「surface type」に関連した英語例文の一覧と使い方(82ページ目) - Weblio英語例文検索

In the element forming part 2, a p-type epitaxial layer PEpi1 and an interlayer insulating film 3 are formed, and on the surface of the p-type epitaxial layer PEpi1, an n-well NW and a p-well PW are formed.例文帳に追加

素子形成部２には、Ｐ型エピタキシャル層ＰＥｐｉ１及び層間絶縁膜３を設け、Ｐ型エピタキシャル層ＰＥｐｉ１の表面にはＮウエルＮＷ及びＰウエルＰＷを形成する。 - 特許庁

To save energy and to improve front face luminance by improving use efficiency of light even when a prism array side is a light incidence side, in a prism array sheet, an edge light type surface illuminant, and a transmission type picture display device.例文帳に追加

プリズムアレイシート、エッジライト型面光源、透過型画像表示装置について、プリズムアレイ側が入光面でも光の利用効率を上げて省電力や正面輝度向上等を図れる様にする。 - 特許庁

Two diffusion layers 2 and 3 of N-type regions spaced apart at a certain distance are provided inside a P-type semiconductor substrate 1, so as to be flush with the top surface of the substrate 1, and the diffusion layers 2 and 3 are made to serve as diffusion resistors 4 and 5.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１内の表面側に、所定の間隔をおいてＮ型領域からなる２つの拡散層２、３を形成し、この拡散層２、３を拡散抵抗４、５とする。 - 特許庁

A wafer with an n-type semiconductor layer 17a and a p-type semiconductor layer 17b formed of group III-V compound semiconductors laminated on a surface 3 of a substrate 1 is cut along cut planned lines.例文帳に追加

基板１の表面３上にIII−Ｖ族化合物半導体からなるｎ型半導体層１７ａ及びｐ型半導体層１７ｂが積層されたウェハを切断予定ラインに沿って切断する。 - 特許庁

Pulse laser beam is irradiated on a region opposed to the p^+ type semiconductor region 3 at least in the second principal surface 1b of the n^- type semiconductor substrate 1 and an irregular unevenness 10 is formed.例文帳に追加

ｎ^−型半導体基板１の第２主面１ａにおける少なくともＰ^＋型半導体領域３に対向する領域に、パルスレーザ光を照射して、不規則な凹凸１０を形成する。 - 特許庁

To provide a method for determining authenticity of a member having a hologram layer containing fine particles which show magnetic resonance, a volume-type hologram resin composition and a surface relief-type hologram resin composition.例文帳に追加

磁気共鳴を示す微粒子を含有するホログラム層を有する部材、体積型ホログラム用樹脂組成物および表面レリーフ型ホログラム用樹脂組成物の真贋判定方法を提供する。 - 特許庁

To provide a technique for reducing forward resistance by utilizing an included pn junction diode, with respect to a diode having a p-type semiconductor region formed on a portion of a surface of an n-type semiconductor region.例文帳に追加

n型半導体領域の表面の一部にp型半導体領域が設けられたダイオードにおいて、内在するpn接合ダイオードを活用して順方向抵抗を低減化する技術を提供する。 - 特許庁

To provide a production device for a precipitation hardening type alloy thin strip which can rapidly cool an alloy thin strip, and also, can obtain the precipitation hardening type alloy thin strip having satisfactory shape and surface conditions.例文帳に追加

合金薄帯を急冷することができ、かつ、形状と表面状態の良好な析出硬化型合金薄帯を得ることができる析出硬化型合金薄帯の製造装置を提供する。 - 特許庁

Gates 30a and 31a of the amplification transistor 30 and the address transistor 31 are formed between the n-type diffusion layers 26 which are arranged at predetermined intervals on the surface of the p-type well 24.例文帳に追加

増幅トランジスタ３０及びアドレストランジスタ３１のゲート３０ａ及び３１ａは、ｐ型ウェル２４の表面上で所定間隔がおかれて配置されたｎ型拡散層２６の間に形成される。 - 特許庁

The first-layer and second-layer photodetectors that contact each other by overlapping are also connected by the electrodes TMLn and TMLp where a surface N-type layer and an internal P-type layer are provided.例文帳に追加

積み重ねで接触する１層目と２層目の受光素子も、互いに表面のＮ型層、内部のＰ型層がそれぞれ設けられた電極ＴＭＬｎ、ＴＭＬｐにより接続されている。 - 特許庁

The first image formation optical system is a catadioptric type optical system including a concave reflection surface, and the second image formation optical system is a refraction type optical system having a positive refractive power as a whole.例文帳に追加

第１結像光学系は、凹面形状の反射面を含む反射屈折型の光学系であり、第２結像光学系は、全体として正の屈折力を有する屈折型の光学系である。 - 特許庁

Also, an electrode 8 made of Al is formed on the undersurface of the n-type single-crystal substrate 1, and an electrode 9 made of Au is formed on the upper surface of the p-type polycrystalline thin film 2.例文帳に追加

また、ｎ型の単結晶基板１の下面には、Ａｌからなる電極８が形成されており、ｐ型の多結晶薄膜２の上面には、Ａｕからなる電極９が形成されている。 - 特許庁

The vicinity of joint of the upper portion electrode of the vertical electrode type light-emitting diode and the metal member, and the side of an upper surface electrode type light-emitting diode are covered with a synthetic resin member.例文帳に追加

前記上下電極型発光ダイオードの上部部分電極と前記金属部材の接合部近傍、および上面電極型発光ダイオードの側部は、合成樹脂部材によって覆われている。 - 特許庁

A wafer with an n-type semiconductor layer 17a and a p-type semiconductor layer 17b each formed of a group III-V compound semiconductor laminated on a surface 3 of a substrate 1 is cut along a cut-planned line.例文帳に追加

基板１の表面３上にIII−Ｖ族化合物半導体からなるｎ型半導体層１７ａ及びｐ型半導体層１７ｂが積層されたウェハを切断予定ラインに沿って切断する。 - 特許庁

The disposable pants-type diaper 1 has a separator 20 which is held between the inner surface of a pants-type skin covering section 10 and wearer's skin so as to be able to prevent the skin from being contaminated with feces.例文帳に追加

使い捨てのパンツ型おむつ１がパンツ型の肌被覆部１０の内面とおむつ着用者の肌との間に介在して便で肌が汚れることを防止可能なセパレータ２０を有する。 - 特許庁

In the electrically rewritable semiconductor nonvolatile memory device, a lightly doped first conductivity type region is formed on a surface of a tunnel region in a second conductivity type drain region.例文帳に追加

電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリにおいて、第２導電型のドレイン領域内のトンネル領域の表面には、薄い不純物濃度の第１導電型の領域を形成した。 - 特許庁

On one surface of a first conductivity type first base layer having a first impurity concentration, a first conductivity type buffer layer having a second impurity concentration higher than the first impurity concentration is formed.例文帳に追加

第１の不純物濃度を有する第１導電型の第１ベース層の一方の面に、第１の不純物濃度よりも高い第２の不純物濃度を有する第１導電型のバッファ層が形成される。 - 特許庁

A bit line contact 51 is formed on the surface of an n-type diffusion layer 36, and an n-type diffusion layer 27 is connected to a storage node electrode 22 through a buried strap 41 and a polysilicon electrode 22A.例文帳に追加

ｎ型拡散層３６の表面にはビット線コンタクト５１が形成され、ｎ型拡散層２７は、埋め込みストラップ４１、及びポリシリコン電極２２Ａを介してストレージノード電極２２に接続されている。 - 特許庁

To provide a lap type tile for an outside corner improved in efficiency in the applications of the lap type tile installed on the wall surface of a building and the outside corner structure of the building using the tile.例文帳に追加

建築物の壁面に取付けられるラップ式タイルの施工効率を向上させる出隅用のラップ式タイル、およびそのタイルを用いた建築物の出隅構造を提供することにある。 - 特許庁

This material for an electrode of a solid electrolyte type fuel cell has a BET specific surface area above 20 m^2/g, preferably above 40 m^2/g and is formed of a perovskite (RTO_3) type composite oxide.例文帳に追加

ＢＥＴ比表面積が２０ｍ^2／ｇ以上好ましくは４０ｍ^2／ｇ以上のペロブスカイト（ＲＴＯ_3）型複合酸化物からなる固体電解質型燃料電池の電極用材料。 - 特許庁

A fuel side electrode 110 of SOFC 100 is provided with an interconnector 140 formed of N-type semiconductor (SrTiO_3), and a P-type semiconductor film 150 is formed on the surface of the interconnector.例文帳に追加

ＳＯＦＣ１００の燃料側電極１１０には、Ｎ型半導体（ＳｒＴｉＯ_３）からなるインターコネクタ１４０が設けられ、インターコネクタの表面にはＰ型半導体膜１５０が形成される。 - 特許庁

Otherwise, the semiconductor light receiving element has a groove on the surface forming the p-type semiconductor layer, and the p-type semiconductor layer is not formed in the groove.例文帳に追加

又は、前記半導体受光素子において、前記Ｐ型半導体層が形成された表面上に溝部分を有してなり、かつ前記溝部分には前記Ｐ型半導体層が形成されていないようにする。 - 特許庁

After an n-type semiconductor region 6 is formed on the principal surface of a semiconductor substrate 1Sub, a memory gate electrode MG and the charge accumulation layer CSL of a split-gate type memory cell are formed thereon.例文帳に追加

半導体基板１Ｓｕｂの主面にｎ型の半導体領域６を形成した後、その上にスプリットゲート型のメモリセルのメモリゲート電極ＭＧおよび電荷蓄積層ＣＳＬを形成する。 - 特許庁

Because the cam type gear 12 has a cam shape, compression of the spring 7, which is released when the cam type gear 12 rotates to a prescribed position, enables a hammer 6 to strike the surface of the concrete column 14.例文帳に追加

カム型ギア１２の形状がカム型となっていることから、カム型ギア１２が所定の位置まで回転すると、バネ７の圧縮が解放されて、ハンマー６が、コンクリート柱１４の表面を打撃する。 - 特許庁

To form an electrokinetic type electro-acoustic transducer to a configuration capable of being mounted on a surface, and also secure the versatility of the electro-acoustic transducer, and to prevent the entry of contaminations from a back-pressure regulating hole in the electrokinetic type electro-acoustic transducer.例文帳に追加

動電型の電気音響変換器において、これを表面実装可能な構成とした上で、その汎用性を確保し、かつ、背圧調整孔からの異物の侵入を未然に防止する。 - 特許庁

To avoid an inner dimension in a baggage room lateral direction from being restricted by a slide device in a box type load carrying platform provided with the slide device for housing a double hinged type rear part door on a side surface at release.例文帳に追加

観音開き式の後部ドアを開放時に側面に収納するスライド装置を装備する箱型荷台において、スライド装置により荷室横方向の内法寸法が制限されることを回避する。 - 特許庁

In a photodiode array 1, a plurality of p type semiconductor layers 3 are arranged on a surface 2s of an n- type semiconductor substrate 2, and light to be detected is made incident from a back face 2u side of the semiconductor substrate 2.例文帳に追加

ホトダイオードアレイ１は、ｎ−型半導体基板２の表面２ｓにｐ型の半導体層３を複数有し、半導体基板２の裏面２ｕ側から被検出光を入射させるものである。 - 特許庁

In addition, one impurity 106 is introduced into a region within 30 nm from the surface of the semiconductor layer 101 between the p-type region 102 and the n-type region 103.例文帳に追加

加えて、ｐ型領域１０２とｎ型領域１０３とに挟まれた半導体層１０１の表面より３０ｎｍ以内の領域に導入された１個の不純物１０６を備えている。 - 特許庁

To sense a position of a capsule type medical device inside a subject without being inhibited by an eddy current generated to a body surface when magnetically guiding the capsule type medical device inside the subject.例文帳に追加

被検体内のカプセル型医療装置を磁気誘導する際に体表面に発生した渦電流に阻害されずに、被検体内におけるカプセル型医療装置の位置を検出できること。 - 特許庁

An n-type AlGaN clad layer 2a on the LD1 side comprises a plane A which reflects a C-surface of the substrate, while an n-type AlGaN clad layer 2b on the LD2 side comprises a slope B.例文帳に追加

ＬＤ１側のｎ型ＡｌＧａＮクラッド層２ａは、基板のｃ面を反映した平面Ａを有し、ＬＤ２側のｎ型ＡｌＧａＮクラッド層２ｂは、傾斜面Ｂをもって形成される。 - 特許庁

To provide a vertical type continuous casting device where a casting having extremely satisfactory surface properties can be cast, and to provide a vertical type continuous casting method for aluminum using the casting device.例文帳に追加

表面性状がきわめて良好な鋳造品を鋳造することができる竪型連続鋳造装置およびこの鋳造装置を用いたアルミニウムの竪型連続鋳造方法を提供する。 - 特許庁

The lowering of the surface tension of both the polar liquid and the nonpolar liquid is solved by using an oil/water-type or a water/oil-type emulsion containing a reactional product of sorbitol with triglycerides and/or a fatty acid methyl ester as an emulsifier.例文帳に追加

これはソリビトールとトリグリセリド類および／または脂肪酸メチルエステルとの反応生成物を含有する油／水−型または水／油−型エマルジョンを乳化剤として使用することで解決される。 - 特許庁

When a lens 1 is fixed with a screw, a nearly dome type washer 13 is used and fine projections 17 are formed on the surface 16 of the dome type washer 13 to prevent the screw from being loose.例文帳に追加

レンズ１をネジ止めする場合、概略ドーム型のワッシャ１３を使用し、しかも該ドーム型ワッシャ１３の表面１６には細かい凸部１７，１７・・を形成してネジ８が弛まないようにしている。 - 特許庁

To provide a machine for machining electronic components and a machine for machining and amounting electronic components, which machine the leads of insertion mounting type electronic components to form electronic components which are mountable in the same mounting process as that of the surface mount type electronic components.例文帳に追加

挿入実装用電子部品のリード線を加工して、表面実装用電子部品と同じ実装工程で実装できる電子部品とする加工機及び加工搭載機を提供する。 - 特許庁

To provide a recording type optical disk device which can perform good recording over the whole surface of an optical disk medium, and provide an optical disk medium used for a recording type optical disk device.例文帳に追加

本発明の目的は、光ディスク媒体全面に渡り良好な記録が可能な記録型光ディスク装置および記録型光ディスク装置に使用される光ディスク媒体を提供することにある。 - 特許庁

At the same time, the surface and rear insulating films react with the n-type and p-type impurities, and a PSG film and a BSG film which have almost the same width as those of the n++ and the p++ semiconductor layers are respectively formed.例文帳に追加

同時に，表面及び裏面絶縁膜は，ｎ型及びｐ型の不純物と反応して，ｎ++半導体層及びｐ++半導体層とほぼ同幅で，ＰＳＧ膜及びＢＳＧ膜が各々形成される。 - 特許庁

After the growth mask is etched away, an active layer 16 and a p-type GaN layer 17 are successively grown over the entire surface of the substrate, in such a manner as to cover the n-type GaN layer 15, to form a light-emitting device structure.例文帳に追加

成長マスクをエッチング除去した後、ｎ型ＧａＮ層１５を覆うように基板全面に活性層１６およびｐ型ＧａＮ層１７を順次成長させ、発光素子構造を形成する。 - 特許庁

A photovoltaic cell element 1 is formed which is provided with an n-type silicon substrate 2 and through-holes 3 penetrating the silicon substrate 2, and has a p-type diffusion layer 4 provided at least on a top surface of the silicon substrate 2.例文帳に追加

ｎ型シリコン基板２と、シリコン基板２を貫通するスルーホール３を設け、シリコン基板２の少なくとも表面に設けたｐ型の拡散層４を有する光電池セル素子１を形成する。 - 特許庁

The N+ diffusion region 15a is formed in a part of the P-type well 4a located at the bottom of an opening 13 penetrating an element isolation film 3a, from a surface of the P-type well 4a to a predetermined depth.例文帳に追加

Ｎ＋拡散領域１５ａは、素子分離酸化膜３ａを貫通する開口部１３の底に位置するＰ型ウェル４ａの部分に、その表面から所定の深さにわたり形成されている。 - 特許庁

To provide a method for operating a vertical type self-combusting carbonization furnace capable of maintaining the top surface level of a raw material layer in a suitable position and thereby stably and continuously producing a homogeneous charcoal in the vertical type self-combusting carbonization furnace.例文帳に追加

縦型自燃式炭化炉において、原料層上面レベルを適切な位置に維持させて安定して均質な炭を連続して製造する縦型自燃式炭化炉の操業方法の提供 - 特許庁

A thin film type solar cell module is manufactured by resin-sealing a thin film type solar cell having a surface electrode to which a tab line is connected by a conductive adhesive film using a vacuum laminator.例文帳に追加

薄膜型太陽電池モジュールは、導電性接着フィルムでタブ線が接続された表面電極を有する薄膜型太陽電池セルを、減圧ラミネーターを用いて樹脂封止して製造する。 - 特許庁

To provide a method for forming slits with constant intervals onto a belt type structure, easily forming slits with accurate constant intervals throughout the whole length of surface of the belt type structure.例文帳に追加

ベルト状構造体の表面全長にわたって精度の良い等間隔のスリットを容易に作成することが可能なベルト状構造体表面への等間隔スリット形成方法を提供する。 - 特許庁

At a surface layer portion of a semiconductor substrate 2, a source region 13 and a drain region comprising a deep N-type well 8, an N-type well 10 and a contact region 11 are formed leaving a gap.例文帳に追加

半導体基板２の表層部には、ソース領域１３とディープＮ型ウェル８、Ｎ型ウェル１０およびコンタクト領域１１からなるドレイン領域とが間隔を空けて形成されている。 - 特許庁

This crystal resonator 101 located at the center part in the housing 103 of a thermal module crystal resonator is lead type and a surface mounted type crystal resonator using a ceramic package.例文帳に追加

熱モジュール水晶振動子の筐体１０３の内部の中心部に位置する水晶振動子１０１は、リードタイプの水晶振動子や、セラミックパツケージを使用した表面実装タイプの水晶振動子である。 - 特許庁

The tuning-fork type crystal vibrating reed 10 is arranged on one main surface of a substrate 101, and a metal cap 102 is sealed airtightly, in a state with it covering the tuning-fork type crystal vibrating reed 10.例文帳に追加

音叉型水晶振動片１０が基体１０１の一方主面上に配置され、金属製キャップ１０２が音叉型水晶振動片１０を覆う状態で気密密閉されている。 - 特許庁