「threshold element」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

When the control mode is the riding mode, the control mode switch element 942d switches the control mode to the standby mode when the absolute value of the tilt angle change value Δθb exceeds a descending angular velocity threshold THoffΔθb.例文帳に追加

制御モードが乗車モードである場合に、傾斜角度変化値Δθｂの絶対値が降車角速度しきい値ＴＨｏｆｆΔθｂより大きくなると、制御モード切替部９４２ｄは、制御モードを待機モードに切り替える。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor laser element having a laser resonator capable of having a low threshold current on a semipolar plane of a support base body in which a c-axis of a hexagonal group III nitride is inclined in an m-axis direction.例文帳に追加

六方晶系III族窒化物のｃ軸がｍ軸の方向に傾斜した支持基体の半極性面上において、低しきい値電流を可能にするレーザ共振器を有するIII族窒化物半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a quantum effect semiconductor laser element which is manufactured by using a selecting growth method, in which a leakage current in a growth suppression layer position is hardly generated, and which can be oscillated at a low threshold voltage.例文帳に追加

選択成長法を用いて製造される量子効果型半導体レーザー素子において、成長抑制層位置でのリーク電流を生じにくく、ひいては低い閾電圧で発振可能な半導体レーザー素子を提供する。 - 特許庁

When the temperature (t) of the image sensing element 21 becomes equal with or higher than the threshold value tc, a warning is displayed on a back liquid crystal monitor 23, and through picture display on the back liquid crystal display 23 is stopped after the lapse of a predetermined time, e.g., 15 sec.例文帳に追加

撮像素子２１の温度ｔが閾値ｔｃ以上になると、背面液晶モニタ２３に警告表示を行ない、所定時間、たとえば１５秒経過後に背面液晶モニタ２３へのスルー画表示を停止する。 - 特許庁

To obtain both a liquid crystal composition having a low temperature dependence of viscosity without reducing liquid crystal characteristics such as threshold potential, steepness, etc., and a liquid crystal display element having a high speed of response and a high contrast using the liquid crystal composition.例文帳に追加

閾値電圧、急峻性等の液晶諸特性を低下させずに粘度の温度依存性の小さい液晶組成物、またこの液晶組成物を使用した応答速度が速くコントラストの高い液晶表示素子の提供。 - 特許庁

A voltage corresponding to the threshold voltage V_th of the PMOS transistor 421 is held in the capacity element C prior to output of a write-scan signal WS from the final output stage 42 under control of a control circuit 43.例文帳に追加

そして、制御回路４３による制御の下に、最終出力段４２からの書込み走査信号ＷＳの出力に先立って、ＰＭＯＳトランジスタ４２１の閾値電圧Ｖ_thに対応した電圧を容量素子Ｃに保持させる。 - 特許庁

To provide a liquid crystal composition having a stable nematic phase at a low temperature while maintaining a low threshold voltage and a low birefringence, and to provide a liquid crystal display element having a wide operational temperature range obtained using the liquid crystal composition.例文帳に追加

低い閾値電圧や低い複屈折率を維持しつつ、低温で安定したネマチック相を持つ液晶組成物を提供すること、また、この液晶組成物を使用した動作温度範囲が広い液晶表示素子を提供すること。 - 特許庁

For reading, a voltage changing over time is applied between the address lines connected to the transistor to increase the potential difference between the gate and the source or the drain of the transistor connected to the storage element higer than the operation threshold voltage.例文帳に追加

読出しは、記憶素子に接続されたトランジスタのゲートとソース又はドレイン間の電位差を動作しきい電圧より大きくなるように、そのトランジスタに接続されたアドレス線間に時間変化する電圧を印加して、判別する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method including a channel ion implantation process for regulating a threshold voltage of a transistor in a manufacturing process of a semiconductor memory element comprising a self-aligned contact plug self-aligned by a gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極によって自己整列されるセルフアラインコンタクトプラグを備えた半導体メモリ素子の製造工程において、トランジスタのスレショルド電圧を調節するためのチャンネルイオン注入工程を含む製造方法を提供する。 - 特許庁

To prevent the occurrence of fluctuation and variation in the threshold voltage even in reduction of the distance between trenches and to improve avalanche breakdown tolerance due to the operation of a parasitic element, in a vertical semiconductor device having gate electrodes buried in the trenches.例文帳に追加

トレンチに埋め込まれたゲート電極を有する縦型半導体装置において、トレンチ間隔を縮小しても閾値電圧の変動やばらつきが発生せず、また寄生素子動作によるアバランシェ破壊耐量が向上できるようにする。 - 特許庁

The inverter-circuit protective device 5 estimates the quantity of the heat in the bypass resistance element R1, and has a protective-device control section 7 stopping a 4WD driving control when the quantity of the heat estimated reaches an abnormal-decision threshold value or more.例文帳に追加

インバータ回路保護装置５は、バイパス抵抗素子Ｒ１内部の熱量を推定し、推定された熱量が異常判断閾値以上である場合に４ＷＤ駆動制御を停止させる保護装置制御部７を備える。 - 特許庁

A current limiter resistance 5 is connected between the heater, which is installed in line with the detecting element 2 of the threshold current oxygen sensor 1, and the power source line, and a power MOS-FET 6 is connected between the heater 3 and a grounding line.例文帳に追加

限界電流式酸素センサ１の検出素子２に添設されたヒータ３と電源ラインとの間には、電流制限抵抗５が接続され、ヒータ３と接地ラインとの間には、パワーＭＯＳ−ＦＥＴ６が接続されている。 - 特許庁

The support structure comprises an element 20, provided with a material with a small sputter rate, a material with a large sputter threshold energy, or a material with a large ion implantation yield, in order to suppress the sputtering and the generation of sputtering product.例文帳に追加

支持構造は、スパッタリングおよびスパッタリング生成物の生成を抑制するための、スパッタ率が小さい材料、スパッタ閾値エネルギーが大きい材料、またはイオン注入歩留りが大きい材料を備えたエレメント２０を備えている。 - 特許庁

To provide a liquid crystal drive circuit capable of being manufactured with an amorphous silicon technique or a polysilicon technique and supplying a luminance signal to a pixel element of a display device by providing a means for pre-charging a control electrode to a threshold level and the means for supplying a data signal to the line of the pixel elements through a transfer gate.例文帳に追加

本発明の目的は、アモルファスシリコン技術またはポリシリコン技術のいずれを使用しても製造できる、ディスプレイ装置の画素エレメントに輝度信号を供給する液晶駆動回路を提供することである。 - 特許庁

To provide a superior n-type diamond electron emitting element and an electronic device capable of being constructed thin and flat, having a smaller threshold voltage for electron emission, and allowing effective use of the negative electron affinity force of diamond.例文帳に追加

薄型化及び平板化が可能で電子放出のしきい値電圧が小さく、ダイヤモンドの負の電子親和力を効果的に利用することのできる優れたｎ型ダイヤモンド電子放出素子及び電子デバイスを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting element having a GaInNAs-based quantum well active layer with its improved temperature characteristics and lowered threshold by decreasing hydrogen (H) to be taken into the GaInNAs-based material.例文帳に追加

ＧａＩｎＮＡｓ系量子井戸活性層を用いた半導体発光素子において、ＧａＩｎＮＡｓ系材料への水素（Ｈ）の取り込まれを低減して、温度特性が良く低しきい値である半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor laser element having a laser resonator capable of having a low threshold current on a semipolar surface of a support base body in which a c-axis of hexagonal group III nitride is tilted toward an m-axis.例文帳に追加

六方晶系III族窒化物のｃ軸がｍ軸の方向に傾斜した支持基体の半極性面上において、低しきい値電流を可能にするレーザ共振器を有するIII族窒化物半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a group-III nitride semiconductor laser element with a laser resonator, allowing a low-threshold current on a semipolar surface of a supporting base wherein the c-axis of a hexagonal group-III nitride is tilted toward the a-axis.例文帳に追加

六方晶系III族窒化物のｃ軸がａ軸の方向に傾斜した支持基体の半極性面上において、低しきい値電流を可能にするレーザ共振器を有するIII族窒化物半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

The group III nitride semiconductor laser element 11 includes a laser waveguide extending in a direction of a line of intersection of the m-n plane and semipolar plane 17a so as to utilize light emission of band transition allowing a low threshold current.例文帳に追加

III族窒化物半導体レーザ素子１１は、低しきい値電流を可能にするバンド遷移の発光を利用するために、ｍ−ｎ面と半極性面１７ａとの交差線の方向に延在するレーザ導波路を有する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal composition which has a wide nematic liquid crystal temperature range, an improved temperature dependency of threshold value voltage, and high speed response, and to provide a liquid crystal display element which uses the composition and improves electrooptic characteristics.例文帳に追加

広いネマチック液晶温度範囲を有し、閾値電圧の温度依存性が改善され、高速レスポンスを有する液晶組成物、及びこの組成物を使用し電気光学特性を改善した液晶表示素子を提供する。 - 特許庁

A peak detection part 111 detects a frequency fp in which the amount of external disturbance light included in the incident light of the image pickup element 60 is equal to or more than a prescribed threshold and at the maximum on the basis of the detection result of the frequency component.例文帳に追加

ピーク検出部１１１は、周波数成分の検出結果に基づいて、撮像素子６０への入射光に含まれる外乱光の光量が所定の閾値以上かつ最大となる周波数fpを検出する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor laser element, having a structure wherein a current-constricted layer is formed by ion implantation method, and oscillation threshold current is not high, and a far-field pattern in direction horizontal to an active layer is not three-ridged.例文帳に追加

電流狭窄層をイオン注入法により形成し、しかも、発振閾値電流が高くなく、また、活性層に水平な方向の遠視野像が三峰化しないような構成の半導体レーザ素子の作製方法を提供する。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory device has a measuring circuit for measuring the thermal equilibrium threshold voltage of a nonvolatile memory element, a read circuit to input the measured results by this measuring circuit, and a controller to control these circuits.例文帳に追加

本発明は、不揮発性記憶素子の熱平衡状態しきい値電圧を測定するための測定回路とこの測定回路による測定結果を入力する読み出し回路とこれらの回路を制御する制御手段とを有する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal composition which satisfies various characteristics required for electrooptic display elements, and has a low threshold voltage, a wide nematic temperature range, a low viscosity, and excellent high speed response, and to provide a liquid crystal element using the liquid crystal composition.例文帳に追加

電気光学表示素子の特性要件を満足し、広いネマチック温度範囲、低い粘性を有し、高速応答性が優れ、閾値電圧が低い液晶組成物及びこれを使用した液晶表示素子を提供する。 - 特許庁

In the state where the exposure control is executed, the photometry is executed, on the basis of image signals obtained in the imaging element, and whether a difference value between the photometric value and the exposure value becomes a threshold α or more is determined (ST9-10).例文帳に追加

この露出制御がなされた状態において撮像素子で得られた画像信号に基づき測光を行い、この測光値と上記の露出値との差分値が閾値α以上となるかを判定する（ＳＴ９〜１０）。 - 特許庁

The first bias current generator 1 uses the circuit blocks 11 to 17 to generate a bias current Ibias1 corresponding to the first term, proportional to the square of temperature, of the threshold current Ith of the surface emitting element VCSEL1.例文帳に追加

第１のバイアス電流発生部１は、回路ブロック１１乃至１７を用いて、面発光素子ＶＣＳＥＬ１の閾値電流Ｉｔｈの温度の２乗に比例する第１項に相当するバイアス電流Ｉｂｉａｓ１を生成する。 - 特許庁

Output current of the constant current conduction means 3 is reduced when forward voltage V drops to a prescribed voltage threshold, or when a junction temperature corresponding to forward voltage V rises to a prescribed temperature threshold, by using the forward voltage V in constant correlation with the temperature (junction temperature) of the pn junction of the LED element 1.例文帳に追加

この順方向電圧ＶがＬＥＤ素子１のｐｎ接合部の温度（ジャンクション温度）と一定の相関関係を持つことを利用し、該順方向電圧Ｖが所定の電圧閾値まで低下したとき、あるいは、順方向電圧Ｖに対応するジャンクション温度が所定の温度閾値まで上昇したとき、定電流通電手段３の出力電流を減少させる。 - 特許庁

To provide a field effect transistor (FET), chief of which is diamond, which can accommodate high-frequency operation and an increase in current density and has an excellent controllability for threshold voltage, and has little variation in element characteristics in the plane of a wafer and little variation among lots.例文帳に追加

ダイヤモンドを主材料として有する電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）であって、高周波動作、高電流密度化に好適であると共に、閾値電圧の制御性に優れ、素子特性のウェーハ面内バラツキ、ロット間バラツキが小さいＦＥＴの提供。 - 特許庁

To provide a laser scanner which emits laser light by driving laser while a bias current smaller than the threshold current for starting the oscillation of a laser element is made to flow, and also to provide an image forming apparatus which forms an image by using the laser scanner.例文帳に追加

本発明は、レーザ素子の発振開始閾値電流よりも小さいバイアス電流を流しつつレーザを駆動させてレーザ光を出射するレーザ走査装置及び該レーザ走査装置を用いて画像形成を行う画像形成装置に関する。 - 特許庁

After a charge amount of each photoelectric element is initialized, regarding at least partial photoelectric elements, an accumulation amount of electric charge is monitored while maintaining a light shielded state, thereby detecting the accumulation time required until the charge amount reaches a predetermined threshold charge amount.例文帳に追加

各光電素子の電荷量を初期化した後に、少なくとも一部の光電素子については、遮光状態を保ったまま、電荷の蓄積量を監視して、電荷量が所定の閾値電荷量に達するまでに要する蓄積時間を検出する。 - 特許庁

If the brightness after the cleaning is not improved by more than a threshold value when compared with the brightness before cleaning, the identification information of the display element is stored in a storage part 68, and after the cleaning of one row of display elements 16, the second cleaning is performed.例文帳に追加

清掃後の輝度が清掃前と比較して閾値以上向上していない場合には、その表示素子の識別情報を記憶部６８に記憶させ、１列分の表示素子１６の清掃が終了した後に２回目の清掃を行う。 - 特許庁

In the case of emitting an electron beam from the electron-emitting element 16, a voltage exceeding a threshold voltage is impressed in between the anode 21 and the cathode 22 via an X-wiring 31 and a Y-wiring 32, and an anode voltage is impressed on a front substrate and the anode.例文帳に追加

この電子放出素子１６から電子ビームを放出する場合、Ｘ配線３１およびＹ配線３２を介して陽極２１と陰極２２との間にしきい値電圧を超える電圧を与え、前面基板との間にアノード電圧を与える。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which the occurrence of a parasitic transistor, having low threshold voltage in a portion covered with a gate electrode at the boundary between an SOI active layer and a mesa-type element separating region can be prevented effectively, and to provide a method of manufacturing the device.例文帳に追加

ＳＯＩ活性層とメサ型素子分離領域との境界のゲート電極で覆われた部分における、閾値電圧の低い寄生トランジスタの発生を効果的に防止できる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a programming method of a flash memory element for preventing occurrence of a program disturbance phenomenon wherein the threshold voltage of a program-inhibited cell is changed, by increasing a channel boosting potential.例文帳に追加

本発明は、チャネルブースティングポテンシャルを増加させ、プログラム禁止セルのしきい値電圧が変更されるプログラムディスターバンス現象が発生するのを防止することができるフラッシュメモリ素子のプログラム方法を提供することを可能にすることを目的としている。 - 特許庁

In a switching operation control section 15 that on-off controls a switching element of an AC-DC converter, an offset arithmetic section 20, when a voltage error signal (VPI) is smaller than a predetermined threshold value, implements offset value subtraction based on the difference.例文帳に追加

交流直流変換部のスイッチング素子をオン／オフ制御するスイッチング動作制御部１５は、オフセット演算部２０において、電圧誤差信号(ＶＰＩ)が予め設定された閾値より低くなると、その差分に基づいて、オフセット値減算演算を行う。 - 特許庁

To form a plurality of MOSFETs having different threshold voltages on the same semiconductor substrate, without reducing the thickness of the oxide film at element isolating regions or forming a difference in height on the surface of a gate material in patterning the gate material.例文帳に追加

素子分離領域の酸化膜厚を減少させず、またゲート材料のパターンニングの際にゲート材料の表面に高低差が生じることなく異なるしきい値電圧を有する複数のＭＯＳＦＥＴを同一の半導体基板上に形成する。 - 特許庁

When there is no difference between the input voltage and the output voltage of the switching element 3 and the value of lamp current is larger than the threshold value, a lamp-protection means 17 turns on a thyristor 18, short-circuits the output of a chopper circuit 2 and protects the discharge lamp 12.例文帳に追加

ランプ保護手段１７はスイッチング素子３の入力電圧と出力電圧に差がなく、しかもランプ電流がしきい値より大きい場合には、サイリスタ１８を導通させ、チョッパ回路２の出力を短絡して、放電ランプ１２を保護する。 - 特許庁

When saturation of an video generated by the input video signal exceeds a preset threshold α, the signal processing circuit 104 attenuates RGB signals for pixels displaying a white component, out of respective pixels of a display element.例文帳に追加

さらに、信号処理回路１０４は、入力された映像信号により生成される映像の彩度が予め設定された閾値αを超える場合に、前記表示素子の各画素のうち白成分を表示する画素に対するＲＧＢ信号を減衰させる。 - 特許庁

To provide an element structure that can realize a short resonator laser which can be operated at a high speed with a low-threshold current or a wavelength tunable laser which is excellent in wavelength stability, and to provide a method of manufacturing the structure.例文帳に追加

開示技術の課題は、上記の問題を克服し低しきい値電流で高速動作可能な短共振器レーザや波長安定性に優れた波長可変レーザを実現する素子構造およびその作製方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor element having a structure of an active layer of an In-containing nitride semiconductor sandwiched between p- and n-type clad layers, especially, a threshold current reducing structure of a device emitting light at a wavelength of 450 nm or higher.例文帳に追加

Ｉｎを含む窒化物半導体を有する活性層を、ｐ型クラッド層、ｎ型クラッド層とで挟まれた構造を有する窒化物半導体素子、特に波長４３０ｎｍ以上で発光するものにおいて、しきい値電流を低減させる構造とする。 - 特許庁

A potential difference detection circuit 9 subtracts a control voltage VBB from a load driving voltage VBP to compute the potential difference between them, and when the potential difference exceeds a predetermined threshold, outputs an H level signal to the gate terminal of a switching element 8.例文帳に追加

電位差検知回路９は、負荷駆動電圧ＶＢＰから制御電圧ＶＢＢを減じたものを両者の電位差として演算し、その電位差が所定の閾値を超えるとき、Ｈレベルの信号をスイッチング素子８のゲート端子に出力する。 - 特許庁

When energizing frequency ω_r is smaller than a predetermined value depending upon the thermal time constant of a power switching element, a threshold level L_t relative to a current value for switching a PWM frequency corresponding to the energizing frequency ω_r is determined (S3).例文帳に追加

励磁周波数ω_ｒがパワースイッチング素子の熱的な時定数によって決まる設定値より小さいときには、励磁周波数ω_ｒに応じてＰＷＭ周波数を切り替えるための電流値に対するスレショルドレベルＬ_ｔを求める(Ｓ３)。 - 特許庁

The 1st and 2nd detecting transistors 113, 114 detect the threshold voltage of the driving transistor 111 in advance of current-driving of the electro-optical device 117, and hold the potential detected for offsetting the influence beforehand to the capacitive element C111.例文帳に追加

第１及び第２検知トランジスタ１１３，１１４は、電気光学素子１１７の電流駆動に先だってドライブトランジスタ１１１の閾電圧を検知しあらかじめその影響をキャンセルする為に検知した電位を容量素子Ｃ１１１に保持する。 - 特許庁

The constant current source of self-bias type forms a constant current corresponding to the differential voltage between threshold voltages of a first transistor and a second transistor by a first resistance element and applies it also to the first transistor through the second transistor and a current mirror circuit.例文帳に追加

上記自己バイアス型定電流源は、第１トランジスタと第２トランジスタのしきい値電圧の差電圧に対応した定電流を第１抵抗素子で形成して第２トランジスタ及び電流ミラー回路を介して上記第１トランジスタにも流す。 - 特許庁

The well layer 106 is mixed with an appropriate quantity of crystallized In as a group III element whose covalent bond radius is larger than Ga, so that the crystallinity of the semiconductor laser device 100 becomes superior, and an oscillation threshold current is reduced, resulting in improving light emission efficiency.例文帳に追加

この井戸層１０６には、Ｇａよりも共有結合半径が大きなＩＩＩ族元素であるＩｎが適量混晶化されているので、結晶性に優れたものになって、発振閾値電流が低減し、発光効率が向上する。 - 特許庁