「threshold element」に関連した英語例文の一覧と使い方(15ページ目) - Weblio英語例文検索

Since the overcurrent threshold value Vth is set at a value below an element breakdown voltage of the inverter, the battery converter or the like, concurrent failures of load groups such as a motor inverter can be prevented, even in case the FC converter suffers an open failure.例文帳に追加

過電圧閾値Ｖｔｈは、インバータやバッテリコンバータなどの素子破壊電圧を下回る値に設定されているため、ＦＣコンバータがオープン故障した場合であっても、モータインバータなどの負荷群の共連れ故障を未然に防止することが可能となる。 - 特許庁

By forming a protection layer 30 of a material having a threshold energy of photoelectron emission higher than Si, a degree at which the optical element 40 produces photoelectrons according to the incident light can be reduced than the case that a multilayer film 20 is exposed.例文帳に追加

光電子放出の閾値エネルギーがＳｉよりも高い材料で保護層３０を作製することにより、光学素子４０が入射光に応じて光電子を発生させる度合いを多層膜２０が露出する場合よりも小さくすることができる。 - 特許庁

The liquid crystal element has the liquid crystal layers containing at least two kinds of two-frequency driven smectic liquid crystal compositions having different threshold voltages, formed between the pair of electrodes at least one of which is a transparent electrode.例文帳に追加

少なくとも一方が透明電極である一対の電極間に、異なるしきい値電圧を有する少なくとも２種の二周波駆動スメクチック液晶組成物を含有する液晶層が設けられてなることを特徴とする液晶素子。 - 特許庁

If it is determined that the difference between the element withstand voltage and the surge current exceeds a predetermined threshold voltage and the surge voltage has a margin, the gate voltage control section 22 receives a command of a gate voltage higher than a normal value (reference value) to reduce steady loss.例文帳に追加

素子耐圧とサージ電圧との差分が所定のしきい電圧を超えておりサージ電圧に余裕があると判定した場合、ゲート電圧制御部２２に対して通常値（基準値）よりも高いゲート電圧を指令して定常損失を低減する。 - 特許庁

This temperature detecting element comprises the temperature sensor for detecting the temperature of the detected object, the temperature fuse for interrupting energization at the threshold temperature or higher, and the package for integrating the temperature sensor and temperature fuse, in a state of being isolated from each other.例文帳に追加

温度検知素子は、被検出体の温度を検出する温度センサと、閾値以上の温度で通電を遮断する温度ヒューズと、温度センサおよび温度ヒューズを絶縁した状態で一体化するパッケージと、を備えることを特徴とする。 - 特許庁

To provide an imaging element, having a region for temporarily storing signal charges at a certain threshold or higher, by using a useless space necessarily produced in design in a pixel-periphery recording imaging device for ultra high-speed cinematography.例文帳に追加

超高速撮影のための画素周辺記録型撮像素子において、設計上必然的に生じる無駄な空間を利用して、ある閾値以上の信号電荷を一時的に保存する領域を備える撮像素子及び撮影装置を提供する。 - 特許庁

To obtain a liquid crystal medium capable of satisfying various characteristics required for an active matrix liquid crystal display element and having a low threshold voltage, a wide nematic temperature range and a low viscosity and useful as an electrooptical display element by including specific polar compounds.例文帳に追加

ＡＭ−ＬＣＤに求められる種々の特性を満足し、かつ、しきい値電圧が低く、広いネマティック温度範囲、低い粘性を有し、高い保持率を高温度まで維持できる液晶組成物およびこれを使用した液晶表示素子を提供する、若しくは従来より上記の欠点を改善した液晶組成物・液晶表示素子の提供。 - 特許庁

In each starter circuit, the primary circuit of a transformer has a capacitor and a switch element, and it is so constituted that when or after the voltage at both ends of the capacitor has surpassed the threshold by the accumulated charge, the switch element is conductively connected and a starting high voltage signal is impressed respectively to the discharge lamp 6-1, 6-2 through the primary coil and secondary coil.例文帳に追加

各起動回路については、トランスの１次側回路が、コンデンサ及びスイッチ素子を有し、コンデンサの電荷蓄積に伴い当該コンデンサの両端電圧が閾値を越えたとき又はその後にスイッチ素子が導通して１次巻線から２次巻線を介して起動用高圧信号が放電灯６＿１、６＿２に対して各別に印加されるように構成する。 - 特許庁

A sensor node chip is provided with: a sensor element signal detection circuit 4 for shifting an output signal with a predetermined threshold according to the output of a sensor element part 3 which outputs a detection signal according to external vibration; and a power storage circuit 2 for accumulating charge output from an AC current generator 1 which generates AC currents according to the external vibration.例文帳に追加

センサノードチップは、外部の振動に応じて検知信号を出力するセンサ素子部３の出力に応じて所定の閾値で出力信号を遷移させるセンサ素子信号検出回路４と、外部の振動に応じて交流電流を発生させる交流電流発生器１から出力される電荷を蓄積する蓄電回路２とを備える。 - 特許庁

The conditioner 3 includes: temperature sensors S4, S5 for measuring the temperature of a circuit element generating heat in operation, and a setting updating unit 15B for updating an input current value for the inverter unit 11 at somewhat lower if the temperature of the circuit element becomes not less than a predetermined threshold value Tth, and giving a command to the generator 1 to generate power at the updated current value.例文帳に追加

このコンディショナ３は、運転時に発熱を伴う回路素子の温度を計測する温度センサＳ４，Ｓ５と、回路素子の温度が所定の閾値Ｔｔｈ以上になると、インバータ部１１に対する入力電流値を低めに更新し、その更新した電流値で発電するように発電装置１に指令を発する設定更新部１５Ｂとを備える。 - 特許庁

After that, when the value resulting from division of the output voltage Vo falls to the first threshold and the main switching element 9 is caused to start operation by the PWM signal from a control circuit 22, a drive detecting circuit 31 detects this start and allows the supply of the PWM signal to the rectification switching element 10, with the result that any subsequent flow-in of the sink current can also be inhibited.例文帳に追加

その後、出力電圧Ｖｏを分圧した値が第１の閾値にまで低下し、制御回路２２からのＰＷＭ信号によって主スイッチング素子９が動作し始めると、ドライブ検出回路３１がこれを検出して、整流スイッチング素子１０へのＰＷＭ信号の供給を許可するので、その後の吸い込み電流の流れ込みも阻止できる。 - 特許庁

While a voltage is applied between one end and the second electrode so that potential is higher at one end in the case that the voltage between one end and the other end exceeds a threshold voltage of the light emitting element according to a change in potential applied to the third electrode, an electric current flows between one end and the other end to cause the light emitting element to emit light.例文帳に追加

そして、一端部と第２電極との間に一端部の方が電位が高くなるように電圧が印加された状態で、第３電極に付与される電位の変化に応じて、一端部と他端部との間の電圧が発光素子の閾値電圧を超える場合は、一端部と他端部との間に電流が流れて発光素子が発光する。 - 特許庁

In a 2nd computation stage S40, finite element analysis is taken by using the stress-strain matrix computed in the 1st computation stage to compute a target function and the sensitivity of the target function and in a convergence decision stage S50, the relation between the target function computed by the finite element analysis and a predetermined threshold is estimated to decide convergence.例文帳に追加

第２の演算工程Ｓ４０では、第１の演算工程で算出された応力−歪マトリックスを用いて有限要素解析を行い、目的関数および目的関数の感度計算を行い、収束判定工程Ｓ５０では、有限要素解析により算出された目的関数と、あらかじめ定められた閾値との関係を評価して収束判定する。 - 特許庁

To solve the following problem: fail processing is performed erroneously due to the influence of noise in an overcurrent protection circuit which, when current flowing in a switching element SW is determined to be a threshold or more based on detection of an electrical state amount (sense voltage) correlated with the above current, generates a fail signal indicating that the overcurrent flows in the switching element SW.例文帳に追加

スイッチング素子ＳＷを流れる電流と相関を有する電気的な状態量(センス電圧)の検出に基づき、上記電流が閾値以上であると判断される場合に、スイッチング素子ＳＷに過度の電流が流れる旨のフェール信号を生成するものにあって、ノイズの影響により誤ってフェール処理がなされること。 - 特許庁

To provide an EL display device that decreases the generation of a penetration current and that controls an increase in current consumption by suppressing fluctuation of threshold value caused by back channel generation of a complementary TFT arranged in a peripheral drive circuit area for driving an organic EL element of a display area by applying a potential to a cathode of the EL element.例文帳に追加

ＥＬ素子の陰極に印加された電位によって、表示領域の有機ＥＬ素子を駆動する周辺駆動回路領域に設けられた相補型のＴＦＴのバックチャネル発生による閾値の変動を抑制することにより、貫通電流発生を低減し消費電流の増大を抑制するＥＬ表示装置を提供する。 - 特許庁

When the circuit 1 is started its output voltage Vo is boosted, and when the output voltage Vo exceeds the threshold voltage Vr of the comparator 3a, the output of the comparator 3a is changed from an H level to an L level, the element Q1 is turned off, and power supply from a control power source E through the element Q1 is stopped.例文帳に追加

定電圧回路１が起動すればその出力電圧Ｖｏが上昇し、やがて比較回路３ａのしきい値電圧Ｖｒを越えると比較回路３ａの出力がＨレベルからＬレベルに変化し、スイッチング素子Ｑ１がターンオフし、制御電源Ｅからスイッチング素子Ｑ１を介して行われていた電力供給が停止する。 - 特許庁

When stress affected by the element separation region is considered, the distance between the element separation regions in the gate lengthwise direction may be selected for a circuit where fluctuation of logical threshold voltage is to be suppressed so that fluctuation of current between the drain and the source by stress is balanced between a p-channel MOS transistor and an n-channel MOS transistor.例文帳に追加

また、素子分離領域等から受けるストレスを考慮したとき、それによる論理閾値電圧の変動を抑制すべき回路には、そのようなストレスによるドレイン・ソース間電流の変動がｐチャンネル型ＭＯＳトランジスタとｎチャンネル型ＭＯＳトランジスタとの間でバランスするようにゲート長方向の素子分離領域間の距離を選べばよい。 - 特許庁

To provide a temperature sensor system, transmitting a measured environmental temperature to the externals by a radio transmitting means even in the case of an environmental temperature below a threshold temperature to generate enough power for operating the radio transmitting means by a thermionic element, and observing the dynamic status such as how the environmental temperature is rising even after the environmental temperature exceeds the threshold temperature.例文帳に追加

無線発信手段を作動させるための十分な電力が熱電素子により生成される閾値温度以下の環境温度であっても，測定した環境温度を該無線発信手段により外部へ発信可能であり，また，環境温度が閾値温度を超えた後も，環境温度がどの程度上昇しつつあるのかといった動的な状況を観測することができる温度センサシステムを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element having long period reliability in addition to the capability of low threshold current and high output operation, further, abundant in the degree of freedom of optical characteristic designing and capable of coping with both of stabilized optical characteristics and cost reduction by simplification of manufacturing processes.例文帳に追加

低閾値電流・高出力動作が可能な上、長期の信頼性を有しており、さらに光学特性設計の自由度に富み、かつ安定した光学特性と製造工程の簡略化によるコスト低減とを両立した半導体レーザ素子を提供すること。 - 特許庁

This display device is equipped with a data writing means 1 equipped with a data line 3, a TFT 4 as a 1st switching means, and a capacitor 5, and a threshold voltage detecting means 2 equipped with a TFT 8 as a 2nd switching means and an organic EL element 7.例文帳に追加

本発明にかかる表示装置は、データ線３と第１のスイッチング手段であるＴＦＴ４とコンデンサ５を備えたデータ書き込み手段１と、第２のスイッチング手段であるＴＦＴ８と有機ＥＬ素子７を備えた閾値電圧検出手段２を備える。 - 特許庁

If the output power is the threshold power or more, the output can be enlarged without use of a switching element and a transformer with a large current capacity since the input voltage is smoothed by the primary capacitor and a peak of an input current is suppressed.例文帳に追加

また、出力電力が閾値電力以上の場合には、一次側コンデンサによって入力電圧が平滑化されて、入力電流のピーク値が抑制されるので、電流容量の大きなスイッチング素子やトランスを用いることなく、大出力を達成できる。 - 特許庁

Using source follower circuits 5, 6 biased to be shifted by a voltage corresponding to a threshold voltage of a FET adjusts a level of a peak detection output of an input signal detected by the FET 1, a capacitive element 3 and a discharge resistor 4.例文帳に追加

ＦＥＴのしきい値電圧に相当する電位差だけレベルシフトするようにバイアスしたソースフォロア回路５，６を用いて、ＦＥＴ１と容量素子３と放電抵抗４とにより検出した入力信号のピーク検出出力のレベル調整を行う。 - 特許庁

When the air flow rate detected by the flow rate sensor 10 when the tumble control valve 9 is closed is equal to or higher than a threshold determined according to the intake air volume at this time, it is determined that the valve element 13 of the tumble control valve 9 is damaged.例文帳に追加

そして、タンブルコントロール弁９の閉弁時に流量センサ１０により検知された空気流量が、このときの吸入空気量に応じて決定される閾値以上となっている場合には、タンブルコントロール弁９の弁体１３が破損しているものと判定する。 - 特許庁

Each of pixels constituting a display panel has an adjustment transistor TR5 and a capacitor C2 in addition to an organic EL element 42, a writing transistor TR1, a threshold compensating transistor TR2, a driving transistor TR3, an on/off transistor TR4, and a capacitor C1.例文帳に追加

表示パネルを構成する各画素は、有機ＥＬ素子４２、書込み用トランジスタＴＲ１、閾値補償用トランジスタＴＲ２、駆動用トランジスタＴＲ３、オン／オフ用トランジスタＴＲ４、コンデンサＣ１に加えて、調整用トランジスタＴＲ５及びコンデンサＣ２を備えている。 - 特許庁

When the time T2 is shorter than the threshold T, a mode 2 is selected, the high sensitivity image is exposed after the exposure of the low sensitivity image, the electronic shutter of the imaging element 3 decides the exposure time of the low sensitivity image and the mechanical shutter 2 decides the exposure time of the high sensitivity image.例文帳に追加

また、Ｔ２がＴより短くなるとモード２に切り替え、低感度画像の露光後に高感度画像の露光を行い、低感度画像の露光時間を撮像素子３の電子シャッタで決定するとともに、高感度画像の露光時間をメカシャッタ２で決定する。 - 特許庁

Then, by using such an apparatus as this, the electric voltage outputted from the detecting circuit is compared with the electric voltage of the threshold value, and according to the result of the comparison, an on/off control of the switching element is performed from the control signal to control electric power supply to the load.例文帳に追加

そして、このような装置を用い、検出回路から出力される電圧を閾値の電圧と比較し、その比較の結果に従って、前記制御信号により前記スイッチング素子のオンオフの制御を行ない、負荷への電力供給を制御する。 - 特許庁

By applying the horizontal alignment interface in the completely wetted state to a liquid crystal display element, a liquid crystal optical switching device is obtained, for which alignment is 360° rotatable inside a horizontal plane with an external field (an electric or magnetic field) and which does not have switching threshold, while having a memory properties.例文帳に追加

上記水平配向の完全ぬれ状態の界面を液晶表示素子に応用することで、外場（電場・磁場）により水平面内に３６０度配向回転可能で、メモリ性を持ちながらスイッチング閾値のない、液晶光スイッチングデバイスを得る。 - 特許庁

To provide a group-III nitride semiconductor laser element having a laser resonator exhibiting high quality for a resonator mirror and allowing a low threshold current, on a semipolar surface of a support base body in which a c-axis of hexagonal group-III nitride is tilted toward an m-axis.例文帳に追加

六方晶系III族窒化物のｃ軸がｍ軸の方向に傾斜した支持基体の半極性面上において、共振器ミラーのための高品質を示し低しきい値電流を可能にするレーザ共振器を有するIII族窒化物半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory element in which fluctuation in the threshold voltage is suppressed even when information write and erase operations are repeatedly performed, compared with the case where at least one of an intermediate insulating layer, charge storage layer, and tunnel insulating layer does not include gallium oxide.例文帳に追加

本発明は、中間絶縁層、電荷蓄積層、及びトンネル絶縁層のうちの少なくとも１つが酸化ガリウムを含まない場合に比べて、情報の書込みと消去を繰り返しても閾値電圧の変動が抑制された不揮発性記憶素子を提供する。 - 特許庁

A voltage control circuit, combined with the forward energy transfer element, is also included; and the voltage control circuit reduces a voltage across both ends of the forward input winding down to almost zero, when the input voltage of the power converter becomes lower than a first threshold.例文帳に追加

フォワード・エネルギー伝達エレメントに結合された電圧制御回路も含められて、この電圧制御回路は、この電力変換器の入力電圧が第１のしきい値よりも低くなるときに、フォワード入力巻線の両端間の電圧をほぼゼロにまで低下させる。 - 特許庁

When it is determined that the A/F output voltage becomes the threshold voltage or less under a condition where the amplification factor of the amplifier circuit 44 is a high gain, the abnormality diagnosis device diagnoses an occurrence of such abnormality as the switch element 50 cannot be switched to the high gain side.例文帳に追加

また、増幅回路４４の増幅率がＨｉｇｈゲインとされる状況下、Ａ／Ｆ出力電圧が閾値電圧以下になると判断された場合、Ｈｉｇｈゲイン側にスイッチ素子５０を切り替えることができなくなる異常が生じている旨診断する。 - 特許庁

To provide a III-V nitride semiconductor laser structure which can improve the yield and reliability of elements by suppressing crystal defects and cracks, can emit laser light well shaped in a fundamental lateral mode, and has a low element resistance and threshold current.例文帳に追加

結晶欠陥及びクラックの発生を抑制して素子歩留まり及び信頼性に優れ、かつ良好な基本横モードに整形されたレーザ光を放出でき、素子抵抗及び閾値電流が低いＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体レーザ構造を提供すること。 - 特許庁

An element damage determination unit 13 calculates a cumulative value of a damage value using a Coffin-Manson rule for a plurality of finite elements of a continuum based on a result of a stress/distortion analyzing process, and determines whether or not the cumulative value of the damage value is equal to or exceeds a threshold.例文帳に追加

要素損傷判断部１３が、応力及びひずみの解析結果に基づいて、連続体の複数の有限要素について、コフィンマンソン則を用いて損傷値の累積値を算出し、損傷値の累積値が閾値以上であるか否かを判断する。 - 特許庁

The threshold voltage of the element is prevented from varying since an impurity activating process for the source/drain area can be omitted, and no determination defect of the substrate is generated since the impurities are diffused in a solid state, so that a leak current flowing through a joint can be reduced.例文帳に追加

ソース／ドレーン領域の不純物活性化工程が省略できるので素子のスレショルド電圧変動を防止でき、固体状態で不純物を拡散させるために基板の決定欠陥が発生せず、よって接合を通じた漏れ電流を減らせる。 - 特許庁

To provide a highly reliable semiconductor device capable of preventing the occurrence of a phenomenon (hump characteristics) in which a difference is generated in sub-threshold characteristics by removing a parasitic transistor caused by shapes of a border between an STI and a element region, accompanied by micro-processing and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

微細加工に伴うＳＴＩと素子領域の境界の形状に関る寄生トランジスタをなくし、サブスレッシホールド特性に段差ができる現象（ハンプ特性）が発生することを防止する高信頼性の半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The binarizing means binarizes the restored image data with a second threshold, a defective area calculating means calculates a defective area S_2, an area comparing means detects a candidate blot having the defective area S_2 smaller than a specification area S_n as a noise and an element thereof is determined as a non-defective product.例文帳に追加

２値化手段で修復した画像データを第２のしきい値で２値化、欠陥面積算出手段で欠陥面積Ｓ_２を算出、面積比較手段で欠陥面積Ｓ_２が規格面積Ｓ_ｎより小さなものはノイズと検知し、良品と判定。 - 特許庁

The inspection voltage is applied between the common electrode terminal 4 and the external terminal 5 to make each of the inspection EL elements emit light, and determines the quality of light emitting properties of each pixel EL element by comparing the inspection voltage with a threshold voltage established beforehand.例文帳に追加

共通電極端子４と外部端子５との間に検査電圧を印加して各検査ＥＬ素子を発光させ、検査電圧と予め設定したしきい電圧とを比較することで各画素ＥＬ素子２１の発光特性の良不良を判定する。 - 特許庁

The fan control part 16 receives a notification of the phase angle corresponding to the dimming level from a dimming control part 12 and determines whether the phase angle exceeds the critical angle, and when the phase angle exceeds the critical angle, determines that the loss of the switching element 13 has exceeded the threshold.例文帳に追加

ファン制御部１６は、調光制御部１２から調光レベルに応じた位相角の通知を受け、当該位相角が前記臨界角を超えるか否かを判断し、位相角が臨界角を超えるとスイッチング素子１３の損失が閾値を超えたと判定する。 - 特許庁

An inverter circuit 3 has an inverter-circuit protective device 5 controlling the application of a high voltage to the inverter circuit 3 by making a current flow through the bypass resistance element R1 when a DC voltage input to the inverter circuit 3 reaches a threshold value or more.例文帳に追加

インバータ回路３は、インバータ回路３に入力されるＤＣ電圧が閾値以上になった場合にバイパス抵抗素子Ｒ１に電流を流すことにより、インバータ回路３に高電圧が印加されないように制御するインバータ回路保護装置５を備える。 - 特許庁

During a driving period Pdr, the electrode Ea2 is connected to the electrode Eb1 through a transistor Tr1, then, the gate potential of the drive transistor Tdr is set as the potential corresponding to the potential Vdata and the threshold voltage Vth, and an electro-optic element E is driven in accordance with the set potential.例文帳に追加

駆動期間Ｐdrでは、電極Ｅa2と電極Ｅb1とがトランジスタＴr1を介して接続されることで駆動トランジスタＴdrのゲートが電位Ｖdataと閾値電圧Ｖthとに応じた電位に設定され、電気光学素子Ｅはこの設定された電位に応じて駆動される。 - 特許庁

To lower a threshold voltage or drive voltage of a nitride semiconductor light-emitting element provided with an active layer of quantum well structure, comprising a well layer of a nitride semiconductor containing indium between an n-type nitride semiconductor layer and a p-type nitride semiconductor layer.例文帳に追加

ｎ型窒化物半導体層とｐ型窒化物半導体層の間にインジウムを含む窒化物半導体からなる井戸層を有する量子井戸構造の活性層を備えた窒化物半導体発光素子の闘値電圧または駆動電圧を下げることを目的とする。 - 特許庁

An engine cooling device is provided with a valve element 43 for changing a coolant circulation amount of an introduction path 41 to allow the introduction of coolant to an intercooler coolant circulation path 30 from an engine coolant circulation passage 20, and a control part 100 for opening the valve element 43 when a coolant temperature of an intercooler coolant circulation path 30 is a prescribed threshold or lower.例文帳に追加

エンジン冷却装置は、エンジン冷却液循環路２０からインタークーラ冷却液循環路３０へ冷却液を導入可能とするための導入路４１の冷却液流通量を変更するための弁体４３と、インタークーラ冷却液循環路３０の冷却液温度が所定の閾値以下の場合に弁体４３を開く制御部１００とを備える。 - 特許庁

A scan control part 11 successively selects one vibration element for evaluation from the plurality of two-dimensionally arrayed vibration elements in the ultrasonic probe 3, and a characteristic determination part 6 determines the characteristics of the vibration element for the evaluation by comparing the amplitude value of reception signals obtained by ultrasonic transmission/reception using the vibration elements for the evaluation with a preset first threshold.例文帳に追加

走査制御部１１は、超音波プローブ３において２次元配列された複数の振動素子の中から１つの評価用振動素子を順次選択し、特性判定部６は、これら評価用振動素子を用いた超音波送受信によって得られる受信信号の振幅値と予め設定された第１の閾値との比較により前記評価用振動素子の特性判定を行なう。 - 特許庁

The driving circuit 3 sets off a semiconductor element when a cutoff circuit constituting the semiconductor device 4 with the overheat protection function cuts off input of the semiconductor element, changes the driving voltage to specified voltage so that the driving electric current exceeds the threshold value electric current and holds the driving voltage at the specified voltage while the detection signal is output from the electric current detection circuit 2.例文帳に追加

駆動回路３は、過熱保護機能付き半導体装置４を構成する遮断回路が半導体素子の入力を遮断した場合には、半導体素子をオフするとともに、駆動電流がしきい値電流を超えるように、駆動電圧を所定の電圧に変化させ、電流検知回路２から検知信号が出力されている間は、駆動電圧を所定の電圧に保持する。 - 特許庁

The automatic detection means 21 is formed by an electrically conducting element 21 which is electrically insulated with respect to a sheave assembly and connected to the sheave assembly by fixing means in a transverse position where the aerial rope automatically comes into contact with the element when the band of the associated sheave 10b reaches the predetermined wear threshold.例文帳に追加

自動的に検出する手段２１は、シーブ組立体に対して電気的に絶縁されるとともにシーブ組立体に対し固定手段によって横断方向の位置に接続されて、関連付けられているシーブ１０ｂのバンドが予め定められた摩耗許容限界に到達したときに架空ロープが自動的に接触することになる導電性の要素２１によって形成されている。 - 特許庁