「threshold element」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

To stabilize the operation of a pixel circuit to which compensating functions for characteristic variation of an electrooptical element and threshold voltage variation of a transistor are added.例文帳に追加

電気光学素子の特性変動及びトランジスタの閾電圧変動に対する補償機能を付加した画素回路において、その動作を安定化する。 - 特許庁

The display device 100 performs the operation of threshold correction dividedly in two times for one light emission in a light emitting element 640 in the pixel circuits 600.例文帳に追加

表示装置１００は、画素回路６００における発光素子６４０における１回の発光に対して閾値補正の動作を２回に分割して行う。 - 特許庁

To realize high gradations compensating for deviation of a threshold voltage of a thin film transistor when driving an organic electro-luminescence element.例文帳に追加

有機電界発光素子を薄膜トランジスタを利用して駆動する場合に薄膜トランジスタのしきい電圧の偏差を補償して高階調を可能にする。 - 特許庁

The control device 50 limits a load factor of the motor/generator (MG) 40 when a temperature of the switching element of the DC/DC converter 20 reaches a threshold temperature.例文帳に追加

制御装置５０は、ＤＣ−ＤＣコンバータ２０のスイッチング素子の温度がしきい温度に達すると、モータ／ジェネレータ（ＭＧ）４０の負荷率を制限する。 - 特許庁

To provide a low power consumption semiconductor laser element and its manufacturing method capable of low threshold current oscillation, of high efficiency operation, and of inexpensive manufacture.例文帳に追加

低閾値電流発振と高効率動作可能で、かつ、低コストで製造できる低消費電力の半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

When the maximum is less than the threshold, the timing controller makes the imaging element generate a light shield image signal with an exposure time of (1/60x) s (S106).例文帳に追加

最大値が閾値未満である場合には、タイミングコントローラは撮像素子に（１／６０ｘ）ｓの露光時間で遮光画像信号を生成させる（Ｓ１０６）。 - 特許庁

The gas has a threshold of kinetic energy that is greater than kinetic energy developed by ions of the gas in the electric fields for sputtering the optical element.例文帳に追加

ガスは、光学エレメントをスパッタリングするための、電界中のガスのイオンによって展開する運動エネルギーより大きい運動エネルギーの閾値を有している。 - 特許庁

Then, the current temperature of a dehumidifying heater that a temperature detecting element provided nearby the dehumidifying heater detects is read (S12) and compared with the threshold temperature (S13).例文帳に追加

次に、除湿ヒータ近傍に設けられた温度検知素子が検知した除湿ヒータの現在温度を読み取り（Ｓ１２）、閾値温度と比較する（Ｓ１３）。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor element (HEMT) which can achieve normally-OFF operation and have a desired gate threshold voltage.例文帳に追加

ノーマリオフ動作を実現することができるとともに、所望のゲート閾値電圧を実現することができる、窒化物半導体素子（ＨＥＭＴ）を提供すること。 - 特許庁

To provide a medical laser apparatus with which a high output visible laser beam is obtainable, even if a wavelength conversion element with a low damage threshold is used.例文帳に追加

損傷閾値の低い波長変換素子であっても、出力の高い可視レーザ光を得ることができる医療用レーザ装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor laser element which can obtain a stable perpendicular fundamental lateral mode and can reduce threshold current.例文帳に追加

安定な垂直基本横モードを得ることが可能でありしきい値電流の低減化を図ることが可能な窒化物系半導体レーザ素子を提供することである。 - 特許庁

To provide a suitable manufacturing method for semiconductor elements to prevent an INWE phenomenon wherein the threshold voltage of the semiconductor element is decreased owing to the reduction of its gate width.例文帳に追加

ゲート幅が減ることによってしきい値電圧が減少するＩＮＷＥ現象を防止するのに好適な半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element of long life and low threshold current density with no occurrence of multiple-mode by reducing the crystal defect of a nitrogen compound semiconductor film.例文帳に追加

窒素化合物半導体膜の結晶欠陥を低減し、寿命が長く、閾値電流密度が低く、多重モードの発生しない半導体レーザ素子を得る。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor element capable of ensuring high breakdown voltage properties and achieving a low gate threshold voltage simultaneously, and to provide a method of manufacturing the nitride semiconductor device.例文帳に追加

高耐圧性を確保するとともに、低いゲート閾値電圧を実現することができる窒化物半導体素子およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor laser element of a low threshold value and a method for manufacturing the same by stabilizing the lateral mode of a nitride semiconductor laser.例文帳に追加

窒化物半導体レーザの横モードを安定化させて、低閾値の窒化物半導体レーザ素子とその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

This incidence of the light suppresses the threshold voltage change due to the aged drive of the transistor Tr13 affecting the quantity of light emitted from the organic EL element 21.例文帳に追加

この光の入射により、有機ＥＬ素子２１の発光量に影響するトランジスタＴｒ１３の経年駆動による閾値電圧の変化を抑制する。 - 特許庁

A comparator 15 compares the rise time measured by the rise time measuring device 13 with a threshold time stored in a rise time threshold value storage device 14, and the arrival of the replacement time of the element having the electrostatic capacity is displayed on a display device 16 when the rise time becomes shorter than the threshold time.例文帳に追加

比較器１５は、立上り時間測定器１３が測定した立上り時間と立上り時間しきい値記憶器１４に記憶されているしきい値時間とを比較し、立上り時間がしきい値時間よりも短くなると、静電容量を持った素子の交換時期が来たことを表示器１６に表示させる。 - 特許庁

A first threshold value X, with which a detection value A based on a detecting signal from a flame sensor (optical detecting element) of the burner is compared to determine igniting condition, and a second threshold value Y higher than the first threshold value X on an ignition determination side and lower than the maximum detection level of the flame sensor are set.例文帳に追加

バーナーの火炎検知器（光検出素子）による検出信号に基づいた検出値Ａを比較して着火状態を判定するための第１の閾値Ｘと、この第１の閾値Ｘよりも着火判定側に高くかつ火炎検知器の最大検知レベルよりも低い値の第２の閾値Ｙと、が設定されている。 - 特許庁

The function faculty reconstitutable integrated circuit is characterized in that a threshold element circuit having a plurality of stages of threshold elements coupled has a structure which can select one of a plurality of thresholds and the selected one threshold is a signal in multi-valued representation.例文帳に追加

しきい素子を複数段結合しているしきい素子回路において、複数のしきい値の中から、１つのしきい値を選択することが可能な構造を有し、上記選択された１つのしきい値が、多値表現されている信号であることを特徴とする関数機能再構成可能集積回路である。 - 特許庁

To enable threshold voltage of an erase cell to be verified stably in a NAND flash memory element, where the quantity of electrons filled in a floating gate does not change, the basic threshold voltage of the erase cell will therefore not change and the threshold voltage of the cell is made to increase only in the operating mode.例文帳に追加

ＮＡＮＤフラッシュメモリ素子において、フローティングゲートに充填された電子の量が変化することなく、したがって、消去セルの基本しきい値電圧が変化することなく、動作モードでのみセルのしきい値電圧を増加させて安定して消去セルのしきい値電圧を検証できるようにする。 - 特許庁

In response to a scanning signal ϕ, each of switch elements T provides a trigger signal to a gate 19 of each corresponding light-emitting element L, and the light-emitting element L emits a light by providing the trigger signal to the gate 19 and providing a light-emitting signal ϕ having a voltage larger than a threshold voltage or a current larger than a threshold current.例文帳に追加

スイッチ素子Ｔは、走査信号φに応答して、対応する各発光素子Ｌのゲート１９にトリガ信号を与え、発光素子Ｌはゲート１９にトリガ信号が与えられ、しきい電圧またはしきい電流よりも高い電圧または大きい電流の発光信号φが与えることによって発光する。 - 特許庁

The drive signal generating section E1outpts a drive signal to turn ON the FET element P1when the detected signal from the current detecting section H1is the predetermined threshold value or higher, and also outputs a drive signal to turn OFF the FET element P1 when the signal from the current detecting section H1is a predetermined threshold or lower.例文帳に追加

駆動信号生成部Ｅ１は、電流検知部Ｈ１からの検出信号が所定のしきい値以上であればＦＥＴ素子Ｐ１をオンにする駆動信号を出力し、電流検知部Ｈ１からの信号が所定のしきい値以下であればＦＥＴ素子Ｐ１をオフにする駆動信号を出力する。 - 特許庁

By manufacturing a two-layer structure provided by depositing the manganese oxide on an amorphous substrate or an amorphous film, the switching element or the memory element, having the characteristics of reversibly changing from a high resistance condition to a low resistance condition, or from a low resistance condition to a high resistance condition by applying specific current threshold or voltage threshold.例文帳に追加

マンガン酸化物をアモルファス基板またはアモルファス膜に堆積した２層構造物を作製することにより、特定の電流閾値、あるいは電圧閾値の印加により、高抵抗から低抵抗状態へ、低抵抗から高抵抗状態に可逆的に変化する特性を持つスイッチング素子あるいはメモリー素子が出来る。 - 特許庁

The nonvolatile memory element 102 operates as a conductive element in a state where power is supplied, and operates as a cut-off element in a state where no power is supplied, with its threshold being varied when the stored charges of the storage capacitive element 104 are at a predetermined potential level.例文帳に追加

不揮発性メモリ素子１０２は、上記電力が供給された状態では、導通素子として動作し、上記電力が供給されていない状態では、カットオフ素子として動作するとともに、蓄積容量素子１０４の蓄積電荷が所定の電位レベルである場合にそのしきい値が変化する。 - 特許庁

To provide an organic electroluminescence display that suppresses an afterimage phenomenon due to a decrease in efficiency of an organic electroluminescence element by adjusting the amount of current transmitted to the organic electroluminescence element and compensates for the threshold voltage of a driving transistor.例文帳に追加

有機電界発光素子に伝達される電流量を調節して該素子の効率低下による残像現象を抑制し、駆動トランジスタの閾値電圧を補償する有機電界発光表示装置を提供する。 - 特許庁

A quantizing section 6 quantizes the noticed picture element to a multivalued value higher than a binary value by comparing the corrected threshold with the sum of the weighted means of the quantization errors of the peripheral picture elements of the noticed picture elements and the value of the noticed picture element.例文帳に追加

量子化部６は修正された閾値と、注目画素の近傍の画素の量子化誤差の重み付け平均及び注目画素の値が加算された値とを比較し、２値化以上の多値に量子化する。 - 特許庁

When the potential of the node B exceeds a threshold level of an inverter circuit 106, the reset signal RST1 is brought back to a high level, the reset is canceled, the switch element MN50 is turned off, and the switch element MN51 is truned on again.例文帳に追加

ノードＢの電位がインバータ回路１０６のスレッシュホールドレベルを超えるとリセット信号ＲＳＴ１はハイレベルに戻りリセットが解除され、スイッチ素子ＭＮ５０はオフ、スイッチ素子ＭＮ５１はオン状態に戻る。 - 特許庁

If it is determined that the temperature Tev of the EV element is lower than a switching threshold temperature Tth1, the controller starts hard switch control, while always turning off a second switch element of an auxiliary circuit (step S2→step S3).例文帳に追加

コントローラは、ＥＶ素子温度Ｔｅｖが切換閾値温度Ｔｔｈ１を下回っていると判断すると、補助回路の第２スイッチング素子を常時オフとしてハードスイッチ制御を開始する（ステップＳ２→ステップＳ３）。 - 特許庁

The semantic associating device 1 calculates a concordance rate of an information element keyword which the providing source information shows, and the information element definition which the comparing object information shows and determines whether this concordance rate is at the threshold or more of the concordance rate of definition information.例文帳に追加

提供元情報が示す情報要素キーワードと、比較対象情報が示す情報要素定義の合致率を算出し、該合致率が定義情報合致率の閾値以上であるかを判定する。 - 特許庁

When the driving current I and a bias current Ib are inputted to the light emitting element and an inputted current exceeds a threshold current, the element is driven to emit light in accordance with the driving current I, and outputs the optical signal.例文帳に追加

発光素子は、駆動電流とバイアス電流が入力されることにより、入力された電流が閾電流を越えることにより、駆動電流に応じて発光駆動して、光信号を出力する。 - 特許庁

The gate of the drive transistor Tdr is connected to its drain and the electrode Eb1 of the capacitor element Cb in the compensation period P2, and thereby the voltage is maintained in the capacitor element Cb matching the threshold voltage Vth of the drive transistor Tdr.例文帳に追加

補償期間Ｐ2においては駆動トランジスタＴdrのゲートがそのドレインと容量素子Ｃbの電極Ｅb1とに接続され、これによって駆動トランジスタＴdrの閾値電圧Ｖthに応じた電圧が容量素子Ｃbに保持される。 - 特許庁

To propose an optical communication system capable of favorably being used without damaging a laser element by utilizing a surface emitting type semiconductor laser element chip in which an operating voltage, an oscillation threshold current or the like can be lowered as a light emitting light source.例文帳に追加

動作電圧、発振閾値電流等を低くできる面発光型半導体レーザ素子チップを発光光源として利用し、レーザ素子が破損しないで良好に使用できる光通信システムを提案することにある。 - 特許庁

A short/lock current determination unit 23 determines whether a fed current I of the transistor element 10 is equal to or larger than a lock current detection threshold Ith and stores a history of increases of the fed current I above the lock current detection threshold Ith.例文帳に追加

ショート／ロック電流判別部２３が、トランジスタ素子１０の通電電流Ｉがロック電流検出閾値Ｉｔｈ以上であるか否かを判別し、通電電流Ｉがロック電流検出閾値Ｉｔｈ以上になった履歴を記憶する。 - 特許庁

The charge discharge inhibiting frequency is compared with a threshold value N, and when the charge discharge inhibiting frequency exceeds the threshold value N, a fuse 13 is blown out by turning on a switch element 15, and charge discharge of the secondary battery 2 is inhibited permanently.例文帳に追加

充放電禁止回数と閾値Ｎとが比較され、充放電禁止回数が閾値Ｎを超えている場合には、スイッチ素子１５がＯＮとされることによりヒューズ１３が溶断し、二次電池２に対する充放電が永久的に禁止される。 - 特許庁

The image processor which generates the dither images represented by a multi-valued dither method has: a threshold table holding means for holding a table of thresholds for generating the dither images; an addition value register which holds addition values to be added for each element in the threshold table; and a threshold varying means for varying values of the thresholds by adding addition values for each of the elements in the threshold table.例文帳に追加

多値ディザ法によって表現されるディザ画像を生成する画像処理装置であって、前記ディザ画像を生成するための閾値のテーブルを保持する閾値テーブル保持手段と、前記閾値テーブルの要素毎に加算する値である加算値を保持する加算値レジスタと、前記閾値テーブルの要素毎に前記加算値を加算することにより閾値の値を変更する閾値変更手段とを有する画像処理装置。 - 特許庁

The resistance change type element has a recording layer containing a metal oxide, and two electrodes, and the structure of the resistance change type element is made asymmetric to make a threshold current for higher resistance different by directions of a current flowing by application of a voltage to the resistance change type element.例文帳に追加

金属酸化物を含む記録層と２つの電極を有する抵抗変化型素子で、抵抗変化型素子の構造を非対称とし、抵抗変化型素子への電圧の印加により流れる電流の方向毎に、高抵抗化させるためのしきい電流を異ならせる。 - 特許庁

To provide a magnetic field detection element having a function for storing a phenomenon that a magnetic field over a prescribed threshold is applied, and having a function for using a magnetic field having some fixed direction and intensity as a reset signal in order to reset the memory, and to provide a storage element and a magnetic field detection device using the element.例文帳に追加

所定の閾値以上の磁界が印加されたという事象を記憶する機能を有し、この記憶をリセットするために、ある定められた方向と強度の磁界をリセット信号とする機能を有した磁界検出素子およびこれを利用した記憶素子、磁界検出装置を提供する。 - 特許庁

The output of each integration circuit/buffer element train has a waveform of high randomness due to the fluctuation, on a time axis, of output electrical potential of the integration circuit owing to individual difference of the integration circuit, the fluctuation, on the time axis, of threshold electrical potential of the buffer element owing to individual difference of the buffer element, or the like.例文帳に追加

各積分回路・バッファ素子列の出力は、積分回路の固体差による積分回路の出力電位の時間軸に対する変動、バッファ素子の固体差によるバッファ素子の閾値電位の時間軸に対する変動等によって、ランダム性の高い波形となる。 - 特許庁

The lighting device comprises a semiconductor laser element 100, a component member which is provided at the outside of the semiconductor laser element 100 and has wavelength selectivity to threshold gain, and a phosphor layer in which a phosphor which absorbs the light from the semiconductor laser element 100 and emits fluorescence is dispersed.例文帳に追加

照明装置は、半導体レーザ素子１００と、その半導体レーザ素子１００の外部に設けられた、閾値利得に波長選択性を有する構成部材と、半導体レーザ素子１００からの光を吸収し蛍光を放射する蛍光体が分散された蛍光体層とを備えている。 - 特許庁

To provide a semiconductor element capable of improving the data holding characteristics of a memory cell and improving reliability in the memory cell entirely by improving the characteristics of a tunnel oxide film and minimizing variations in the threshold voltage of the memory cell by cycling, and to provide an element separation film formation method of the semiconductor element.例文帳に追加

トンネル酸化膜の特性を改善させてサイクリングによるメモリセルのしきい電圧の変動を最小化させることにより、メモリセルのデータ保持特性を向上させて全体的にメモリセルの信頼性を向上させることができる半導体素子およびその素子分離膜形成方法の提供。 - 特許庁

When arbitrary data are embedded in the voice code, a 1st element among element codes constituting the voice code and a threshold are used to judge whether a data embedding condition is met and when so, a 2nd element code is replaced with the arbitrary data to embed the data in the voice code.例文帳に追加

音声符号に任意のデータを埋込む際、音声符号を構成する要素符号のうち第1要素符号と閾値を用いてデータ埋め込み条件が満たされたか判断し、満たされていれば、第2要素符号を任意のデータで置き換えることによりデータを音声符号に埋め込む。 - 特許庁

To guarantee stable light output and high-speed light emitting operation by automatically setting a bias current very close to the threshold current value of a current-injection light emitting element.例文帳に追加

電流注入型の発光素子の閾電流値の極近傍にバイアス電流を自動的に設定し、安定した光出力と高速の発光動作を保証すること。 - 特許庁

To improve the productivity of a module which stores a light emitting source by using a surface light emitting semiconductor laser element which can lessen an operating voltage, an oscillation threshold current, etc., as the light emitting source.例文帳に追加

動作電圧、発振閾値電流等を低くできる面発光型半導体レーザ素子チップを発光光源とし、光源を収容するモジュールの生産性向上を図る。 - 特許庁

A slag flow image is converted to a binary value as a threshold value for binary processing the average value of brightness in an average operation range 38 determined by a certain picture element (X, Y).例文帳に追加

ある画素（Ｘ，Ｙ）座標に対して決まる平均値演算範囲３８内の輝度の平均値を２値化処理のためのしきい値として、スラグ流画像を２値化処理する。 - 特許庁

A pull-down element (PD) is provided corresponding to each word line for adjusting, according to fluctuations in threshold value voltage of a memory cell transistor, a voltage level when a word line (WL) is selected.例文帳に追加

ワード線（ＷＬ）の選択時の電圧レベルを、メモリセルトランジスタのしきい値電圧の変動に応じて調整するプルダウン素子（ＰＤ）を各ワード線に対応して設ける。 - 特許庁