「threshold element」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

Next, the reset TFT 30 is turned off and the current control TFT 26 is turned off to supply video data to the data line, and thereby, the voltage higher by the voltage of the video data than the threshold level voltage is applied to the gate of the drive TFT 24 and the current corresponding thereto is supplied to an organic EL element 28.例文帳に追加

次に、リセットＴＦＴ３０をオフ、電流制御ＴＦＴ２６をオンし、データラインにビデオデータを供給することで、しきい値電圧からビデオデータの電圧だけ高い電圧を駆動ＴＦＴ２４のゲートに印加し、これに対応する電流を有機ＥＬ素子２８に供給する。 - 特許庁

A motor current compensator 14 equalizes the loss caused by switching of the power semiconductor element in the first group of and the second group of the inverter circuit 4A, 4B, when the difference in the output current values of the inverter circuits detected by the current detectors 11A, 11B exceeds a threshold value.例文帳に追加

モータ電流補償装置１４は、電流検出器１１Ａ、１１Ｂより検出したインバータ回路の出力電流値の差分がしきい値を超えた場合、第１群及び第２群のインバータ回路４Ａ、４Ｂにおける電力用半導体素子のスイッチングによる損失を均等化する。 - 特許庁

If the boosted voltage VPP drops below a threshold owing to a drop of the source voltage VCC, a control signal output part 18 outputs a control signal C to a switching part 19, so that the electric charges accumulated in the electrostatic capacity element 17 are supplied as the source voltage VPP.例文帳に追加

電源電圧Ｖ_CCの低下によって昇圧電圧Ｖ_PPがしきい値よりも低くとなると、制御信号出力部１８から制御信号Ｃがスイッチング部１９に出力され、静電容量素子１７に蓄積されていた電荷が電源電圧Ｖ_PPとして補給される。 - 特許庁

A driving transistor 11b is constituted of an inorganic oxide thin film transistor in which threshold voltage performing OFF-operation is negative voltage, and a source terminal S of the driving transistor 11b and a terminal of a capacitance element 11c are connected to a common power source line 17 supplying the prescribed common voltage.例文帳に追加

駆動用トランジスタ１１ｂを、オフ動作する閾値電圧が負電圧である無機酸化膜薄膜トランジスタから構成し、駆動用トランジスタ１１ｂのソース端子Ｓと容量素子１１ｃの端子とを所定の共通電圧を供給する共通電源線１７に接続する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a non-volatile memory device capable of effectively embodying an NOR flash cell array composed using a 2-beat sidewall floating gate element having self-convergence characteristics, where a threshold voltage converges to a fixed value in erasing.例文帳に追加

本発明はイレイズの時しきい電圧が決まった値打ちに収斂する特性を枝は自体に収斂する２ビートサイドワル・フローティングゲート素子を使って構成したＮＯＲフラッシュセルアレイを効果的に具現することができる不揮発性メモリー素子の製造方法に関するのである。 - 特許庁

To lower a threshold voltage or drive voltage of a nitride semiconductor light-emitting element comprising an active layer of a quantum well structure which has a well layer made of a nitride semiconductor containing indium, the active layer is sandwiched between an n-type nitride semiconductor layer and a p-type nitride semiconductor layer.例文帳に追加

ｎ型窒化物半導体層とｐ型窒化物半導体層の間にインジウムを含む窒化物半導体からなる井戸層を有する量子井戸構造の活性層を備えた窒化物半導体発光素子の闘値電圧または駆動電圧を下げることを目的とする。 - 特許庁

After writing, the auxiliary switch element is conducted in a state that the sampling transistor is not conducted, and the voltage of the signal line (voltage higher than a threshold correction reference voltage) is written in the leak suppressing capacitor, so that the drain-source voltage of the sampling transistor is made low to reduce a leakage current.例文帳に追加

その書込後に、サンプリングトランジスタを非導通の状態で補助スイッチ素子を導通させて、信号線の電圧（閾値補正基準電圧より高い電圧）をリーク抑制用容量に書き込ませることで、サンプリングトランジスタのドレイン・ソース間電圧を低くし、リークを低減させる。 - 特許庁

In the driving circuit 20, when images are displayed by the first board 31 while images are not displayed by the second board 32, a voltage supplied to the second power supply line 16 is set at a certain value so that a voltage between the two terminals of a second light-emitting element E2 is lower than a light-emitting threshold voltage Vth_el2.例文帳に追加

駆動回路２０は、第１基板３１側に画像を表示させる一方、第２基板３２側に画像を表示させない場合は、第２給電線１５に供給する電位の値を、第２発光素子Ｅ２の両端間の電圧が発光閾値電圧Ｖth_el2を下回るような値に設定する。 - 特許庁

When a state that a detection voltage V corresponding to tension acting on the belt 22 when the worker wears the belt detected by a piezoelectric element 23 exceeds a first voltage threshold Vth1 continues for a first time t1, a control part 31 brings the RFID processing part 32 into a communicating state.例文帳に追加

そして、圧電素子２３により検出される装着時のベルト２２に作用する張力に応じた検出電圧Ｖが第１電圧閾値Ｖｔｈ１を超える状態が第１の時間ｔ１継続すると、制御部３１によりＲＦＩＤタグ処理部３２が通信状態になる。 - 特許庁

An analog signal output section 10 outputs a trigger signal for applying a voltage equal to or higher than a threshold at which the flash lamp FL emits light between the electrodes at the opposite ends of the flash lamp FL, and then outputs an analog signal of a predetermined waveform to the gate of the switching element 96.例文帳に追加

アナログ信号出力部１０は、フラッシュランプＦＬの両端電極間にフラッシュランプＦＬが発光を開始する閾値以上の電圧を印加するためのトリガー用信号を出力した後、所定波形のアナログ信号をスイッチング素子９６のゲートに出力する。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor laser element having a laser resonator which makes a low threshold current possible, and having a structure which makes an increase in oscillation yield possible, on a semipolar surface of a support base in which a c axis of a hexagonal group III nitride is tilted in the direction of an m axis.例文帳に追加

六方晶系III族窒化物のｃ軸がｍ軸の方向に傾斜した支持基体の半極性面上において、低しきい値電流を可能にするレーザ共振器を有すると共に発振歩留まりの向上可能な構造を有するIII族窒化物半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser, which requires no external control circuits against fluctuation in atmospheric temperature by providing a quantum well semiconductor laser layer structure with a carrier supply layer adjacent to a quantum well layer, related to an element structure which reduces the temperature change in threshold current of the semiconductor laser.例文帳に追加

半導体レーザの閾値電流の温度変化を低減する素子構造において，量子井戸型半導体レーザ層構造に量子井戸層に隣接したキャリア供給層を設けることにより，雰囲気温度の変動に対しても外部制御回路を必要としない半導体レーザを提供する． - 特許庁

To provide a nitride laser element improved in life by relaxing stress caused by an electron blocking layer while reducing threshold current density by a structure arranged the electron blocking layer including an Al layer between a p-type guide layer and a p type clad layer.例文帳に追加

ｐ型ガイド層とｐ型クラッド層との間にＡｌを含む電子ブロック層を配置した構造によって閾値電流密度の低減を図りながら、電子ブロック層に起因する応力を緩和して寿命特性の向上を図ることができる窒化物半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

The voice classifier inputs classifying parameter from an external constitution element, creates internal classifying parameters from input parameter, establishes the threshold value of function of normalized auto-correlation coefficient, selects a parameter analyzer according to signal environment, analyzes the parameter and classifies the voice mode.例文帳に追加

音声分類器は、外部の構成要素から分類パラメータを入力し、入力パラメータから内部分類パラメータを生成し、正規化された自己相関係数の関数の閾値を設定し、信号環境に従ってパラメータ解析器を選択し、パラメータを解析し、音声モードを分類する。 - 特許庁

To provide an economically excellent vacuum micro-element at a low fabricating cost, capable of uniformizing the current density distribution through suppression of the concentration of current by improving the distance accuracy between a cold cathode and a conductor, establishing a large current operation, and controlling the threshold of the drive voltage accurately.例文帳に追加

冷陰極と導体の距離精度を改善することにより、電流の集中を抑制して電流密度分布の均一化し、大電流化を図ると共に、駆動電圧のスレッシュホールドを精度良く制御可能であり、且つ製作コストが安価で経済的に優れた真空マイクロ素子を提供する。 - 特許庁

The rotational speed of the pump motor is detected with a rotation sensor having a Hall element: when the rotational speed detected with the rotation sensor is below a preset threshold value (e.g. 500 rpm), the drive of the pump motor is stopped (step S2-S4) with the determination that the locking of the circulation pump occurs.例文帳に追加

ポンプモータの回転速度を、ホール素子からなる回転センサにより検出し、回転センサの検出回転速度が、予め設定された閾値（例えば５００ｒｐｍ）以下となった場合、循環ポンプがロックしたと判断し、ポンプモータの駆動を停止させる（ステップＳ２〜Ｓ４）。 - 特許庁

Also, when the programming period Tpr is changed over to a light emitting period Tem, the 1st and 2nd switching transistors are switched to the OFF-state, and thereby the capacitive element is made to hold a charge amount which is independent of the threshold voltage of the driving transistor but dependent on the data signal voltage.例文帳に追加

また、プログラミング期間Ｔprから発光期間Ｔemに切り替わる際は、第１と第２のスイッチングトランジスタをオフ状態に切り換えることによって、容量素子に、駆動トランジスタのしきい値電圧に依存せず、かつ、データ信号の電圧に依存する電荷量を保持させる。 - 特許庁

A second comb filter creation part 109 sets high the threshold value of a second voice-non-voice identification part 107 so as not to be influenced by noise information, and creates a reference comb filter for restoring a voice pitch harmonic structure on the basis of the presence of a voice component in each frequency element.例文帳に追加

第二コムフィルタ生成部１０９は、雑音情報に影響されないように、第二音声/非音声識別部１０７の閾値を高く設定して、各周波数成分における音声成分の有無に基づいて音声ピッチ調波構造を修復する基準コムフィルタとして生成する。 - 特許庁

To provide a spin injected inverted magnetization MTJ element which is less in failure in writing and has small threshold of write current density by improving transient characteristics during writing, and can be highly integrated, made fast, and reduced in power consumption, and to provide a magnetic memory device using the same.例文帳に追加

書き込み時の過渡特性を改善して、書き込みの失敗が少なく、書き込み電流密度のしきい値が小さく、高集積化、高速化、および低消費電力化が可能なスピン注入磁化反転型ＭＴＪ素子及びそれを用いた磁気メモリ装置を提供する。 - 特許庁

When the potential of the pad P is reduced less than the threshold of a TR T3, the TR T3 is turned on, power supply voltage VDD is supplied to the gate of a TR T13 through a switching element SW3 and the potential of the pad P is pulled out by the TRs T12, T13.例文帳に追加

Ｉ／ＯパッドＰの電位がトランジスタＴ３のしきい値よりも低くなるとトランジスタＴ３がＯＮし、スイッチング素子ＳＷ３を介して電源電圧Ｖ_DDがトランジスタＴ１３のゲートに供給され、Ｉ／ＯパッドＰの電位がトランジスタＴ１２，Ｔ１３により引き抜かれる。 - 特許庁

When the voltage of the predetermined number of LEDs 30 of the LED light source part 19 connected in series with the voltage adjusting element 36 becomes less than the threshold value, the safety circuit 35 determines that a short-circuit failure of the LEDs 30 has occurred and stops electric power supply to the LED light source part 19.例文帳に追加

安全回路３５は、電圧調整用素子３６が直列接続されたＬＥＤ光源部１９の所定個数のＬＥＤ３０の電圧が閾値未満となったときは、ＬＥＤ３０の短絡故障と判定し、ＬＥＤ光源部１９への電力供給を停止する。 - 特許庁

A pulse-driven light-emitting element is constructed by using a semiconductor laser which has a threshold current I0 and a slope efficiency ηand in which the dependency on injected current of its life during continuous oscillation is approximated to τ(I)=cI-r (where I is the injected current and c is a constant) in the output region of interest.例文帳に追加

しきい電流Ｉ_0 およびスロープ効率ηを有し、かつ、連続発振時の寿命の注入電流依存性が、注目する出力領域でτ（Ｉ）＝ｃＩ^-r（ただし、Ｉは注入電流、ｃは定数）と近似される半導体レーザを用いてパルス駆動発光素子を構成する。 - 特許庁

If foreign matter such as dust is present on the deflecting mirror 6 or the return mirror 8a or 8b, gray or white data is read in the read image by the linear imaging element 10 and its data value is compared with a previously set value to judge that there is the foreign matter when the data is whiter than the threshold value.例文帳に追加

また、偏向ミラー６や折返しミラー８ａ，８ｂ上に塵埃などの異物がある場合には、１次元撮像素子１０にて読取画像に灰色ないし白のデータが読み込まれ、このデータ値とあらかじめ設定された閾値とを比較して、閾値よりも白かった場合に異物ありと判断する。 - 特許庁

To reduce the generation of a pseudo-defect when a lightness difference exists between two compared images, in an image defect inspection device and a method for detecting a difference between fellow picture elements corresponding to the two images to detect a picture element portion as a defect when the difference exceeds a detection threshold.例文帳に追加

２画像の対応する各画素同士の画素値の差分を検出して、この差分が検出閾値を超えるとき画素部分を欠陥として検出する画像欠陥検査装置及び方法において、比較する２画像に明度差がある場合の疑似欠陥の発生を低減する。 - 特許庁

To drive a liquid crystal element with AC voltage at a high frequency, to achieve continuous gradation display using amplitude modulation and long reliability by high-frequency driving, and to correct deteriorated uniformity of a displayed image caused by variation in transistor threshold voltage.例文帳に追加

液晶素子を高周波数で交流駆動すると共に、振幅変調による連続的な階調表現と液晶素子の高周波駆動による長期信頼性との両立を可能にし、かつ、トランジスタの閾値電圧のバラツキに起因する表示画像のユニフォミティの悪化を補正する。 - 特許庁

A first control element 16 is turned on when the potential of a helix electrode rises to a prescribed threshold, determined by the ratio of the value of a first resistance to the value of a second resistance, with respect to the potential of a positive side heater electrode or a negative side heater electrode, to bring a first terminal and a second terminal into a conducting state.例文帳に追加

第１の制御素子１６は、プラス側のヒータ電極またはマイナス側のヒータ電極の電位に対してヘリックス電極の電位が第１の抵抗１２と第２の抵抗１３の値の比で決まる所定の閾値まで立ち上がるとオンし、第１の端子と第２の端子を導通する。 - 特許庁

A judgment threshold value in each preset frequency range and the acoustic pressure level in each frequency region calculated with a computing element 18 are compared by using a comparison judging instrument 19, and in the case gas leakage is detected, an alarm is outputted to an alarm display 21.例文帳に追加

予め設定されている周波数領域毎の判定しきい値と、演算器１８で演算された周波数領域毎の音圧レベルとを、比較判定器１９で比較し、ガス漏れが発生していると判断された場合には警報表示器２１に警報を出力する。 - 特許庁

In the display apparatus, a light source element 36 is driven at a threshold level and kept at a standby condition of light emission, a light beam modulated by driving the light source part according to an image signal to be displayed has flexibility and is guided to a movable waveguide which is horizontally oscillated.例文帳に追加

表示装置において、光源素子３６が閾値レベルで駆動されて発光準備状態に維持されて、表示すべき画像信号に応じて光源部が駆動されて変調された光線が可撓性を有し、水平方向に振動される可動導波路に導かれる。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor laser element having a laser resonator which enables a low threshold current and having a structure by which an oscillation yield can be improved, on a semi-polar surface of a support base body in which a c-axis of a hexagonal system group III nitride inclines to a direction of an m-axis.例文帳に追加

六方晶系III族窒化物のｃ軸がｍ軸の方向に傾斜した支持基体の半極性面上において、低しきい値電流を可能にするレーザ共振器を有すると共に発振歩留まりの向上可能な構造を有するIII族窒化物半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

Relating to electronic paper systems 100, 100a, in the case where the remaining power of a battery 682 of displays 600a, 600b, 600c falls below a prescribed threshold, the remaining power of the battery 682 is displayed on a display element 680 by a remaining power display controller.例文帳に追加

本発明に係る電子ペーパーシステム１００，１００ａにおいては、表示器６００ａ，６００ｂ，６００ｃのバッテリー６８２の電力残容量が所定の閾値を下回った場合に、残容量表示制御部によりバッテリー６８２の電力残容量が表示部６８０に表示される。 - 特許庁

ECU measures the time after a first switching element 53 is turned off, and when a capacitor disconnection determination timer is a capacitor abnormality determination time KTc or less, it is diagnosed that the capacitor is in the disconnection state when a monitor voltage Vm is less than a first voltage threshold value KVd.例文帳に追加

ＥＣＵは、第１スイッチング素子５３がオフ状態になってからの時間を計測し、コンデンサ断線判定タイマがコンデンサ異常判定時間ＫＴｃ以下である場合において、モニタ電圧Ｖｍが第１電圧閾値ＫＶｄ未満であったときに、コンデンサが断線していると診断する。 - 特許庁

When the subject luminance is the prescribed threshold or more, the half mirror 21 is driven to the mirror up position, a first focus adjustment section 27a carries out focus adjustment on the basis of the focus detection signal from the imaging element 22 and the subject image of the subject luminous flux L is imaged.例文帳に追加

被写体輝度が所定の閾値以上である場合は、ハーフミラー２１をミラーアップ位置へ駆動させ、第１の焦点調節部２７ａは、撮像素子２２からの焦点検出信号に基づいて焦点調節を行い、被写体光束Ｌの被写体像を撮像する。 - 特許庁

In the display device, the source voltage Vs of a transistor TR2, which drives the light emitting element 8, is set to a predetermined potential, and the variation of light emission luminance is corrected by the variation of threshold voltage Vth of the transistor TR2 , then the predetermined potential is supplied from a signal line SIG side.例文帳に追加

本発明は、発光素子８を駆動するトランジスタＴＲ２のソース電圧Ｖｓを所定電位に設定して、このトランジスタＴＲ２のしきい値電圧Ｖｔｈのばらつきにより発光輝度のばらつきを補正するようにして、この所定電位を信号線ＳＩＧ側より供給する。 - 特許庁

During a reset period in a one-frame period, the TR4 is turned off after the TR2, TR4, and TR5 are turned on to let the capacitor C1 hold a voltage corresponding to the voltage of the organic EL element 42 and the operating threshold voltage of the TR3, and then the TR2 and TR5 are turned off.例文帳に追加

１フレーム期間中のリセット期間において、ＴＲ２、ＴＲ４及びＴＲ５をオンしてから、ＴＲ４をオフし、コンデンサＣ１に有機ＥＬ素子４２の電圧とＴＲ３の動作閾値電圧とに応じた電圧を保持させた後、ＴＲ２及びＴＲ５をオフする。 - 特許庁

A control section 300 of a signal processing circuit determines whether ultraviolet rays at a threshold level enabling measurement of ultraviolet rays are being applied to a surface at the side of a wave reception surface of the casing 100, based on the level (determination value) of an illuminance detection voltage signal based on the output of the illuminance sensor element 20.例文帳に追加

信号処理回路の制御部３００は、照度センサ素子２０の出力に基づく照度検知電圧信号のレベル（判断値）に基づいて、筐体１００の受波面側表面に、紫外線測定可能閾値レベルの紫外線が照射しているかどうかを判断する。 - 特許庁

The GaN semiconductor laser element 30 has a low threshold current because the refractive index distribution by the holes 52 which possess different dimensions and are laid out in a one-dimensional periodic arrangement is formed outside a light emitting region, so that the intensity distribution of a laser beam or NFP can be controlled.例文帳に追加

本ＧａＮ系半導体レーザ素子では、寸法の異なる空孔５２の一次元の周期的配列による屈折率分布を発光領域の外側に設けることにより、低閾値電流を実現し、レーザ光の強度分布つまりＮＦＰを制御することができる。 - 特許庁

Image data from an imaging element are divided into a plurality of rough intermediate areas each consisting of a plurality of small areas, a threshold for deciding whether luminance of a small area of an intermediate area is high is varied according to the position in the intermediate area, and high-luminance processing is carried out by each small area.例文帳に追加

撮素子からの画像データを複数の小領域の集合から成る複数個の大まかな中領域に分割して、その中領域の位置に応じてその中領域の小領域の輝度が高輝度であるかを判定するための閾値を変更し、各小領域毎に高輝度処理を行う。 - 特許庁

After this, even if impurities are easily discharged from the channel region CH to the element separation region 10 side heated by an anneal process and the like, a threshold voltage of a cell transistor Tr can be kept stable by suppressing the impurities discharged from the side near especially the surface of the silicon substrate 2.例文帳に追加

この後、アニール工程等により加熱されチャネル領域ＣＨから不純物が素子分離領域１０側に放出されやすくなっても特にシリコン基板２の表面に近い側からの不純物放出を抑制でき、セルトランジスタＴｒの閾値電圧を安定的に保つことができる。 - 特許庁

This magnetic field sensor is provided with a Hall element 11 generating a Hall voltage in proportion to density of a passing magnetic flux, a voltage amplifier 12 amplifying an output voltage from the Hall element 11, a Schmitt trigger circuit 13 receiving an amplification signal from the voltage amplifier and outputting different output voltages according to its threshold, and a logic latch circuit 15 latching the Schmitt trigger circuit by receipt of an output signal from it.例文帳に追加

磁界センサは、通過する磁束密度に比例してホール電圧を発生するホール素子１１と、該ホール素子１１の出力電圧を増幅する電圧増幅器１２と、電圧増幅器１２からの増幅信号を受け、そのしきい値により異なる出力電圧を出力するシュミットトリガ回路１３と、シュミットトリガ回路１３からの出力信号を受けてこれをラッチするロジックラッチ回路１５とを有している。 - 特許庁

In a threshold modulation type solid-state imaging element which has a transfer transistor having a transfer gate electrode 21 and a transistor for signal output having a ring-shaped gate electrode 15, the voltage of a drain region 18 of the transistor for signal output is made temporarily higher than a last value in a period wherein the transfer transistor is ON.例文帳に追加

転送ゲート電極２１を有する転送トランジスタと、リング状ゲート電極１５を有する信号出力用トランジスタとを持つ閾値変調型固体撮像素子において、転送トランジスタがオン状態である期間に、信号出力用トランジスタのドレイン領域１８の電圧を一時的に直前の値よりも高くする。 - 特許庁

A sensitive period for lowering a high-concentration threshold value is prepared to detect the rise of gas concentration even the slight rise of a sensor output value, in a case when the sensitivity in detecting the rise of concentration of the oxidizing gas is impaired by the hysteresis phenomenon caused by the adsorption of a gas molecule to the gas sensor element 11.例文帳に追加

ガスセンサ素子１１へのガス分子の吸着によって生じるヒステリシス現象で、酸化性ガスの濃度上昇の検知感度が低下する場合に、センサ出力値の僅かな上昇によっても、ガス濃度の上昇を検知できるように、濃度高しきい値を引き下げる敏感化期間を設ける。 - 特許庁

To provide an organic thin film transistor for improving charge mobility and hysteresis of the organic thin film transistor using a fluorine-containing silane-based compound to enhance physical properties such as a threshold voltage and the charge mobility, thereby allowing useful application for production of various electronic devices such as a liquid crystal display and a photoelectric conversion element.例文帳に追加

フッ素含有のシラン系化合物を用いて有機薄膜トランジスタの電荷移動度およびヒステリシスを改善させ、スレショルド電圧および電荷移動度などの物性を向上させて液晶ディスプレイ、光電変換素子などの各種電子素子の製造に有用に活用することが可能な有機薄膜トランジスタを提供する。 - 特許庁

In this electronic tonometer, when a displacement H of a bottom point from the biggest gradient point from the bottom point that preceeds the pulse wave element overlapping a cuff pressure to a peak point becomes smaller than the specified threshold, the cuff pressure level at the time when pulse wave elements are detected is determined as the lowest blood pressure.例文帳に追加

本発明の電子血圧計は、カフ圧力に重畳する脈波成分のピーク点に先行して生じるボトム点からピーク点までの間の最大勾配点からのボトム点の変位Ｈが、所定の閾値よりも小さくなるとき、その脈波成分を検出した時点でのカフ圧力の値を最低血圧値として決定する。 - 特許庁

The protecting circuit 51 uses two MOSFET 33 and 40, with which gate threshold voltages are respectively different and the same load current correspondent voltage VC outputted from the load current detecting circuit 50 is impressed to gates, as switches for protection for changing the gate voltage VG of the power switch element 2 on two stages.例文帳に追加

上記の保護回路５１は、ゲートしきい値電圧が各々異なり負荷電流検出回路５０から出力される同一の負荷電流対応電圧Ｖ_Cがゲートに加えられる２つのＭＯＳＦＥＴ３３，４０を、パワースイッチ素子２のゲート電圧Ｖ__Gを２段階に変化させる保護用スイッチとして用いる。 - 特許庁

There is provided a breakdown detection circuit of a power amplifier comprising: an inverting adder circuit configured to revert and output an addition voltage of an output signal of an amplifier element breakdown detection circuit provided in each of 4 or more amplifier elements; and a comparison circuit configured to output a signal when the output voltage of the inverting adder circuit is higher than a threshold voltage.例文帳に追加

４つ以上の増幅素子に対してこの増幅素子ごとに設けられる増幅素子故障検出回路の出力信号の加算電圧を反転して出力する反転加算回路と、この反転加算回路の出力電圧が閾値電圧より高い場合に信号を出力する比較回路と、を備える。 - 特許庁