「threshold element」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

In the image forming apparatus, an operation member for operating the place which is dangerous for the user to touch (hereinafter "dangerous place") is equipped with a vibrating element which vibrates when the degree of danger of the dangerous place exceeds a threshold.例文帳に追加

画像形成装置において、ユーザが接触することが危険な箇所（以下「危険箇所」と言う）を操作する操作部材に、この危険箇所の危険度が閾値を超えた場合に振動する振動素子を備える。 - 特許庁

A data is decreased to reflect the conditions that the level of the voltage between both electrodes of the capacitor element is gradually lowered by the discharge, and a trigger signal is outputted if the data becomes equal to or lower than a threshold value.例文帳に追加

キャパシタ素子の両極間における電圧のレベルが放電により次第に低下する状況を反映するように所定のデータを減少させ、データが閾値以下になったときにトリガ信号を出力する。 - 特許庁

To suppress imbalance of voltage in turned on even if a gate threshold voltage of each element has variation in a converter in which a plurality of voltage drive type semiconductor elements are connected in series to one arm.例文帳に追加

１つのアームに電圧駆動型半導体素子を複数個直列に接続した変換器で、各素子のゲートしきい値電圧にばらつきがある場合でも、ターンオン時の電圧アンバランスを抑制できるようにする。 - 特許庁

Signal decision switches M1a to Mna are used to decide whether or not detection signals V1 to Vn outputted from pixels of rows scanned and selected by an infrared ray detection element section 1 have a prescribed threshold value or over.例文帳に追加

信号判定スイッチＭ１ａ〜Ｍｎａにより、赤外線検出素子部１において走査選択された行の各画素から出力される検出信号Ｖ１〜Ｖｎが所定のしきい値以上であるか否か判定する。 - 特許庁

To provide an optical signal processing circuit and an optical signal processing method capable of generating a code division multiple signal from an original signal without using a threshold element and capable of extracting the original signal from the code division multiple signal.例文帳に追加

しきい値素子を用いることなく原信号から符号分割多重信号を作成し、符号分割多重信号から原信号を取り出すことができる光信号処理回路及びその方法を提供すること。 - 特許庁

When the temperature of the battery power source unit 4 is not higher a lower-side temperature threshold by a temperature detecting circuit, electrical energy is supplied by the battery power source unit to a heating element 5 thermally coupled with the battery power source unit.例文帳に追加

温度検出回路により、バッテリ電源ユニット４の温度が下側温度しきい値以下であれば、バッテリ電源ユニットに熱的に結合された加熱エレメント５にバッテリ電源ユニットから電気エネルギが供給される。 - 特許庁

In short, since there are roughly several hundreds of lines in plural scanning lines generally, the duty ratio of the scanning line can be also maintained roughly at one several hundredth and the threshold shift of the scanning switching element can be prevented.例文帳に追加

つまり、複数の走査線は通常は数百本あることから走査線スイッチング素子のデューティ比も略数百分の一を維持することができて、走査線スイッチング素子の閾値シフトを防止することができる。 - 特許庁

Hence, the resonator end face is smoother and flatter cleavage plane than the conventional GaN type semiconductor laser element 10, and the threshold current is also low.例文帳に追加

種結晶層４２が基準線に対して正確な方位で形成されているので、共振器端面が、従来のＧａＮ系半導体レーザ素子１０に比べて平滑で平坦な劈開面となっており、閾値電流も低い。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element wherein an oscillation threshold current and an operation current can be restrained to be low, the deterioration of differential quantum efficiency can be restrained and reliability can be improved.例文帳に追加

発振しきい値電流や動作電流を低く抑えることができ、微分量子効率の低下を抑制でき、信頼性も向上させることができる半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

When the value of supply power is equal to or lower than a preset first threshold, the power control means 2 delays the timing of switching the switching element 14 on by an integer times of the resonance period of the resonance circuit 13.例文帳に追加

電力制御手段２は、供給電力の値が予め設定された第１の閾値以下のときに、スイッチング素子１４をオンするタイミングを共振回路１３の共振周期の整数倍遅延させる。 - 特許庁

While receiving the element of the data block, the interface logic decides repeatedly a free memory capacity of the buffer memory, if the free memory capacity is lower than a prescribed threshold value, a block transfer is stopped temporarily.例文帳に追加

データ・ブロックの要素を受信している間、インタフェース・ロジックは、メモリ・バッファの空きメモリ容量を繰り返し決定し、空きメモリ容量が所定のしきい値を下回るときにブロック転送を一時的に停止する。 - 特許庁

An element threshold voltage is changed by implanting/discharging a charge in or from a body region connected to the bit line BL of two partially depleted transistors connected in series with each other in response to data.例文帳に追加

直列接続された２つの部分空乏化トランジスタのうち、ビット線ＢＬに接続されたもののボディ領域に、データに応じて電荷の注入／吐き出しを行うことによって素子しきい電圧を変動させる。 - 特許庁

When the number of defects detected reaches a predetermined value and over, 1 is subtracted from the thresholds of the threshold determination circuits 104 and 106 so as not to detect as a defect even when one different storage element is included in the storage part.例文帳に追加

ディフェクトの検出回数が所定値以上になると、記憶部の１個の記憶素子が一致しなくてもディフェクトとして検出しないように閾値判定回路１０４、１０６の閾値を１つ減算する。 - 特許庁

YUV422 (B conversion) is selected as the YUV format conversion of A or B if the information on the discrepancy between the color difference is smaller than the threshold and the conversion (A conversion) obtained by cutting off the lower rank bits of Y, U, V of each element is selected if the information is greater.例文帳に追加

Ａ又はＢのＹＵＶフォーマットの選択は、色差差異情報が閾値と比べ小の場合はＹＵＶ４２２（Ｂ変換）とし、大の場合は各画素のＹ，Ｕ，Ｖの下位ビットを削減したもの（Ａ変換）とする。 - 特許庁

To provide an optical gyro element which avoids strong locking-in phenomenon by suppressing back scattering at a light extracting part, can operate with a low oscillation threshold and has a wide allowance range of an assembly error thereof.例文帳に追加

光取り出し部での後方散乱を抑えることでロックイン現象が強く生じることを回避し、低発振しきい値で動作し、可能で素子の組立て誤差の許容範囲の広い光ジャイロ素子を提供する。 - 特許庁

Further, when a solenoid short-circuit determination timer exceeds a short-circuit determination time KTb, ECU diagnoses that the first switching element 53 is in the short-circuit state when the monitor voltage Vm is the first voltage threshold value KVd or higher.例文帳に追加

また、ＥＣＵは、ソレノイドショート判定タイマがショート判定時間ＫＴｂを超えた場合において、モニタ電圧Ｖｍが第１電圧閾値ＫＶｄ以上であったときに、第１スイッチング素子５３がショートしていると診断する。 - 特許庁

To provide a semiconductor light-emitting element, having small threshold current, high differential efficiency and satisfactory characteristics, by reducing electrons that overflow an electronic barrier to confine electrons in an active layer.例文帳に追加

活性層内に電子を閉じ込めるための電子障壁を越えてオーバーフローする電子を低減することで、しきい電流が小さく、微分効率の高い、良好な特性を備える半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

To prevent transmission conductance gm from dropping when a double-doped channel structure is employed, and further, to improve controllability of the transmission conductance gm or threshold voltage Vth, thereby improving element characteristics.例文帳に追加

ダブルドープ型のチャネル構造を採用する場合に、伝達コンダクタンスｇｍが下がらないようにし、さらに、伝達コンダクタンスｇｍ又はしきい値電圧Ｖｔｈの制御性を向上させ、ひいては素子特性を向上させる。 - 特許庁

A drive transformer 24 is connected parallel to the Zener diode 13 and is a voltage source whose maximum value is higher than the threshold voltage of the auxiliary switch element 14 while lower than a Zener voltage of the Zener diose 13.例文帳に追加

ツェナーダイオード１３と並列に接続され、電圧の最大値が補助スイッチ素子１４のスレッショルド電圧より高く、ツェナーダイオード１３のツェナー電圧よりは低い電圧源であるドライブトランス２４を備える。 - 特許庁

To provide a structure of a ridge waveguide type III group nitride compound semiconductor laser diode element capable of stabilizing a transverse horizontal mode without increasing threshold current density and operating voltage.例文帳に追加

リッジ導波路型ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体レーザダイオード素子において、閾電流密度及び動作電圧の上昇を伴うことなく水平横モードを安定化することが可能な構造を提供する。 - 特許庁

When the electron beam is applied on a screen center part, a voltage exceeding a threshold value is applied between cathode electrodes Ca5-Ca11 and extraction electrodes Ex5-Ex11 in this field emission type electron source element 10.例文帳に追加

スクリーン中央部に電子ビームを照射する場合には、電界放出型電子源素子１０における、カソード電極Ｃａ５〜Ｃａ１１と、引出し電極Ｅｘ５〜Ｅｘ１１との間で閾値を超える電圧を印加する。 - 特許庁

Then, a resistance value Rpvs of an element part 10 (to put it concretely, the oxygen concentration measuring cell 15) is compared with an abnormality threshold at the point of time when a prescribed time elapses from start of counting, to thereby diagnose existence of an abnormality of the gas sensor 1.例文帳に追加

そして、カウント開始から所定時間が経過した時点で、素子部１０（具体的には酸素濃度測定セル１５）の抵抗値Ｒｐｖｓと異常しきい値とを比較して、ガスセンサ１の異常の有無を診断する。 - 特許庁

To provide the structure of an element wherein threshold voltage can be controlled and normally-off operation can also be established in a field effect transistor having a hetero-junction structure comprised of a channel layer and a barrier layer that are made of nitride semiconductor.例文帳に追加

窒化物半導体からなるチャネル層とバリア層のヘテロ接合構造を有する電界効果トランジスタにおいて、しきい電圧の制御可能であり、ノーマリーオフ動作が可能な素子構造を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an SOI semiconductor device which does not form a parasitic MOSFET of low threshold voltage, when an electric field concentrates on a part where an gate electrode is close to a boundary between an active region and an element isolation region, in a case where an element isolation region is provided for an SOI substrate through a mesa element isolation region forming method.例文帳に追加

ＳＯＩ基板において素子分離領域を形成するためにメサ型素子分離領域形成法を採用した場合に、ゲート電極が活性領域と素子分離領域との境界部分に懸かる箇所で電界が集中する結果、閾値電圧の低い寄生ＭＯＳ ＦＥＴが形成されることが無いＳＯＩ型半導体装置を製造する方法を提供する。 - 特許庁

To surely correct variation in the threshold voltage of a drive transistor even when discharging a voltage between the terminals of held capacity in a plurality of periods via a drive transistor and correcting the variation in threshold voltage of the drive transistor, by applying an active matrix type image display device using an organic EL element, for example.例文帳に追加

本発明は、例えば有機ＥＬ素子によるアクティブマトリックス型の画像表示装置に適用して、駆動トランジスタを介して保持容量の端子間電圧を複数回の期間で放電して駆動トランジスタのしきい値電圧をばらつき補正する場合でも、駆動トランジスタのしきい値電圧のばらつきを確実に補正することができるようにする。 - 特許庁

The drive circuit 20 is so controlled that the electric energy supplied to each light emitting element P within a unit period F is less when the temperature T1 is higher than the temperature T2 and the difference value ΔT between the temperature T1 and temperature T2 exceeds a threshold TH as compared with a case when the difference value ΔT is less than the threshold TH.例文帳に追加

制御回路３０は、温度Ｔ1が温度Ｔ2よりも高温で温度Ｔ1と温度Ｔ2との差分値ΔＴが閾値ＴＨを上回る場合に、画像データに応じて単位期間Ｆ内に各発光素子Ｐに供給される電気エネルギが、差分値ΔＴが閾値ＴＨを下回る場合と比較して減少するように、駆動回路２０を制御する。 - 特許庁

Information of a controlling object for a higher frequency field beyond a threshold frequency can be obtained by means of higher harmonic frequencies of a limit cycle, and information of a controlling object for a lower frequency field below the threshold frequency can be also obtained by making values of an output signal of a relay element to a sequence dependent type.例文帳に追加

本発明では、リミットサイクルの高調波成分を用いて限界周波数より高い周波数領域に対する制御対象の情報を得たり、リレー要素の出力信号の値をシーケンス依存型にすることにより限界周波数より低い周波数領域に対する制御対象の情報を得ることを可能にしている。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory which can impress at least one of the polarities of a voltage across the variable resistor element without the voltage drop by eliminating the effect of the voltage drop equal to the threshold voltage when impressing a positive voltage from the source line side to the memory cell having a variable resistor element and selection transistor.例文帳に追加

可変抵抗素子と選択トランジスタを備えたメモリセルに対しソース線側から正電圧を印加する場合の閾値電圧分の電圧降下の影響を解消し、可変抵抗素子の両端間に印加する電圧の少なくとも一方の極性は、当該電圧降下なしに印加可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

When the concordance rate of the information element keyword which the providing source information shows, and the information element definition which the comparing object information shows is at the threshold or more of the definition information concordance rate, the semantic associating device 1 extracts a set of the providing source information and the comparing object information used for calculation of these concordance rates.例文帳に追加

そして、意味的対応付け装置１は、提供元情報が示す情報要素キーワードと、比較対象情報が示す情報要素定義の合致率が定義情報合致率の閾値以上である場合には、それら合致率の算出に用いた提供元情報と比較対象情報との組を抽出する。 - 特許庁

The control part stops power feeding to the imaging element and shifts to a first power saving mode for displaying and outputting a still picture photographed before stopping the power feeding when the duration time of a still state exceeds a time shown by a first threshold in a photographing mode in which the imaging element performs moving image photographing.例文帳に追加

制御部は、撮像素子によって動画撮影を行う撮影モードにおいて静止状態の継続時間が第１閾値の示す時間を超えたときに、撮像素子に対する電力供給を停止するとともに、電力供給の停止前に撮影された静止画を表示出力する第１省電力モードに移行する。 - 特許庁

When the output voltage of the auxiliary power source is equal to or less than a first voltage threshold Vth1, the ECU turns on/off a switching element on the lower stage side (earth side) of a boost circuit to charge the auxiliary power source, and based on the output current value Ib of the main power source, varies the on-duty ratio of the switching element.例文帳に追加

そして、補助電源の出力電圧が第１の電圧閾値Ｖth１以下である場合には、補助電源を充電すべく昇圧回路の下段側（接地側）のスイッチング素子をオン／オフさせるとともに、主電源の出力電流値Ｉbに基づいて、そのスイッチング素子のオンＤｕｔｙ比を可変する。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor laser element having a laser resonator allowing a low threshold current and an end structure reducing a chip width on an element end for the laser resonator on a semipolar plane of a support substrate with a c-axis of a hexagonal group III nitride inclined in the direction of an m-axis.例文帳に追加

六方晶系III族窒化物のｃ軸がｍ軸の方向に傾斜した支持基体の半極性面上において、低しきい値電流を可能にするレーザ共振器と該レーザ共振器のための素子端部にチップ幅を縮小可能な端部の構造とを有するIII族窒化物半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

By this processing, in a process from the low speed rotation to the high speed rotation and then to the low speed rotation, when shifting from the high speed rotation to the low speed rotation, the signal from the detection element does not become small, and the level of the signal from the detection element does not become below a threshold, and resultantly the rotational frequency can be detected accurately.例文帳に追加

このような処理により、低速回転→高速回転→低速回転の過程において、高速回転から低速回転に移行したときに、検出素子からの信号が小さくならずに済み、検出素子からの信号のレベルが閾値以下になることがなくなる結果、回転数を精度良く検出することができる。 - 特許庁

In order to resolve this problem, a Josephson transmission line including an underdamping Josephson element is used as a magnetic flux quantum pair generation circuit 20; and when the Josephson element 4 of the comparator exceeds a threshold to output one single magnetic flux quantum, the magnetic flux quantum is multiplied in this circuit 20 to feed back plural single magnetic flux quanta to the integrator.例文帳に追加

そこで、アンダーダンピング・ジョセフソン素子を含んだジョセフソン伝送線路を磁束量子対生成回路20として用い、比較器のジョセフソン素子４が閾値を超えて１個の単一磁束量子を出力すると、この回路で磁束量子が倍増され複数個の単一磁束量子が積分器にフィードバックされるようにする。 - 特許庁

By using a shallow groove structure by the embedding of an insulating film for element separation, a decrease is prevented in an element separation breakdown voltage at a fine region, further variations can be reduced in the threshold of a selecting transistor, and the disturbance resistance of the memory cell can be improved by dividing the memory cell in a memory map by the selecting transistor.例文帳に追加

素子分離に絶縁膜の埋込みによる浅溝構造を用いることにより微細領域での素子分離耐圧の低下を防止し、さらに選択トランジスタのしきい値ばらつきを低減でき、また、メモリマット内のメモリセルを選択トランジスタによって分割することによりメモリセルのディスターブ耐性を改善できる。 - 特許庁

The driving device 2 impresses the organic EL element with a prescribed first voltage higher than the threshold voltage of light emitting when light emitting is required, and impresses with a second voltage of reverse direction from the first voltage of ligher than zero in its absolute value and lower than the breakdown voltage of the EL element when the light receiving is required.例文帳に追加

駆動装置２は、有機ＥＬ素子１に対して、発光状態とするときには、発光しきい値電圧以上の所定の第１の電圧を印加し、受光状態とするときには、第１の電圧とは逆方向で、絶対値がゼロより大きく且つ有機ＥＬ素子１の絶縁耐圧以下となる第２の電圧を印加をする。 - 特許庁

When temperature of an objective lens OBJ is rased exceeding the threshold, or when it is determined as the above, a controller CPU keeps the temperature in an allowable range by cooling the objective optical element OBJ using a Peltier element PE, based on the temperature measured by a temperature sensor TS1, and the light use efficiency can be compensated.例文帳に追加

コントローラＣＰＵは、温度センサＴＳ１の測定した温度に基づいて、対物レンズＯＢＪの温度が閾値を超えて上昇した、もしくはしそうであると判断した場合、ペルチェ素子ＰＥを用いて対物光学素子ＯＢＪを冷却することで、その温度を許容範囲に留め、光利用効率を補償することができる。 - 特許庁

The process for forming the semiconductor element S comprises a step for selecting a material having a molecular chain length corresponding to the threshold voltage Vth of the semiconductor element S among a plurality of materials having different molecular chain lengths, and a step for forming the characteristics control layer 22 of a material thus selected.例文帳に追加

この半導体素子Ｓを製造する方法は、各々の分子鎖長が相違する複数の材料のなかから当該半導体素子Ｓの閾値電圧Ｖthに応じた分子鎖長の材料を選定する工程と、ここで選定した材料によって特性制御層２２を形成する工程とを含む。 - 特許庁

To provide a liquid crystal composition that has a high refractive index anisotropy and a low threshold voltage, and is improved in burn-in phenomenon when used for constructing an active matrix-driven cholesteric liquid crystal display element, and to also provide an active matrix-driven cholesteric liquid crystal display element improved in burn-in phenomenon and excellent in display quality.例文帳に追加

高い屈折率異方性及び低い閾値電圧を有し、アクティブマトリクス駆動コレステリック液晶表示素子を構成した場合における焼き付き現象を改善した液晶組成物を提供し、併せて焼き付き現象が改善された表示品位が優れたアクティブマトリクス駆動コレステリック液晶表示素子を提供する。 - 特許庁

The voltage detecting circuit for comparing a voltage to be detected with a reference voltage and outputting a signal, based on the result of comparison, includes an inverting amplifier circuit including an active element having a control terminal, a threshold voltage of which is no larger than the reference voltage, and the voltage to be detected is applied to the control terminal of the active element.例文帳に追加

検出すべき電圧を基準電圧と比較し、比較結果に基づいた信号を出力する電圧検出回路であって、制御端子のしきい値電圧が基準電圧以下である能動素子を含んだ反転増幅回路を含み、検出すべき電圧を能動素子の制御端子に入力するようにした。 - 特許庁

In the starter circuit 5, the primary circuit of a transformer has a capacitor and a switch element, and it is so constituted that when or after the voltage at both ends of the above capacitor has surpassed the threshold by the accumulated charge, the switch element is conductively connected and a starting high voltage signal is impressed to the discharge lamp through the primary and secondary coil.例文帳に追加

起動回路５については、トランスの１次側回路が、コンデンサ及びスイッチ素子を有し、コンデンサの電荷蓄積に伴い当該コンデンサの両端電圧が閾値を越えたとき又はその後にスイッチ素子が導通して１次巻線から２次巻線を介して起動用高圧信号が放電灯に印加されるように構成する。 - 特許庁

The combustion state detector is equipped with the flame detecting element 11 detecting radiation light of combustion flame of a combustion chamber 3 and outputting change of electric resistance, and a combustion state determining means 16 for carrying out threshold determination of the electric resistance of the flame detecting element 11 and determining whether the combustion state of the combustion chamber 3 is an ignition state or a fire extinction state.例文帳に追加

燃焼室３の燃焼炎の輻射光を検出し電気抵抗の変化として出力する火炎検出素子１１と、火炎検出素子１１の電気抵抗を閾値判定し燃焼室３内の燃焼状態が着火状態か消火状態かを判定する燃焼状態判定手段１６とを備える。 - 特許庁

The display device includes: a light-emitting element where electric current flows when a voltage that exceeds a threshold value is applied thereto and which emits light in brightness corresponding to the electric current; a driving circuit that drives the light-emitting element; wiring that supplies the voltage and an electrical signal to the driving circuit; and a terminal for connecting the wiring with an external circuit.例文帳に追加

表示装置は、しきい値を越える電圧を印加したときに電流が流れ、該電流に応じた明るさで発光する発光素子と、該発光素子を駆動する駆動回路と、該駆動回路に電圧及び電気信号を供給する配線と、該配線を外部回路に接続するための端子とを有する。 - 特許庁

To enable building of an optical transmission/reception system to be facilitated in a building by utilizing a surface emitting semiconductor laser element chip in which an operating voltage, an oscillation threshold current or the like can be lowered as a light emitting light source.例文帳に追加

動作電圧、発振閾値電流等を低くできる面発光型半導体レーザ素子チップを発光光源として利用し、建物内におけるこのような光送受信システム構築が容易にできるようにすることにある。 - 特許庁

To provide an electron emission element which, while maintaining such an effect as lowering of a threshold voltage due to a patterning of a carbon group material and an electric field strength, has a high mechanical strength and stability, and provide its manufacturing method.例文帳に追加

炭素系材料をパターニングすることによる闘電圧の低下や電界強度の増加といった効果を維持しつつ、機械的強度が高い、安定した電子放出素子及びその製法を提供することを解決課題とする。 - 特許庁