「thin- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(64ページ目) - Weblio英語例文検索

The antireflection film is disposed on the side of the substrate of the liquid crystal display panel opposite to the liquid crystal side, comprises a high refractive index thin film layer and a low refractive index thin film layer alternately laminated, exhibits conductivity, and is electrically grounded.例文帳に追加

反射防止膜は、液晶表示パネルの基板の液晶側とは反対側に設置され、高屈折率の薄膜層と低屈折率の薄膜層とが交互に積層されており、導電性を有すると共に電気的に接地されている。 - 特許庁

To provide a thin-film magnetic head which comprises a very small size magnetic domain control layer capable of promoting the single magnetic domain formation of a magneto-sensitive layer and reducing Barkhausen noise, its forming method, and a magnetic disk device equipped with the thin-film magnetic head.例文帳に追加

磁気感受層の単磁区化を促進し、バルクハウゼンノイズを低減することのできる微小なサイズの磁区制御層を備えた薄膜磁気ヘッドおよびその形成方法ならびにその薄膜磁気ヘッドを備えた磁気ディスク装置を提供する。 - 特許庁

Film thickness at portions 7b and 8b of the Si thin films 7 and 8 between portions 7a and 8a for covering an active layer 2 and the lower surface of the semiconductor laser chip 1 is set thinner than that of the portions 7a and 8a for covering the active layer 2 of the Si thin films 7 and 8.例文帳に追加

Ｓｉ薄膜７，８の活性層２を覆う部分７ａ，８ａの膜厚より、この活性層２を覆う部分７ａ，８ａと半導体レーザチップ１の下面との間のＳｉ薄膜７，８の部分７ｂ，８ｂの膜厚が薄くなっている。 - 特許庁

To provide a method of obtaining a thin layer ceramic sheet by which the thin layer ceramic sheet is continuously and stably obtained without necessitating a complicated washing process for removing powder, the degradation of the ceramic sheet hardly occurs and excellent surface smoothness is attained.例文帳に追加

煩雑な粉末除去のための洗浄工程を必要とせず、継続的に薄層セラミックス板を安定に得ることができ、セラミック板の劣化が生じ難く、かつ表面平滑性に優れた薄層セラミック板を得る方法を提供する。 - 特許庁

To produce an electronic thin film material suitable as a diffusion preventive layer material for a ferroelectric capacitor, to produce a ferroelectric capacitor having a diffusion preventive layer by the same electrode thin film material and to produce a nonvolatile memory provided with the same ferroelectric capacitor.例文帳に追加

強誘電体キャパシタの拡散防止層材料して好適な電子薄膜材料、この電子薄膜材料による拡散防止層を有する強誘電体キャパシタおよび、この強誘電体キャパシタを備えた不揮発性メモリを提供する。 - 特許庁

Thin film forming treatment for forming a conductive thin film to the forming surface of the uneven pattern 5 of a mother stamper 1 and release layer forming treatment for forming a release layer 12 to the forming surface of the uneven pattern 5 to repair the mother stamper 1.例文帳に追加

マザースタンパー１における凹凸パターン５の形成面に導電性薄膜を形成する薄膜形成処理と、形成面に剥離層１２を形成する剥離層形成処理とをこの順で実行しててマザースタンパー１を修復する。 - 特許庁

To provide an organic thin film solar cell device, a solar cell module, and a manufacturing method of an organic thin film solar cell device in which degradation arising from moisture of photopotential induction layer consisting of an organic semiconductor layer can be suppressed, life time is long, and reliability is high.例文帳に追加

有機半導体層からなる光電位誘起層の水分に起因する劣化を抑制でき、長寿命で信頼性の高い有機薄膜太陽電池素子、太陽電池モジュールおよび有機薄膜太陽電池素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a low price thin film transistor to improve an interface characteristics between a semiconductor layer and a gate insulating film in the thin film transistor including a gate electrode provided on a semiconductor layer via a gate insulating film.例文帳に追加

半導体層上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極を有する薄膜トランジスタの製造方法において、半導体層及びゲート絶縁膜間の界面特性を改善する安価な薄膜トランジスタの製造方法を得ること。 - 特許庁

Using the transfer base film as a temporary support, a thin film layer is formed on the surface of the temporary support onto which the transfer master is transferred, and the transfer film wherein the surface of the thin film layer not formed on the temporary support constitutes a surface adhering to a base being an object of transfer, is obtained.例文帳に追加

転写ベースフィルムを仮支持体として用い、仮支持体の転写原型を転写した面に薄膜層を形成し、薄膜層の仮支持体に形成されていない面が被転写基板への接着面を構成する転写フィルムを得る。 - 特許庁

The metal thin film type magnetic recording medium has a magnetic layer 2 formed by vacuum thin film forming technology on a principal surface of a substrate 1 and the substrate 1 has a structure consisting of a first and a second non-magnetic substrates 1a and 1b laminated via an intermediate layer 3.例文帳に追加

支持体１の一主面に、真空薄膜形成技術により形成した磁性層２を有し、支持体１は、第１の非磁性支持体１ａと第２の非磁性支持体１ｂとが、中間層３を介して積層されて成る構成を有する。 - 特許庁

This magnetic coupler is provided with: a thin-film coil 20 wound in a first layer L1; and a first MR element 31 arranged in a second layer L2, and detecting an induction magnetic field Hm generated by a signal current Im flowing through the thin-film coil 20.例文帳に追加

第１の階層Ｌ１において巻回する薄膜コイル２０と、第２の階層Ｌ２に配置され、薄膜コイル２０を流れる信号電流Ｉｍによって生ずる誘導磁界Ｈｍを検知する第１のＭＲ素子３１とを備える。 - 特許庁

The first reflective thin-film layer 23 transmits the exciting light, so fluorescent light is generated in the display screen plate 22 and visible light is reflected by the first reflective thin-film layer 23, so the matrix LED 25 is never viewed from outside.例文帳に追加

第１の反射薄膜層２３は励起光を透過させるため表示画面プレート２２内に蛍光が発生するとともに、可視光は第１の反射薄膜層２３に反射されるので外部からマトリックスＬＥＤ２５が目視されることはない。 - 特許庁

For example, by forming the plurality of high-refractive index thin-film layers, existing from the 1st layer to the 8th layer of the multilayer reflection film as the metallic Si layers and the plurality of low-refractive index thin-film layers existing there as SiO_2 layers, high reflectance is obtained by the large difference in the refractive index between them.例文帳に追加

例えば、多層反射膜の第１層から第８層のうちの複数の高屈折率薄膜層を金属Ｓｉ層とし、低屈折率薄膜層をＳｉＯ_2層とすれば、その屈折率の大差により高い反射率が得られる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a substrate for a solar cell, the method not inhibiting thin-film formation of a photoelectric conversion layer having a predetermined crystal orientation property when forming a thin film-based solar cell with a microcrystal silicon film applied to the photoelectric conversion layer.例文帳に追加

微結晶シリコン膜を光電変換層に適用した薄膜系の太陽電池を形成する場合に、所定の結晶方位配向性を有する光電変換層の薄膜形成を阻害しない太陽電池用基板の製造方法を得ること。 - 特許庁

Each unit cell 2 includes: a conductive base material 3; an organic thin film electromotive force layer 4 laminated on the conductive base material 3; an upper electrode 5 laminated on the organic thin film electromotive force layer 4; and an auxiliary electrode 7 on the upper electrode.例文帳に追加

単位セル２は、導電性基材３と、該導電性基材３上に積層された有機薄膜起電力層４と、該有機薄膜起電力層４上に積層された上部電極５と、その上の補助電極７とを備えている。 - 特許庁

An ultraviolet-absorbing thin-film pattern 2 is formed on a substrate 1, a transparent electrode layer 3 is formed on the substrate 1 and the ultraviolet-absorbing thin-film pattern 2, and ultraviolet laser beams 8 are irradiated on the transparent electrode layer 3.例文帳に追加

基体１上に紫外光吸収性の薄膜パターン２を形成し、該基体１および紫外光吸収性の薄膜パターン２上に透明電極層３を形成し、透明電極層３に紫外レーザ光８を照射する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a low resistance tantalum thin film for successively laminating and forming a seed layer and a tantalum layer on an insulating substrate, wherein the film depositing rate of sputtering is high and the low resistance tantalum thin film having satisfactory specific resistance distribution can be obtained.例文帳に追加

絶縁基板上にシード層とタンタル膜とを順次積層して形成するための、スパッタリングの成膜レートが早く、しかも比抵抗分布の良い低抵抗タンタル薄膜を得ることが可能な、低抵抗タンタル薄膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device includes a semiconductor substrate, the gate insulating film formed on the semiconductor substrate, the thin film metal layer consisting of TiN, TaN, RuO or a mixture of these, and the gate electrode formed on the thin film metal layer.例文帳に追加

半導体基板と、半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成されたＴｉＮ、ＴａＮ、ＲｕＯ又はこれらの混合物からなる薄膜金属層と、薄膜金属層上に形成されたゲート電極とを有する。 - 特許庁

To provide a transparent conductive film capable of maintaining gas barrier properties and conductivity after alkali immersion by installing an alkali resistant layer between a metal-oxide thin film layer and a transparent conductive thin film, and to provide a method for production thereof.例文帳に追加

金属酸化物薄膜層と透明導電性薄膜との間に、アルカリ耐性のある層を設けることにより、アルカリ浸漬後も良好なガスバリア性と導電性とを保持する透明導電性フィルム及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

Even if the transparent conductive thin film is structured by a multi-layered structure formed by alternately laminating the indium tin oxide layer and the metal oxide layer, the transparent conductive thin film having a low resistance and low surface roughness and sufficient permeability can be obtained.例文帳に追加

インジウム錫酸化物の層と金属酸化物の層を交互に積層した多数積層構造によって透明導電薄膜を構成しても、低い抵抗、低い面粗度で十分な透過率を有する透明導電薄膜が得られる。 - 特許庁

By having semiconductor thin films 304-308 made to abut against the metal layer 102 to form a region 410 including an oxide of a metal element among them, the semiconductor thin films 304-308 is bonded to the metal layer 102.例文帳に追加

この金属層１０２の上に半導体薄膜３０４−３０８を接触させて、これらの間に金属元素の酸化物を含む領域４１０を形成することによって、半導体薄膜３０４−３０８と金属層１０２とを接合する。 - 特許庁

To provide a semiconductor thin film excellent in reduction resistance and a method for manufacturing the same, and to provide a thin-film transistor which is capable of obtaining stable TFT characteristics without providing a buffer layer such as an oxygen-permeable membrane on a channel layer, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

耐還元性に優れた半導体薄膜及びその製造方法、チャネル層上に酸素透過性膜等のバッファー層を設けなくても安定したＴＦＴ特性が得られる薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for forming an optical thin film on the surface of a substrate comprises a step for removing a degenerated layer in the surface of the substrate and a step for forming the optical thin film on the degenerated layer-free substrate.例文帳に追加

基板の表面に光学薄膜を成膜する成膜方法において、前記基板表面の変質層を除去する除去工程と、前記変質層が除去された基板に光学薄膜を成膜する成膜工程とからなる成膜方法を提供する。 - 特許庁

Input of the mobilities R_f1, R_f2 can be performed also by performing drag movement by a mouse of spot figures 82a, 82b to a position corresponding to a result of the thin-layer chromatography on a figure 81 on a thin layer plate drawn in a spot designated domain 74.例文帳に追加

なお、この移動度Ｒ_f1，Ｒ_f2の入力は、スポット指示領域７４に描画される薄層板の図形８１上で、薄層クロマトグラフィの結果に応じた位置にスポット図形８２ａ，８２ｂをマウスでドラッグ移動することで行うこともできる。 - 特許庁

The circuit board 1 is constituted by providing a first thin film transistor 3 constituted in a top gate structure provided with a p-type organic semiconductor layer 33, and a second thin film transistor 4 constituted in a bottom gate structure provided with an n-type organic semiconductor layer 45 on the same substrate 2.例文帳に追加

回路基板１は、有機半導体層を備えるトップゲート構造の第１の薄膜トランジスタ３と、有機半導体層を備えるボトムゲート構造の第２の薄膜トランジスタ４とが、同一基板２上に設けられてなるものである。 - 特許庁

The lower magnetic pole layer 10 has a first layer 10a arranged in a position to face the thin-film coils 13 and 18, and second and third layers 10b and 10d arranged in positions closer to an air bearing surface 30 than the thin-film coils 13 and 18.例文帳に追加

下部磁極層１０は、薄膜コイル１３，１８に対向する位置に配置された第１の層１０ａと、薄膜コイル１３，１８よりもエアベアリング面３０に近い位置に配置された第２の層１０ｂおよび第３の層１０ｄを有している。 - 特許庁

The multilayered optical thin film has such a film structure that in a TiO2-SiO2 multilayered optical thin film formed by alternately laminating high refractive index film layers TiO2 and low refractive index film layers SiO2, at least one layer of TiO2 layers is substituted by a Ta2O5 layer.例文帳に追加

高屈折率層ＴｉＯ_2と低屈折率層ＳｉＯ_2とを交互に積層してなるＴｉＯ_2−ＳｉＯ_2多層光学薄膜において、ＴｉＯ_2層の少なくともひとつの層をＴａ_2Ｏ_5で置換した膜構成を有する多層光学薄膜。 - 特許庁

To provide a thin film transistor for a liquid crystal display device comprising a gate insulation layer in which leakage current of the thin film transistor is reduced simultaneously while forming the gate insulation layer with high dielectric constant insulating material to obtain high potential mobility.例文帳に追加

高い電荷移動度を得るために高誘電率絶縁物質でゲート絶縁層を形成しながらも、同時に薄膜トランジスタの漏れ電流の減少が図られるゲート絶縁層を備える液晶表示素子用薄膜トランジスタを提供する。 - 特許庁

To provide a method for polishing a soft magnetic layer in a thin membrane magnetic head having a surface flattened by CMP even when an Fe alloy containing Si and Al as a shielding layer is used, and also to provide a method for manufacturing a thin membrane magnetic head.例文帳に追加

シールド層としてＳｉ及びＡｌを含むＦｅ合金を用いた場合にもＣＭＰによる表面の平坦化が可能である薄膜磁気ヘッドにおける軟磁性層の研磨方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a thin film transistor for a liquid crystal display device having a gate insulation layer, while forming the gate insulation layer with a high dielectric ratio insulating material to obtain a high potential mobility, leakage current of the thin film transistor is reduced simultaneously.例文帳に追加

高い電荷移動度を得るために高誘電率絶縁物質でゲート絶縁層を形成しながらも、同時に薄膜トランジスタの漏れ電流の減少が図られるゲート絶縁層を備える液晶表示素子用薄膜トランジスタを提供する。 - 特許庁

In the film, on at least one side of a substrate formed of a plastic material and, a vapor deposited thin layer with a thickness of 5-300 nm made of an inorganic oxide, and a vapor deposited thin layer with a thickness of 10-500 nm made of an organic compound are laminated in order.例文帳に追加

プラスチック材料からなる基材の少なくとも片面に、厚さ５〜３００ｎｍの無機酸化物からなる蒸着薄膜層と、厚さ１０〜５００ｎｍの有機化合物からなる蒸着薄膜層を順次積層して設ける。 - 特許庁

The thin film transistor 10 is provided with a semiconductor layer 22, a gate insulation film 21, a gate electrode 20, a source electrode 23, and a drain electrode 24 on the precondition that the thin film transistor 10 is provided above an organic resin layer 15 which a substrate 14 to be processed includes.例文帳に追加

半導体層２２と、ゲート絶縁膜２１と、ゲート電極２０と、ソース電極２３と、ドレイン電極２４とを具備する薄膜トランジスタ１０であって、被処理基板１４が有する有機樹脂層１５の上方に設けることを前提とする。 - 特許庁

A release layer 3 comprising a fluororesin, an olefin resin or a polyvinyl alcohol resin and a thin metal film layer 4 are successively laminated on a surface of a base material 2 with a thickness of approximately 5-200 μm to constitute the film 1 for transferring the thin metal film.例文帳に追加

厚さ約５μｍ〜２００μｍの基材２表面上に、フッ素樹脂、オレフィン樹脂或いはポリビニルアルコール樹脂からなる離型層３及び金属薄膜層４を順次積層して金属薄膜転写用フィルム１を構成した。 - 特許庁

To provide a developing device which ensures stable electrostatic chargeability of a developer in the passage of time and gives a uniform thin developer layer or suppresses the occurrence of a reversely charged toner and give a uniform stable thin toner layer even when a developer support is a rigid body.例文帳に追加

経時で安定した現像剤帯電性及び均一な現像剤の薄層が得られる、または、逆帯電トナーの発生を低下し、現像剤担持体が剛体の場合にも均一で安定なトナー薄層が得られる現像装置を提供する。 - 特許庁

Junction between a conductive thin film and a ferroelectric thin film is formed without substantially forming an electro-chemical different layer between these thin films, by individually supplying precursors of respective constitutional elements of the ferroelectric thin film under an MOCVD reaction environment, and providing the supply start time of these precursors with suitable time differences to hold fixed crystal azimuth relation between the conductive thin film and the ferroelectric thin film.例文帳に追加

強誘電体薄膜の各構成元素の前駆体をＭＯＣＶＤ反応環境下に個別に供給し、前駆体の供給開始時間に適正な時間差を与えることにより、実質的に電気化学的な異層を介すことなく導電性薄膜と強誘電体薄膜の接合を形成し、導電性薄膜と強誘電体薄膜に一定の結晶方位関係を持たせる。 - 特許庁

The thin film transistor 10 has a polycrystalline silicon film 1a as an active layer and has a multi-gate structure where a first thin film transistor section 10a on the drain side and a second thin film transistor 10b on the source side are connected in series.例文帳に追加

薄型トランンジスタ１０は、多結晶シリコン膜１ａを能動層として有しており、ドレイン側の第１の薄膜トランジスタ部１０ａと、ソース側の第２の薄膜トランジスタ部１０ｂとが直列接続されたマルチゲート構造を有している。 - 特許庁

The first thin film transistor 3 is provided with the p-type organic semiconductor layer (working as a p-channel) 33, and the second thin film transistor 4 is provided with the n-type thin film transistor 45 (working as an n-channel).例文帳に追加

回路基板１は、第１の薄膜トランジスタ３が、ｐ型有機半導体層（ｐチャネルとして動作する有機半導体層）３３を備え、第２の薄膜トランジスタ４が、ｎ型有機半導体層（ｎチャネルとして動作する有機半導体層）４５を備える。 - 特許庁

To provide an active energy ray-curable coating composition capable of suppressing metallic thin film cracking even when forming on a metallic thin film a rigid top coat layer sufficiently protecting the metallic thin film or performing heat resistance test, and to provide composite coating films.例文帳に追加

金属薄膜を十分に保護できる強固なトップコート層を金属薄膜上に形成したり、耐熱試験を行ったりしても、金属薄膜の割れを抑制できる活性エネルギー線硬化型塗料組成物、および複合塗膜を提供する。 - 特許庁

A thin film semiconductor device includes a glass substrate 51, an amorphous silicon film 53 provided on the substrate, a plurality of thin and long crystal grains 31 crystallized on the amorphous silicon film, and a thin film transistor having an active layer 11 arranged on the crystal grains.例文帳に追加

薄膜半導体装置は、ガラス基板５１と、該基板上に設けられたアモルファスシリコン膜５３と、該アモルファスシリコン膜に結晶化された複数の細長い結晶粒３１と、該結晶粒に活性層１１が配置された薄膜トランジスタと含む。 - 特許庁

On a supporting substrate 1, a Ti thin film 2 of a predetermined pattern is formed as an underlying layer, and an Al film 3 and a Ti thin film 4 are laminated thereon in order, and further the side wall surface of the Al film 3 is coated with a Ti thin film 5, thereby a gate leading-out part 6 is constituted.例文帳に追加

支持基板１上に所定のパターンのＴｉ薄膜２を下地層とし、その上にＡｌ膜３、Ｔｉ薄膜４を順次積層するとともに、Ａｌ膜３の側壁面をＴｉ薄膜５で覆って、ゲート引き出し部６を構成した。 - 特許庁

In the thermal conduction layer, the thin film including materials of a thermal conductivity relatively lower rather than the thin film including the materials of the highest temperature conductivity among a plurality of materials is arranged between the thin films including the materials of the high temperature conductivity.例文帳に追加

そして、熱伝導層内において、高熱伝導率の材料からなる薄膜の間には、複数の材料のうち最も高熱伝導率の材料からなる薄膜よりも相対的に低熱伝導率の材料からなる薄膜を配置する。 - 特許庁

To provide a thin film forming method for effectively depositing a thin film having a function, for example, of a barrier layer to the bottom part of a recessed part, while controlling deposition of such thin film to a sidewall of the recessed part even if a diameter of the recessed part of the material to be processed is small.例文帳に追加

被処理体の凹部の径が小さくても、例えばバリヤ層として機能する薄膜が凹部の側壁へ堆積することを抑制しつつ、凹部の底部に効率的に堆積させることが可能な薄膜の成膜方法を提供する。 - 特許庁

A dyed layer formed by making a sublimating dye to be fixed, and a reflection enhancing film layer made of a dielectric thin film of a metal oxide in which thin films having a higher refractive index than the refractive index of a base material film and thin films having a lower refractive index are laminated alternately on the dyed layer are formed on the base material film made of a resin having transparency.例文帳に追加

透光性を有する樹脂からなる基材フィルム上に、昇華性染料が定着されることにより形成される染色層と、染色層の上に基材フィルムの屈折率に対して高い屈折率を持つ薄膜と相対的に低い屈折率を持つ薄膜とが交互に積層され金属酸化物の誘電体薄膜からなる反射増加膜層とが形成されている。 - 特許庁

The semiconductor layer 15 in the thin film transistor TFT is formed, by patterning a photothermal conversion layer 22 only on a region which serves as a channel layer on an amorphous silicon thin film 15x formed on one surface side of the substrate 11, and then irradiating the whole area of the substrate 11 with a laser beam BM, by laser beam scanning and applying thermal annealing to crystallize the amorphous silicon thin film 15x.例文帳に追加

薄膜トランジスタＴＦＴの半導体層１５は、基板１１の一面側に成膜された非晶質シリコン薄膜１５ｘに対して、チャネル層となる領域上にのみ光熱変換層２２をパターニング形成した後、レーザー光ＢＭを走査して基板１１全域に照射し、熱アニールを施すことにより、非晶質シリコン薄膜１５ｘが結晶化されて形成される。 - 特許庁

The light control device includes a thin film transistor; and a light control element including an electrode 104 electrically connected to the thin film transistor, in which a semiconductor region 102 of the thin film transistor and a pixel electrode 104 are composed of the same semiconductor layer, and the same semiconductor layer is an amorphous oxide layer including at least one of In, Ga, and Zn.例文帳に追加

薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタと電気的に接続される電極１０４を有する光制御素子と、を備えた光制御装置であって、薄膜トランジスタの半導体領域１０２と画素電極１０４とが同一の半導体層からなり、同一の半導体層はＩｎ，Ｇａ，Ｚｎから選択される元素の少なくとも一つを含む酸化物からなる非晶質層である。 - 特許庁