「threshold element」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a distributed feedback semiconductor laser element comprising an active layer and a diffraction grating formed thereon in a multilayer structure provided on an n-type semiconductor substrate and having low threshold current and element resistance.例文帳に追加

ｎ型半導体基板上に設けられた積層構造内に活性層及び活性層上に設けられた回折格子を有し、しきい値電流及び素子抵抗の双方が小さい分布帰還型半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

The 1st element generates a 1st signal that changes to a 1st value when the input signal crosses a 1st threshold in a 1st direction and that changes to a 2nd value when the input signal crosses a 2nd threshold in a direction opposite to the 1st direction.例文帳に追加

第１の要素では入力信号が第１の方向に第１のしきい値を横切ると、第１の値に変化し、前記入力信号が第１の方向とは逆の方向に第２のしきい値を横切ると、第２の値に変化する第１の信号を発生する。 - 特許庁

When a duration in which the sense voltage becomes the threshold voltage Vref1 or higher reaches a specified time Delay1 or longer, and when a duration in which the sense voltage becomes the threshold voltage Vref2 or higher reaches a specified time Delay2 or longer, the switching element SW is shut off.例文帳に追加

センス電圧が閾値電圧Ｖｒｅｆ１以上となる継続時間が規定時間Ｄｅｌａｙ１以上となるときや、閾値電圧Ｖｒｅｆ２以上となる継続時間が規定時間Ｄｅｌａｙ２以上となるときには、スイッチング素子ＳＷを遮断する。 - 特許庁

The overcurrent threshold differs for each of the overcurrent detection circuits 15_1, 15_2, and a switching element 12 is turned off, by determining that an overcurrent is flowing to the wire harness 22, when measurement time is up at an overcurrent continuation time set, according to the overcurrent threshold.例文帳に追加

過電流しきい値は過電流検出回路１５_１、１５_２毎に異なり、当該過電流しきい値に応じて設定された過電流継続時間で計測時間がタイムアップしたときにはワイヤハーネス２２に過電流が流れているとしてスイッチング素子１２をオフする。 - 特許庁

In the LED element 33, a light emission frequency is changed so as to make a pulse interval shorter than that before a prescribed threshold is surpassed when at least either of detection signals of the temperature detection circuit 21 and the smoke density detection circuit 31 surpasses the threshold.例文帳に追加

ＬＥＤ素子３３を、温度検出回路２１及び煙濃度検出回路３１の少なくとも一方の検知信号が所定の閾値を越えたときに、その閾値を越える以前より前記光のパルス間隔が短くなるよう発光周波数を変化させる。 - 特許庁

Provided is the semiconductor device which comprises a first switching element having a first gate electrode connected to first gate wiring and a first threshold voltage and a second switching element having a second gate electrode and a second threshold voltage whose absolute value is larger than that of the first threshold voltage where the second gate electrode is connected to a second gate wiring whose resistance per unit length is higher than that of the first gate wiring.例文帳に追加

第１のゲート配線に接続する第１のゲート電極および第１の閾値電圧を有する第１のスイッチング素子と、前記第１の閾値電圧よりも絶対値が大きい第２の閾値電圧を有し、第１のゲート配線の単位長さあたりの抵抗よりも大きい抵抗を有する第２のゲート配線に接続する第２のゲート電極を有する第２のスイッチング素子と、を備えたことを特徴とする半導体装置が提供される。 - 特許庁

A threshold element circuit is applied to the reconstructable integrated circuit, makes configuration data constituting logical function multivalued multibit representation of a binary variable, reduces the number of threshold elements by using differential operation about an input state, and has, that is, a terminal connected to an electric potential whose value is fixed during performing function in an input terminal of a threshold element circuit of a second stage.例文帳に追加

再構成可能集積回路に適用されるしきい素子回路について、論理関数機能を構成する構成データを２値変数の多ビット表現によって多値化し、また、入力状態に関する差分演算機能を用いることによって、しきい素子数を低減する回路であり、つまり、２段目のしきい素子回路の入力端子に、関数機能を実行する期間中に値が固定されている電位に接続される端子を有する回路である。 - 特許庁

For example, when the temperature reaches the temperature threshold set lower than the heatproof temperature of the molding resin 11, the operation of the semiconductor power element is stopped or the current flowing in the semiconductor power element is restricted to an extent not exceeding the temperature threshold, thereby preventing the degradation of the molding resin 11 due to high temperatures.例文帳に追加

例えば、この温度がモールド樹脂１１の耐熱温度よりも低く設定した温度閾値に達したときに、半導体パワー素子の動作を停止させるか、もしくは、その温度閾値を超えない程度に半導体パワー素子に流れる電流を制限する等により、高温によるモールド樹脂１１の劣化を抑制することが可能となる。 - 特許庁

A control part 15 changes the drive signal by switching the optical switch 12 to the calibration side, and calibrates the reference value while setting a drive signal when an output value of a light-receiving element 14 increases and reaches a threshold Pth as a reference value Vref1, and setting a drive signal when the output value of the light-receiving element 14 falls and reaches the threshold Pth as a reference value Vref2.例文帳に追加

制御部１５は、光スイッチ１２を校正側に切り替えて駆動信号を変化させ、受光素子１４の出力値が上昇してしきい値Ｐｔｈに達したときの駆動信号を基準値Ｖref1とし、受光素子１４の出力値が下降してしきい値Ｐｔｈに達したときの駆動信号を基準値Ｖref2として、基準値を校正する。 - 特許庁

It discharges accumulation charge of the transistor TR2 through the light emitting element 12, and is held at the threshold voltage of the transistor TR2 by supplying lowering of voltage between the gate sources by lowering of terminal voltage due to discharge of the accumulation charge of the light emitting element 12 after the voltage between the gate sources lowers down to the threshold voltage of the transistor TR2.例文帳に追加

発光素子１２を介してトランジスタＴＲ２の蓄積電荷を放電させ、そのゲートソース間電圧がトランジスタＴＲ２のしきい値電圧にまで低下した後においては、このゲートソース間電圧の低下を発光素子１２の蓄積電荷の放電による端子電圧の低下により補ってトランジスタＴＲ２のしきい値電圧に保持する。 - 特許庁

A level judgment device 7 judges whether or not the amplification level of an OFDM symbol element exceeds a prescribed threshold, a phase controller 8 specifies the phase rotation information for changing the phase of a data sub-carrier and a pilot subcarrier which superimposes and transmits the phase rotation information when the amplification level of the OFDM symbol element exceeds the prescribed threshold.例文帳に追加

レベル判定器７はＯＦＤＭシンボル要素の振幅レベルが所定のしきい値を越えているか否かを判定し、位相制御器８は、ＯＦＤＭシンボル要素の振幅レベルが所定のしきい値を越えている場合に、データサブキャリアの位相を変更する位相回転情報とこの位相回転情報を重畳して伝送するパイロットサブキャリアを指定する。 - 特許庁

To provide a surface light emitting laser element of a long wavelength band oscillation, capable of materializing a low oscillation threshold, a high slope efficiency and a high frequency direct modulation, a transceiver, an optical transmitter and receiver, and an optical communication system, using the surface light emitting laser element.例文帳に追加

低発振閾値、高スロープ効率および高周波直接変調を実現することのできる長波長帯発振の面発光レーザ素子と、その面発光レーザ素子を用いたトランシーバ、光送受信器および光通信システムを提供すること。 - 特許庁

During a period for the high side switching element to be driven by the drive circuit, when gate voltage of the high side switching element reaches a prescribed threshold, the drive switch control circuit switches the drive switch from an on-state to an off-state by supplying the control signal to the drive switch.例文帳に追加

ハイサイドスイッチング素子がドライブ回路によって駆動されている期間中、ハイサイドスイッチング素子のゲート電圧が所定の閾値に達すると、ドライブスイッチ制御回路はドライブスイッチに制御信号を供給してドライブスイッチをオンからオフに切り替える。 - 特許庁

When an organic EL element 11 is made to emit light or while the organic EL element 11 is being made to emit light, a voltage of a prescribed value different from the voltage when performing threshold correction and mobility correction of the driving transistor Tr_1 is applied to a back gate G2.例文帳に追加

有機ＥＬ素子１１を発光させる時、または有機ＥＬ素子１１を発光させている時に、駆動トランジスタＴｒ_1の閾値補正および移動度補正を行っている時とは異なる所定の値の電圧がバックゲートＧ２に印加される。 - 特許庁

When the output level of the light-receiving element 20 is equal to or greater than the threshold value of a comparator 23, the semiconductor switching element 7 is triggered by a trigger circuit 25 to cause the discharge current from the needle electrode 1 to flow from the bypass circuit 8 to ground to instantaneously shut off the discharge.例文帳に追加

この受光素子２０の出力レベルがコンパレータ２３において閾値以上のとき、半導体スイッチング素子７をトリガ回路２５でトリガして針電極１からの放電電流をバイパス回路８からアースへ流し、放電が瞬時に遮断する。 - 特許庁

When incorrect connection of a power supply is detected, the switching element control signal is output to turn the whole lower arm switch on and threshold decision is performed by the switching element control signal based on a detection current.例文帳に追加

一方、電源装置の誤接続を検出する場合には、下アームスイッチ部の全てがオンとなるようなスイッチング素子制御信号を出力し、当該スイッチング素子制御信号によって検出された検出電流に基づいて閾値判定する。 - 特許庁

The image display device is equipped with a data line 3, a TFT 4 as a 1st switching means, a TFT 8 as a driver element, an organic EL element 9, a reference voltage writing means A1, and a threshold voltage detecting means A2.例文帳に追加

本発明にかかる画像表示装置は、データ線３と、第１のスイッチング手段であるＴＦＴ４と、ドライバー素子であるＴＦＴ８と、有機ＥＬ素子９と、基準電圧書き込み手段Ａ１と、閾値電圧検出手段Ａ２とを備える。 - 特許庁

When the voltage between the cathode terminals s3, t3 and the negative output terminals is equal to or higher than a threshold value, the switching element control unit 30 prohibits the switching element 24 from short-circuiting between the cathode terminals s3, t3 and the negative output terminals.例文帳に追加

スイッチング素子制御部３０は、各カソード端子ｓ３，ｔ３及び負側出力端子間の電圧が閾値以上である場合、スイッチング素子２４が各カソード端子ｓ３，ｔ３と負側出力端子との間を短絡することを禁止する。 - 特許庁

Upon this, a temporary extinction is carried out to reduce a flicker by applying a light emission dormant voltage Vm at a voltage value where a both end voltage (a voltage between an anode and a cathode) of the light emitting element is a threshold voltage of the light emitting element during the light emitting period.例文帳に追加

このときにフリッカ改善のための一時的消光を行うが、そのためには発光期間中に、発光素子の両端電圧（アノード・カソード間電圧）が発光素子の閾値電圧となる電圧値の発光休止電圧Ｖmを印加する。 - 特許庁

At this time, the reference potential of the signal line DTL1 and the low potential of the supply line are set beforehand so that source potential of the drive transistor Trd, just before the emission start of the light-emitting element EL does not exceed the threshold voltage of the light-emitting element EL.例文帳に追加

その際、発光素子ＥＬの発光開始直前における駆動用トランジスタＴｒｄのソース電位が、発光素子ＥＬの閾電圧を越えないように、あらかじめ信号線ＤＴＬ１の基準電位及び給電線の低電位を設定する。 - 特許庁

This control circuit is arranged, which is provided with: a monitor for detecting voltage of the reproduction element of the magnetic head; a comparator for discriminating a threshold of breakdown strength to the reproduction element; and a counter for counting a signal (the number of times of generating ESD and EOS) passing through the comparator.例文帳に追加

磁気ヘッドの再生素子の電圧を検知するモニタと、前記再生素子に対する耐圧の閾値を判別するコンパレータと、前記コンパレータを通過した信号(ESDやEOSの発生回数)をカウントするカウンターを備える制御回路を配置する。 - 特許庁

If the difference calculated for every photoelectric conversion element at the calculating section 413 is below a predetermined threshold, a determining section 414 determines that dirt exists on the optical axis of the photoelectric conversion element in which the difference is calculated.例文帳に追加

判定部４１４は、算出部４１３により光電変換素子毎に算出された差分値が予め定められた閾値未満である場合、当該差分値が算出された光電変換素子の光軸上に汚れが存在していると判定する。 - 特許庁

To prevent variations in value of a current made to flow in a current-driven light emitting element in a nonselection period due to variations in threshold voltage and mobility of a driving TFT, in a display device which has the current-driven light emitting element such as an organic EL display device.例文帳に追加

有機ＥＬ表示装置など、電流駆動発光素子を備えた表示装置において、駆動用ＴＦＴの閾値電圧・移動度のばらつきによる、非選択期間の電流駆動発光素子を流れる電流値のばらつきを抑える。 - 特許庁

A gate voltage detection circuit 201 detects a gate voltage Vgs of a switching element 11, and outputs a H-level step-up instruction signal when the gate voltage is less than a predetermined voltage that is set to be lower than a threshold voltage of the switching element 11.例文帳に追加

ゲート電圧検出回路２０１は、スイッチング素子１１のゲート電圧Ｖｇｓを検出し、このゲート電圧がスイッチング素子１１の閾値電圧未満に設定された所定電圧未満のとき、Ｈレベルの昇圧指示信号を出力する。 - 特許庁

When the external magnetic field is the Hex 2, the MI element 1 and the MI element 3 detect the external magnetic field Hex 2, the output voltage 1 thereof and an output voltage 3 thereof exceed respectively the external magnetic field threshold value, and the elements 1, 2 are turned on.例文帳に追加

外部磁界が、Ｈｅｘ２の場合、ＭＩ素子１とＭＩ素子３が外部磁界Ｈｅｘ２を検出し、その出力電圧１と出力電圧３を夫々検出したい外部磁界しきい値を越え、素子１と２がＯＮになる。 - 特許庁

To realize a structure of a laser element of indium,/potassium/ aluminum/arsenic mixed crystal and a ridge-loaded type which can be realized by a simple manufacturing method and can operate at a low threshold and at a high speed with high output, and also to provide a method for manufacturing the element and a light transmission device using it.例文帳に追加

簡易な作製法で実現でき、低しきい値でかつ高出力かつ高速度動作するインジウム・ガリウム・アルミニウム・砒素混晶系リッジ装荷型レーザの素子構造、作製方法及びこれを用いた光送信装置を実現する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor light emitting element which allows operating voltage of nitride semiconductor laser to be reduced and the rise of threshold voltage to be prevented, in a nitride semiconductor light emitting element used for nitride semiconductor laser.例文帳に追加

窒化物半導体レーザに用いられる窒化物半導体発光素子において、窒化物半導体レーザの動作電圧を低減し、しきい値電圧の上昇を防ぐことができる窒化物半導体発光素子を提供することを目的とする。 - 特許庁

To generate variation in a threshold due to low-density channel stopper formation in a channel region when a low-density channel stopper is formed in a channel stopper and an element region through ion implantation by covering the element region with an oxidation resistant film and by covering a drain region with a resist mask.例文帳に追加

素子領域を耐酸化膜で覆い、ドレイン領域をレジストマスクで覆ってイオン注入し、チャネルストッパ及び素子領域に低濃度チャネルストッパを形成すると、チャネル領域に低濃度チャネルストッパが形成され、しきい値のばらつきを生ずる。 - 特許庁

To develop a transistor as a switching element used for a circuit which boosts a lower power supply voltage, such that conversion efficiency is enhanced by preventing a leakage current by characteristics of a high threshold voltage during a stop and the voltage is boosted to a high voltage by characteristics of a low threshold voltage during driving.例文帳に追加

低い電源電圧を昇圧させる回路に用いられるスイッチング素子となるトランジスタは、停止時には高い閾値電圧の特性によりリーク電流を防止して変換効率を高め、駆動時には低い閾値電圧の特性により高い電圧に昇圧できることが望まれている。 - 特許庁

Next, when the target threshold is stored in one blank storage element, a dot shape to be actually formed is assumed on the basis of a dot formation pattern expressed by the arrangement of storage elements in which the threshold has been already stored, and a coverage C is calculated for each of the blank storage elements.例文帳に追加

次に、空白格納要素の１つに対して着目閾値を格納したとした場合に、閾値が既に格納された格納要素の配置が表すドットの形成パターンに基づいて、実際に形成されるドット形状を想定し、空白格納要素の各々について、被覆率Ｃを算出する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element obtained by using a GaInNAs based semiconductor as a quantum well structure and its manufacturing method, especially a semiconductor laser which is low in a threshold current density at room temperatures and is superior in temperature characteristics at the threshold current density particularly in a long wavelength band laser.例文帳に追加

ＧａＩｎＮＡｓ系半導体を量子井戸構造として用いた半導体素子及びその製造方法に関するもので、特に長波長帯レーザにおいて、室温でのしきい値電流密度が低く、しきい値電流密度の温度特性に優れた半導体レーザを提供する。 - 特許庁

The magnetic element further comprises a second tunnel barrier layer and a second hard ferromagnetic layer having a magnetization that is fixed at a second high temperature threshold and can be freely aligned at the first low temperature threshold, and the soft ferromagnetic layer is provided between the first tunnel barrier layer and the second tunnel barrier layer.例文帳に追加

磁気素子は、第２のトンネル障壁層と、第２の高温しきい値では固定され、第１の低温しきい値では自由に整列可能な磁化を有する第２の硬強磁性層とをさらに備え、軟強磁性層が第１のトンネル障壁層と第２のトンネル障壁層の間に備えられる。 - 特許庁

A level of an on-signal output from the threshold circuit 25 is converted by the buffer circuit 29 into a higher voltage than a threshold of the transistor 26 used for pulldown and thereby even if a level of the gate signal is low, the transistor 26 used for pulldown certainly operates to turn off the power semiconductor element 24.例文帳に追加

しきい値回路２５から出力されるオン信号のレベルがバッファ回路２９でプルダウン用トランジスタ２６のしきい値よりも高い電圧に変換されることによって、ゲート信号のレベルが低くても、プルダウン用トランジスタ２６が確実に動作し、パワー半導体素子２４がオフ状態となる。 - 特許庁

A threshold matrix 81 is stored in a main body control part, and sleep elements 812 representing a pause of ink ejection are arranged in the threshold matrix 81 at a regular interval in each element row 810 which is a plurality of elements 811 arranged in a row direction corresponding to the width direction.例文帳に追加

本体制御部には閾値マトリクス８１が記憶され、閾値マトリクス８１において、幅方向に対応する行方向に並ぶ複数の要素８１１である各要素行８１０には、インクの吐出の休止を示す休止要素８１２が一定の周期にて配置される。 - 特許庁

In this integrated circuit capable of reconstituting a logical function, a threshold element circuit network for realizing an arbitrary logical function is provided with a structure in which threshold elements are connected across two or more stages, and multi-level expressed data are used as data constituting the logical function.例文帳に追加

任意の論理関数を実現するしきい素子回路網であって、上記しきい素子を複数段結合する構造を有し、論理関数機能を構成するデータとして、多値表現されたデータを用いることを特徴とする論理関数機能再構成可能集積回路である。 - 特許庁

The reference threshold value detector 20 is provided with at least one resistor 22 having a variable resistor R that is used to generate a reference threshold value signal from an input signal and at least one capacitive element 24 placed at a post-state of the resistor 22 and having a capacitance C.例文帳に追加

基準しきい値信号検出器２０は、入力信号から基準しきい値信号を生成するとともに、可変抵抗値Ｒを有する少なくとも１つの抵抗２２と、抵抗２２の後段に設けられて、あるキャパシタンスＣを有する少なくとも１つの容量性素子２４とを備えている。 - 特許庁

In the microcomputer 3, the threshold value compared to the decision target value, for perform the binary decision is previously set in a register, the multi-gradation data in each the pixel are calculated from two-gradation data imaged by the photosensor element 2, and the largeness of the threshold value and the largeness of the decision target value based on the multi-gradation data are compared.例文帳に追加

マイクロコンピュータ３において、予めレジスタに判定対象値と比較し２値判定するための閾値を設定しておき、光センサ素子２で撮像された２階調データから画素毎の多階調データを算出し、多階調データに基づく判定対象値と閾値とを大小比較する。 - 特許庁

A traffic object determining part 13 compares a comparison value based on the input level value obtained from the element with a threshold, defines the time when the comparison value is equal to or greater than the threshold as sensing ON, measures a time when sensing ON is continuously detected and determines that a traffic object exists when the time becomes equal to or greater than a prescribed time.例文帳に追加

交通対象判定部13は、素子から得られた入力レベル値に基づく比較値と閾値とを比較し、比較値が閾値以上のときを感知ONとし、感知ONが連続して検出されている時間を計測し、この時間が所定時間以上となったとき、交通対象有りと判定する。 - 特許庁

The present disclosure concerns a multilevel magnetic element comprising a first tunnel barrier layer between a soft ferromagnetic layer having a magnetization that can be freely aligned and a first hard ferromagnetic layer having a magnetization that is fixed at a first high temperature threshold and can be freely aligned at a first low temperature threshold.例文帳に追加

本発明は、自由に整列させることができる磁化を有する軟強磁性層と、第１の高温しきい値では固定され、第１の低温しきい値では自由に整列可能な磁化を有する第１の硬強磁性層との間に第１のトンネル障壁層を備えるマルチレベル磁気素子に関する。 - 特許庁

With regard to a picture element at the same position in each frame, an index 1 is obtained by an index preparation means 73 on the basis of the result of comparison of a differential value and a threshold value at a luminance level between adjacent frames.例文帳に追加

各フレームで同位置にある画素について、隣接するフレーム間での輝度レベルの差分値と閾値との比較結果に基づき、インデックス作成手段７３でインデックス１を得る。 - 特許庁

To provide a display device capable of more uniform display by correcting both a threshold voltage of a driving transistor for driving a light emitting element and a current amplification factor.例文帳に追加

発光素子を駆動する駆動用トランジスタのしきい値電圧と電流増幅率の両方に対して補正をして、より均一な表示をすることができる表示装置を提供する。 - 特許庁

When the voltage of a trigger element Z3 exceeds a threshold voltage, a first field-effect transistor Q1 is turned on, and a current flows to a closed circuit consisting of a capacitor C3 of a load circuit 34, a choke coil L1, and a capacitor C4.例文帳に追加

トリガ素子Z3の電圧がスレッショルド電圧を越えると、第１の電界効果トランジスタQ1をオンし、負荷回路34のコンデンサC3、チョークコイルL1、コンデンサC4の閉路に電流が流れる。 - 特許庁

As a result of judgment, if it is judged more than the threshold M (Yes of step ST15), the point detecting element 33 stores the frame information in the frame information storage 34 (step ST16).例文帳に追加

判定の結果、閾値Ｍ以上であると判定されると（ステップＳＴ１５のＹｅｓ）、ポイント検出部３３は、フレーム情報をフレーム情報記憶部３４に格納する (ステップＳＴ１６)。 - 特許庁

To provide a semiconductor device fabrication method which enables a reduction in internal stress yielded when forming element isolation while suppressing such a disadvantage as variation in a threshold voltage.例文帳に追加

しきい値電圧がばらつくなどの不都合を抑制しながら、素子分離形成時に発生した内部応力を緩和することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide constitution in which an input signal is never caused to decrease in gain for a pixel circuit with an added function of compensating characteristic variation of a load element and variation in threshold of a transistor.例文帳に追加

負荷素子の特性変動及びトランジスタの閾電圧変動に対する補償機能を付加した画素回路において、入力信号のゲインの低下を招くことのない構成を提供する。 - 特許庁