「threshold element」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

The upper section of a picture is scanned in the main scanning direction, the sub-scanning direction at every picture element and picture-element values are extracted while each picture-element place is discriminated on the basis of count values counted by frequency-dividing counters Cx and Cy, and threshold values corresponding to each picture-element place are computed.例文帳に追加

そして、画像上を１画素ずつ主走査方向及び副走査方向に走査して画素値を抽出するとともに、分周カウンタＣｘ、Ｃｙによりカウントされたカウント値に基づいて各画素位置を判別し、その各画素位置に応じた閾値を算出する。 - 特許庁

The position adjusting/fixing unit 25 calculates a correction threshold obtained by correcting a predetermined threshold based on the optical characteristics measured by the measurement unit 23, and adjusts a position of the hologram element 13 with respect to a device body so that the correction threshold matches a characteristic signal value shown by the output from a light-receiving element 12 provided in the device body.例文帳に追加

位置調整固定ユニット２５は、測定ユニット２３によって測定された光学特性に基づいて、予め定める閾値を補正した補正閾値を算出し、この補正閾値にデバイス本体に備えられる受光素子１２の出力によって示される特性信号の値が一致するように、ホログラム素子１３のデバイス本体に対する位置を調整する。 - 特許庁

In addition, a light intensity control means is provided on the light emitting element side of the sheet detection sensor 3 or a threshold setting control means according to a light reception level is provided on the side of the light receiving element.例文帳に追加

また、その用紙検出センサ３の発光素子側に光量制御手段を設けるか、あるいは受光素子側に受光レベルに応じた閾値設定制御手段を設ける。 - 特許庁

To provide a light-emitting element drive circuit which prevents lowering of extinction ratio, based on the variation of the threshold current of a light-emitting element due to temperature change and improves the deterioration of a transmission light waveform.例文帳に追加

温度変化による発光素子のしきい値電流の変動に基づく消光比の低下を防止し、送信光波形の劣化を改善できる発光素子駆動回路の提供。 - 特許庁

Then resist R3 having the element formation region D1 opened is used as a mask to inject boron into the entire surface of the element formation region D1 to adjust the threshold voltage of an FET 20.例文帳に追加

その後、素子形成領域Ｄ１を開口したレジストＲ３をマスクとして、ＦＥＴ２０のしきい値電圧を調整するために、素子形成領域Ｄ１の全面にボロンを注入する。 - 特許庁

During the period of both periods overlapping each other, a transistor Tr1 goes to off state, so that a capacitive element Ca is charged to a threshold voltage and, at the same time, a capacitive element Cb is charged with a data voltage.例文帳に追加

両者が重なる期間では、トランジスタＴr1がオフ状態となり、容量素子Ｃaに閾値電圧が充電される一方、容量素子Ｃbにデータ電圧が充電される。 - 特許庁

To provide an element isolation film manufacturing method of a semiconductor device which prevents HEIP phenomenon and improves element characteristics such as a drive current, a threshold voltage, a refresh property or the like of a transistor.例文帳に追加

ＨＥＩＰ現象を防止してトランジスタの駆動電流、しきい電圧及びリフレッシュ特性等の素子特性を向上させる半導体素子の素子分離膜製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a driving method for a semiconductor laser element that can make an extinction ratio large while suppressing distortion of a light output waveform small against variation in threshold current value of the semiconductor laser element.例文帳に追加

半導体レーザ素子の閾値電流値の変動に対し、光出力波形の歪みを抑えつつ、消光比を大きくできる半導体レーザ素子の駆動方法を提供する。 - 特許庁

A catalytic element, which promotes crystallization to an amorphous silicon film containing an impurity element for controlling a threshold value is added, and a crystalline silicon film is obtained by the heating treatment.例文帳に追加

しきい値制御のための不純物元素を含有した非晶質珪素膜に対して結晶化を助長する触媒元素を添加し、加熱処理により結晶性珪素膜を得る。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor light emitting element having proper optical confinement efficiency and small threshold current value and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

光閉じ込め効率が良く、しきい電流値が小さい３族窒化物半導体発光素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a flash memory element for reducing a threshold voltage shift due to an interference effect of a peripheral cell, and a method for manufacturing it.例文帳に追加

周辺セルの干渉効果によるしきい値電圧シフトを減らすためのフラッシュメモリ素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element capable of adjusting a threshold voltage by a channel length and a doping condition of an extension source region and a drain region.例文帳に追加

チャンネル長および延長ソース／ドレイン領域のドーピング条件によって閾値電圧を調製できる半導体素子の提供。 - 特許庁

To suppress threshold voltage drop due to a channel at the end of an element formation region, and to reduce a leak current between adjacent elements.例文帳に追加

素子形成領域の端部のチャンネル起因の閾値電圧低下の抑制や、隣接素子との間のリーク電流の低減を可能にする。 - 特許庁

A gate voltage control circuit 22 controls the gate voltage of the FET 1 on the basis of the temperature of the element and the flucuation in the threshold voltage.例文帳に追加

ゲート電圧制御回路２２は、素子温度としきい値電圧変動分とに基づいてＦＥＴ１のゲート電圧を制御する。 - 特許庁

When the amount of the first element existing in the damage layer becomes smaller than a predetermined threshold, end of the second FIB processing is determined.例文帳に追加

ダメージ層に存在する第１の元素の量が所定の閾値より小さくなったとき、第２のＦＩＢ加工の終了を決定する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor laser element having a clad structure capable of reducing the threshold current in laser oscillation of long wavelength.例文帳に追加

長波長のレーザ発振においてしきい値電流を低減できるクラッド構造を有する窒化物半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

Thus, the input voltage of the Schmitt trigger element 56a decreases below the threshold voltage, so that the call signal with a small amplitude can be detected.例文帳に追加

これによりシュミットトリガ素子５６ａの入力電圧が閾値電圧より低下し、振幅の小さい呼出信号の検知が可能になる。 - 特許庁

To prevent threshold shift of an amorphous silicon transistor when an organic EL element is driven by means of a pixel circuit containing the amorphous silicon transistor.例文帳に追加

アモルファスシリコントランジスタを含む画素回路によって有機ＥＬ素子を駆動する際に、アモルファスシリコントランジスタの閾値がシフトするのを防ぐ。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor storage element and a nonvolatile semiconductor storage device capable of improving the controllability of a threshold voltage, inhibiting the dispersion of the threshold voltage and making the realization of the threshold voltages exceeding two kinds and the reduction of a power-supply voltage compatible.例文帳に追加

しきい値電圧の制御性が良く、しきい値電圧のバラツキが抑制され、２種類を超えるしきい値電圧の実現と低電源電圧化との両立を図ることのできる高性能な不揮発性半導体記憶素子及び不揮発性半導体記憶装置を提供することを可能にする。 - 特許庁

During a light emission period, the threshold voltage compensated driving current Iel is supplied to the light emitting element 11 because the first capacitive element C1 and the second capacitive element C2 are connected in series between a gate and a source of the driving transistor M1.例文帳に追加

そして、発光期間では、第１容量素子Ｃ１と第２容量素子Ｃ２と駆動トランジスタＭ１のゲートおよびソース間に直列に接続するので、閾値電圧を補償した駆動電流Ｉelが発光素子１１に供給される。 - 特許庁

In this case, a chemical equilibrium is formed to the impurity element by mixing a compound gas containing the impurity element for controlling the threshold value in the atmosphere, to prevent the impurity element from escaping into a gaseous phase.例文帳に追加

その際、雰囲気中に前記しきい値制御のための不純物元素を含む化合物ガスを混合することで、該不純物元素にとって化学的な平衡状態を形成し、該不純物元素が気相中へと離脱するのを防止する。 - 特許庁

This inspection device included in the inspection means determines a threshold value of a driving voltage in the driving circuit of the each picture element when inspecting, and the threshold value serves as a reference for determining a substrate manufacturing parameter in the panel substrate manufacturing means.例文帳に追加

検査手段の有する検査装置は、検査時に画素の各々の駆動回路における駆動電圧の閾値を決定し、当該閾値は、パネル基板製造手段における基板製造パラメータ決定の基準とされる。 - 特許庁

Dither position number data for designating the element of a threshold matrix to be used for dither conversion processing in accordance with the size and shape of the threshold matrix to be used at a dither conversion table 1 is provided in a dither position conversion table 2.例文帳に追加

ディザ変換テーブル１で用いる閾値マトリックスの大きさ、形状に応じて、ディザ変換処理に用いるべき閾値マトリックスの要素を指定するディザ位置番号データをディザ位置変換テーブル２を設けた。 - 特許庁

To provide a method for setting the threshold level of a sensor, which can readily and appropriately set the threshold level for sensing the presence of a human body using the sensor, regardless of the variations in the characteristics of a light-emitting element and a circuit component.例文帳に追加

発光素子や回路構成部品の特性のばらつきに拘わらず、センサによる人体の有無の検知のためのしきい値を簡単に且つ適正に設定できるセンサしきい値の設定方法を提供する。 - 特許庁

Thus, a current threshold control circuit 18 fixes a current threshold value Ith while the signal Po is at a high level, and controls a switching element 7 so that a current has a constant value, thereby enabling overpower protection.例文帳に追加

これにより、電流しきい値制御回路１８は、信号Poがハイレベルの間は電流しきい値Ｉthを固定し、電流が一定値となるようにスイッチング素子７を制御することで、過電力保護を可能とする。 - 特許庁

This device is provided with a step for receiving the packet by the element having the buffer and a step for determining whether the mean buffer fill of the buffer in which a packet h is stored is larger than a minimum threshold and smaller than a maximum threshold.例文帳に追加

バッファを有するエレメントでパケットを受け取るステップを具え、パケットｈが記憶されるバッファの平均バッファフィルが、最小しきい値より大きく最大しきい値よりも小さいか否かを判断するステップを備える。 - 特許庁

The second and succeeding switching element Si (wherein i is integers of 2 to n) turn on when voltages applied to semiconductor laser elements Ti exceed the threshold and voltages applied to resistive elements Ri-1 exceed the threshold.例文帳に追加

第２番目以降のスイッチング素子Ｓｉ（ｉは２以上ｎ以下の整数）は、半導体レーザ素子Ｔｉにかかる電圧が閾値を超え、かつ、抵抗素子Ｒｉ−１にかかる電圧が閾値を超えている場合にオン状態になる。 - 特許庁

The fixed voltages VofsO, VofsE subjected to the correction of the variation in the threshold voltage of a drive transistor TR2 are made to offset for every signal line or every scanning line according to the threshold voltage of the light emitting element.例文帳に追加

本発明は、発光素子のしきい値電圧に応じて信号線毎に又は走査線毎に、駆動トランジスタＴＲ２のしきい値電圧のばらつき補正に供する固定電圧ＶｏｆｓＯ、ＶｏｆｓＥをオフセットさせる。 - 特許庁

A control circuit 120 compares the current value supplied from a current sensor 122 with a threshold, and when the current value is below the threshold, it switches on a switching element 114 so as to charge an electric double-layer capacitor 110.例文帳に追加

制御回路１２０は、電流センサ１２２から供給される電流値としきい値とを比較し、しきい値以下である場合にスイッチング素子１１４をオンとして電気二重層コンデンサ１１０への充電を行わせる。 - 特許庁

A reception signal reflected from an object target is converted into a Doppler frequency region by a Doppler frequency converter 1, and a signal over a threshold is inputted into a characteristic element calculator 3 by a threshold detector 2, and the characteristic element formed by quantifying a target spectrum shape is calculated.例文帳に追加

対象目標から反射された受信信号は、ドップラー周波数変換器１でドップラー周波数領域に変換され、閾値検出器２で閾値以上の信号が特徴素算出器３に入力され、目標のスペクトラム形状を定量化した特徴素を算出する。 - 特許庁

When the predicted destruction rate of the charge-up evaluation element exceeds a threshold set beforehand, a judgment part 22 adjusts the ion beam shape to make a destruction rate of the charge-up evaluation element not more than the threshold through a device controller 12 for controlling ion implantation in the above corresponding relation.例文帳に追加

予測されたチャージアップ評価素子の破壊率が予め設定された閾値を超えた場合、判定部２２は、イオン注入を制御する装置コントローラ１２を介して、上記対応関係において、チャージアップ評価素子の破壊率が前記閾値以下となる状態にイオンビーム形状を調整する。 - 特許庁

A reference voltage for threshold voltage detection is supplied to the gate of the driver element 22 while the light emitting element 24 is off, as well as an almost equal voltage to the gate voltage is supplied to the source so as to detect the threshold voltage between the gate-drain electrodes and store in the static capacitor 23.例文帳に追加

発光素子２４がオフの状態で、閾値電圧検出基準電圧をドライバー素子２２のゲートに供給すると共に、ソースにゲート電圧とほぼ同一の電圧を供給してゲート・ドレイン電極間の閾値電圧を検出し、これを静電容量２３に蓄える。 - 特許庁

Load current which flows into a load from a semiconductor element 10 via a wire is detected by a current mirror circuit 13, and a current limiting circuit 14 limits the load current to an overcurrent limiting threshold or less, by controlling the semiconductor element 10, when the load current exceeds the overcurrent limiting threshold.例文帳に追加

半導体素子１０からワイヤを介して負荷に流れる負荷電流をカレントミラー回路１３で検出し、負荷電流が過電流制限闘値を超えると、電流制限回路１４は、半導体素子１０を制御して負荷電流を過電流制限闘値以下に制限する。 - 特許庁

The differential data of a photoelectric signal between the on and off of lighting in each of the N piece of pixels are acquired (S402), threshold with respect to the differential data is calculated (S411), an effective photoelectric element is selected on the basis of the threshold (S415), and the differential data of the selected photoelectric element is outputted.例文帳に追加

各Ｎ画素における点灯時と非点灯時との光電変換信号の差分データを獲得し（Ｓ４０２）、その差分データに対する閾値を求め（Ｓ４１１）、その閾値に基づいて有効光電変換素子を選択し（Ｓ４１５）、その選択された光電変換素子の差分データを出力する。 - 特許庁

A threshold of the paper position detection sensor 82 is set on the basis of the detected paper transmittance, and then a front end position of the paper is detected on the basis of a light reception output of a light receiving element for projected light from a light emitting element and the threshold when the paper passes the paper position detection sensor 81.例文帳に追加

検出された用紙透過度に基づき用紙位置検出センサ８２の閾値が設定され、その後、用紙が用紙位置検出センサ８１を通過する際、発光素子からの投射光の受光素子による受光出力と上記閾値とに基づき当該用紙の先端位置が検出される。 - 特許庁

A threshold value determination part 125 determines a threshold value for classifying a difference value between the picture element values in the image of the subject, and a difference value between the picture element values in the image other than the subject, based on a distribution of difference values in a difference data provided from the difference between the image data irradiated with the illumination and the image data not irradiated.例文帳に追加

閾値決定部１２５は、照明が照射された画像データと照射されていない画像データの差分をとった差分データの差分値の分布に基づいて、被写体の画像の画素値の差分値と、前記被写体以外の画像の画素値の差分値とを区分する閾値を決定する。 - 特許庁

The area search section 101 compares the luminance value of each picture element shown by the image data with the threshold value inputted from an input section 107 and detects a collective picture element area having the luminance value of the threshold value or above as the area receiving the laser beam scattered by one particle.例文帳に追加

領域探索部１０１は、画像データで示される各画素の輝度値を、入力部１０７から入力されたしきい値と比較し、しきい値以上の輝度値を持つひとまとまりの画素領域を、１つの粒子によって散乱されたレーザ光が入射した領域として検出する。 - 特許庁

The value of the electronic document data is compared with each element of a threshold matrix, and, when the value is not smaller than the threshold matrix elements, an element of a corresponding dither matrix is filled by a gray scale level higher than the base level by one level, and a pattern of the dither matrix is decided.例文帳に追加

また電子ドキュメント・データの値は、閾値マトリクスの各要素と比較され、電子ドキュメント・データの値が閾値マトリクスの要素より小さくないときには、対応するディザマトリクスの要素は前記ベース・レベルより１レベル上のグレイ・スケール・レベルによって埋められ、ディザマトリクスのパターンを定める。 - 特許庁

To provide a technology to compensate in either case where the shift of the threshold of a driving transistor for driving a light-emitting element is normally off or normally on.例文帳に追加

発光素子を駆動する駆動用トランジスタの閾値のシフトがノーマリオフの場合にもノーマリオンの場合にも補償を行う技術を提供する。 - 特許庁

The detection element 1 includes a first terminal connected with a gate of the gain transistor 2 and a second terminal connected with the threshold value setting transistor 3.例文帳に追加

検知素子１は、ゲイントランジスタ２のゲートと接続された第１の端子と、閾値設定トランジスタ３と接続された第２の端子とを有している。 - 特許庁

To provide a highly reliable oxide semiconductor light emitting element that can be lengthened in life and can be reduced in oscillation threshold current.例文帳に追加

素子寿命を延ばすことが出来、且つ、発振閾値電流を低減出来る信頼性に優れた酸化物半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

To correct the variations in the threshold voltage of a driving transistor to be correct, by applying a driving method to an active matrix type display device, using an organic EL element.例文帳に追加

有機ＥＬ素子によるアクティブマトリックス型の表示装置に適用して正しく駆動トランジスタのしきい値電圧のばらつきを補正する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor light emitting element capable of reducing a threshold current density and continuously oscillating in a basic lateral mode.例文帳に追加

しきい値電流密度の低減と共に、基本横モードでの連続発振が可能な半導体発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

Then, prior to emitting light in each organic EL element 11, the threshold voltage of the driving transistor Tr_1 is again corrected with respect to a necessary line.例文帳に追加

その後、各有機ＥＬ素子１１を発光させる前に再度、必要なラインに対して駆動トランジスタＴｒ_1の閾値電圧が補正される。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a field emission type element that can reduce a threshold voltage between its gate and emitter and can perform high-speed driving.例文帳に追加

ゲート・エミッタ間の閾電圧の低減化及び高速駆動が可能な電界放射型素子の製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁