「surface type」に関連した英語例文の一覧と使い方(81ページ目) - Weblio英語例文検索

A shell-type outer ring is such that on the basis of the inside diameter surface of a reference ring in which this shell type outer ring is pressed, the generating line shape of a range where the roller rolls in the width direction in the rolling surface is set to a straightness of 0.008 or less, and a parallelism of 0.015 or less.例文帳に追加

シェル型の外輪は、このシェル型外輪が圧入される基準リングの内径面を基準として、転走面における前記ころが転動する幅方向範囲の母線形状を、真直度：０．００８以下で、かつ平行度：０．０１５以下とする。 - 特許庁

The n^+ epitaxial layer 5 has a projection part 19 on the upper surface 5a, contacting the anode electrode 9, and the p-type impurity region 13 is formed to reach a region R closer to the lower surface 3b side of the n-type substrate 3 than to the tip of the projection part 19.例文帳に追加

ｎ^+エピタキシャル層５はアノード電極９と接触する上面５ａに突起部１９を有しており、ｐ型不純物領域１３は突起部１９の先端よりもｎ型基板３の下面３ｂ側の領域Ｒに達するように形成されている。 - 特許庁

An alkaline soluble rod type resin fiber 10 is buried in an area within a predetermined depth from the concrete 1 surface, and inside the concrete 1, a plurality of rod type thin holes 4 are arranged at predetermined intervals from the surface to the depth part when the fiber is fused.例文帳に追加

コンクリート１表面から所定深さの範囲に、アルカリ可溶性の棒状樹脂繊維１０を埋設し、繊維の溶解によりコンクリート１内に複数の棒状細穴４が所定間隔をあけて表面から深部に向かって形成されるようにする。 - 特許庁

This cylinder-type capacitor is provided with a cylinder-type storage node 110, having the surface of an inner wall part 110a formed with a first projecting part and the surface of an outer wall part 110b formed with a second projection part which is smaller than the first projecting part.例文帳に追加

本発明のシリンダ型キャパシタは，第１の凸部が形成された内壁部１１０ａ表面と，第１の凸部より小さい第２の凸部が形成された外壁部１１０ｂ表面を有するシリンダ型のストレージノード１１０を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

Near the vicinity of the outer circumferential part of the upper surface of the substrate 1, reflective portions 61 and 62 composed of a compound semiconductor layer laminating the N-type semiconductor layer 2, the active layer 3, and the P-type semiconductor layer 4 in this order are formed to face the side surface of the light-emitting portion 60.例文帳に追加

基板１の上面外周部付近には、発光部６０の側面に対峙して、Ｎ型半導体層２、活性層３、Ｐ型半導体層４の順に積層された化合物半導体層で構成された反射部６１、６２を形成してある。 - 特許庁

In the substrate on whose surface the perovskite type metal oxide is formed, an electrode layer contacting with the perovskite type metal oxide, an adhesion layer contacting with the surface oxide layer of the substrate and an alumina layer interposed between the adhesion layer and the electrode layer are provided.例文帳に追加

表面にペロブスカイト型酸化物の金属酸化物が成膜される基板において、ペロブスカイト型酸化物膜に接する電極層、基板の表面酸化層に接する密着層、この密着層と電極層との間に介在するアルミナ層を介在させる。 - 特許庁

In the tape-type optical fiber cable, containing a spacer with grooves cut in the outer surface and tape type optical fibers housed in the grooves, the surface of the optical fibers are coated with silicone powder.例文帳に追加

その外表面に条溝が設けられたスペーサと、該条溝内に収納されたテープ型光ファイバ心線とを含んでなるテープ型光ファイバケーブルであって、該テープ型光ファイバ心線の表面にシリコーンパウダーが塗布されていることを特徴とするテープ型光ファイバケーブル。 - 特許庁

A protection layer 60 is formed so that a part of a p-type domain 21 may be exposed, being smaller than a contact hole 21 concerned on the upper surface of a semiconductor substrate 10 inside the contact hole 21, and the upper surface of p-type domain 14 for specifically forming a diode.例文帳に追加

コンタクトホール２１の内側の半導体基板１０の上面、具体的にはダイオードを形成するためのＰ型領域１４の上面に、当該コンタクトホール２１よりも小さく、Ｐ型領域２１の一部が露出するように保護層６０を設ける。 - 特許庁

In NMISQN, an n-type semiconductor layer 5 is formed on the surface layer of the p-type semiconductor layer 2a under a gate electrode 8B, and in PMISQP, a p-type semiconductor layer 6 is formed on the n-type semiconductor layer 2b under a gate electrode 8C to form a buried channel.例文帳に追加

ＮＭＩＳＱＮにおいては、ゲート電極８Ｂの直下のＰ型半導体層２ａの表層にＮ型半導体層５を形成し、ＰＭＩＳＱＰにおいては、ゲート電極８Ｃの直下のＮ型半導体層２ｂにＰ型半導体層６を形成することで埋込チャネルが形成されるようにした。 - 特許庁

In some embodiments, a growth substrate on which an n-type region, an active region, and a p-type region grow are removed, to facilitate formation of a photonic crystal in the n-type region of the device and to facilitate forming a reflector on the surface of a p-type region underlying the photonic crystal.例文帳に追加

いくつかの実施形態では、ｎ型領域と、活性領域と、ｐ型領域とが成長する成長基板は、装置のｎ型領域に光結晶を形成することを容易にし、光結晶の下にあるｐ型領域の表面上に反射体を形成することを容易にするために除去される。 - 特許庁

Then, the imaging portion 10A has a plurality of pixels 10 each of which contains a first n-type impurity layer formed near the imaging surface of the p-type Si substrate, is generated in the p-type Si substrate by photoelectric conversion, and outputs a pixel signal showing electric charges accumulated in the first n-type impurity layer.例文帳に追加

そして、撮像部１０Ａは、このｐ型Ｓｉ基板の撮像面近傍に形成された第１のｎ型不純物層を各々含み、光電変換によりｐ型Ｓｉ基板内に生成され、第１のｎ型不純物層に蓄積された電荷を示す画素信号を各々出力する複数の画素１０を有する。 - 特許庁

A p+ anode region 2, which is a heavily doped second conductivity type region, and an n+ cathode region 3, which is a heavily doped first conductivity type region, are formed holding a drift region between them in the main surface on one side of the main surfaces of an N-type semiconductor substrate 1 which is a lightly doped first conductivity type.例文帳に追加

低濃度第一導電型であるｎ−型の半導体基板１の一主表面にドリフト領域を挟んで高濃度第二導電型不純物領域であるｐ＋型アノード領域２と、高濃度第一導電型不純物領域であるｎ＋型カソード領域３とが形成されている。 - 特許庁

The semiconductor device comprises: an n-type epitaxial layer 2; a trench 3 formed on the n-type epitaxial layer 2, where an embedded electrode 5 is provided inside; and a p^+-type impurity region 2a formed at a prescribed region at the upper surface side of the n-type epitaxial layer 2 with a prescribed interval to the trench 3 when viewed in plan view.例文帳に追加

この半導体装置は、ｎ型エピタキシャル層２と、このｎ型エピタキシャル層２に形成され、内部に埋め込み電極５が設けられたトレンチ３と、ｎ型エピタキシャル層２の上面側の所定領域に、平面的に見て、トレンチ３と所定の間隔を隔てて形成されたｐ^+型不純物領域２ａとを備えている。 - 特許庁

The field effect transistor comprises an N-type epitaxially grown layer 2 provided on a P-type semiconductor substrate 1, a P^+-type isolation diffusion layer 4 provided on the layer 2 of the circumference of the FET forming unit to electrically independently form the FET forming unit, and a P^++-type gate diffused layer 5 provided on the surface side of the layer 2.例文帳に追加

Ｐ型の半導体基板１上にＮ型のエピタキシャル成長層２が設けられ、ＦＥＴ形成部を電気的に独立させるため、ＦＥＴ形成部周囲のエピタキシャル成長層２にＰ^+型の分離拡散層４が設けられ、そのエピタキシャル成長層２の表面側にＰ^++型のゲート拡散層５が設けられている。 - 特許庁

The semiconductor laser element comprises a first conductivity type first clad layer 12, a first conductivity type first optical guide layer 13, an MQW active layer 14 formed by laminating a plurality of barrier layers and well layers, a second conductivity type second optical guide layer 15, and a second conductivity type second clad layer 19 which are sequentially formed on the main surface of a substrate 11.例文帳に追加

基板１１の主面に順次形成された第１導電型の第１クラッド層１２、第１導電型の第１光ガイド層１３、障壁層と井戸層を複数積層したＭＱＷ活性層１４、第２導電型の第２光ガイド層１５、第２導電型の第２クラッド層１９とを有している。 - 特許庁

A first diffusion layer 25 having N type conductivity, a second diffusion layer 26 having P^+ type conductivity, a third diffusion layer 8 having N type conductivity, and a fourth diffusion layer 10 having P^+ type conductivity are formed from the surface of the epitaxial layer 7 down to a specified depth.例文帳に追加

エピタキシャル層７の表面から一定の深さにかけて、導電型がＮ型である複数の第１拡散層２５、導電型がＰ^＋型である複数の第２拡散層２６、導電型がＮ型である第３拡散層８、および導電型がＰ^＋型である第４拡散層１１が形成されている。 - 特許庁

A polarizing plate 26 is provided between the reverse surface 11 of a plate type light guide body 6 and a reflection type liquid crystal display element 2 and stuck on the plate type light guide body 6 across an adhesive layer 27 and a selective reflection film 28 is interposed between the plate type light guide body 6 and adhesive layer 27.例文帳に追加

板状導光体６の下面１１と反射型液晶表示素子２との間には偏光板２６が設けられ、偏光板２６は粘着層２７を介して板状導光体６に貼り付けられ、板状導光体６と粘着層２７との間には選択反射膜２８が介装されている。 - 特許庁

The semiconductor device 10 comprises a semiconductor substrate 21 of the first conductivity type, a first diffusion layer 22 of the first conductivity type, a second diffusion layer of the second conductivity type formed inside the first diffusion layer 22, and a third diffusion layer 27 of the first conductivity type selectively formed on the surface of the second diffusion layer 23.例文帳に追加

半導体装置１０は、第１導電型の半導体基板２１と、第１導電型の第１の拡散層２２と、第１の拡散層２２の内部に形成された第２導電型の第２の拡散層２３と、第２の拡散層２３の表面に選択的に形成され第１導電型の第３の拡散層２７とを備える。 - 特許庁

To provide a wet type developer which enables printing a hydraulic transfer picture having the brightness on a transfer film for printing on a curved surface by means of the on-demand printing method such as electrophotography type, a method for producing the wet type developer, a transfer film using the wet type developer and a method for producing the transfer film.例文帳に追加

電子写真方式などのオンデマンドの印刷方法によって曲面印刷用転写フィルム上に光輝性を有する液圧転写性画像を印刷することのできる湿式現像剤、当該湿式現像剤の製造方法、当該湿式現像剤を用いた転写フィルム、当該転写フィルムの製造方法を提供する。 - 特許庁

The color solid-state imaging device comprises a plurality of first type and second type pixels arranged in two-dimensional array on the surface of a semiconductor substrate wherein each pixel outputs two different signals independently, and spectral sensitivity (Fig. 3(a)) of the first type pixel is different from spectral sensitivity (Fig. 3(b)) of the second type pixel.例文帳に追加

半導体基板の表面に複数の第１種及び第２種の画素が二次元アレイ状に配列形成され、各画素が夫々２つの異なる信号を独立に出力するカラー固体撮像装置であって、第１種の画素の分光感度（図３（ａ））と、第２種の画素の分光感度（図３（ｂ））とが、異なる分光感度である。 - 特許庁

Further, the semiconductor device manufacturing method comprises a process of injecting a p-type impurity into the semiconductor layer by using the oxide film on the surface of the n-type semiconductor region as a mask to selectively form a p-type semiconductor region having a p-type impurity concentration higher than that of the semiconductor layer on the semiconductor layer.例文帳に追加

また、半導体装置の製造方法は、ｎ形半導体領域の表面上の酸化膜をマスクにして、半導体層にｐ形不純物を注入し、半導体層に半導体層よりもｐ形不純物濃度が高いｐ形半導体領域を選択的に形成する工程を有する。 - 特許庁

In order to achieve the purpose, the laser device is constructed to form a current constrictive layer by injecting ions into a p-type layer in the laser device of end surface emitting type comprising the nitride semiconductor having a structure where an active layer is sandwiched between a n-type layer and the p-type layer.例文帳に追加

上記目的を達成するために、本発明のレーザ素子は、活性層がｎ型層とｐ型層とで挟まれた構造を有する窒化物半導体からなる端面発光型のレーザ素子において、前記ｐ型層に、イオン注入を行うことによって電流狭窄層が形成される構成とする。 - 特許庁

The nitride series semiconductor laser element 100 includes an n-type GaN substrate 1; an n-type cladding layer 3 formed on the n-type GaN substrate 1; an active layer 4c formed on the n-type cladding layer 3 for generating laser light; and light exit end surface 20a from which the laser light generated at the active layer 4c is emitted.例文帳に追加

この窒化物系半導体レーザ素子１００は、ｎ型ＧａＮ基板１と、ｎ型ＧａＮ基板１上に形成されたｎ型クラッド層３と、ｎ型クラッド層３上に形成され、レーザ光を生成する活性層４ｃと、活性層４ｃで生成されたレーザ光が出射される光出射端面２０ａとを備えている。 - 特許庁

In this alloy type thermal fuse, molten metal of a low-melting alloy piece 2 is provided between the surface ends of lead conductors 1, 1 and cooled down under the cooling rate fast enough for surface open, and cooled and solidified at a stage before the surface tension of the molten metal balances with the surface tension of the surface of the lead conductor 1, thereby achieving deformation performance of the surface tension in remelting.例文帳に追加

リード導体１、１の表面端部間に低融点合金片２の溶湯を配給し、表面開放の充分に速い冷却速度のもとで冷却して、当該溶湯の表面張力と当該リード導体１の表面の表面張力とが平衡する前の段階で冷却凝固させて、再溶融に対し表面張力変形性能を保有させた。 - 特許庁

When coating the surface of the blood internal perfusion type hollow-fiber hemocatharsis membrane with the surface modifier, this method coats the coating object surface side of the hollow-fiber hemocatharsis membrane by introducing organic solvent solution, organic solvent dispersion liquid, or organic solvent suspension of the surface modifier thereto, while pressurizing the opposite surface of the coating object surface of hollow-fiber hemocatharsis membrane.例文帳に追加

血液内部灌流型の中空糸型血液浄化膜の表面に表面改質剤をコーティングする際に、該中空糸型血液浄化膜の被コート面の反対面から加圧しながら、該中空糸型血液浄化膜の被コート面側に該表面改質剤の有機溶媒溶液または有機溶媒分散液または有機溶媒懸濁液を導入してコーティングを行うものである。 - 特許庁

A nitride semiconductor laser element 10 is constituted so that the main surface of the nitride semiconductor substrate 101 is a (1-100) surface, a resonator end surface intersects with the main surface, in a cleavage constituting the resonator end surface, a digging portion 115 which is a digging region opened toward the nitride semiconductor layer surface is formed aside of at least one side of a stripe type waveguide.例文帳に追加

窒化物系半導体レーザ素子１０は、窒化物半導体基板１０１の主面が（１−１００）面であり、共振器端面は、主面に直交し、共振器端面を構成する劈開面において、ストライプ状導波路の少なくとも片側の脇に、窒化物半導体層表面に向けて開口した掘り込み領域である掘り込み部１１５を備える構成とする。 - 特許庁

The method for manufacturing the aluminum alloy member comprises the steps of: subjecting the surface of an aluminum alloy to boehmite treatment to form a boehmite layer; and subjecting the boehmite layer-formed aluminum alloy to barrier-type anodizing treatment to form a barrier-type anodized layer between the aluminum alloy and the boehmite layer.例文帳に追加

アルミニウム合金の表面にベーマイト処理を行い、ベーマイト層を形成した後、バリア型アルマイト処理を行い、アルミニウム合金とベーマイト層との間にバリア型アルマイト層を形成する。 - 特許庁

On a primary surface of a semiconductor substrate, a functional n-channel transistor is formed in a p-type impurity region PWL and a functional p-channel transistor is formed in an n-type impurity region NWL.例文帳に追加

半導体基板の主表面上の、ｐ型不純物領域ＰＷＬに機能用ｎチャネル型トランジスタが、ｎ型不純物領域ＮＷＬに機能用ｐチャネル型トランジスタが形成される。 - 特許庁

A photonic crystalline surface light-emitting laser 10a includes a group III-V compound semiconductor substrate, an n-type cladding layer 12, a light-emitting layer 15, a p-type cladding layer 16, and a photonic crystalline layer 13.例文帳に追加

フォトニック結晶面発光レーザ１０ａは、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板と、ｎ型クラッド層１２と、発光層１５と、ｐ型クラッド層１６と、フォトニック結晶層１３とを備えている。 - 特許庁

Furthermore, this light emitter is provided with a p-type electrode 109 to contact with a ptype diffused region 107 and an n-side electrode 110 to contact with the n-type diffused region 120, on the surface side of the semiconductor substrate 100.例文帳に追加

さらに、半導体基板１００の表面側に、ｐ型拡散領域１０７にコンタクトするｐ側電極１０９と、ｎ型拡散領域１２０にコンタクトするｎ側電極１１０を設ける。 - 特許庁

It is possible to obtain the forward breakdown voltage with thousands of voltages and the reverse voltage of 100 V or higher with stability by preventing the surface of the n-type emitter and the p-type collector from generating the flaws.例文帳に追加

ｎ型エミッタ側とｐ型コレクタ側の表面にキズが付くのを防止することで、数千Ｖの順方向耐圧と１００Ｖ以上の逆方向耐圧を安定して確保することができる。 - 特許庁

In order to cover the exposed surface of the first P-type conductive regions 4, 5 and 6 and the second P-type conductive regions 7, 8 and 9, first resistors 12, 13 and 14 and second resistors 15, 16 and 17 are formed.例文帳に追加

第１Ｐ型導電領域４，５，６と第２Ｐ型導電領域７，８，９の露出面を覆うように、第１の抵抗体１２，１３，１４と第２の抵抗体１５，１６，１７を形成する。 - 特許庁

A leakage current prevention part 150 formed of an N-type layer is arranged in a non-doped region of the epitaxial growth layer 112 adjacent to the P-type embedded layer 114 in the substrate surface direction.例文帳に追加

Ｐ型埋め込み層１１４の基板面方向に隣接するエビタキシャル成長層１１２の非注入領域に、イオン注入によってＮ型層によるリーク電流防止部１５０を設ける。 - 特許庁

To provide a stabilized ink-supply and a low-cost ink cartridge by allowing an ink to be contained in an aggregate of fibers and bringing the cut-surface thereof in contact with a type wheel in order to supply the ink to the type wheel.例文帳に追加

活字輪にインクを供給するために、繊維の集合体にインクを含ませ切断面を活字輪と接触する事で安定したインク供給と安価なインクカートリッジを提供する。 - 特許庁

Each of the C type fastening rings 13 has a projection projected from a surface on the inside in the radial direction, and when the clip strap 5 is pulled, the projection of the C type ring 13 is engaged with a tube material.例文帳に追加

Ｃ字型締め付けリングの各々は、半径方向内側の面から突出する突起物を有し、前記クリップストラップが引っ張られると、Ｃ字型リングの突起物が管材料に係合する。 - 特許庁

The volume type hologram layer 2 is peeled off from the base 1 and a tacky adhesive layer 8 is formed on the surface of the volume type hologram layer 2 from which the base 1 is peeled off, and further the tacky adhesive layer 8 is provided with a base 9.例文帳に追加

体積型ホログラム層２から基材１を剥離し、基材１が剥離された体積型ホログラム層２の面に粘着層８を形成し、さらに粘着層８に基材９を設ける。 - 特許庁

To provide a dry type and single plate type braking device actuated with no excitation and an assembling method, wherein an adjustment of a clearance dimension between an abutment surface of a yoke and an armature is not required on the part of clients.例文帳に追加

顧客の側において、ヨークの受け面とアーマチュアとの隙間寸法の調整を行なう必要のない乾式単板型無励磁気作動ブレーキ装置、およびその組立方法を提供すること。 - 特許庁

The protective element (2) comprises an n-type semiconductor thin film (11) which is arranged in the outer periphery of the p-type semiconductor substrate (3), and on the side surface (17) of the light-emitting semiconductor region (7), with an insulating film (10) interposed.例文帳に追加

保護素子部（２）はｐ型半導体基板（３）の外周部分と発光半導体領域（７）の側面（１７）上に絶縁膜（１０）を介して配置されたｎ型半導体薄膜（１１）とから成る。 - 特許庁

In a preferable example, the ultrasonic wave-oscillating element 20 is constituted as a float type oscillator 16 floating over the liquid surface 14A of the sake, etc., by housing the element in a completely closed type metal case 18.例文帳に追加

好適例において、超音波振動子（２０）は、例えば完全密閉型の金属製ケース（１８）に収められて酒類等の液面（１４Ａ）を浮遊するフロート型振動体（１６）として構成する。 - 特許庁

The function layers comprise a titan oxide thin film 3 as an n-type semiconductor layer, and a friction transferring film (organic semiconductor layer) 4 of PPV as a p-type semiconductor layer which is pressure bonded and swept on the surface of the titan oxide film.例文帳に追加

機能層は、ｎ型半導体層としてチタン酸化物薄膜３と、その表面に圧着掃引したｐ型半導体層としてのPPVの摩擦転写膜（有機半導体層）４とから構成される。 - 特許庁

To provide a movable partition structure by a ceiling suspension type capable of restricting the movement of the partition panel lower portion to a room side without arranging a linking portion to the floor surface and also without using strutting type.例文帳に追加

床面に係合部を備えさせずに、しかも、突っ張り式によらずに、室側への間仕切りパネル下部の動きを規制することができる天井吊り式などによる可動間仕切り構造を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor light-emitting element in which failures due to a surface of a second n-type semiconductor layer being difficult to be produced, in a light-emitting layer, and to provide a p-type semiconductor layer with high output.例文帳に追加

第二ｎ型半導体層表面に起因する発光層およびｐ型半導体層の不良が生じにくく、かつ、高い出力の得られる半導体発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a non-contact type data reception/transmission body of which the resonant frequency of an antenna does not deviate even when the non-contact type data reception/transmission body is fixed to a surface of a metallic article with a belt-like or string-like member such as a fastening band.例文帳に追加

締結バンドなどの帯状または紐状の部材により金属製物品の表面に固定しても、アンテナの共振周波数がずれない非接触型データ受送信体を提供する。 - 特許庁

To provide technique for reducing forward resistance by making good use of a pn junction diode, with respect to a diode having a p-type semiconductor region formed on part of a surface of an n-type semiconductor region.例文帳に追加

n型半導体領域の表面の一部にp型半導体領域が設けられたダイオードにおいて、内在するpn接合ダイオードを活用して順方向抵抗を低減化する技術を提供する。 - 特許庁

The illuminator (11) to be applied to an internal illumination type signboard, and the LED light sources (19) are attached to substrates (13, 14) disposed obliquely to the bottom surface of the internal illumination type signboard.例文帳に追加

内照式看板に適用する照明装置（１１）であって、前記内照式看板の底面に対して斜めに配置された基板（１３、１４）にＬＥＤ光源（１９）を取り付けたことを特徴とする。 - 特許庁