「threshold element」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

To correct the instability of the threshold voltage of a driving transistor, reduce the number of transistors, shorten program time, and reduce power consumption in a pixel circuit which makes a light-emitting element light by making a driving current flow through the light-emitting element by means of a driving transistor.例文帳に追加

駆動用トランジスタにより駆動電流を流すことによって発光素子を発光させる画素回路において、駆動用トランジスタの閾値電圧の不安定性を補正するととともに、トランジスタ数の削減、プログラム時間の短縮および消費電力の削減を図る。 - 特許庁

After the reset period, the TR1 is turned on to write a data voltage DATA to a node NA, the gate voltage of the TR3 is adjusted to a voltage corresponding to the data voltage, the voltage of the organic EL element 42, and the operating threshold voltage, and the organic EL element 42 is driven.例文帳に追加

リセット期間終了後、ＴＲ１をオンしてノードＮ_Ａにデータ電圧ＤＡＴＡを書込み、ＴＲ３のゲート電圧をデータ電圧と有機ＥＬ素子４２の電圧と前記動作閾値電圧とに応じた電圧にして、有機ＥＬ素子４２を駆動する。 - 特許庁

The characteristics information retained in the characteristics information retaining part 5 contains measurement information of characteristics values accompanying change with time of the organic EL element 4 and threshold information to be judgment standards of life.例文帳に追加

前記特性情報保持部５に保持されている特性情報は、前記有機ＥＬ素子４の経時変化に伴う特性値の計測情報と、寿命の判断基準となる閾値情報とを含んでいる。 - 特許庁

When an evaluation function J(p) operated based on the compensation pattern exceeds the threshold (a), it is determined that thickness fluctuation components are included, and the roll position control element signal is output to a roll screw-down means 9.例文帳に追加

補償パターンに基づいて演算される評価関数Ｊ（ｐ）が閾値ａを超えるとき、板厚変動成分を含むものと判定し、ロール位置制御要素信号をロール圧下手段９に出力する。 - 特許庁

An image pickup element 1010 of this video signal processor compares the level of a nonstandard exposure video signal 1070 that is photographed in an exposure time shorter than the standard one with the level of a flaw threshold signal 1083 via a signal level flaw detection means 1080.例文帳に追加

撮像素子1010で、標準より短い露光時間で撮影された非標準露光映像信号1070のレベルと、キズしきい値信号レベル1083を、信号レベルキズ検出手段1080で比較する。 - 特許庁

To solve a problem that if a timing generator circuit is formed on an insulating substrate with a TFT of which the element characteristic fluctuates considerably and the threshold Vth is high, it is difficult to operate a counter if the frequency of a master clock is high.例文帳に追加

絶縁基板上に素子特性のばらつきが大きく、閾値Ｖｔｈが高いＴＦＴでタイミング発生回路を形成した場合、マスタークロックの周波数が早いとカウンタの動作が厳しくなる。 - 特許庁

To provide an organic electroluminescent element in which an phosphor layer is installed between substrates, which is superior in light emission brightness since the phosphor layer contains silicon fine particles, and which can be driven at a low threshold voltage.例文帳に追加

基板間に発光体層を設けてなる電界発光素子であって、発光体層がシリコン微粒子を含むために発光輝度に優れ、低閾電圧で駆動できる電界発光素子を提供する。 - 特許庁

The control section 2 comprises a PMOS.Q3, an NMOS.Q4, and a capacitive element Cd wherein off-leak is prevented by increasing the threshold voltage of the transistor Q1 or Q2 on the turn off side.例文帳に追加

この制御部２は、ＰＭＯＳ・Ｑ３と、ＮＭＯＳ・Ｑ４と、容量素子Ｃｄとを備え、Ｑ１あるいはＱ２のＯＦＦしている側のトランジスタのしきい値電圧を上昇させ、オフリークを防止する。 - 特許庁

The comparator 151 determines on the basis of the threshold value set to a value taking into account a variation in the detection voltage which is based on the influence of a geomagnetism on the magnetic field detection element 130.例文帳に追加

比較器１５１は、所定のしきい値として磁界検出素子１３０に対する地磁気の影響にもとづく検出電圧の変動を加味した値に設定されたしきい値にもとづいて判定を行う。 - 特許庁

To provide a semiconductor device for improving such performance as the high output of a semiconductor laser, a low threshold operation, low power consumption driving or the light receiving sensitivity improvement of a light receiving element.例文帳に追加

半導体レーザの高出力化、低しきいち動作、低消費電力駆動や、受光素子の受光感度改善などのといった性能が改善された半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

A plurality of transistor type capacitive element 1, 2 are connected in parallel, and each threshold voltage Vth is different each other by a difference of gate insulating film thickness Tox, or channel density.例文帳に追加

複数のトランジスタ型の容量素子１，２を並列に接続して構成し、ゲート絶縁膜の膜厚Ｔｏｘやチャネル濃度の相違により、しきい値電圧Ｖｔｈが互いに異なるように形成する。 - 特許庁

When the voltage value V of the output signal of a photosensitive element for receiving the reflecting light reflected from a film becomes the threshold voltage Vth1 or less (S21), transfer of film is stopped as the film is not loaded (S22).例文帳に追加

フィルムの反射光を受光する受光素子の出力信号の電圧値Ｖがしきい値電圧Ｖth1以下になると（Ｓ２１）、フィルムが装着されていないとしてフィルム搬送を停止させる（Ｓ２２）。 - 特許庁

To provide a display device and a driving method thereof that can compensate deterioration in threshold voltage of an amorphous silicon thin-film transistor and an organic light emitting element to minimize power loss.例文帳に追加

非晶質シリコン薄膜トランジスタ及び有機発光素子の敷居電圧の劣化を補償することができ、電力損失を最小化することができる表示装置及びその駆動方法を提供する。 - 特許庁

To provide a bias voltage generating circuit wherein the variation in threshold voltage does not affect a bias voltage, related to a semiconductor integrated circuit where the active layer of a FET is used as a resistance element.例文帳に追加

抵抗素子としてＦＥＴの活性層を用いる半導体集積回路において、しきい値電圧Ｖｔのばらつきがバイアス電圧に影響を与えないバイアス電圧発生回路を提供する。 - 特許庁

To supply a desired driving current to the light emitting element of each pixel constantly and correctly by eliminating variations in threshold voltages of active elements of insides of pixels and variations in driving currents due to an early effect of them.例文帳に追加

画素内部の能動素子のしきい値電圧のばらつき、及び、アーリー効果による駆動電流のばらつきを無くし、安定且つ正確に各画素の発光素子に所望の駆動電流を供給する。 - 特許庁

The threshold is set so as to be less than a power with which the output of at least one amplifying element prevailing a peak region is dominant on desired signal output characteristics by the amplifier.例文帳に追加

前記閾値は、当該増幅器による所望の信号出力特性上で、前記ピーク領域を支配する少なくとも一つの増幅素子の出力が支配的となる電力より低く設定されている。 - 特許庁

To interrupt even a power semiconductor element having a low gate threshold voltage surely at high speed by a simple configuration not using a power supply of negative voltage for turning a power semiconductor off.例文帳に追加

電力用半導体をターンオフするために負電圧の電源を用いない単純な構成で、ゲート閾値電圧が低い電力用半導体素子でも、高速かつ確実に遮断させることを目的とする。 - 特許庁

The switching control unit 53 turns off a switching element 2 corresponding to the electric load 4 in service when a voltage detection unit 52 detects that the battery voltage Vb is smaller than the first threshold voltage Vth1.例文帳に追加

スイッチング制御部５３は、電圧検出部５２でバッテリ電圧Ｖｂが第１閾値電圧Ｖｔｈ１より小さい場合、使用状態にある電気負荷４に対応するスイッチング素子２をオフにする。 - 特許庁

To provide a flash memory element for preventing a cell from being erased excessively and making uniform the threshold voltage distribution of a memory cell array by preventing an electric charge from being centered in the cell.例文帳に追加

電荷がセル内に集中することを防止することにより、セルの過消去を防止してメモリセルアレイのしきい値電圧分布を均一にすることができるフラッシュメモリ素子を提供すること。 - 特許庁

When a storage element of the memory cell array 7 is deteriorated and a threshold value of gate voltage is reduced, data cannot be read out correctly by the determine- verify voltage, the comparison result in the decision circuit 6 is noncoincidence.例文帳に追加

メモリセルアレイ７の記憶素子が劣化し、ゲート電圧の閾値が低下している場合にはディターミンベリファイ電圧では正しくデータを読み出すことができず、判定回路６における比較結果は不一致となる。 - 特許庁

A comparator 54 compares a voltage drop across a resistor 52 due to a current output from the sense terminal ST of a power switching element S with a threshold voltage Vref to acquire a large/small relation.例文帳に追加

パワースイッチング素子Ｓのセンス端子ＳＴから出力される電流による抵抗体５２での電圧降下量は、コンパレータ５４によって、閾値電圧Ｖｒｅｆと大小関係が比較される。 - 特許庁

To provide a silicone compound excellent in compatibility with a liquid crystal material, having low viscosity and improved threshold voltage, a liquid crystal composition and a liquid crystal display element using the liquid crystal composition.例文帳に追加

液晶材料との相溶性に優れ、低粘性でかつしきい値電圧の改善されたシリコン化合物、液晶組成物及び該液晶組成物を用いて構成した液晶表示素子の提供。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a non-volatile memory element capable of minimizing ununiformity in EFH (Effective Field oxide Height) in an entire wafer region, and capable of ensuring uniformity in a threshold voltage.例文帳に追加

ウエハ全域において、ＥＦＨ（Ｅｆｆｅｃｔｉｖｅ Ｆｉｅｌｄ ｏｘｉｄｅ Ｈｅｉｇｈｔ）の不均一性を最小化し、しきい値電圧均一性を確保可能な不揮発性メモリ素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

In this means, each strut functions as an element for limiting the peak of the force and dissipating remaining kinetic energy if the force applied to the actuator exceeds the threshold of the predetermined force.例文帳に追加

この手段は、アクチュエータに作用する力が、予め決められた力のしきい値を超えると、各ストラットが、力のピークを制限し且つ残留運動エネルギーを消散させる要素として機能する。 - 特許庁

In order to variably set the threshold value in accordance with the voltage of the gate of the power switching element Sw, a reference voltage generating circuit 56 variably sets the voltage to be applied to a comparator 54 in accordance with the gate voltage.例文帳に追加

上記閾値を、パワースイッチング素子Ｓｗのゲートの電圧に応じて可変設定すべく、基準電圧生成回路５６では、コンパレータ５４に印加する電圧をゲート電圧に応じて可変設定する。 - 特許庁

To provide a step-up dc-dc switching converter with a booster circuit that enables stable control not depending upon the logical threshold voltage of a semiconductor switch element, and to provide a semiconductor integrated circuit.例文帳に追加

半導体スイッチ素子の論理閾値電圧に依存しない、安定した制御を可能とする昇圧回路を備えたスイッチング昇圧型ＤＣ-ＤＣコンバータおよび半導体集積回路を提供する。 - 特許庁

To solve the phenomenon that the action of compensating the threshold voltage of an OLED driving TFT for driving an OLED element does not function in a low voltage operation, and increase image contrast.例文帳に追加

低電圧動作において、ＯＬＥＤ素子を駆動するＯＬＥＤ駆動ＴＦＴのスレッショルド電圧を補償する動作が機能しなくなる現象を対策するとともに、画像のコントラストを向上させる。 - 特許庁

An element with high threshold voltage characteristics is used for suppressing leak current, for a circuit block A101 which is required to operate at all times, thereby supplying a high power source voltage A151.例文帳に追加

常時動作していることが要求される回路ブロックＡ１０１に対しては、リーク電流を抑えるために高い閾値電圧特性を有する素子を使用し、高い電源電圧Ａ１５１を供給する。 - 特許庁

To provide a low consumption power semiconductor laser element and its manufacturing method capable of being inexpensively manufactured by preventing light from leaking to an electrode side and of low threshold current oscillation and high efficiency operation.例文帳に追加

電極側に光を漏らさないことで、低コストで製造でき、かつ低閾値電流発振と高効率動作が可能な低消費電力の半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Each bypass element, when output voltage at opposite ends of a set of the solar cells is lower than predetermined threshold voltage, provides a current path to the solar cell circuit over the set of the solar cell.例文帳に追加

各バイパス素子は、太陽電池セルのセットの両端の出力電圧が所定の閾電圧より小さい場合に、太陽電池セルのセットにわたり太陽電池セル回路への電流経路を提供する。 - 特許庁

To obtain a nematic liquid crystal composition having a wide nematic liquid crystal phase temperature, a low threshold voltage, low in viscosity and small in refractive index anisotropy, and to provide a liquid crystal display element using the same.例文帳に追加

広いネマチック液晶相温度範囲を有し、閾値電圧が低く、粘度が低く、屈折率異方性の小さい、ネマチック液晶組成物及びこれを使用した液晶表示素子を提供する。 - 特許庁

Reflected light from a back plate 60 is formed on a CCD 31 (photoelectric conversion element) and an image signal from the CCD 31 is compared with a prescribed threshold value to detect dirt in a read optical system.例文帳に追加

バックプレート６０からの反射光をＣＣＤ３１（光電変換素子）に結像させ、ＣＣＤ３１からの画信号を所定の閾値と比較することにより、読み取り光学系の汚れを検出する。 - 特許庁

The second bias current generator 2 generates a bias current Ibias2 having a constant value without any temperature dependency and corresponding to the second term of the threshold current Ith of the surface emitting element VCSEL1.例文帳に追加

第２のバイアス電流発生部２は、温度依存性がなく一定な値を有する面発光素子ＶＣＳＥＬ１の閾値電流Ｉｔｈの第２項に相当するバイアス電流Ｉｂｉａｓ２を生成する。 - 特許庁

At the time of compositing the reference picture and the background picture, the saturation of a picture element whose luminance is not less than a luminance threshold which is decided by a photographing condition at the time of photographing, is corrected and the drop of the saturation is prevented.例文帳に追加

この基準画像と背景画像を合成するときに、輝度が撮影した際の撮影条件により定められた輝度閾値以上の画素の彩度補正を行い彩度の低下を防ぐ。 - 特許庁

For recording, a current is supplied to the address line connected to the transistor while a potential difference between the gate and the source or the drain of the transistor connected to the storage element is maintained at an operation threshold voltage or lower.例文帳に追加

記録は、記憶素子に接続されたトランジスタのゲートとソース又はドレイン間の電位差を動作しきい電圧以下に保ちながら、そのトランジスタに接続されたアドレス線に電流を流す。 - 特許庁

To avoid the concentration of electric charge generated by static electricity on a specific signal wiring in the signal wiring, and to prevent the shifting of threshold voltage in a switching element, in order to eliminate a feeling of wrongness of an image.例文帳に追加

信号配線において静電気により発生した電荷を特定の信号配線に集中させないようにし、スイッチ素子のスレッシュホールド電圧のシフトを防ぎ、画像違和感をなくす。 - 特許庁

To provide a word line boosting circuit of which boosting voltage is adjusted in a range of the upper limit value and the lower limit value of distribution of threshold voltage of a semiconductor non-volatile memory element independently of a value of power source voltage.例文帳に追加

電源電圧の値にかかわらず、昇圧電圧が半導体不揮発性メモリ素子の閾値電圧の分布の上限値および下限値の範囲内に収まるようなワード線昇圧回路を提供する。 - 特許庁

A lock control part 14 forcibly stops an operation of a motor 13 when a value calculated from a relational formula with an operation time of the motor 13 as an element is determined to be larger than a prescribed stop threshold.例文帳に追加

ロック制御部１４は、モータ１３の作動時間を要素とする関係式から算出される値が所定の休止閾値より大きいと判断した場合には、モータ１３の作動を強制的に休止する。 - 特許庁

An electric characteristic of a semiconductor element (threshold voltage in a transistor and the like) is correctly and precisely monitored by using a contact angle, and the characteristic is controlled by controlling this doping method.例文帳に追加

本発明では、接触角を用いて、半導体素子の電気特性（トランジスタにおけるしきい値電圧など）を正確かつ精密にモニタし、ドーピング方法を制御することによって、特性を制御する。 - 特許庁

To solve the following problem: upon performing a low grayscale display with a minute current supplied to a light-emitting element, variations in threshold voltages become notable since a gate-source voltage of a driving transistor is small.例文帳に追加

発光素子へ微少な電流を供給する低階調表示を行う場合、駆動用トランジスタのゲート・ソース間電圧が小さいため、そのしきい値電圧のバラツキが顕著となってしまう。 - 特許庁

A voltage output from a sensing element 11 is amplified in an amplifying circuit 12, determined in a range determining circuit 13 based on a plurality of threshold values, and the range determining circuit 13 generates a range determining signal.例文帳に追加

センシングエレメント１１から出力された電圧は、増幅回路１２で増幅され、レンジ判定回路１３で複数の閾値によって判定され、レンジ判定回路１３はレンジ判定信号を生成する。 - 特許庁

To provide a bias circuit wherein the bias current is kept constant even in the fluctuations due to process variation in the field effect transistor threshold, and to provide a resistance element for use with the bias circuit.例文帳に追加

プロセスばらつきにより電界効果トランジスタのしきい値が変動しても、バイアス電流を一定にすることができるバイアス回路および当該バイアス回路に適用される抵抗素子を提供する。 - 特許庁

To provide a method capable of reducing the number of elements to be used by the variable logical part of a reconstitution validating device using a threshold element and a circuit for realizing its method.例文帳に追加

しきい素子を用いた再構成可能デバイスの可変論理部において、使用する素子数を低減することができる方法とその方法を実現する回路を提供することを目的とするものである。 - 特許庁

To provide a semiconductor manufacturing apparatus capable of introducing impurities into an active layer at a low and stable concentration in order to form a semiconductor element having little variation in threshold voltage.例文帳に追加

ばらつきの少ないしきい値電圧を有する半導体素子を形成するため、活性層中への低濃度かつ、安定した濃度で不純物を導入することのできる半導体製造装置を提供する。 - 特許庁

The electric field control part 22 applies an electric field to a heterojunction interface of the semiconductor substrate 104 from the electric field application electrode 14 by applying a bias voltage Ve exceeding a threshold value to the switching element 10.例文帳に追加

電界制御部２２は、閾値を超えるバイアス電圧Ｖｅをスイッチ素子１０に印加することによって、電界印加電極１４から半導体基板１０４のヘテロ接合界面に電界を印加する。 - 特許庁