「threshold element」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a flash memory element and program method in which, in a program operation of a multi-level-tip, different voltages corresponding to voltage differences from the threshold voltages are applied to bit lines and program operations having different threshold voltage value sections are simultaneously performed to reduce the program operation frequency and to shorten the program operation time.例文帳に追加

マルチレベルチップのプログラム動作において、ビット線にしきい値電圧との電圧差に相当する異なる電圧を印加し、異なるしきい電圧値区間を有するプログラム動作を同時実行してプログラム動作回数を減らし、プログラム動作時間を短く減らすフラッシュメモリ素子とプログラム方法を提供する。 - 特許庁

The ON resistance (R_ON) of an element is maintained small and withstand voltage thereof is maintained higher by giving a distortion characteristic to lower the threshold voltage to an insulating film formed between source and gate electrodes, and also giving a distortion characteristic to raise the threshold voltage to an insulating film 7 formed between drain and gate electrodes.例文帳に追加

ソース電極−ゲート電極間に形成される絶縁膜にしきい値電圧を低くするような歪み特性を持たせ、ドレイン電極−ゲート電極間に形成される絶縁膜７にきい値電圧を高くするような歪み特性を持たせることで、素子のオン抵抗（Ｒ_ＯＮ）を小さく、耐圧を高く保つ。 - 特許庁

The number of packet counted here is compared with a threshold stored in a data base 14 by a manager function part 13, and when the number exceeds the threshold, a control command (automatic report transmission suppression command) for suppressing transfer of the management system data is transmitted to the object network element via a communicating part 11.例文帳に追加

ここでカウントされたパケット数とデータベース１４に蓄積されている閾値とをマネージャ機能部１３にて比較判定し、閾値を超えている場合には、対象となるネットワークエレメントに対して通信部１１を介して管理系データの転送を抑制する制御コマンド（自動報告送信抑制コマンド）を送出する。 - 特許庁

When the PMOS transistor 421 operates to output the write-scan signal WS, the voltage held in the capacity element C and the threshold voltage V_th of the PMOS transistor 421 are canceled each other, and the variation of the length of the mobility correction period caused by the variation of the threshold voltage V_th is corrected.例文帳に追加

これにより、書込み走査信号ＷＳを出力すべくＰＭＯＳトランジスタ４２１が動作する際に、容量素子Ｃに保持された電圧とＰＭＯＳトランジスタ４２１の閾値電圧Ｖ_thとが相殺され、当該閾値電圧Ｖ_thのばらつきに起因する移動度補正期間の長さのばらつきが補正される。 - 特許庁

When a PHS base station CS12 detects data communication from an information element of an information transmission capability included in a setup message from a PHS mobile station PS14, the FER threshold is selected lower than that of a conventional method and the PHS base station CS12 informs the PHS mobile station PS14 about a channel switching FER threshold included in a definition information reply.例文帳に追加

ＰＨＳ基地局ＣＳ１２は、ＰＨＳ移動局ＰＳ１４からの呼設定に含まれる情報転送能力の情報要素から、データ通信であることを検知すると、従来よりＦＥＲ閾値を低くし、ＰＨＳ移動局ＰＳ１４へ定義情報応答に含まれたチャネル切替ＦＥＲ閾値で通知する。 - 特許庁

This tester is equipped with a switching element 21 for temporarily short-circuiting measurement terminals 4 when a terminal voltage between the measurement terminals 4 for thereto connecting an apparatus under measurement exceeds a threshold, and a filtering circuit 23 for limiting the terminal voltage between the measurement terminals 4 to or less than a threshold by absorbing a surge voltage arising from a switching motion.例文帳に追加

被測定機器を接続する測定端子４間の端子電圧が閾値を越えたときに、測定端子４間を一時的に短絡するスイッチング素子２１と、スイッチング動作により発生したサージ電圧を吸収して、測定端子４間の端子電圧を閾値以下に制限するろ波回路２３とを備える。 - 特許庁

To provide a display device and a drive method of the display device, which is applied to, for example, an active matrix type display device using an organic EL element, and thereby, to accurately correct variations in the threshold voltage of a drive transistor, even when the variation in the threshold voltage of the drive transistor is corrected, divided into a plurality of times.例文帳に追加

本発明は、表示装置及び表示装置の駆動方法に関し、例えば有機ＥＬ素子によるアクティブマトリックス型の表示装置に適用して、複数回に分けて駆動トランジスタのしきい値電圧のばらつきを補正する場合でも、正しく駆動トランジスタのしきい値電圧のばらつきを補正することができるようにする。 - 特許庁

A corresponding picture element size is found based on the calculated distance upto the image of the determination object and a threshold value of height in a marine vessel of an extraction object, and the found picture element size is compared with a predetermined picture element size to determine wether the image of the determination object is that of the marine vessel of the extraction object or not.例文帳に追加

そして、算出された判別の対象となる画像までの距離と、抽出の対象となる船舶の高さの閾値とから対応する画素サイズを求め、求められた画素サイズと、予め決定された画素サイズとを比較することにより、前記判別の対象となる画像が抽出の対象となる船舶であるか否かを決定する。 - 特許庁

When the data embedded in the voice code are extracted, the 1st element code among the element codes constituting the voice code and the threshold are used to judge whether the data embedding condition is met and when so, it is judged that the arbitrary data are embedded in the 2nd element code part of the voice code, thereby extracting the embedded data.例文帳に追加

音声符号に埋め込まれているデータを抽出する際、音声符号を構成する要素符号のうち第1要素符号と閾値を用いてデータ埋め込み条件が満たされているか判断し、満たされている場合には、音声符号の第2要素符号部分に任意のデータが埋め込まれていると判断して該埋め込みデータを抽出する。 - 特許庁

An inspection method of an optical semiconductor element includes steps of: driving an optical semiconductor element 2 which is an inspected target with a current smaller than a threshold current of the optical semiconductor element 2 to generate incoherent light; acquiring a light emitting image by observing the light with an emission microscope 10; and analyzing a defective state from the light emitting image.例文帳に追加

光半導体素子の検査方法は、検査対象である光半導体素子２を該光半導体素子２のしきい値電流より低い電流で駆動して、インコヒーレントな光を発生させる工程と、前記光をエミッション顕微鏡１０で観察することにより発光像を得る工程と、前記発光像から不良状態を解析する工程と、を含む。 - 特許庁

In particular, the control part includes bias circuits 24, 25 which superpose a bias voltage changing continuously in each frame on the video signal and supplies them to the gate of the driving transistor element and sets the ratio of the conduction period and the non-conduction period of the driving transistor element by the transition of a gate-to-source voltage with respect to the threshold voltage of the driving transistor element.例文帳に追加

特に、この制御部は各フレーム期間において連続的に変化するバイアス電圧を映像信号に重畳して駆動トランジスタ素子のゲートに供給し、この駆動トランジスタ素子のスレッショルド電圧に対するゲート・ソース間電圧の遷移により駆動トランジスタ素子の導通期間および非導通期間の比率を設定するバイアス回路２５，２４を含む。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element and a manufacturing method therefor which laser element is adapted to prevent oscillation laser beams from leaking out to an electrode formed above an active layer to offer high oscillation efficiency, to enable low power consumption (low threshold current) operation, and to reduce manufacturing costs.例文帳に追加

活性層の上方に設けられた電極に、発振レーザ光が漏れないようにすることによって、高い発振効率を有し、低消費電力（低閾値電流）動作が可能であり、製造コストを低減可能な半導体レーザ素子とその製造方法を提供する。 - 特許庁

The low current detection section 20 includes: a second resistive element 28 having a large resistance value for current detection in the low current range; a bypass transistor 26; and an operational amplifier 24 for controlling a voltage across the second resistive element 28 to a reference voltage 22 serving as a threshold voltage.例文帳に追加

小電流検出部２０は、小電流範囲の電流検出用に大抵抗値を有する第２抵抗素子２８と、バイパストランジスタ２６と、第２抵抗素子２８の両端子間電圧を閾値電圧である基準電圧２２となるように制御する作動増幅器２４を含んで構成される。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a p-type semiconductor element with which the surface of a polysilicon layer can be oxidized selectively and, in addition, can suppress the threshold voltage fluctuation of a semiconductor element caused by post-oxidation as much as possible, when the post- oxidation is performed on a gate electrode having a polymetal structure.例文帳に追加

ポリメタル構造を有するゲート電極に対する後酸化を行うとき、ポリシリコン層の表面を選択的に酸化することができ、しかも、後酸化に起因した半導体素子の閾値電圧の変動を出来る限り抑制し得るｐ形半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

As a means for detecting the azimuth using a plurality of MI elements in the present invention, the MI element 1 detects the external magnetic field Hex 1 when the external magnetic field is the Hex 1, an output voltage 1 thereof exceeds a threshold value VTH, the MI element 1 turned on, and the others are turned off.例文帳に追加

本発明は、複数のＭＩ素子を用いて、方位を検出する手段として、外部磁界が、Ｈｅｘ１の場合、ＭＩ素子１が外部磁界Ｈｅｘ１を検出し、その出力電圧１がしきい値電圧Ｖ_ＴＨを越え、ＭＩ素子１は、ＯＮで、他は、ＯＦＦになる。 - 特許庁

In a display device that includes a monitoring unit comprising an N-type transistor and an organic EL element thereon and a displaying unit comprising an N-type transistor and an organic EL element thereon, the monitoring unit detects threshold voltages of the N-type transistor at the gradation of black and the gradation of white, respectively.例文帳に追加

Ｎ型トランジスタ及び有機ＥＬ素子を有するモニタ部と、Ｎ型トランジスタ及び有機ＥＬ素子を有する表示部と、を具備する表示装置において、モニタ部において、黒の階調及び白の階調におけるＮ型トランジスタの閾値電圧を、それぞれ検出する。 - 特許庁

A unit circuit U includes a driving transistor Td which has a gate, the electrooptical element 11 which is driven according to a conduction state of the driving transistor Td, a capacity element C1 which has an electrode E1 and an electrode E2, and a transistor for compensation whose threshold voltage Vth nearly matches that of the driving transistor Td.例文帳に追加

単位回路Ｕは、ゲートを有する駆動トランジスタＴdと、駆動トランジスタＴdの導通状態に応じて駆動される電気光学素子１１と、電極Ｅ1と電極Ｅ2とを有する容量素子Ｃ1と、閾値電圧Ｖthが駆動トランジスタＴdと略一致する補償用トランジスタＴcとを含む。 - 特許庁

The magneto-sensitive element 131-1 outputs the voltage Vm1 representing the intensity of the magnetic field generated by the motion of the magnet of the moving body, the comparator 132-1 compares the voltage Vm1 outputted by the magneto-sensitive element 131-1 with the threshold voltage Vth and outputs the signal representing the results of the comparison to the operation part 122.例文帳に追加

磁気感応素子１３１−１は、移動体の磁石により生じた磁界の強さを示す電圧Vm1を出力し、比較器１３２−１は、磁気感応素子１３１−１が出力した電圧Vm1と、閾値である電圧Vthとを比較し、比較の結果を示す信号を演算部１２２に供給する。 - 特許庁

In an active drive multi-pixel indicating device which retains a driving current by a capacitor between gate sources of a transistor connected in series to a light emitting element, the control signal or the components for each pixels are reduced by the employment of an MIM (Metal Insulator Metal) element or a transistor with a high threshold voltage or the constitution of a circuit.例文帳に追加

発光素子に直列に接続するトランジスタのゲート・ソース間のコンデンサで駆動電流を保持するアクティブ駆動の多画素表示装置において、ＭＩＭ素子やスレッシュ電圧の高いトランジスタの使用や、回路構成により、画素毎の制御信号や部品を削減する。 - 特許庁

To efficiently provide a liquid crystal display element which does not give rise to the cell gap unevenness arising near a liquid crystal injection port, the unevenness of the threshold voltage arising at the traces of flow of liquid crystals and the display unevenness, etc., of the liquid crystal display element occurring in the movement of a cell gap holding material and has an excellent displaying quality.例文帳に追加

液晶注入口付近に生じるセルギャップムラ、液晶の流れ跡に発生するしきい値電圧のムラ、および、セルギャップ保持材の移動に起因する液晶表示素子の表示ムラ等の問題を有せず、良好な表示品質を持つ液晶表示素子を、効率的に提供する。 - 特許庁

To prevent display unevenness and deterioration of uniformity due to a variation in a threshold voltage of a light emitting element in an active matrix display device by means of an organic EL element, for example, with respect to a display device, a driving method of the SAME and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

本発明は、表示装置、表示装置の駆動方法及び表示装置の製造方法に関し、例えば有機ＥＬ素子によるアクティブマトリックス型の表示装置に適用して、発光素子のしきい値電圧のばらつきによる表示ムラ、ユニフォミティの劣化を防止する。 - 特許庁

To provide the forming method of semiconductor element, which is capable of preventing the change of threshold voltage of a gate due to TED by effecting the forming process of the semiconductor element while utilizing the optimal temperature and an oxidized film substance which are capable of preventing the diffusion of channel ion.例文帳に追加

チャンネルイオンの拡散を防止することができる最適の温度及び酸化膜物質を利用して半導体素子の形成工程を行うことにより、ＴＥＤによるゲートのしきい値電圧の変化を防止することができる半導体素子の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element, along with its manufacturing method, capable of eliminating the effect of degradation of crystal that occurs in an epitaxial layer by a simple method, for improved throughput as well as stable characteristics such as threshold value current, slope efficiency, and element life.例文帳に追加

簡便な方法により、エピタキシャル層に生じる結晶悪化の影響を排除することができるためスループットが向上するとともに、しきい値電流、スロープ効率、および素子寿命等の特性が安定した半導体レーザ素子の製造方法および半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

The sensor module may amplify the electrical signal from one sensing element of the at least one sensing element and generate an amplified signal (22), compare the amplified signal with a threshold and generate a comparing result (84), and generate a digital signal based on the comparing result (86).例文帳に追加

センサモジュールは、少なくとも１つの検知素子の中の１つの検知素子からの電気信号を増幅して増幅信号を生成し（２２）、この増幅信号を閾値と比較して比較結果を生成し（８４）、この比較結果に基づいてデジタル信号を生成する（８６）ことができる。 - 特許庁

A nonvolatile semiconductor memory has an auxiliary transistor Q5 to change the potential of the data line DL close to the theoretical threshold voltage of a sense amplifier by extracting current from the data line DL just like a memory element MQ when extracting electric current from a pre-charged data line DL through the selected memory element MQ.例文帳に追加

プリチャージされたデータ線ＤＬから選択されたメモリ素子ＭＱを介して電流を引き抜く際に、このメモリ素子ＭＱと同様にデータ線ＤＬから電流を引き抜いてデータ線ＤＬの電位をセンスアンプの論理閾値電圧に近づく方へ変位させる補助トランジスタＱ５を備える。 - 特許庁

The unit circuit U includes a drive transistor Tdr (threshold voltage Vth_TR) which becomes a conduction state according to gate voltage Vg, an electro-optical element 11 which is driven according to the conduction state of the drive transistor Tdr and a capacitive element C interposed between a gate of the drive transistor Tdr and a voltage supply line 17.例文帳に追加

単位回路Ｕは、ゲート電圧Ｖgに応じた導通状態となる駆動トランジスタＴdr（閾値電圧Ｖth_TR）と、駆動トランジスタＴdrの導通状態に応じて駆動される電気光学素子１１と、駆動トランジスタＴdrのゲートと電圧供給線１７との間に介在する容量素子Ｃとを含む。 - 特許庁

A control part 10 controlling ON/OFF of the semiconductor switch element 5 has: a current detection means 14 detecting current of the semiconductor switch element 5; and a decision means 15 stopping operation of a drive part 12 when an output signal of the current detection means 14 exceeds a prescribed threshold value.例文帳に追加

半導体スイッチ素子５のオンオフを制御する制御部１０が、半導体スイッチ素子５の電流を検出する電流検出手段１４と、電流検出手段１４の出力信号が所定の閾値を超えると駆動部１２の動作を停止する判定手段１５とを有するものである。 - 特許庁

A saturation detection section 21 detects that a current flowing through an element P3 connected to an element N1 of diode connection reached a prescribed threshold current or below in a current mirror circuit consisting of elements N1, N2 which are a load of a differential pair consisting of elements P3, P4.例文帳に追加

差動対を構成する素子（Ｐ３，Ｐ４）の内、差動対の負荷であるカレントミラー回路（Ｎ１，Ｎ２）のなかでダイオード接続された素子Ｎ１が接続される素子Ｐ３を流れる電流が所定の閾値電流以下となったことが飽和検出部２１によって検出される。 - 特許庁

To protect these drive circuits from the load damp surge, the line LH on the high potential side is provided with a switching element 70, and the switching element 70 is switched off by a voltage detecting circuit 80 by a voltage of the line LH on the high potential side to the line LL on the low potential side which reaches a threshold voltage or higher.例文帳に追加

これら駆動回路をロードダンプサージから保護すべく、高電位側ラインＬＨにはスイッチング素子７０が設けられ且つ、スイッチング素子７０は、低電位側ラインＬＬに対する高電位側ラインＬＨの電圧が閾値電圧以上となることで電圧検出回路８０によってオフされる。 - 特許庁

This image fetching function-equipped display device has: a pixel area 1 having a plurality of pixels; a photosensor element 2 provided in each the pixel; and a microcomputer 3 comparing largeness of a threshold value and largeness of a decision target value based on multi-gradation data in each the pixel corresponding to intensity of light received by the photosensor element 2 to perform the binary decision.例文帳に追加

画素を複数備えた画素領域１と、画素毎に設けられた光センサ素子２と、光センサ素子２で受けた光の強度に対応する画素ごとの多階調データに基づく判定対象値と閾値とを大小比較して２値判定するマイクロコンピュータ３とを備える。 - 特許庁

A concentration difference of corresponding picture elements in a deformed image of the instruction image and the inspection image is found based on the found conversion parameter, and the picture element of which the concentration difference exceeds a preset threshold value is extracted (S8,S9).例文帳に追加

求めた変換パラメータにより教示画像を変形させた画像と検査画像との対応画素の濃度差を求めるとともに濃度差があらかじめ設定してある閾値を超える画素を抽出する（Ｓ８、Ｓ９）。 - 特許庁

The reference potential setting section sets potential of a low-potential-side terminal that the power storage element includes to be second reference potential higher than first reference potential from the first reference potential when the potential of the analog signal is higher than a threshold.例文帳に追加

基準電位設定部は、アナログ信号の電位が閾値よりも高い場合に、蓄電素子が有する低電位側端子の電位を、第１基準電位から第１基準電位よりも高い第２基準電位に設定する。 - 特許庁

The differential output is binarized, by comparing the differential output of the mid-point electric potential (Va, Vb) of the magnetoresistive element pairs (1, 2) by a first comparator 4, in which a first threshold voltage Vth1 is set.例文帳に追加

各磁気抵抗素子対（１、２）の中点電位（Ｖａ、Ｖｂ）の差動出力を第１の閾値電圧Ｖｔｈ１が設定された第１の比較器４により比較することによって差動出力は２値化される。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting element in which a lowering in recombination probability of electron and hole due to piezoelectric effect can be suppressed without causing such a problem as a lowering in response or an increase in threshold current density.例文帳に追加

応答速度の低下や閾値電流密度の増加などの問題点を発生させることなく、ピエゾ効果による電子−正孔の再結合確率の低下を抑制することが可能な半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

After an increase in the engagement force, when the difference ΔN (2) between rotational frequencies of the front and rear wheels after down-shift exceeds the threshold B (No in S118), the friction engagement element is shifted from the engaged state to the half-engaged state again.例文帳に追加

係合力を増加した後、ダウンシフト後の前後輪の回転数差ΔＮ（２）がしきい値Ｂより大きいと（Ｓ１１８にてＮＯ）、摩擦係合要素が再度係合状態から半係合状態にされる。 - 特許庁

In this case, over a predetermined period T, an electricity quantity (e) applied to the piezoelectric element along with the periodic on-off operation is monitored to restrict the monitored electricity quantity not to exceed a predetermined threshold value Ith.例文帳に追加

ただし、この際、所定期間Ｔにわたって、周期的なオン・オフ操作に伴うピエゾ素子への通電量（図５（ｅ））を監視し、監視される通電量が所定の閾値Ｉｔｈを上回らないように制限する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory element capable of solving the problem of an over erase even without an individual test time for sensing the overerased cell and an additional circuit for increasing the threshold voltage of the overerased cell.例文帳に追加

過消去されたセルを検出するための別途のテスト時間や、過消去されたセルのしきい値電圧を上がるための追加回路がなくても、過消去の問題を解決できる不揮発性メモリ素子を提供する。 - 特許庁

When the saturation detection section 21 detects the state of the current flowing to the element P3 reaching the threshold current or below, a logic synthesis section 22 fixes an output CMPOUT to a prescribed logic level, independently of the output of an operational amplifier section 20.例文帳に追加

飽和検出部で閾値電流以下となったことが検出されたときには、出力ＣＭＰＯＵＴは演算増幅部２０の出力に係わらず論理合成部２２において所定の論理レベルに固定される。 - 特許庁

The carbon element is bonded to Si to be positive fixed charge, and the positive charge increases carrier concentration of the n-type diffusion layer 7, thereby the cell current is increased without varying a threshold of a transistor.例文帳に追加

この炭素元素は、Ｓｉと結合して正の固定電荷となっており、この正電荷によりｎ型拡散層７のキャリア濃度を高め、トランジスタのしきい値を変動させること無く、セル電流を増大させる。 - 特許庁

To detect and correct the mobility of a threshold voltage with high accuracy by means of a simpler configuration in a pixel circuit which causes a light-emitting element to emit light by passing a driving current by means of a driving transistor.例文帳に追加

駆動用トランジスタにより駆動電流を流すことによって発光素子を発光させる画素回路において、より簡略な画素回路の構成で高精度な閾値電圧および移動度の検出、補正を行なう。 - 特許庁

By this arrangement, the rise of the temperature caused by a loss generated at the switching of the switching element 34 can be reduced, and as a result, the temperature Tb of the FIECU 16 can be held at a temperature lower than the temperature threshold.例文帳に追加

これにより、スイッチング素子３４のスイッチング時に発生する損失による温度上昇を低減させることができ、結果としてＦＩＥＣＵ１６の温度Ｔｂを温度閾値より低い温度に保持できる。 - 特許庁

To provide a reading operation method of a non-volatile element, which suppresses channel boosting and hot electrons, to prevent a change in threshold voltage distribution of a memory cell, at reading operation.例文帳に追加

読出動作の際、チャンネルブスティングの発生を抑制し、ホットエレックトロンの発生を防止し、これによりメモリセルのしきい値電圧分布の変化を防止することができる不揮発性素子の読出動作方法を提供する。 - 特許庁

To provide a highly reliable and inexpensive semiconductor laser element which performs high power output operation with a low threshold current in a simple configuration, to provide a manufacturing method thereof, to provide an optical disk apparatus, and to provide an optical transmission system.例文帳に追加

簡単な構成で低閾値電流で高出力動作ができると共に、信頼性が高く低コストな半導体レーザ素子とその製造方法および光ディスク装置および光伝送システムを提供する。 - 特許庁

In an initialization period, transistors 211 and 212 are turned on to hold both ends of a capacitor element shorted and the voltage obtained by subtracting the threshold voltage V_thp of the driving transistor 210 from a power source voltage V_EL is held at nodes A and B.例文帳に追加

初期化期間では、トランジスタ２１１、２１２をオンさせ、容量素子の両端を短絡した状態にして、ノードＡ、Ｂに、電源電圧Ｖ_ELから駆動トランジスタ２１０のしきい値電圧Ｖ_thpを差し引いた電圧とさせる。 - 特許庁

In a group III nitride semiconductor laser element 11, since a laser waveguide is extended in a direction of a cross line of the m-n surface and a semi-polar surface 17a, light emission of band transition, which enables a low threshold current, can be utilized.例文帳に追加

III族窒化物半導体レーザ素子１１では、レーザ導波路ｍ−ｎ面と半極性面１７ａとの交差線の方向に延在するので、低しきい値電流を可能にするバンド遷移の発光を利用できる。 - 特許庁