する。 - 特許庁

To provide a fabrication method for a top emission type organic EL device, which endows the top emission type organic EL device with high heat dissipation from a substrate, does not cause deterioration of an organic EL layer, can form an ITO layer as a second electrode and continuously a passivation layer on it, and can form an insulator layer on a substrate surface.例文帳に追加

トップエミッション型有機ＥＬ素子の、基板からの放熱性が高く、有機ＥＬ層の変質を招かないで第２電極であるＩＴＯ膜とその上の保護膜を連続して形成でき、基板表面の絶縁層を経済的に形成できる製法を提供する。 - 特許庁

To provide a method capable of evenly and surely forming a passive film while suppressing excessive metal corrosion of a crystal grain surface, and selectively breaking and metal-corroding a passive film in a grain boundary part without stopping or holding sweep at a re-passivation minimum potential.例文帳に追加

結晶粒表面の過剰な金属腐食を抑えて、不動態皮膜をムラなく確実に形成でき、また、再不動態化最小電位にて掃引の停止・保持をすることなく、粒界部の不動態皮膜を選択的に破壊して金属腐食させ得る方法を提供する。 - 特許庁

This is a method used to deposit a passivation layer of a first material on the interior surface of a cold wall reactor or a warm wall reactor, in which the first material inside is nonreactive with one or a plurality kinds of precursors used to form a second material.例文帳に追加

中にある第１の物質が、第２の物質を形成するために用いる１種または複数種の前駆物質との反応性を持たないコールド・ウォール反応器またはウォーム・ウォール反応器の反応器内面上に第１の材料のパッシベーション層を堆積させる方法。 - 特許庁

To provide an organic EL display capable of preventing the occurrence of display defects caused by diffusion of residual gas and moisture to an organic EL layer, because coverage failure of a passivation layer is improved by reducing protrusions on the surface of an overcoat layer, and also provide its manufacturing method.例文帳に追加

オーバーコート層の表面上の突起などを低減することで、パッシベーション層のカバレッジ不良が改善され、有機ＥＬ層への残留ガスや水分の拡散に起因する表示欠陥などの発生を防ぐことができる有機ＥＬディスプレイ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Another embodiment provides a manufacturing method for a solar cell module including: (a) a step of preparing a solar cell including an electrode pattern on at least one surface; and (b) a step of forming a light-transmitting passivation film by performing parylene coating on at least a front surface of the solar cell.例文帳に追加

また、他の実施形態によると、（ａ）少なくとも一面に電極パターンが形成された太陽電池セルを準備する段階と、（ｂ）太陽電池セルの少なくとも前面上にパリレン（ｐａｒｙｌｅｎｅ）コーティングを行って光透過性パッシベーション膜を形成する段階と、を含んでなる太陽電池モジュールの製造方法が提案される。 - 特許庁

A method for forming the barrier film by subjecting the Si surface to passivation by the atom-like hydrogen can perform a barrier effect by an extremely thin film for enabling space-saving, as compared with a method for forming the barrier film according to a conventional metal film or the like, and can provide an effect of reducing cost in association with no use of a metal element.例文帳に追加

本発明のＳｉ表面を原子状水素により不動態化することによるバリア膜の形成法は，従来の金属膜などによるバリア膜の形成法と比較して，省スペース化を可能にする極めて薄い膜によりバリア効果を発揮でき，且つ金属元素を使用しないことに伴うコストの低減化をもたらす効果がある。 - 特許庁

A method of manufacturing the solar cell element 10 has a substrate preparation step for preparing a semiconductor substrate 1 having a p-type semiconductor layer, a surface treatment step for exposing the surface of the p-type semiconductor layer to plasma which is formed by using gas containing nitrogen atoms, and a layer formation step for forming a passivation layer 7 on the p-type semiconductor layer exposed to the plasma.例文帳に追加

また、ｐ型半導体層を有する半導体基体１を準備する基体準備工程と、前記ｐ型半導体層の表面を、窒素原子を含むガスを用いて形成されるプラズマに曝す表面処理工程と、前記プラズマに曝した前記ｐ型半導体層の上にパッシベーション層７を形成する層形成工程とを有する太陽電池素子１０の製造方法。 - 特許庁

To provide an electrolytic method of preventing anodic passivation by eliminating any high concentration area of metal subjected to electrolysis such as copper which is locally or globally generated in the vicinity of an anode surface to unify the whole concentration distribution between both electrode plates for the electrolyte between anodes and cathodes, and to provide an electrolytic tank used therefor.例文帳に追加

アノード及びカソード間の電解液について、特にアノード表面近傍に局所的あるいは全体的に発生する銅等電解目的金属の高濃度領域を解消し、両極板間全体の濃度分布を均質化してアノードの不働態化を防止する電解方法、及びこれに使用する電解槽の提供。 - 特許庁

To provide an organic EL display in which poor coverage of a passivation layer is eliminated by reducing fine unevenness, such as foreign substance, projection or the like on the surface of an overcoat layer, thereby preventing an occurrence of display defect etc. due to residual gas and moisture diffused to an organic EL layer, its manufacturing method and its manufacturing apparatus.例文帳に追加

オーバーコート層表面上の異物や突起などの微細な凹凸を低減することで、パッシベーション層のカバレッジ不良が改善され、有機ＥＬ層への残留ガスや水分の拡散に起因する表示欠陥などの発生を防ぐことができる有機ＥＬディスプレイ並びにその製造方法および製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide a solar cell of high photoelectric conversion efficiency at low cost without deteriorating a back passivation effect and a back electric field effect in a process of forming a backside structure when the solar cell is manufactured using a sheet-like silicon substrate whose either surface is at least rugged and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

少なくとも一方の面が表面に凹凸を有する凹凸面であるシート状シリコン基板を用いた太陽電池を作製する際に、裏面構造の形成過程において裏面パッシベーション効果と裏面電界効果を損なうことがなく、低コストで光電変換効率の高い太陽電池およびその製造方法を提供する - 特許庁