「threshold element」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

When information is read, a voltage of a middle level between the threshold voltage of the reset state and the threshold value of the set state is applied to the phase-change element, and a current change caused by presence/nonpresence of threshold switching is observed.例文帳に追加

情報の読み出し時には、リセット状態でのスレッショルド電圧とセット状態でのスレッショルド電圧との中間レベルの電圧を相変化素子に印加し、スレッショルドスイッチングの有無による電流変化を観測する。 - 特許庁

A threshold canceling circuit detects the threshold voltage of the drive transistor 111 prior to the current driving of the load element 117 and makes a 2nd capacity element C111 hold a potential needed to cancel its influence.例文帳に追加

閾電圧キャンセル回路は、負荷素子１１７の電流駆動に先だってドライブトランジスタ１１１の閾電圧を検知しあらかじめその影響をキャンセルする為に必要な電位を第２の容量素子Ｃ１１１に保持させる。 - 特許庁

In the converter control apparatus, as shown in Fig.4, upon detecting that the temperature Ted of a drive switching element 40 exceeds an element temperature threshold Tth, an element temperature detecting and comparing section 10a notifies a drive number-drive element determining section 10b of the fact.例文帳に追加

素子温度検出・比較部１０ａは、駆動スイッチング素子４０の素子温度Ｔｅｄが素子温度閾値Ｔｔｈを超えたことを検知すると、その旨を駆動数・駆動素子決定部１０ｂに通知する。 - 特許庁

A semiconductor switch element control signal VGATE with its level shifted is higher than the logical threshold voltage of the semiconductor switch element 20, thereby controlling the ON/OFF of the semiconductor switch element 20.例文帳に追加

レベルシフトされた半導体スイッチ素子制御信号ＶＧＡＴＥは、半導体スイッチ素子２０の論理閾値電圧より高いため、半導体スイッチ素子２０をオン／オフ制御することができる。 - 特許庁

When the threshold voltage is made to be low, such a state that the threshold voltage of 1-element/1-cell type memory cell made into a depletion type is transferred to an undesirable low level can be prevented.例文帳に追加

低い閾値電圧にされたときデプレッション型にされる１素子／１セル型のメモリセルの閾値電圧が不所望に低いレベルに遷移する事態を防止することができる。 - 特許庁

Alternatively, when the torque down amount is the threshold or more, the engaging force of a friction engaging element of an automatic transmission is increased in comparison with the case where the torque down amount is smaller than the threshold.例文帳に追加

あるいは、トルクダウン量がしきい値以上である場合、小さい場合に比べて、オートマチックトランスミッションの摩擦係合要素の係合力が増大される。 - 特許庁

The buffer element 40 makes different a first threshold for switching the control signal from high level to low level and a second threshold for switching the control signal from low level to high level.例文帳に追加

ここで、バッファ素子４０は、制御信号をハイレベルからローレベルへ切り替える第１閾値と、制御信号をローレベルからハイレベルへ切り替える第２閾値と、を異ならせる。 - 特許庁

A frequency detecting part 603 detects a frequency belonging to the area by setting a frequency based on a correlation value to a picture element having a threshold value or more of correlation value between a picture element value of the interest picture element and a picture element value of the picture element belonging to the selected area.例文帳に追加

度数検出部６０３は、注目画素の画素値と、領域に属する画素の画素値との相関値が閾値以上である画素に、相関値に基づく度数を設定することにより、領域に属する画素の度数を検出する。 - 特許庁

As to a threshold element circuit network used for a variable logic section of a reconfigurable device, multi-level data is used as configuration data constituting the function capability of the logic function, and simultaneously, the number of threshold elements in the threshold element circuit network is reduced by using multi-level data for input variables.例文帳に追加

再構成可能デバイスの可変論理部に適用されるしきい素子回路網について、論理関数機能を構成する構成データとして、多値データを用いると同時に、入力変数にも、多値データを用いることによって、しきい素子回路網におけるしきい素子数を低減するものである。 - 特許庁

To provide an electron emission element, an electron source, and an image forming device, in which a manufacturing process is simple, a threshold for electron emission is low, and an element capacity is low.例文帳に追加

製造プロセスが簡便で、電子放出の閾値が低く、且つ素子容量が小さい電子放出素子、電子源および画像形成装置を提供する。 - 特許庁

A photo-detecting element for detecting light emission of the light emitting element is connected with a resistor in series, and the threshold voltage of the transistor is detected from the potential at the node.例文帳に追加

発光素子の発光を検知する光検知素子と抵抗とを直列接続し、その接続点の電位により、トランジスタの閾値電圧を検知している。 - 特許庁

A sensor element signal detection circuit 4 threshold-processes the voltage based on a detection signal from the sensor element part 3 to turn on the control switch 24.例文帳に追加

センサ素子信号検出回路４は、センサ素子部３からの検知信号に基づく電圧を閾値処理して制御スイッチ２４をオン状態にする。 - 特許庁

In this case, when the threshold voltage Vth of the memory element 1 reaches the gate applied voltage Vg, a drain current Ids flowing to the memory element 1 stops flowing.例文帳に追加

その際、メモリ素子１に流れるドレイン電流Ｉｄｓは、メモリ素子１のしきい値電圧Ｖｔｈがゲート印加電圧Ｖｇに達すると、流れなくなる。 - 特許庁

To provide a ridge-waveguide semiconductor optical element that has a single wavelength property and can carry out high-speed and low-threshold operation, and a method for manufacturing the semiconductor light element.例文帳に追加

単一波長性を有し、高速動作と、低閾値動作の可能なリッジ導波路型の半導体光素子及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To obtain an element where light-emitting efficiency is high and an oscillation threshold is low in an optical semiconductor element of long wavelength using a GaAs substrate and a GaInAsN well layer.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板と、ＧａＩｎＡｓＮ井戸層と、を用いた長波長の光半導体素子において、発光効率が高く、発振閾値が低い素子を得る。 - 特許庁

An element brightness/darkness discriminating circuit 36 compares a photoelectric signal outputted from the photosensor 33 with a threshold and detects the boundary of each element of the bar cord.例文帳に追加

エレメント明暗判別回路３６は、フォトセンサ３３から出力された光電信号のレベルを閾値と比較して、バーコードの各エレメントの境界を検出する。 - 特許庁

To provide a GaN semiconductor laser element whose threshold current value and operation voltage are lower than a conventional air-ridge type GaN semiconductor laser element.例文帳に追加

従来のエアリッジ型ＧａＮ系半導体レーザ素子より、閾値電流値が低く、かつ動作電圧も低いＧａＮ系半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

To provide the active matrix substrate which is small in variations in the threshold voltage of a switching element and the liquid crystal element with superior switching characteristics which uses the substrate.例文帳に追加

スイッチング素子の閾値電圧のばらつきが小さいアクティブマトリクス基板および該基板を用いた優れたスイッチング特性の液晶素子を提供する。 - 特許庁

This image display device detects the threshold voltage of the TFT 8 through a reference voltage writing means A1 and a threshold voltage detecting means A2 in a threshold voltage detecting process and compensates variation in the threshold voltage of the TFT 8 as the driver element.例文帳に追加

本発明にかかる画像表示装置は、閾値電圧検出工程において、基準電圧書き込み手段Ａ１と閾値電圧検出手段Ａ２が動作することによってＴＦＴ８の閾値電圧を検出し、ドライバー素子であるＴＦＴ８の閾値電圧の変動を補償する。 - 特許庁

The color halftone processing part derives a multi-value threshold array which is the threshold array of a reference color and is composed of pixels as an element unit, using an ordered dither method, and derives the multi-value threshold array of other colors output by the image forming apparatus based on the multi-value threshold array of the reference color.例文帳に追加

カラーハーフトーン処理部は、組織的ディザ法を用いて、基準色の閾値配列であって画素を要素の単位とした多値の閾値配列を導出し、基準色の多値の閾値配列に基づき、画像形成装置が出力する他の色の、多値の閾値配列を導出する。 - 特許庁

An edge cut section 72 erases the edge of an element whose value of the normalized mutual self-information amount is a threshold th or less.例文帳に追加

エッジカット部７２は、正規化自己相互情報量の値が閾値ｔｈ以下である要素のエッジを削除する。 - 特許庁

The threshold voltage dispersion compensation circuit comprises the interconnection between a second active element 113 and a resistor 111.例文帳に追加

しきい値電圧バラツキ補償用回路は、第２の能動素子１１３と抵抗１１１とを相互に接続してなる。 - 特許庁

To provide an SOI element capable of setting a threshold to a proper value and operating at high speed.例文帳に追加

しきい値を適正に設定することが可能であり、かつ高速動作が可能なＳＯＩ素子を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor light-emitting element which can reduce the threshold current, without causing crystal defects.例文帳に追加

結晶欠陥を発生させずに、閾値電流を低減することの可能な半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

The radio chip is realized by using a resonant circuit having a MOS capacitative element of predetermined threshold voltage.例文帳に追加

所定のしきい値電圧を有するＭＯＳ容量素子を有する共振回路を用いて、無線チップを実現する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element which can be compatible with low threshold current, high output operation, and cost reduction.例文帳に追加

低閾値電流・高出力動作とコスト低減とを両立できる半導体レーザ素子を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element arranged to have an excellent heat dissipation properties, a low threshold current, and a capacitance.例文帳に追加

放熱性が良く、閾値電流が低く、静電容量が小さい構成の半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

To reduce unintended electron emission from an electron emitting element with a low threshold electric field required for electron emission.例文帳に追加

電子放出に必要な閾電界が低い電子放出素子からの意図しない電子放出の低減すること。 - 特許庁

To correct a bias voltage optimally by detecting the threshold voltage of an amplifying element in a high frequency amplifier circuit.例文帳に追加

高周波増幅回路における増幅素子のしきい値電圧を検出し、バイアス電圧を最適に補正する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element having a higher slope efficiency for enabling low power consumption (low threshold current) operation.例文帳に追加

高いスロープ効率を有し、低消費電力（低閾値電流）動作が可能な半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a luminous element which is high in luminous efficiency and low in an operating current or threshold current.例文帳に追加

発光効率が高く動作電流またはしきい値電流が低い発光素子を提供することである。 - 特許庁

A threshold value of the force for seating the main valve element 55 is increased by the strong force of the second spring 58.例文帳に追加

第２スプリング５８の強い力により、主弁体５５が着座するための力のしきい値を大きくする。 - 特許庁

To suppress the deterioration of the image quality of images picked up by means of a threshold-modulated solid-state image pickup element due to the occurrence of blooming.例文帳に追加

しきい値変調型固体撮像素子において、ブルーミングの発生による画質の劣化を抑制する。 - 特許庁

Further, the circuit has a holding capacitor bootstrap function to compensate the threshold voltage fluctuation of the drive transistor and the deterioration with lapse of time of the organic EL element and compensates the change with lapse of time of the IV characteristic of the organic EL element and the threshold voltage fluctuation of the drive transistor.例文帳に追加

さらに、ドライブトランジスタの閾値電圧変動と有機ＥＬ素子の経時劣化を補償する保持容量ブートストラップ機能を備え、有機ＥＬ素子のＩ−Ｖ特性経時変化やドライブトランジスタ閾値電圧変動を補償する。 - 特許庁

In the display device, a plurality of pixels GS are arranged each of which includes an organic EL element 15, a driving transistor 16 for driving the organic EL element 15, and a threshold voltage correction circuit 17 for correcting the threshold voltage of the driving transistor.例文帳に追加

有機ＥＬ素子１５と、この有機ＥＬ素子１５を駆動する駆動用トランジスタ１６と、この駆動用トランジスタ１６のしきい値電圧を補正するしきい値電圧補正回路１７とを含む複数の画素ＧＳが配置されている。 - 特許庁

The circuit has a bootstrap function of the hold capacitor to compensate changes in the threshold voltage of the drive transistor and deterioration in the organic EL element with time, and compensates changes in the I-V characteristics of the organic El element with time and changes in the threshold voltage of the drive transistor.例文帳に追加

ドライブトランジスタの閾値電圧の変動と有機ＥＬ素子の経時劣化を補償する保持容量のブートストラップ機能を備え、有機ＥＬ素子のＩ−Ｖ特性経時変化やドライブトランジスタの閾値電圧変動を補償する。 - 特許庁

A threshold voltage adjustment layer 9 for the second MOS element (high Vth MOS element) is formed after a first region 30 as a first MOS element forming region is masked with a resist film 8.例文帳に追加

第１のＭＯＳ型素子形成領域である第１領域３０をレジスト膜８でマスクした後、第２のＭＯＳ型素子（高ＶｔｈＭＯＳ型素子）用のしきい値電圧調整層９を形成する。 - 特許庁

As a result of this, output signal Vo is such a signal that corresponds to the threshold, in deciding whether the current, flowing between the collector and the emitter of the switching element SW, is equal to or higher than the threshold.例文帳に追加

これにより、出力信号Ｖｏは、スイッチング素子ＳＷのコレクタ及びエミッタ間に流れる電流が閾値以上か否かを判断する際の閾値に応じた信号となる。 - 特許庁

Thus, even if the threshold value of TFT 107 is dispersed pixel by pixel, the dispersion is offset by the threshold value of TFT 105 and a desired drain current can be fed to the EL element 109.例文帳に追加

これにより、ＴＦＴ１０７のしきい値が画素ごとにばらついても、ＴＦＴ１０５のしきい値で相殺され、所望のドレイン電流をＥＬ素子１０９に供給することが出来る。 - 特許庁

Accordingly, the variation of the threshold voltage with the change of the voltage of the control gate electrode can be reduced to a value exceeding a threshold value in a conventional element.例文帳に追加

この様にすると、制御ゲート電極の電圧を変化させる事に伴うしきい値電圧の変動量を、従来素子に於ける限界値を超えて小さくする事が可能となる。 - 特許庁

Provided is a period wherein operational amplifies (AMP7, AMP8) of a threshold value correcting circuit are used to save a potential including the threshold value of the drive transistor (Tr10) in a capacitive element (19) of the pixel circuit.例文帳に追加

閾値補正回路のオペアンプ（ＡＭＰ７，ＡＭＰ８）を用いて画素回路の容量素子（１９）に、駆動トランジスタ（Ｔｒ１０）のしきい値を含む電位を保存する期間を設ける。 - 特許庁

To provide a gate signal line drive circuit and a display device which achieve the suppression of a threshold voltage of an element by use for a long time.例文帳に追加

長時間使用による素子の閾値電圧の抑制を実現するゲート信号線駆動回路及び表示装置。 - 特許庁

A current flowing to an organic EL element OLED is not affected by a threshold voltage V_TH1 of a driving transistor M1.例文帳に追加

有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに流れる電流は，駆動トランジスタＭ１のしきい電圧Ｖ_ＴＨ１の影響を受けない。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor element for preventing the deterioration of a threshold voltage due to mout.例文帳に追加

モウトに起因するしきい値電圧の低下を防止することができる半導体素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

Then, the target threshold is stored in a blank storage element corresponding to the coverage C that is the closest to a set target value.例文帳に追加

そして、設定した目標値に最も近い被覆率Ｃに対応する空白格納要素に着目閾値を格納する。 - 特許庁