「surface recombination」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The recombination life time of the epitaxial layer or the SOI layer is obtained by employing a first recombination life time measured after applying a first surface non-activation process with respect to the wafer, and a second recombination life time measured after applying a second surface non-activation process with respect to the wafer after measuring the first recombination life time.例文帳に追加

エピタキシャル層またはSOI層の再結合ライフタイムを、前記ウェーハに対して第一の表面不活性化処理を行った後に測定される第一の再結合ライフタイムと、前記第一の再結合ライフタイム測定後のウェーハに対して第二の表面不活性化処理を行った後に測定される第二の再結合ライフタイムを用いて求める。 - 特許庁

Also, PXLEDs formed from GaN have a low surface recombination velocity and hence a high efficiency.例文帳に追加

また、ＧａＮから形成されたＰＸＬＥＤは、表面再結合速度が低く、従って効率が高い。 - 特許庁

To further reduce the recombination of carriers on the surface of a semiconductor substrate such as a silicon substrate by further inactivating the surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加

シリコン基板等の半導体基板の表面を一層不活性化し、基板表面でのキャリアの再結合を一層低減する。 - 特許庁

To provide a solar battery having a high energy conversion efficiency in which recombination of optical carriers on the back surface can be suppressed and recombination of optical carriers in a light absorption layer can be suppressed.例文帳に追加

裏面での光キャリアの再結合が抑制され、且つ光吸収層内での光キャリアの再結合も抑制された、エネルギー変換効率の高い太陽電池を提供する。 - 特許庁

Additionally, on the upper surface of the base region 14, a recombination layer 17, which functions as the recombination center of minority carriers(electrons in this case), is formed, and a groove section 18 is formed at the side of the emitter region 15 and at the side of the collector region 16 in the recombination layer 17.例文帳に追加

更に、ベース領域１４の上面には、少数キャリア（ここでは、電子）の再結合中心として機能する再結合層１７が形成され、再結合層１７のエミッタ領域１５側及びコレクタ領域１６側に溝部１８が形成されている。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for measuring surface carrier recombination speed capable of obtaining surface Fermi level even from FK oscillation influenced by probe light having relatively large intensity and at the same time capable of determining surface recombination speed.例文帳に追加

比較的強度の強いプローブ光の影響を受けたＦＫ振動からであっても表面フェルミ準位を求めることができると同時に表面再結合速度を決定できる表面キャリア再結合速度の測定方法及び測定装置を提供する。 - 特許庁

To provide a novel surface recombination technology for expressing heterodimeric recombinant gene products on the surface of a filamentous phage containing a recombinant gene.例文帳に追加

組換え遺伝子を含む繊維状ファージの表面上でヘテロ二量体組換え遺伝子産物を発現させる新しい表面組込み技術を提供すること。 - 特許庁

Chemical passivation for inhibiting surface recombination is executed by coating the semiconductor sample surface by wax or resin for setting the surface to a passivation state.例文帳に追加

表面再結合を抑制するためのケミカル・パッシベーションを、ワックス又は樹脂にて半導体試料の表面をコーティングして同表面を前記パッシベーション状態にすることで実施する。 - 特許庁

To provide HBT without deterioration of reliability, resulting from recombination of carriers of surface in the emitter/base junction region.例文帳に追加

エミッタ−・ベース接合領域におけるキャリアの表面再結合に起因する信頼性劣化のないＨＢＴを提供する。 - 特許庁

Consequently, generation of heat (surface recombination) instead of light, due to recombination of the holes and electrons near the inner wall of the holes 16 can be suppressed and thereby the light emission efficiency and energy efficiency can be improved.例文帳に追加

これにより、空孔１６の内壁付近において正孔と電子が再結合して光ではなく熱を発生すること（表面再結合）を抑えることができ、発光効率及びエネルギー効率を高めることができる。 - 特許庁

When processing is carried out by the method, the N2 gas which uniformly flows is introduced to a surface of the wafer in the wafer boat to discriminate between the surface recombination of the wafer body and the recombination of the bulk, thereby obtaining a more accurate result through metal contamination management.例文帳に追加

上記方法で処理を行うとウェハボート内のウェハに均一な流れのN2ガスがウェハ表面に導入されて、ウェハ本体の表面再結合とバルクの再結合とを区別することが可能となり、金属汚染管理がより正確な結果を得る事が可能となる。 - 特許庁

That is, an ionization velocity is increased in the case that the surface area of the surface 14 is increased by providing the projections 24 and a recombination velocity is increased in the case that the surface area of the back surface 16 is increased.例文帳に追加

すなわち、突起２４が設けられることによって表面１４の表面積が増大されている場合にはイオン化速度が高められ、裏面１６の表面積が増大されている場合には再結合速度が高められる。 - 特許庁

Therefore, recombination of carriers on the uppermost surface of the lower cell 14 can be reduced, because uncombined hands existing on the uppermost surface of the cell 14 are coupled with the insulating layer 22, and as a result, lattice defects can be reduced.例文帳に追加

これにより、下部セル１４の最上面に存在する未結合手と絶縁層２２とが結合し、格子欠陥を減少でき、この部分におけるキャリアの再結合を減少できる。 - 特許庁

A free stimulation recombination light emission ultraviolet light emitting diamond device is composed of a vapor phase synthesized diamond substrate 1 which is made of vapor phase synthesized diamond crystal, in which free stimulation recombination light emission (235 nm) caused by current injection is dominant, a surface conductive layer 2 formed on the surface of the diamond substrate 1 and electrodes 4 and 5 formed on the surface conductive layer 2.例文帳に追加

高品質な気相合成ダイヤモンド１と、ダイヤモンドの表面に設けた表面伝導層２と、該表面伝導層２の上に設けた電極４，５とからなり、電流注入によって発光する自由励起子再結合発光（２３５nm）が支配的である気相合成ダイヤモンド結晶を用いた自由励起子再結合発光ダイヤモンド紫外線発光素子。 - 特許庁

To provide a semiconductor photodetector which is surely prevented from deteriorating in quantum efficiency due to a surface recombination loss and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

表面再結合損に起因する量子効率の低下を効果的に防止することのできる半導体受光素子、およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a dye-sensitized solar cell in which charge recombination speed on the oxide semiconductor surface of the solar cell is decreased and efficiency is improved.例文帳に追加

色素増感型太陽電池の酸化物半導体表面での電荷再結合速度を低下させ、色素増感型太陽電池の効率を向上させる。 - 特許庁

The mixed gas moves downward toward the surface of the substrate in a laminar flow (29) state by the rotation of the substrate to reduce recirculation and recombination of the free radical.例文帳に追加

基板の回転により、混合ガスが層流（２９）にて基板表面に向かって下方に移動され、再循環やラジカルの再結合を低減する。 - 特許庁

To provide a method by which the center of a non-radiative recombination of ZnO such as the surface state, the dislocation and other non-radioactive recombination center of ZnO is passivated to improve and increase the radiation efficiency of a ZnO sample.例文帳に追加

表面状態、転位及び他の非放射性再結合中心などのＺｎＯの非放射再結合中心が不動態化されることを可能にし、結果的にあらゆるＺｎＯ試料の放射効率及び効率が増加されることを可能にする方法を提供する。 - 特許庁

To provide a life time measurement method of a silicon wafer capable of maintaining and measuring the passivation effect for controlling surface recombination over a long time in measuring the lifetime of a silicon wafer.例文帳に追加

シリコンウェーハのライフタイムを測定するに際し、長時間にわたり表面再結合を抑制するためのパッシベーション効果を持続して測定する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a photoelectric generating element wherein a surface- recombination generating region present between its electrode connection portion and a semiconductor layer having a different conduction type from its substrate is made small.例文帳に追加

電極接続部と、基板とは異なる導電性を有する半導体層の間の表面再結合の生じる領域を小さくした光発電素子を提供すること。 - 特許庁

For suppression of the surface recombination, improvement is expected by making an N2 gas as an introduced gas uniformly flow into a wafer in a wafer boat when the wafer boat is carried outside.例文帳に追加

表面再結合の抑制としては、ウェハボート搬出時に導入ガスであるN2ガスをウェハボート内のウェハに均一に流れるようする事で改善が見込まれる。 - 特許庁

To provide a method for continuing passivation effect for suppressing surface recombination for long time so as to measure an electric characteristic of a semiconductor wafer at the time of measuring it.例文帳に追加

半導体ウェーハの電気特性を測定するに際し、長時間にわたり表面再結合を抑制するためのパッシベーション効果を持続して測定する方法を提供する。 - 特許庁

The pinning layer 107 is a p^+ layer of a conductivity type opposite to the storage diode 104 which is an n^+ layer and plays the role of suppressing the surface recombination of the charges.例文帳に追加

ピニング層１０７は、ｎ^＋層である蓄積ダイオード１０４とは反対の導電型であるｐ^＋層であって、電荷の表面再結合を抑制する役割を果たす。 - 特許庁

To enhance photovoltaic conversion efficiency furthermore by decreasing the number of defects on the surfaces of an element (light receiving surface and back surface) while sustaining the carrier repelling effect of an energy barrier wall being formed by a diffusion layer thereby reducing surface recombination loss.例文帳に追加

拡散層により形成されるエネルギー障壁によるキャリア追い返し効果を維持しつつ、素子表面（受光面及び裏面）の欠陥数を減少させることで、表面再結合損失を低減して光電変換効率の更なる向上を図る。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a back electrode solar cell capable of reducing a recombination current due to passivation properties on the light-receiving surface side by reducing the number of steps.例文帳に追加

工程数を低減して、受光面側のパッシベーション性に起因した再結合電流を低減することが可能な裏面電極型太陽電池の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the method of measuring the lifetime of a silicon wafer by a microwave light electric conductive vibration decay method, the electric charge charged on the silicon wafer surface is maintained in the fixed state by performing chemical passivation processing so as to control surface recombination.例文帳に追加

シリコンウェーハをマイクロ波光導電減衰法によりライフタイムを測定する方法において、表面再結合を抑制するためにケミカルパシベーション処理し、シリコンウェーハ表面に帯電した電荷を一定状態に維持する。 - 特許庁

To increase an open voltage, by suppressing carrier recombination on the surface of crystal silicon by providing an amorphous thin-film layer on the surface of crystal silicon in a method in which damage is less than before, in a crystal silicon solar cell.例文帳に追加

結晶シリコン系太陽電池において、従来よりもダメージの少ない方法で結晶シリコン表面に非晶質薄膜層を設けることで、結晶シリコン表面でのキャリア再結合を抑制し、開放電圧の向上をはかる。 - 特許庁

To provide a method of evaluating a silicon substrate, in which a metal impurity concentration in the substrate is accurately evaluated with high sensitivity by suppressing recombination on a substrate surface more than before.例文帳に追加

基板表面での再結合を従来より抑制することによって、基板中の金属不純物濃度を高感度で正確に評価することのできるシリコン基板の評価方法を提供する。 - 特許庁

For example, contaminations which are considered to be produced from a carrier box to stick and cannot be removed with the HF solution can be removed, so recombination of the carrier on the silicon surface is more suppressed to measure the recombination lifetime which is close to a bulk lifetime and from which the quality of the silicon wafer is evaluated.例文帳に追加

例えばキャリアボックスから発生して付着したと思われるようなＨＦ溶液による処理によって除去できない有機汚染物も除去できるため、シリコンウェーハ表面でのキャリアの再結合を一層抑制することができ、バルクライフタイムに近く適切にシリコンウェーハの品質評価が行えるような再結合ライフタイムを測定することができる。 - 特許庁

During exposure, a low voltage is applied to the double-purpos electrode 40 to gather generated charges to a part 44 distant from the collecting region 22 surface, so that the recombination of the charges on the substrate surface can be prevented, the same as in an embedded diode structure.例文帳に追加

露光中は、二重目的電極４０に低電圧を印加して、発生した電荷を収集領域２２の表面から離れた部分４４に集め、埋込ダイオード構造とした場合と同様に基板表面での電荷の再結合を防止することができる。 - 特許庁

To enhance Voc by reducing the area of a contact region thereby reducing carrier recombination rate at the interface between a semiconductor substrate and a light receiving surface electrode, and to make a power generation layer absorb as much light as possible by reducing the area of the light receiving surface electrode on the semiconductor substrate thereby reducing reflection loss on the surface of the light receiving surface electrode.例文帳に追加

接触領域の面積を低減することにより、半導体基板と受光面電極の間の界面におけるキャリア再結合速度を小さくし、Ｖｏｃを向上させ、半導体基板上の受光面電極面積を低減することにより、受光面電極表面での反射損失を少なくして発電層にできるだけ多くの光を吸収させる。 - 特許庁

To enhance the efficiency of a photoelectric element, i.e., a thin film solar cell, having a high surface recombination rate of carriers on the surface of a semiconductor opposite to the light receiving face causing open voltage drop by inactivating the surface of the semiconductor opposite to the light receiving face thereby eliminating the influence thereof.例文帳に追加

光電変換素子である薄膜太陽電池で、受光面と反対側の半導体表面におけるキャリアの表面再結合速度は大きく、これが、開放電圧低下の一因となっていたので、その受光面と反対の面の半導体表面を不活性化してその影響を取り除き、太陽電池の効率を向上させることを目的にする。 - 特許庁

In the method of passivating the center of the non-radiative recombination of ZnO sample, magnesium is deposited on at least one surface of the ZnO sample and annealing of the sample on which magnesium is deposited is carried out in an oxidation atmosphere.例文帳に追加

ＺｎＯ試料の非放射再結合中心を不動態化する方法であって、前記ＺｎＯ試料の少なくとも一表面にマグネシウムが堆積され、マグネシウムが堆積された前記試料の焼き鈍しが酸化雰囲気で行われる方法である。 - 特許庁

A method for evaluating the lifetime of the diffusion wafer is provided, wherein after forming an oxide film with thickness of 1.4 μm or more and 1.5 μm or less in the surface of the diffusion wafer, recombination lifetime is measured by μ-PCD method.例文帳に追加

本発明によると、拡散ウエハ表面に膜厚１．４μｍ以上１．５μｍ以下の酸化膜を形成したのち、μ−ＰＣＤ法により再結合ライフタイムを測定することを特徴とする拡散ウエハのライフタイム評価方法が提供される。 - 特許庁

Organic substances sticking on the silicon wafer surface are removed using a mixed liquid of ammonia and a hydrogen peroxide solution etc., a natural oxide film on the silicon surface is removed with an HF solution, and passivation is carried out by an iodine ethanol method, so that the recombination lifetime of a carrier is measured by a reflective microwave photoconduction attenuation method.例文帳に追加

まずシリコンウェーハ表面に付着した有機物をアンモニアと過酸化水素水との混合液等を用いて除去し、次にＨＦ溶液によりシリコンウェーハ表面の自然酸化膜を除去し、ヨウ素エタノール法によりパッシベーションを行い、反射マイクロ波光導電減衰法によりキャリアの再結合ライフタイムを測定する。 - 特許庁

In the method for performing passivation for suppressing surface recombination and measuring life time of the semiconductor wafer, a reflective microwave photoconductive attenuation method is used for the semiconductor wafer where a natural oxide film on a surface of the semiconductor wafer is removed by hydrofluoric acid and pure water rinse cleaning is performed under nitrogen atmosphere.例文帳に追加

表面再結合を抑制するためのパシベーションを実施して半導体ウェーハのライフタイムを測定する方法において、半導体ウェーハ表面の自然酸化膜をフッ酸で除去し純水リンス洗浄を施した半導体ウェーハを窒素雰囲気下において反射マイクロ波光導電減衰法を用いる。 - 特許庁

To suppress the increase of a created stacking fault area by continuing energizing in a bipolar type semiconductor device which performs electron and hole recombination in the time of energization inside a silicon carbide epitaxial film grown up from the front surface of a silicon carbide single crystal substrate.例文帳に追加

炭化珪素単結晶基板の表面から成長させた炭化珪素エピタキシャル膜の内部で通電時に電子と正孔が再結合するバイポーラ型半導体装置において、通電を続けることにより引き起こされる積層欠陥面積の拡大を抑制すること。 - 特許庁

The biomaterial containing recombination human serum albumin, polyepoxy compound, water retention plasticizer, and anti-thrombogenic agent, and a cell adhesion and/or thrombogenesis inhibitor for covering the surface of a medical appliance used in contact with blood using the biomaterial, and the manufacturing method thereof are provided.例文帳に追加

組換えヒト血清アルブミン、ポリエポキシ化合物、水分保持可能な可塑剤および抗血栓剤を含有する生体材料、該生体材料を用いた血液に接触して用いられる医療器具表面を被覆するための細胞接着及び/又は血栓形成抑制剤、ならびにその製造方法。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device, which prevents reduction in hFE in low current due to an increase of the surface recombination current in a bipolar transistor and can microscopically form the device by forming an external base region in a self alignment manner to an emitter polycrystalline silicon film in a BiCMOS process.例文帳に追加

ＢｉＣＭＯＳプロセスにおいて、バイポーラトランジスタの表面再結合電流の増大による低電流でのｈ_FEの低下を防止し、外部ベース領域をエミッタ多結晶シリコンに対して自己整合的に形成することで微細化が可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a field-effect semiconductor device which is improved in high-frequency and noise characteristics by a method, wherein holes caused by impact ionization are easily absorbed by a source electrode without increasing the field-effect semiconductor device in source resistance, and a kink effect is not caused by recombination of holes and a surface level.例文帳に追加

電界効果半導体装置に関し、電界効果半導体装置のソースに於ける抵抗の上昇を招来することなく、衝突イオン化に起因する正孔が容易にソース電極に吸収されるようにし、正孔と表面準位との再結合に依るキンク効果の発生を抑制して高周波特性や雑音特性を改善しようとする。 - 特許庁

To provide a photoelectric converter which is fabricated inexpensively by a convenient and simple process, and in which photoelectric conversion efficiency is enhanced while reducing surface recombination on the periphery of an electrode by ensuring the cross-sectional area of the electrode while reducing the occupation area thereof by reducing the width of the electrode depending on the structure and fabrication process of the electrode, and also to provide its fabricating process.例文帳に追加

電極の構造及びその製造方法によって、電極幅を低減して電極占有面積を縮小しながら、電極断面積を確保して、光電変換効率を向上させるとともに、電極周辺の表面再結合を低減することができ、さらに、簡便かつ容易な方法により安価に製造することができる光電変換装置及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁