「threshold element」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

To compensate a threshold voltage of a driving transistor and to prevent an unnecessary current from being caused to flow to a display element.例文帳に追加

駆動トランジスタのしきい電圧を補償するとともに，表示素子に不必要な電流が流れないようにする。 - 特許庁

To enable a solid-state image pickup element to prevent the fluctuation of its output caused by the fluctuation of a threshold and, as the same time, to obtain a wide dynamic range.例文帳に追加

閾値のバラツキによる出力のバラツキを防止するとともに、広いダイナミックレンジを得ることを可能にする。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element having an excellent vertical light confining efficiency, a low threshold current, and a low resistance.例文帳に追加

縦方向の光閉じ込め効率が良好で、閾値電流が低く、素子抵抗の小さい半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a non-volatile memory element capable of unformizing distribution in a write threshold voltage of a cell.例文帳に追加

セルの書き込みしきい値電圧の分布を均一にできる不揮発性メモリ素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To restrain fluctuation of a threshold voltage of a PMOS semiconductor element by obstructing diffusion of boron atoms to a silicon semiconductor substrate.例文帳に追加

ボロン原子のシリコン半導体基板への拡散を阻止して、ＰＭＯＳ半導体素子の閾値電圧の変動を抑制する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor light-emitting element improving light-emitting efficiency and having low threshold current density.例文帳に追加

発光効率を向上させるとともに、閾値電流密度の低い窒化物半導体発光素子を提供することである。 - 特許庁

Threshold voltage distribution of a memory element programmed by first program voltage (step 100) is measured (step 120).例文帳に追加

第１プログラム電圧（ステップ１００）によってプログラムされたメモリ素子のしきい値電圧分布を測定する（ステップ１２０）。 - 特許庁

To provide an organic semiconductor element having an organic semiconductor transistor which is excellent in stability of a threshold voltage of a gate voltage.例文帳に追加

ゲート電圧の閾値電圧の安定性に優れる有機半導体トランジスタを有する有機半導体素子の提供。 - 特許庁

Here, the term "prescribed threshold" indicates the remaining power which allows at least one time of display change of the display element 680.例文帳に追加

ここで、所定の閾値とは、表示部６８０の表示変更が少なくとも１回は可能な電力残容量を示す。 - 特許庁

An overvoltage protection circuit 100, a second threshold value higher than the first threshold value being set, compulsorily turns off a switching element 6 by outputting an overvoltage detection signal when the soft-stop overvoltage detection voltage Vfb exceeds the second threshold value.例文帳に追加

過電圧保護回路１００は、第１の閾値より高い第２の閾値が設定され、ソフト過電圧検出電圧Ｖｆｂが第２の閾値を超えたとき過電圧検出信号を出力することによってスイッチング素子６を強制的にオフする。 - 特許庁

In addition, a temporary threshold matrix 104, in which a temporary threshold is assigned to each pixel in a threshold matrix area, is prepared and the density gradation variation of image to the temporary thresholds is calculated, by using the effective density valve of the noted picture element to the density calculating patterns.例文帳に追加

また、閾値マトリクス領域内の各画素に仮閾値を割り当てた仮閾値マトリクスを準備し、複数の濃度計算パターンに対する注目画素の実効的な濃度値を用いて、仮閾値に対する画像の濃度階調変化を算出する。 - 特許庁

An effective element detection part 15 compares intensity and threshold of the received echo signal, and detects a specified oscillator which has received the echo signal higher than the threshold or the echo signal lower than the threshold among the plurality of oscillators.例文帳に追加

有効素子検出部１５は、受信されたエコー信号の強度と閾値とを比較し、複数の振動子の中から閾値よりも高いエコー信号を受信した又は前記閾値よりも低いエコー信号を受信した特定の振動子を検出する。 - 特許庁

The drive circuit for a semiconductor switching element has in a gate driving circuit 16c a means which detects a voltage between a gate and an emitter during a mirror period when the semiconductor switching element 1 is turned on as the gate threshold voltage, and a means which displaces emitter potential Ve corresponding to a difference between a gate threshold voltage reference value and the detected gate threshold voltage.例文帳に追加

ゲート駆動回路１６ｃ内に、半導体スイッチング素子１のターンオン時におけるミラー期間のゲート・エミッタ間電圧をゲート閾値電圧として検出する手段と、ゲート閾値電圧基準値と検出されたゲート閾値電圧との差分に応じてエミッタ電位Veを変位させる手段とを備える。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting element capable of preventing the increase of a threshold current density and capable of elongating the life of element while being improved in reliability, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

閾値電流密度の増大を防ぎ、素子寿命を長くすることができる、信頼性の向上した半導体発光素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The bypass element 90 is provided with a function that it is conducted when the current has exceeded a threshold current value i_BP to bypass both ends of the big resistance element 76 and bypass a current i.例文帳に追加

バイパス素子９０は、電流ｉがしきい電流値ｉ_BPを超すと導通し大抵抗素子７６の両端をバイパスさせて電流ｉをバイパスさせる機能を有する。 - 特許庁

To improve the temperature-dependence of the threshold current of a semiconductor laser element having a compressively strained active layer and, in addition, to improve the reliability of the element to high power.例文帳に追加

圧縮歪の活性層を有する半導体レーザ素子において、しきい値電流の温度依存性を改善し、さらに高出力まで高い信頼性を得る。 - 特許庁

Instead of a circuit element composed of a single MISFET, a circuit element is composed of identical node transistors comprising a plurality of MISFETs differing in threshold voltage.例文帳に追加

単体のＭＩＳＦＥＴから構成される回路素子に代えて、しきい値電圧の異なる複数のＭＩＳＦＥＴからなる同一ノードトランジスタから回路素子を構成する。 - 特許庁

When it is determined that the threshold is exceeded, a switching element 56 is turned on to limit the gate voltage of the power switching element S almost to the breakdown voltage of a Zener diode 58.例文帳に追加

そして、閾値を超えると判断される場合、スイッチング素子５６をオンすることで、パワースイッチング素子Ｓのゲートの電圧をツェナーダイオード５８のブレークダウン電圧程度に制限する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor light emitting element whose operating lifetime is improved by reducing an oscillation threshold value in the nitride semiconductor light emitting element having an undoped active layer.例文帳に追加

アンドープの活性層を有する窒化物半導体発光素子において、発振閾値を引き下げ、動作寿命が向上した窒化物半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

The control section 10 turns off the switch element Q1 if a voltage VIN, which is the full-wave-rectified AC power, is lower than a threshold voltage Vth1, or turns on the switch element Q1 if the voltage VIN is equal to or higher than the threshold voltage Vth1.例文帳に追加

制御部１０は、交流電力を全波整流した後の電圧ＶＩＮが閾値電圧Ｖｔｈ１未満であれば、スイッチ素子Ｑ１をオフ状態とし、電圧ＶＩＮが閾値電圧Ｖｔｈ１以上であれば、スイッチ素子Ｑ１をオン状態にする。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory element which is allowed to compensate for a cell threshold voltage in order to prevent various errors caused by fluctuation in cell threshold voltage occurring depending on characteristics of the nonvolatile memory element, and its self compensation method.例文帳に追加

不揮発性メモリ素子の特性に応じてセルしきい電圧に変動を生じることで発生する種々のエラー不良を防ぐためにセルしきい電圧を補償できるようにした不揮発性メモリ素子とその自己補償方法を提供する。 - 特許庁

The circuit 30 sequentially changes the polarization rotation value of the element 12 via a drive circuit 16 for each of plural discrimination threshold of the circuit 24, decides the most stable difference threshold from the error rate of polarization rotation value of each difference threshold, regardless of the polarization state and controls the discrimination threshold of the circuit 24 to the decided most stable discrimination threshold.例文帳に追加

閾値制御回路３０は、弁別回路２４の複数の弁別閾値のそれぞれで、駆動回路１６を介して偏波制御素子１２の偏波回転量を逐次変更し、各弁別閾値の各偏波回転量における誤り率から偏波状態に関わらず最も安定する弁別閾値を決定し、その最も安定する弁別閾値に弁別回路２４の弁別閾値を制御する。 - 特許庁

The CPU 11 determines, as a broken line, a pixel group where the white element candidate and the black element candidate associated therewith are in a row along the main scanning direction when judging that the length distribution of the white element candidate is less than a threshold.例文帳に追加

ＣＰＵ１１は、白要素候補の長さの分散が閾値未満であると判断した場合、白要素候補とこれに関連づけられた黒要素候補とが主走査方向に連なる画素群を破線として決定する。 - 特許庁

A broken line extraction section 212 extracts element strings out of the plurality of element strings included in one group, whose degrees of correlation of the feature quantities with the other element strings in this group are lower than a threshold, as a broken line.例文帳に追加

破線抽出部２１２は、１つのグループに含まれる複数の前記要素列のうち、当該グループに含まれる他の要素列との前記特徴量の相関度が閾値よりも低い要素列を、破線として抽出する。 - 特許庁

The measures against delay are taken by changing internal resistance of the logic element, changing driving capability, and a threshold value of a transistor.例文帳に追加

ディレイ対策は、論理素子の内部抵抗を変更したり、駆動能力を変更したり、トランジスタの闘値を変更したりする。 - 特許庁

When an applied voltage to the encryption computing element reaches a predetermined threshold voltage or below, switching control is applied to the capacitors.例文帳に追加

暗号演算器に対する印加電圧値が予め定めた閾値電圧以下となった場合に、キャパシタの切り替え制御を行う。 - 特許庁

To provide a surface-emitting laser element exhibiting a high emission efficiency and having lower power consumption and threshold current as compared with prior art.例文帳に追加

発光効率が高く、従来より低い消費電力及びしきい値電流を有する面発光レーザ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory element capable of suppressing variation in a threshold voltage of an erasure cell, and a program method thereof.例文帳に追加

消去セルのしきい値電圧の変化を抑制することが可能な不揮発性メモリ素子およびそのプログラム方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nitride based semiconductor laser element wherein a threshold current is reduced and light emitting efficiency can be improved.例文帳に追加

しきい値電流を低減し、かつ、発光効率を向上させることが可能な窒化物系半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

The boosting circuit is provided with a circuit for compensating the reduction in voltage due to a threshold of a switching element used in the boosting circuit.例文帳に追加

昇圧回路には、昇圧回路に用いられるスイッチング素子の閾値による電圧の低下を補償する回路を設ける。 - 特許庁

To provide a technique for correctly reproducing luminous gradations of a light emitting element by compensating the threshold voltage of a driving transistor.例文帳に追加

駆動トランジスタのしきい値電圧を補償して、発光素子の発光階調を正確に再現するための技術を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element which can reduce a threshold current within the range of an operating temperature, especially, in the neighborhood of a room temperature.例文帳に追加

動作温度の範囲内、特に室温近傍でのしきい値電流を低減できる半導体レーザ素子を実現できること。 - 特許庁

To provide a nitride system semiconductor laser element capable of making an operating voltage low while making a threshold current small.例文帳に追加

しきい値電流を小さくするとともに、動作電圧を低くすることが可能な窒化物系半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

Output values are determined from γ tables corresponding to the threshold values computed while using the extracted picture-element values as input values.例文帳に追加

そして、抽出された画素値を入力値として算出された閾値に対応するγテーブルから出力値を決定する。 - 特許庁

To form a device by mounting an element formed on a substrate layer 1 onto other substrate in a thin film shape while optimizing its threshold voltage.例文帳に追加

基体層１に形成した素子を他の基板上に薄膜化して形成すると共に、そのしきい値電圧を適正化する。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging element which attains higher image quality by suppressing variance in threshold voltage of a nonvolatile transistor, or the like.例文帳に追加

不揮発メモリトランジスタの閾値電圧のばらつき等を抑えて高画質化を図ることが可能な固体撮像素子を提供する。 - 特許庁

Sintering conducive to stabilization of the channel part and threshold value (Vth) of an element is carried out in a final process.例文帳に追加

最終工程において少なくとも素子のチャネル部分の安定化、しきい値（Ｖｔｈ）の安定化に寄与するシンター処理を行う。 - 特許庁

The range (a bar interval), where the matching rate of a threshold value or more continues the prescribed number or more, in the matrix element Mat1[Re][Lu], is detected.例文帳に追加

マトリクス要素Ｍａｔ１［Ｒｅ］［Ｌｕ］の中から閾値以上の一致率が規定数以上連続する範囲（小節区間）を検出する。 - 特許庁

The information processing section applies threshold processing to the output signal from the light receiving element, and outputs a control signal to a controlled system as a controlled object in accordance with the result of the threshold processing.例文帳に追加

情報処理部は、前記受光素子からの出力信号に対して閾値処理を施し、前記閾値処理の結果に応じて制御対象となる被制御系に対して制御信号を出力する。 - 特許庁

A threshold voltage correction circuit detects a threshold voltage of the drive transistor Tr2 before current drive of the electro-optical element EL and holds a potential for cancelling its influence in the holding capacity C1.例文帳に追加

閾電圧補正回路は、電気光学素子ＥＬの電流駆動に先だってドライブトランジスタＴｒ２の閾電圧を検知しあらかじめその影響をキャンセルする為の電位を保持容量Ｃ１に保持する。 - 特許庁

To provide a formation method of a diffusion prevention film and a manufacturing method of a semiconductor device in which both prevention of variation in a threshold voltage due to diffusion of a threshold adjustment chemical element, etc. and simplification of a manufacturing process are achieved.例文帳に追加

拡散防止膜の形成方法及び半導体装置の製造方法に関し、閾値調整元素の拡散等による閾値電圧の変動の防止と製造工程の簡素化を両立する。 - 特許庁

A control portion inside a device body monitors a level of a light receiving quantity of the light receiving element 32 while controlling an operation of the light emitting element 31, and measures, for the light receiving element 32 in which a light receiving quantity exceeding a specified threshold is input, length of elapsed time during which input of the light receiving quantity exceeding the threshold is accepted.例文帳に追加

機体内部の制御部は、発光素子３１の動作を制御しながら受光素子３２の受光量のレベルを監視し、定められたしきい値を超える受光量が入力された受光素子３２を対象に、しきい値を超える受光量の入力を受け付けている間の経過時間の長さを計測する。 - 特許庁

A sensor comprises a detection element 1 which converts a detected environmental state into a voltage and outputs the voltage; a gain transistor 2 which amplifies the voltage outputted by the detection element 1; and a threshold value setting transistor 3 as a bias voltage application means which applies to the detection element a bias voltage corresponding to a threshold voltage of the gain transistor.例文帳に追加

センサは、検知した環境状態を電圧に変換して出力する検知素子１と、検知素子１が出力する電圧を増幅するゲイントランジスタ２と、ゲイントランジスタの閾値電圧に応じたバイアス電圧を前記検知素子に印加するバイアス電圧印加手段である閾値設定トランジスタ３とを備えている。 - 特許庁

To attain a selfluminous display device which can suppress variation of the threshold voltage of a transistor for controlling the current of a light emitting element and variation of the light emission threshold voltage of the light emitting element to thereby suppress variation in the luminance of the light emitting element, in the pixel driving circuit of a selfluminous display device using an active matrix method.例文帳に追加

アクティブマトリックス方式による自発光型表示装置の画素駆動回路において、発光素子の電流を制御するトランジスタの閾値電圧のばらつき、及び発光素子の発光閾値電圧のばらつきを抑制して、発光素子の輝度ばらつきのない自発光型表示装置を実現することを目的とする。 - 特許庁

When the threshold value is set in a 'teaching mode', a light projection quantity of a light projection element 11 is reduced, a photoreceiving quantity in a photoreceiving element 13 is also reduced to output an output signal of a level in response to the photoreceiving quantity in the photoreceiving element 13 without saturating the photoreceiving circuit 14, and a normal threshold value is set thereby.例文帳に追加

そして「ティーチングモード」にて閾値設定を行えば、投光素子１１の投光量が下がって、受光素子１３での受光量も低下し受光回路１４は飽和することなく受光素子１３での受光量に応じたレベルの出力信号を出力することになりもって正規の閾値が設定されることになる。 - 特許庁