「threshold element」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

When detecting that the detection voltage of the magnetic field detection element exceeds a threshold relative to a reference value, a control circuit 180 determines that a magnet is present near the game machine.例文帳に追加

制御回路１８０は、磁界検出素子の検出電圧が基準値に対してしきい値を越えていることを検出した場合に、磁石が遊技機近傍に存在すると判定する。 - 特許庁

When the light-emitting efficiency of a light-emitting element 450 falls and its threshold voltages rise, the voltage of a node N2 also rises, and the voltage between gate and source of a transistor 430 rises.例文帳に追加

発光素子４５０の発光効率が低下しそのしきい値電圧が上昇するとノードＮ２の電圧も上昇し、トランジスタ４３０のゲート・ソース間電圧が上昇する。 - 特許庁

The transistors, being of opposite channel, compensate for any variation in threshold voltage ΔVT and therefore provide a drive current to the OEL element which is relatively independent of ΔVT.例文帳に追加

前記相異なるチャンネル型の両トランジスタは、しきい値電圧△ＶTにおけるばらつきを補償し、そのため、比較的△ＶTに依存しない有機エレクトロルミネッセンス素子への駆動電流を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of forming an accurate image even if the threshold voltage of a switching element varies with an electrification time, an electrooptical device, and electronic equipment.例文帳に追加

スイッチング素子のしきい値電圧が通電時間経過により変動しても正確な画像を形成することができる半導体装置、電気光学装置および電子機器を提供する。 - 特許庁

To improve characteristics of an element as well as controllability of threshold by applying cSiGe and eSiGe to a pMOS transistor and preventing the occurrence of a damage in a gate insulation film.例文帳に追加

ｐＭＯＳトランジスタにｃＳｉＧｅとｅＳｉＧｅを適用し、且つゲート絶縁膜におけるダメージ発生を防止でき、素子特性の向上及びしきい値制御性の向上をはかる。 - 特許庁

Thus, when noise included in a standard image signal of pixels in a saturated state is increased, the threshold value TH is set smaller and the saturated state of an imaging element can properly be discriminated.例文帳に追加

そのため、飽和状態である画素の標準画像信号に含まれるノイズが増大すると、閾値ＴＨが小さく設定され、撮像素子が飽和状態であると適切に判定される。 - 特許庁

By the operation process, the current compensated for the influence of the variation in the threshold voltage of the transistor can be supplied to the light emitting element, and the variation in the luminance can be suppressed.例文帳に追加

この動作過程により、発光素子にトランジスタの閾値電圧のばらつきの影響を補償した電流を供給することができ、輝度のばらつきを抑えることができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, which has a semiconductor layer in SOI structure improving element characteristics while preventing a drop in threshold voltage, a kink phenomenon, etc., and its manufacture.例文帳に追加

閾値電圧の低下やキンク現象などを防止しながら、素子特性を向上させるＳＯＩ構造の半導体層を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

At this time, boron is injected even into a peripheral edge of the element formation region D2 (second impurity injecting process) simultaneously with the injection for threshold voltage adjustment of the FET 20.例文帳に追加

このとき、ＦＥＴ２０のしきい値電圧調整のための注入と同時に、素子形成領域Ｄ２の周縁部にもボロンを注入する（第２の不純物注入工程）。 - 特許庁

The level selection section captures dark image data, obtained by imaging the field with the imaging element in a shield state and selects low level pixels whose values are a predetermined threshold from the dark image data.例文帳に追加

レベル選別部は、遮蔽状態の撮像素子で撮像して得た暗黒画像データを取り込み、予め定められた閾値以下の低レベル画素を、この暗黒画像データから選別する。 - 特許庁

In addition, a desired threshold can be maintained by measuring the impurity concentration in the channel region by using a dummy element and adjusting the back gate voltage based on the measured value of the impurity concentration.例文帳に追加

さらに、ダミー素子を用いてチャネル領域の不純物濃度を測定し、その測定値に基づいてバックゲート電圧を調節することにより所望のしきい値を維持することができる。 - 特許庁

As shown in (Fig.a), channel ions are implanted in a semiconductor substrate 11 enclosed with an element isolation insulation film 12 for obtaining a desired threshold (13), thereby forming a gate oxide film 14.例文帳に追加

（ａ）に示されるように、素子分離絶縁膜１２に囲まれた半導体基板１１に所望のしきい値を得るためのチャネルイオン注入を行い（１３）、ゲート酸化膜１４を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting element using such a III-V nitride compound semiconductor that can reduce the threshold current density by hardly raising the operating voltage.例文帳に追加

動作電圧をほとんど上昇させることなく、閾値電流密度を低減することのできる窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いた半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

Further, the control unit 11, if the change amount of the Hall element 7 exceeds the threshold value, and this change has been maintained over a predetermined length of time, determines that intrusion into the vehicle 1 is present.例文帳に追加

また制御部１１は、ホール素子７の変化量が閾値を超え、且つ、この変化が所定時間に亘って維持された場合に、車輌１内への侵入有りと判定する。 - 特許庁

To provide a voltage nonlinear resistor element with excellent thermal stability whose threshold voltage in voltage-current characteristics is hard to vary by heat, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

電圧−電流特性における立ち上がり電圧が熱によって変動しにくい熱安定性に優れた電圧非直線性抵抗素子及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

A controller (determining means) 41 is also provided that determines such that the liquid level of the carrier liquid is at a predetermined position, when the voltage output value of the piezo-electric element 39 is not smaller than the threshold.例文帳に追加

又、前記圧電素子３９の電圧出力値が閾値以上である場合にキャリア液の液面が所定位置にあると判断するコントローラ（判断手段）４１を設ける。 - 特許庁

To realize a longer lifetime by improving a crystallinity of a GaN layer downward of an optical waveguide and serving as a reflection film in a mask layer, to reduce the threshold of light emission of a nitride semiconductor light-emitting element.例文帳に追加

光導波路下方のＧａＮ層の結晶性をさらに向上させ、またマスク層に反射膜の機能を持たせて素子発光の閾値を下げ、これにより長寿命を実現する。 - 特許庁

To provide a surface-emitting laser that can be reduced in element resistance and threshold current and can be properly integrated with another device by removing its substrate, and to provide a method of manufacturing the laser.例文帳に追加

素子抵抗が小さくでき、低しきい値電流にでき、かつ、基板除去が可能で他のデバイスとの集積化に優れた面発光レーザ装置、およびその製造方法である。 - 特許庁

To provide a liquid crystal containing composition such that the variation in the threshold voltage for mutual transition in alignment is suppressed, even if the temperature varies, and to provide a liquid crystal display element that uses the same.例文帳に追加

温度が変化しても、配向を相互遷移させるしきい電圧の変動が抑制された液晶含有組成物、及びそれを用いた液晶表示素子を提供すること。 - 特許庁

To provide constitution in which an input signal can be deterred from decreasing in gain for a pixel circuit with an added function of compensating characteristic variation of a load element and threshold voltage variation of a transistor.例文帳に追加

負荷素子の特性変動及びトランジスタの閾電圧変動に対する補償機能を付加した画素回路において、入力信号のゲインの低下を抑制可能な構成を提供する。 - 特許庁

The cell voltage detection circuit detects reduction in an output voltage of a lithium cell 11 by comparing the output voltage with a threshold (voltage detection level) of a voltage detection element 13.例文帳に追加

電池電圧検出回路は、リチウム電池１１の出力電圧の低下を、その出力電圧を電圧検出素子１３の閾値（電圧検出レベル）と比較することで検出する。 - 特許庁

Once the change of a current exceeding some level is detected or a voltage level exceeds a threshold, the protecting circuit interrupts current flowing through a heater element 3 for a previously set period.例文帳に追加

一旦、あるレベルを超える電流の変化が検出され、又は、電圧レベルがしきい値を超えると、保護回路は、ヒータ要素（３）に流れる電流を予め設定された期間遮断する。 - 特許庁

Thereby even when the threshold values of the TFTs 106 are fluctuated in respective pixels, the fluctuation is offset by the thresholds of the TFTs 105 and a required drain current can be supplied to an EL element 109.例文帳に追加

これにより、ＴＦＴ１０６のしきい値が画素ごとにばらついても、ＴＦＴ１０５のしきい値で相殺され、所望のドレイン電流をＥＬ素子１０９に供給することが出来る。 - 特許庁

In the operation process, a current obtained by compensating the influence of dispersion in the threshold voltage of the first transistor can be supplied to the light-emitting element and the dispersion of luminance can be suppressed.例文帳に追加

この動作過程により、発光素子に第１のトランジスタの閾値電圧のばらつきの影響を補償した電流を供給することができ、輝度のばらつきを抑えることができる。 - 特許庁

To provide a method of forming an element isolation film of a semiconductor device capable of improving a cycling threshold voltage shift and of preventing an overhang formed in an upper region of a trench.例文帳に追加

サイクリングしきい電圧シフトを改善し、且つトレンチの上部領域に形成されたオーバーハングを防止することが可能な、半導体素子の素子分離膜形成方法の提供。 - 特許庁

An element with an low threshold voltage characteristics is used for a circuit block B102 whose circuit scale is large and which is required to operate as required, thereby supplying a low power source voltage B152.例文帳に追加

回路規模が大きく、必要なときのみ動作させる回路ブロックＢ１０２に対しては、低い閾値電圧特性を有する素子を使用し、低い電源電圧Ｂ１５２を供給する。 - 特許庁

A second resistor R5 connected in series with the second switching element Q6 generates a voltage proportional to the load current, and detects the overcurrent by comparing the voltage with the threshold voltage.例文帳に追加

第２のスイッチング素子Ｑ６に直列に接続した第２の抵抗Ｒ５にて負荷電流に比例した電圧を生成し、前記しきい値電圧と比較して過電流を検出する。 - 特許庁

The threshold value Vref is set to about 4 V more on the light shielding potential side than the intermediate level 2.5 of the variation range 0-5 V of the almost sine wave signals outputted from the light receiving element.例文帳に追加

上記のしきい値Ｖｒｅｆは、受光素子から出力される略正弦波信号の変化範囲０〜５Ｖの中間レベル２．５よりも遮光電位側の約４Ｖに設定されている。 - 特許庁

The variable resistance element, in the case where the output level detected by the detector circuit is smaller than a threshold value, changes an equivalent resistance value of an output side seen from the electromechanical transducer to a negative.例文帳に追加

可変抵抗要素は、検出回路により検出された出力レベルがしきい値より小さい場合に、電気機械変換器から見た出力側の等価抵抗値を負に転じる。 - 特許庁

Since the oxide semiconductor element has the gate insulation layer having the recess structure, various electric characteristics such as charge mobility, threshold voltage distribution, and operation current can be improved.例文帳に追加

酸化物半導体素子がリセス構造を有するゲート絶縁層を具備することによって、電荷移動度、閾値電圧分布、動作電流などの多様な電気的特性を向上させることができる。 - 特許庁

The control section 300 measures the dosage of ultraviolet rays, based on a UV detection voltage signal from the UV sensor element 101 when the determination value reaches the threshold enabling measurement of ultraviolet rays.例文帳に追加

制御部３００は、判断値が紫外線測定可能閾値に達していればＵＶセンサ素子１０１からのＵＶ検知電圧信号に基づいて紫外線照射量を測定する。 - 特許庁

To enable the production of a semiconductor device having a low threshold voltage P channel MOS transistor having a metallic gate electrode without deteriorating the characteristics of the element.例文帳に追加

素子特性を劣化させることなく、しきい値電圧の低い、金属のゲート電極を有するＰチャネルＭＯＳトランジスタを備えた半導体装置を製造することを可能にする。 - 特許庁

Consequently, the controllability of the threshold voltage is improved and the power-supply voltage can be reduced and the nonvolatile semiconductor storage element capable of reducing a consumption power can be obtained.例文帳に追加

その結果としてしきい値電圧の制御性を向上させ、低電源電圧化の可能な、その結果として低消費電力化の可能な不揮発性半導体記憶素子を得ることができる。 - 特許庁

To reduce a threshold current density in a short wavelength semiconductor laser using a nitride compound semiconductor, relating to a semiconductor laser, a semiconductor light emitting element, and a method for manufacturing it.例文帳に追加

半導体レーザ、半導体発光素子、及び、その製造方法に関し、ナイトライド系化合物半導体を用いた短波長半導体レーザのしきい値電流密度を低減する。 - 特許庁

When a ratio of the number of the body tie type element is small, process conditions are regulated so that threshold values of the body tie type and the floating body type become equivalent, and a circuit operation stopping voltage is lowered.例文帳に追加

ボディタイ型の素子数の割合が小さい場合、ボディタイ型とフローティングボディ型の閾値が同等となるようにプロセス条件を調整して回路動作停止電圧を下げる。 - 特許庁

Thus, the gate voltage of the drive transistor Tdr is set up matching the voltage Vdata and the threshold voltage Vth, and the electro-optical element E is driven to the gradation matching the voltage thus set up.例文帳に追加

これによって駆動トランジスタＴdrのゲートは電位Ｖdataと閾値電圧Ｖthとに応じた電位に設定され、電気光学素子Ｅはこの設定後の電位に応じた階調に駆動される。 - 特許庁

A level shifting element (PQ10) for adjusting a voltage level of a word line (WL) at the time of being selected according to the change in a threshold voltage of a memory cell transistor is provided correspondingly to each of the word lines.例文帳に追加

ワード線（ＷＬ）の選択時の電圧レベルを、メモリセルトランジスタのしきい値電圧の変動に応じて調整するレベルシフト素子（ＰＱ１０）を各ワード線に対応して設ける。 - 特許庁

To prevent generation of nonconformity of an irregularity in the threshold voltages of MISFETs within the surface of a wafer in a semiconductor device of a structure, wherein element isolation grooves are formed in the wafer using a chemical and mechanical polishing method.例文帳に追加

化学機械研磨法を用いて素子分離溝を形成する半導体装置において、ＭＩＳＦＥＴのしきい値電圧がウエハ面内でばらつく不具合を防止する。 - 特許庁

This communication element 31 consists of a queue 31a, a parameter detection section 31b, a congestion decision threshold determination section 31c, a congestion determination section 31d, and an EFCI bit setting section 31e.例文帳に追加

通信要素３１は、キュー３１ａ、パラメータ検出部３１ｂ、輻輳判定しきい値決定部３１ｃ、輻輳判定部３１ｄ、ＥＦＣＩビット設定部３１ｅで構成される。 - 特許庁

To provide a microwave amplifier by which a variation in the threshold voltage of a field-effect element can be suppressed by changing the structure of a spiral inductor element and can be also suppressed by changing the structure of a capacitor element using a wiring layer as a lower electrode and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

スパイラルインダクタ素子の構造を変更することで、電界効果素子のしきい値電圧の変動を抑え、また、配線層を下部電極として用いるキャパシタ素子の構造を変更して、同様に、電界効果素子のしきい値電圧の変動を抑えることを可能とする、マイクロ波増幅装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The magnetic free layer 11-1 of the first magneto-resistance effect element MTJ1 makes magnetization vibrations at a frequency depending upon magnetization directions of residual magnetization of the magnetic free layer 11-2 and magnetic pinned layer 12-2 of the second magneto-resistance effect element MTJ2, when the larger current than the vibration threshold current is caused to flow to the first magneto-resistance effect element MTJ1.例文帳に追加

第一磁気抵抗効果素子MTJ１の磁気フリー層１１−１は、第一磁気抵抗効果素子MTJ１に発振閾値電流よりも大きい電流を流したときに、第二磁気抵抗効果素子MTJ２の磁気フリー層１１−２と磁気ピンド層１２−２との残留磁化の磁化方向に依存した周波数で磁化振動する。 - 特許庁

The picture processing steps are provided with a high-luminance picture element extracting step S4 which extracts a picture element having a luminance in a picture higher than a predetermined threshold, and steps S5 and S6 for judging breakage which judge that a breakage occurred at a position corresponding to a high-luminance picture element area when a high-luminance element is extracted in the step S4.例文帳に追加

そして、画像処理工程は、画像中に予め定められたしきい値以上の輝度を有する画素を抽出する高輝度画素抽出工程Ｓ４と、この高輝度画素抽出工程Ｓ４にて高輝度画素が抽出されたときには当該高輝度画素領域に対応する位置にて欠けが生じたと判定する欠け判定工程Ｓ５，Ｓ６とを備えた。 - 特許庁

To provide a chiral dopant which can induce a large spontaneous polarization in a small amount, to provide a liquid crystal composition containing the dopant, to provide a liquid crystal element using the composition, to provide a uni-dimensional periodic photonic crystal, and to provide a low threshold laser oscillation element.例文帳に追加

少量の添加で大きい自発分極を誘起することができるカイラルドーパント、該ドーパントを含有してなる液晶組成物、該組成物を用いて構成される液晶素子、一次元周期フォトニック結晶及び低閾レーザー発振素子を提供する。 - 特許庁

Then, the sum of the absolute values of the threshold voltage of the first semiconductor switching element 42 constituting the amplifier 30 and the second semiconductor switching element 52 is set to be a value equal to or larger than the absolute value of a potential difference between the first potential and the second potential.例文帳に追加

そして、信号反転増幅器３０を構成する第１の半導体スイッチング素子４２と、第２の半導体スイッチング素子５２のスレッシュホールド電圧の絶対値の和が、前記第１の電位および第２の電位の電位差の絶対値以上の値に設定されている。 - 特許庁

To provide a method of correcting the threshold voltage of a semiconductor element or semiconductor device and determining the quality of the semiconductor element or semiconductor device in the middle of manufacturing, and thereby improving the yield of a finished product and achieving reduction in manufacturing cost.例文帳に追加

半導体素子又は半導体装置の閾値電圧を補正し、かつ製造の途中で該半導体素子又は半導体装置の良否を判別することによって、完成品の歩留まりを向上させ、製造コストの低減を実現する方法を提供する。 - 特許庁