「threshold element」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

A control device 6 for diagnosing the deterioration in a catalyst 3 based on an oxygen storage quantity of the catalyst 3, corrects the oxygen storage quantity based on the sensor element temperature detected by a temperature measuring means 12, and determines the deterioration in the catalyst 3 when the corrected oxygen storage quantity is less than a predetermined threshold value.例文帳に追加

触媒３の酸素ストレージ量に基づいて触媒３の劣化を診断する制御装置６は、温度測定手段１２により検出されたセンサ素子温度に基づいて酸素ストレージ量を補正し、補正された酸素ストレージ量が所定のしきい値に満たない場合に、触媒３の劣化を判定する。 - 特許庁

A voltage limiter 12 is provided in a serial circuit comprising a light emitting diode 11 for remaining battery capacitance display, a switching element and a resistor 13 to which a power supply voltage is applied, thereby controlling whether or not the light emitting diode 11 for remaining battery capacitance display emits light using a value determined by the voltage limiter 12 as a threshold.例文帳に追加

電源電圧が印加される電池残量表示用発光ダイオード１１とスイッチング素子１４と抵抗１３の直列回路に、電圧制限素子１２を設けることにより、電圧制限素子１２により定められる値をしきい値として電池残量表示用発光ダイオード１１の発光の有無を制御する。 - 特許庁

To solve the following problem: a conventional MONOS having a configuration for accumulating electric charges in SiN has insufficient accumulating quantity of electric charges and cannot have a large threshold change width, and a high density of electric charges by introduction of dopant cannot be realized by a technique for introducing an La-based element into HfO_2, ZrO_2 and TiO_2.例文帳に追加

従来のＭＯＮＯＳは、ＳｉＮに電荷を蓄積する構成であるが、電荷蓄積量が不十分であり閾値電圧変化幅を大きく取れず、またＨｆＯ_２，ＺｒＯ_２，ＴｉＯ_２中へＬａ系元素を導入した技術ではドーパント導入による電荷の高密度化は実現が困難である。 - 特許庁

To enable to perform surely latch of complementary signals having minute potential difference even when threshold voltage of a pair of field effect transistors being a driving element are unbalanced, with respect to a latch type sense amplifier incorporated and used in a semiconductor device requiring a circuit for amplifying a complementary signal having minute potential difference.例文帳に追加

微小電位差の相補信号を増幅するための回路を必要とする半導体装置に搭載して使用されるラッチ型センスアンプに関し、駆動素子をなす一対の電界効果トランジスタのスレッショルド電圧にアンバランスがある場合であっても、微小電圧差の相補信号のラッチを確実に行うことができるようにする。 - 特許庁

Each of the plural graphical elements has at least one graphical object or interface control different from other graphical elements, and as one size of the plural predetermined threshold sizes increases, the number of the interface controls and/or graphical objects of the second graphical element increases.例文帳に追加

複数のグラフィカル要素はそれぞれ、他のグラフィカル要素とは異なる少なくとも１つのグラフィカルオブジェクトまたはインタフェースコントロールを有しており、複数の所定の閾値サイズのうちの１つのサイズが増大するにつれて、第２のグラフィカル要素が有するインタフェースコントロールおよび／またはグラフィカルオブジェクトの数が増加する。 - 特許庁

To provide an optical communication system which can reduce power consumption at a low-cost on the whole by using a surface light emitting semiconductor laser element chip which can lessen an operating voltage, an oscillation threshold current, etc., as a light emitting source and using a circuit formed of a CMOS for a semiconductor laser drive IC.例文帳に追加

動作電圧、発振閾値電流等を低くできる面発光型半導体レーザ素子チップを発光光源として利用し、半導体レーザ駆動ＩＣがＣＭＯＳからなる回路を用いる事により、システム全体の消費電力の低減及び低コスト化を可能とする光通信システムを提案することにある。 - 特許庁

The semiconductor testing device 1 includes a prober 2, the measuring device 3 and an electronic control device 4, and can perform gate leakage current measurement of a semiconductor element 10, reverse withstand voltage measurement between a gate and a drain, and between the gate and a source, breakdown voltage measurement between the gate and the source, and gate threshold voltage measurement.例文帳に追加

本発明に係る半導体試験装置１は、プローバ２、測定装置３、電子制御装置４を備えており、半導体素子１０のゲート漏れ電流測定、ゲート・ドレイン間およびゲート・ソース間の逆耐圧測定、ゲート・ソース間の降伏電圧測定、およびゲート閾値電圧測定が可能である。 - 特許庁

This method includes a step of setting an evaluation function; a provision step of providing the dither matrix as an initial state; and a storage element fixing step of sequentially fixing elements to be stored from a threshold with a smaller value, while transposing a part of a plurality of thresholds stored in the elements and thresholds stored in other elements.例文帳に追加

この方法は、評価関数設定工程と、初期状態としてのディザマトリックスを準備する準備工程と、要素に格納された複数の閾値の一部を、他の要素に格納された閾値と入れ替えつつ比較的に小さな値を有する閾値から順に格納される要素を固定する格納要素固定工程とを備える。 - 特許庁

Specifically, when it is determined that an output signal (A/F output voltage) of an amplifier circuit 44 exceeds a threshold voltage under a condition where an amplification factor of the amplifier circuit 44 is a low gain, the abnormality diagnosis device diagnoses an occurrence of such abnormality as a switch element 50 cannot be switched to the low gain side.例文帳に追加

詳しくは、増幅回路４４の増幅率がＬｏｗゲインとされる状況下、増幅回路４４の出力信号（Ａ／Ｆ出力電圧）が閾値電圧を上回ると判断された場合、Ｌｏｗゲイン側にスイッチ素子５０を切り替えることができなくなる異常が生じている旨診断する。 - 特許庁

The display device corrects irregularity of a transistor TR2 and sets gradation by setting a signal level of a signal line SIG after setting the threshold voltage of the transistor TR2 in the capacitor Cs2 for holding a signal level provided between gate sources of the transistor TR2 to the transistor TR2 driving by current the light emitting element 12.例文帳に追加

発光素子１２を電流駆動するトランジスタＴＲ２に対して、そのゲートソース間に設けられた信号レベル保持用のコンデンサＣｓ２にトランジスタＴＲ２のしきい値電圧を設定した後、信号線ＳＩＧの信号レベルを設定することにより、トランジスタＴＲ２のばらつきを補正して階調を設定する。 - 特許庁

The polarization control element 14 changes polarization of the laser beam from the laser beam source 10 and controls the polarization of the laser beam that is made incident on the spatial light phase modulator 18 so that intensity of the modulated light hm and that of the non-modulated light ho are equal to or above the threshold value of a workpiece 50 respectively.例文帳に追加

偏光制御素子１４は、レーザ光源１０からのレーザ光の偏光を変更するものであり、変調光ｈｍの強度と非変調光ｈｏの強度とがそれぞれ加工対象物５０の加工閾値以上となるように、空間光位相変調器１８に入射するレーザ光の偏光を制御する。 - 特許庁

When power is generated by a motor device, the regenerative power is fed back from the motor device to a converter, and when the output voltage V of the converter rises and gets over a specified threshold, a control circuit 7 switches on a switching element 6, and the output voltage V of the converter 2 is connected to the pulse forming circuit 8 of a sound source circuit 5.例文帳に追加

モータ装置により発電が行われると、モータ装置からコンバータへ回生電力が帰還され、コンバータの出力電圧Ｖが上昇して所定のしきい値を超えると、制御回路７によりスイッチング素子６がオン状態となり、音源回路５のパルス形成回路８にコンバータ２の出力電圧Ｖが接続される。 - 特許庁

A switching transistor T3 is turned on according to a control signal supplied from a scanning line AZ prior to sampling of the video signal, connects a source of the transistor T2 for driving with fixed potential Vss to turn off the light emission element EL and corrects variation of threshold voltage and a degree of movement of the transistor T2 for driving.例文帳に追加

スイッチングトランジスタＴ３は、映像信号のサンプリングに先立って走査線ＡＺから供給される制御信号に応じてオンし駆動用トランジスタＴ２のソースを固定電位Ｖｓｓに接続して発光素子ＥＬを非発光状態にし、その間に駆動用トランジスタＴ２の閾電圧や移動度のばらつきを補正する。 - 特許庁

The touch pressure of the nozzle is raised after mold clamping though a nozzle touch molding mode is selected (regardless of YES in ST04) when the mold clamping oil pressure Pst set by an oil pressure setting element is less than a preset oil pressure threshold value Ph (NO in ST06).例文帳に追加

油圧設定子で設定した型締油圧Ｐｓｔが、予め設定した油圧閾値Ｐｈを下回ったとき（ＳＴ０６でＮＯであるとき）に、ノズルタッチ成形モードが選択されているにも拘わらず（ＳＴ０４でＹＥＳであるにも拘わらず）、ノズルのタッチ圧上昇は、型締後に実施することを特徴とする。 - 特許庁

When a micro-computer judges that a calculation value calculated from a calculation equation making an operation time and a non-operation time of a feeder circuit 23 as an element is larger a predetermined threshold, it forbids the operation of the feeder circuit 23 even if a signal for requiring starting is inputted from an input interface circuit 26.例文帳に追加

マイコン２２は、給電回路２３の動作時間と非動作時間とを要素とする計算式から算出される算出値が所定の閾値よりも大きいと判断した場合には、入力インターフェース回路２６から始動を要求する旨の信号が入力されても給電回路２３の動作を禁止する。 - 特許庁

A timing controller 95 controls the length of the reverse bias period of the driving transistor according to the determined result by the reverse bias period determining part 93, and compensates lowering of light emission luminance by shifting threshold voltage V_th of the driving transistor to a depression side when deterioration of an organic EL (Electroluminescence) element is further progressed.例文帳に追加

タイミングコントローラ９５は、逆バイアス期間決定部９３の決定結果を受けて、駆動トランジスタの逆バイアス期間の長さを制御し、有機ＥＬ素子の劣化がより進む状況にあるときは、駆動トランジスタの閾値電圧Ｖ_thをデプレッション側にシフトさせることによって発光輝度の低下を補完する。 - 特許庁

A selection control element 15a compares received quality of a common pilot signal from a mobile station separated in a user information/ control information separation section with the several number of thresholds stored in a threshold table 15b to determine which modulation/coding mode should be chosen and outputs the determined information as a switch instruction.例文帳に追加

選択制御部１５ａはユーザ情報・制御情報分離部で分離された移動局からの共通パイロット信号の受信品質をしきい値テーブル１５ｂに保存された複数のしきい値と比較し、どの変調・符号化モードを選択するかを決定し、その決定した内容を切替指示として出力する。 - 特許庁

To provide a pixel circuit and a display device, wherein a current of a desired value can be stably and accurately supplied to a light emitting element in each pixel independently of the variance in threshold of active elements in pixels to prevent a gradient of luminance in a display image and an image of high quality can be displayed as a result.例文帳に追加

画素内部の能動素子のしきい値のばらつきによらず、安定かつ正確に各画素の発光素子に所望の値の電流を供給でき、表示画像の輝度に勾配ができることを防止でき、その結果として高品位な画像を表示することが可能な画素回路、および表示装置を提供する。 - 特許庁

The control device for the vehicular automatic transmission executes gear change process securing an arbitrary gear position by controlling a hydraulic control device, detects rotation speed NM of the intermediate rotary element (S10), and executes a process performing fuel cut of an engine when the detection value gets to a predetermined threshold X or higher.例文帳に追加

車両用自動変速機の制御装置は、油圧制御装置を制御して任意の変速段を確保する変速処理を行うとともに、中間回転要素の回転数ＮＭを検出しＳ１０、この検出値が所定の閾値Ｘ以上になったときにエンジンに対するフューエルカットを実施する処理を行うＳ１２。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a liquid crystal display element by which a display defect associated with unevenness of threshold voltage can be prevented and liquid crystal display of high quality can be performed by subjecting a transparent substrate on which a columnar spacer consisting of a photosensitive resin is formed to rubbing treatment from two directions opposite to each other.例文帳に追加

感光性樹脂からなる柱状スペーサが形成された透明基板に対して、互いに相対する双方向からのラビング処理を行うことにより、しきい値電圧むらにともなう表示不良の発生を防止し、高品位な液晶表示を行うことができる液晶表示素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

Each node voltage obtained by operation analysis of a circuit set with the operation model inherent in the element (step 202), and each node voltage obtained by operation analysis of a circuit set with the abnormality-detecting operation model (step S207) are compared (step S208), and the node wherein a difference thereof is a threshold value or above is decided as the node generating the high impedance.例文帳に追加

素子本来の動作モデルを設定した回路の動作解析により得た各ノード電圧（ステップＳ２０２）と異常検出用の動作モデルを設定した回路の動作解析により得た各ノード電圧（ステップＳ２０７）を比較し（ステップＳ２０８）、その差が閾値以上のノードを、ハイインピーダンスが発生するノードと判断する。 - 特許庁

A voltage adjusting element 36 of the LED light source part 19 is connected in series to the predetermined number of LEDs 30 of the LED light source part 19, and when the LEDs 30 are normal, voltage of the predetermined number of LEDs 30 of the LED light source part 19 is held in a threshold value or more of the safety circuit 35.例文帳に追加

ＬＥＤ光源部１９の電圧調整用素子３６は、ＬＥＤ光源部１９の所定個数のＬＥＤ３０に直列に接続され、ＬＥＤ３０が正常であるときはＬＥＤ光源部１９の所定個数のＬＥＤ３０の電圧を安全回路３５の閾値以上に保持する。 - 特許庁

The wiring drive unit for driving wiring of an EL display panel having a pixel array part corresponding to an active matrix driving system has a function for applying specific reference potential set for every emitted light color to the wiring for correction of the threshold voltage of a transistor for driving the EL light emitting element.例文帳に追加

アクティブマトリクス駆動方式に対応する画素アレイ部を有するＥＬ表示パネルの配線を駆動する配線駆動装置として、ＥＬ発光素子を駆動するトランジスタの閾値電圧の補正用に、発光色毎に設定された固有の基準電位を配線に印加する機能を有するものを提案する。 - 特許庁

The scanner units 4 and 5 perform preparing operations for canceling the threshold voltage of the driving transistor Trd in a time-division manner by using a plurality of horizontal scanning periods allocated to rows precedent to pixels 2 in a current row, and intervals of the time-division operations are set long enough to make the light emitting element EL discharge.例文帳に追加

スキャナ部４，５は、当該行の画素２に先行する行に割り当てられた複数の水平走査期間を利用して、ドライブトランジスタＴｒｄの閾電圧をキャンセルするための準備動作を時分割的に行うとともに、時分割する間隔を発光素子ＥＬが放電するのに十分な程度に長く設定する。 - 特許庁

In the restoration processing of the graph, an inverse matrix of a correlation coefficient matrix is calculated and, when any diagonal element related to two variables to be used for conditional independence determination is larger than a prescribed threshold value, operational processing for performing a conditional independence determination related to the two variables is omitted.例文帳に追加

グラフの復元処理においては、相関係数行列の逆行列を計算して、条件付き独立の判定対象である２変数に係るいずれかの対角要素が所定の閾値より大きい場合には、当該２変数に係る条件付き独立判定を実施するための演算処理を省略する。 - 特許庁

To obtain a non-volatile memory circuit in which write-in voltage is low, data can be read out at high speed and surely even if difference of threshold values between an enhancement state and a depression state of a non-volatile memory element is small, and rewriting can be performed many times, in a non-volatile memory circuit of FLOTOX type.例文帳に追加

ＦＬＯＴＯＸ型の不揮発記憶回路において、書き込み電圧が低く、不揮発性メモリ素子のエンハンスメント状態とデプレッション状態のしきい値の差が小さくても、データを高速かつ確実に読み出すことができ、また書き換え可能な回数の多い不揮発性記憶回路を得ること。 - 特許庁

To provide a pixel circuit which can realize a high gradation by reducing the crosstalk generated by a change in a gate voltage of a driving transistor by a leakage current of an off region of a pixel switching element to an unrecognizable extent to offset and compensate the threshold voltage of the driving transistor.例文帳に追加

画素スイッチング素子のオフ領域の漏洩電流によって駆動トランジスタのゲート電圧が変化して発生するクロストークを認識不可能な程度に減少させ、駆動トランジスタの閾値電圧を相殺して補償することによって、高階調を実現できる画素回路及びそれを用いた有機発光表示装置を提供する。 - 特許庁

The device is equipped with an optical thresholding element 16 disposed along an optical path which has a prescribed threshold level and is regulated by the propagation direction of an optical input beam 12.例文帳に追加

所定の閾値レベルを有し光入力ビーム１２の伝搬方向によって規定される光路に沿って配置された光閾値化素子１６を備え、光源が光閾値化素子を通過する制御ビーム２２を発生し、光入力ビームおよび制御ビームの総合強度が閾値化素子の閾値レベルを超える場合、光ビームは閾値化素子を通過する。 - 特許庁

In a simulated analog/digital mixed circuit, an AD conversion element 104 having a chattering generation circuit 102 for generating chattering is inserted in a net part connecting an analog circuit 111 and a digital circuit 112, and the chattering generated by the AD conversion element 104 is added to the signal waveform of an analog signal 121 at specified frequencies or generation timings when the analog signal 121 crosses a predetermined threshold.例文帳に追加

模擬的に構成したアナログ・ディジタル混在回路において、アナログ回路１１１とディジタル回路１１２を接続するネット部分に、チャタリングを発生するチャタリング発生回路１０２を持つＡＤ変換素子１０４を挿入し、そのＡＤ変換素子１０４から発生するチャタリングとして、アナログ信号１２１が所定の閾値と交わる瞬間に指定した周波数あるいは発生時間を持たせ、アナログ信号１２１の信号波形に付加する。 - 特許庁

To improve the productivity for manufacturing a module package assembly and to easily structure an optical communication system by making the length of an optical fiber cable, led out of a surface light emitting semiconductor laser element chip which can lessen an operating voltage, an oscillation threshold current, etc., or the module package storing the chip longer than a certain length by using the surface light emitting semiconductor laser element as the light emitting source.例文帳に追加

動作電圧、発振閾値電流等を低くできる面発光型半導体レーザ素子チップを発光光源として利用し、当該面発光型半導体レーザ素子チップ、もしくは当該チップを収容するモジュールパッケージから引き出される光ファイバーケーブルのファイバーケーブル長を一定長以上とすることで当該パッケージのアセンブリ製作の生産性の向上を図るとともに、容易に光通信システムを構築できるようにすることにある。 - 特許庁

To obtain a liquid crystal medium having a low viscosity and a low threshold voltage and a wide nematic temperature range, capable of maintaining a high holding ratio even to high temperatures and useful as an electrooptical display element or the like, by including specific polar compounds.例文帳に追加

ＡＭ−ＬＣＤに求められる種々の特性を満足し、かつ、しきい値電圧が低く、広いネマティック温度範囲、低い粘性を有し、高速応答性が優れ、高い保持率を高温度まで維持できる液晶組成物およびこれを使用した液晶表示素子を提供する、若しくは従来より上記の欠点を改善した液晶組成物・液晶表示素子の提供。 - 特許庁

To provide a logic circuit having no defects like in a conventional decoder circuit such as the large capacitance of an input in the conventional decoder circuit, rounded input waveform, large area required for an element separating area, full amplitude of an output caused by a PN configuration and a muck time required for reaching the threshold of a driver.例文帳に追加

従来のデコーダ回路における入力部のゲート容量が大きいこと，入力波形がなまること，素子分離領域が必要となり面積が大となること，ＰＮ構成のため出力がフル振幅となること，ドライバーのしきい値に達するのに時間がかかる等の従来のデコーダ回路の欠点のない論理回路の提供。 - 特許庁

A liquid crystal display element has a first liquid crystal layer formed in contact with the same electrode keeping a first liquid crystal for selecting and reflecting a first wavelength band, and a second liquid crystal for selecting and reflecting a second wavelength band different from the first wavelength band and allowing a threshold voltage required for drive to differ from the first liquid crystal arranged in a pixel unit.例文帳に追加

液晶表示素子は、第一波長帯域を選択反射する第一液晶と、第一波長帯域とは異なる第二波長帯域を選択反射し、駆動に要する閾値電圧が第一液晶とは異なる第二液晶とが、画素単位で配置される同一の電極に接して形成される第一液晶層を有する。 - 特許庁

The control section 7 takes the time at which a predetermined period expires, after a phase voltage of a second phase winding differing from a first phase winding exceeds a third threshold value, as the off-timing of the switching element, and sets the predetermined period based on either the diode-energizing period, corresponding to the phase winding of two or more phases or the diode energizing start time.例文帳に追加

制御部７は、スイッチング素子のオフタイミングを、第１の相巻線とは異なる第２の相巻線の相電圧が第３しきい値を超えた時点から所定時間経過した時点とするとともに、この所定時間を２相以上の相巻線に対応するダイオード通電期間およびダイオード通電開始時点のいずれかに基づいて設定する。 - 特許庁

Here, acceleration/deceleration switching timing for the inter-layer jump based upon the variation rate of a SUM signal obtained from a photodetecting element 27 is generated, and the SMU signal is discriminated with a specified threshold TH and an S-shape error signal is discriminated with different thresholds THH and THL of positive and negative levels to perform acquiring operation for focus control.例文帳に追加

ここで、受光素子２７から得られるＳＵＭ信号の変化率によって層間ジャンプを行う際の加速・減速切り替えタイミングを生成し、ＳＵＭ信号を特定の閾値ＴＨで識別するとともに、Ｓ字誤差信号を正、負レベルの異なる閾値ＴＨＨ、ＴＨＬにより識別することで、焦点制御の引き込み動作を行う。 - 特許庁

The method includes a step of forming a trench in a semiconductor substrate, a step of carrying out ion implantation process for preventing impurities implanted in order to adjust a threshold voltage from diffusing, a step of carrying out ion implantation process using an inert gas in the fluorine (F) series in the trench, and a step of forming an element isolation film for trench embedding.例文帳に追加

半導体基板内にトレンチを形成する段階、しきい値電圧の調節のために注入された不純物の拡散防止のイオン注入工程を実施する段階、トレンチ内にフルオリン(Fluorine; F)系列の不活性ガスを用いたイオン注入工程を実施する段階、およびトレンチを埋め込む素子分離膜を形成する段階を含む。 - 特許庁

After an element separation area 2 is formed on a silicon board 1, a P well layer 3 is formed, after ion injection for threshold voltage Vth regulation is performed thereon, mixture gas or the like containing disilane is made a raw material, and epitaxial growth of the silicon layer 6 of low impurity concentration of impurity concentration 1E14 [}cm-3] less is selectively performed.例文帳に追加

シリコン基板１上に素子分離領域２を形成した後、Ｐウェル層３を形成し、これにしきい値電圧Ｖｔｈ調整用のイオン注入を行った後、ジシランを含む混合気体等を原料として、アクティブ領域のみに、選択的に不純物濃度１Ｅ１４〔ｃｍ^-3〕以下の低不純物濃度シリコン層６のエピタキシャル成長を行う。 - 特許庁

When at least one of displayed graphical elements is changed in size so as to be larger or smaller than one of the plural predetermined threshold sizes, the data processing device displays at least one of the displayed graphical elements after switching the same into at least one second graphical element of the plural graphical elements.例文帳に追加

データ処理装置は、表示されている少なくとも１つのグラフィカル要素が複数の所定の閾値サイズのうちの１つを上回るかまたは下回るようにサイズ変更される場合、表示されている少なくとも１つのグラフィカル要素を複数のグラフィカル要素のうちの少なくとも１つの第２のグラフィカル要素に切り替えて表示する。 - 特許庁

This image sensor is constituted of a pixel circuit 60 having a function for giving an analog voltage signal Vmrk which is different corresponding to a position of a space to be imaged to a capacitor C in a pixel through a switching element SW to be switched off when a terminal voltage Vpd of a photodiode PD whose terminal voltage is changed corresponding to a light receiving quantity exceeds a prescribed threshold.例文帳に追加

受光量に応じて端子電圧が変化するフォトダイオードＰＤの端子電圧Ｖｐｄが所定の閾値を超えたときにオフになるスイッチング素子ＳＷを介して画素内コンデンサーＣに、撮像する空間の位置に応じて異なるアナログ電圧信号Ｖｍｒｋを与える機能を有する画素回路６０で構成されたイメージセンサー。 - 特許庁

An information writing operation to the storage element 21 of a drive target is performed by applying a voltage V1 equal to or greater than a predetermined threshold value between the electrode 215A and the electrode 215B thereby to form a filament 210 which is a conductive path electrically connecting the semiconductor layer 212N and the semiconductor layer 213N between those semiconductor layers 212N, 213N.例文帳に追加

駆動対象の記憶素子２１に対して、電極２１５Ａと電極２１５Ｂとの間に所定の閾値以上の電圧Ｖ１を印加して、半導体層２１２Ｎと半導体層２１３Ｎとの間の領域にそれらの半導体層同士を電気的に繋ぐ導電パスであるフィラメント２１０を形成することにより、情報の書き込み動作を行う。 - 特許庁

If there is trouble in a switching element 120 and the temperature of the heater 108 exceeds upper-limit temperature Tu, a forced sleep circuit 128 detects a temperature signal Vs falling below threshold Vref via an engine control section 112 and outputs a signal equivalent to a state, wherein a sleep power supply control signal is at low level to a voltage supply section 106.例文帳に追加

障害がスイッチ素子１２０に発生し、ヒータ１０８の温度が上限温度Ｔｕを超えた場合には、強制スリープ回路１２８は、エンジン制御部１１２を介して、温度信号Ｖｓがしきい値Ｖｒｅｆを下回ったことを検知して、電圧供給部１０６に対して、スリープ電源制御信号がローである状態と同等の信号を出力する。 - 特許庁

This method for evaluating center segregation of the continuous casting cast piece and thick steel plate includes steps of performing concentration mapping analysis to the region containing the center segregation part using EPMA, etc., determining the area in which the concentration of an index element, such as Nb is above a predetermined threshold concentration, and evaluating the center segregation using the area.例文帳に追加

連続鋳造鋳片および厚鋼板の中心偏析を評価する方法であって、ＥＰＭＡ等を用いて中心偏析部を含む領域の濃度マッピング分析を行い、Ｎｂ等の指標元素の濃度が所定の閾値濃度以上である面積を求め、その面積をもって中心偏析を評価することを特徴とする中心偏析評価方法。 - 特許庁

A wireless power transmission unit includes: a transmission efficiency calculation part for calculating the wireless power transmission efficiency between a power transmission unit and a power reception unit; and a control part for controlling a first element of at least one of the power transmission unit and the power reception unit when the above calculated transmission efficiency does not meet the prescribed threshold.例文帳に追加

無線電力伝送装置は、送電ユニットと受電ユニットとの間で無線伝送される電力の伝送効率を算出する伝送効率算出部と、伝送効率算出部により算出された伝送効率が所定閾値を満たさない場合には、送電ユニットまたは受電ユニットの少なくとも一方の第１の要素を制御する制御部と、を備える。 - 特許庁

This can be achieved by selecting one power source whose voltage is lower from among two power sources, by decreasing clock frequencies, by changing the threshold voltage of a transistor in the element through a voltage adjuster, by selecting one device connected with the lower power supply voltage from among two devices connected in parallel.例文帳に追加

これは、２つの電源の内、電圧が低い一方を選択することにより、クロック周波数を下げることにより、電圧調整器を介して素子内のトランジスタの閾値電圧を変更することにより、並列に接続された２つのデバイスの内、低い方の電源電圧に接続された一方を選択することによって達成することができる。 - 特許庁

The capacitor element C and the switching elements operate so that, when a current is supplied from the drive circuit 11 to the OLED, a voltage difference between the gate terminal and the source terminal of the D-TFT is a sum of the threshold voltage of the driving transistor and a voltage determined from the voltage of the drain terminal of the driving transistor and the control voltage during a current setting period.例文帳に追加

容量素子Ｃと複数のスイッチ素子は、駆動回路１１がＯＬＥＤへ電流を供給する時に、Ｄ−ＴＦＴのゲート端子とソース端子との電圧差を、駆動用トランジスタの電流設定期間におけるドレイン端子の電圧とデータ線から供給される制御電圧とから決定される電圧と、駆動用トランジスタのしきい値電圧とを加えた電圧とする。 - 特許庁