「upper- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(152ページ目) - Weblio英語例文検索

In this result, the staying of CO gas as the complex factor of the occurrence of the slopping in the slag layer and the upper part in the torpedo car is eliminated, thereby preventing the occurrence of the slopping.例文帳に追加

スロッピング発生の複合的要因であるＣＯのスラグ層内およびトピードカー内の上部での滞留が解消される結果、スロッピング発生が防止される。 - 特許庁

A through hole passing through upper and lower faces is formed on the plate, and it is desirable that the through hole is filled with the conductive weak adhesive layer.例文帳に追加

前記平板に上下面を貫通する貫通孔が形成され、前記貫通孔が前記導電性弱粘着性層により充填されていることが好ましい。 - 特許庁

A core part (core layer) 16 is formed by using a DAST crystal, and the cross section of the core part 16 has a tapered shape, having a core lower width narrower than a core upper width.例文帳に追加

チャネル導波路のコア部（コア層）１６にＤＡＳＴを用いており、コア部１６の断面は、コア上部幅に対してコア下部幅が小さいテーパー形状となっている。 - 特許庁

A plurality of conductor wires 2 are formed side by side on an upper face of a base substrate 1, and the conductor wires are covered with a cover insulating layer 3 made of polyimide to form the wired circuit board.例文帳に追加

ベース基板１の上面に複数の導体線２を並べて設け、ポリイミドからなるカバー絶縁層３にて該導体線を覆い、配線回路基板とする。 - 特許庁

To realize the verification of the propagation of a failure signal of a lower wire covered with a wire at its upper layer, in failure analysis of a semiconductor integrated circuit using an electronic beam tester.例文帳に追加

電子ビームテスタを用いた半導体集積回路の故障解析において、上層を配線に覆われた下層配線の故障信号伝播の検証を実現する。 - 特許庁

The upper cover block 2 comprises a heat transfer material layer at a portion where the heat medium pipe 4 is pressed or the heat transfer member 3 dispersing heat in a planar direction is buried and exposed to the portion where the heat medium pipe 4 is pressed.例文帳に追加

又は、平面方向に熱を分散させる伝熱部材３を埋設して当該伝熱部材を熱媒体管４を押える部分に露出させる。 - 特許庁

To provide a heat-sensitive multiple copy sheet having high recording density of each recording sheet and excellent image quality of a recorded part of a heat-sensitive recording layer of an upper recording sheet.例文帳に追加

各記録シートの記録濃度が高く、しかも上葉記録シートの感熱記録層の記録部の画質に優れた感熱多重複写シートを提供することにある。 - 特許庁

Regarding the aluminum precoated sheet 9, the upper layer of an aluminum base material 1, a nonporous film 2 composed of an aluminum oxide is formed at a film thickness of 20 to <150 nm, and, on the upper layer thereof, an epoxy base corrosion resistant film 3 is formed by 1 to <10 g/m^2.例文帳に追加

アルミニウム基材１の上層に、アルミニウム酸化物からなる無孔質皮膜２が２０ｎｍ以上１５０ｎｍ未満の膜厚で形成され、その上層に、エポキシ系耐食性皮膜３が１ｇ／ｍ^２以上１０ｇ／ｍ^２未満で形成されていることを特徴とするアルミニウム塗装板９を用いることにより、上記課題を解決できる。 - 特許庁

The signal line La3 is connected electrically with the signal lines La1 and La2 through conductive vias VHa1 and VHa2 penetrating the upper dielectric layer 1, and the signal line Lb3 is connected electrically with the signal lines Lb1 and Lb2 through conductive vias VHb1 and VHb2 penetrating the upper dielectric layer 1.例文帳に追加

信号線路Ｌａ３は、上部誘電体層１を貫通する導電性ビアＶＨａ１及びＶＨａ２を介して信号線路Ｌａ１とＬａ２とを電気的に接続し、信号線路Ｌｂ３は、上部誘電体層１を貫通する導電性ビアＶＨｂ１及びＶＨｂ２を介して信号線路Ｌｂ１とＬｂ２とを電気的に接続する。 - 特許庁

This resistance memory element is formed of a resistive layer 22, including the metal oxide and the metal ion dopant, and an upper electrode 23 on a lower electrode 21 in the order, wherein an electrode material usually used for semiconductor device can be used for the lower electrode 21 and the upper electrode 23, and the resistive layer 22 includes a metal oxide and the metal ion dopant.例文帳に追加

抵抗メモリ素子は、下部電極２１上に金属酸化物及び金属イオンドーパントを含めた抵抗層２２と、上部電極２３が順次に形成されており、下部電極２１及び上部電極２３は、通常的に半導体素子に使われる電極物質を使用でき、抵抗層２２は、金属酸化物及び金属イオンドーパントを含む。 - 特許庁

A film or a laminated film formed of simple substance or composite compound of Si oxide, AlN, or Al_2O_3 is formed as an electrical insulating inorganic compound film 6 on both the upper and lower surface of a polyimide film 1, respectively, a Cu layer 4 is formed at least on the upper inorganic compound film 6, and the Cu layer 4 is formed into a prescribed interconnect line pattern.例文帳に追加

ポリイミドフィルム１の両側の表面に、電気絶縁性の無機化合物膜６として、Ｓｉの酸化物、ＡｌＮ、Ａｌ_2Ｏ_3単体又はこれらの複合化合物あるいは積層膜を形成し、その少なくとも片面側の上記無機化合物膜６上にＣｕ層４を形成し、該Ｃｕ層を所定の配線パターンに形成する。 - 特許庁

A lower electrode 3 is arranged on a semiconductor substrate and the resistance change element 4 which changes in resistance is arranged on the lower electrode 3; and an upper electrode 5 is arranged on the resistance change element 4, and the reaction product 8 produced when the resistance change layer 4 is dry-etched sticks on the side wall surfaces of the resistance change layer 4 and the upper electrode 5.例文帳に追加

半導体基板上に下部電極３が配設され、下部電極３上に抵抗が変化する抵抗変化素子４が配設され、抵抗変化素子４上に上部電極５が配設され、抵抗変化層４と上部電極５の側壁面には、抵抗変化層４のドライエッチング時に発生した反応生成物８が付着している。 - 特許庁

The core material 10 as a synthetic resin foaming mold having a plurality of article storage recessed portions is packed from upper and lower sides by upper and lower outer layer molding materials 30 and 50 made of resin sheets molded at dimensions capable of covering the whole core material at a shape along an outline shape of the core material 10 and at the state that there is no gap between the outer layer molding materials and the core material 10.例文帳に追加

複数の物品収容凹部を備える合成樹脂発泡成形品である芯材１０を、芯材１０の外郭形状に沿った形状で、かつ芯材１０との間に隙間のない状態で芯材全体を覆うことができる寸法で成形された樹脂シートからなる上下の表皮成形材３０、５０とで上下からパッキングする。 - 特許庁

The ultrasonic probe 2 is equipped with: a first substrate 20 having the silicon substrate 21 and a ultrasonic transmitting/receiving element 3; an acoustic lens 11 installed on the upper surface of the first substrate 20; a damping layer 41 installed beneath the first substrate 20; and a second substrate 31 installed between the lower surface of the first substrate 20 and the upper surface of the damping layer 41.例文帳に追加

超音波探触子２は、シリコン基板２１及び超音波送受信素子３を有する第１基板２０と、第１基板２０の上面に設置された音響レンズ１１と、第１基板２０の下方に設置されたダンピング層４１とを備え、さらに、第１基板２０の下面とダンピング層４１の上面との間に第２基板３１が設置されている。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device has a process A for depositing a low dielectric constant insulating film 15 on an upper layer of a semiconductor substrate 11, a process B for laminating a silicon content insulating film 26 having rich silicon on at least the upper layer of the low dielectric constant insulating film 15, and a process C for plasma-processing a surface of the silicon content insulating film 26.例文帳に追加

半導体基板１１の上層に低誘電率絶縁膜１５を積層する工程Ａと、低誘電率絶縁膜１５の少なくとも上層にシリコンリッチなシリコン含有絶縁膜２６を積層する工程Ｂと、シリコン含有絶縁膜２６の表面をプラズマ処理する工程Ｃとを備える半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the upper semiconductor DBR 107, an oxidized layer 108a containing at least an oxide generated by oxidizing part of selected oxidized layer containing aluminum and having 30 nm thickness surrounds a current passing-through region 108b and an oxidized confinement structure capable of simultaneously confining an injected current and a lateral mode of oscillation light is included in the upper semiconductor DBR.例文帳に追加

上部半導体ＤＢＲ１０７は、アルミニウムを含む厚さ３０ｎｍの被選択酸化層の一部が酸化されて生成された酸化物を少なくとも含む酸化層１０８ａが電流通過領域１０８ｂを取り囲み、注入電流と発振光の横モードを同時に閉じこめることができる酸化狭窄構造体をその中に含んでいる。 - 特許庁

In the semiconductor device wherein a metal base, the insulating layer disposed on the upper surface of the metal base and an electronic component disposed on the upper surface of the insulating film and including at least an electrode are sealed with a thermoplastic resin, the side face of the insulating layer is covered with the metal base or a coating resin film.例文帳に追加

金属ベースと、前記金属ベースの上面に配置された絶縁層と、前記絶縁層の上面に配置された、電極を少なくとも含む電子部品とが熱可塑性樹脂で封止された半導体装置において、前記絶縁層の側面が、前記金属ベース又はコーティング樹脂膜で覆われていることを特徴とする半導体装置とする。 - 特許庁

Lands of the wiring board are formed on upper surfaces of a first active metal layer 5a formed in a first region positioned at a surface center portion of a via conductor 1 and a second active metal layer 5b formed in a second region positioned apart from the first region and from an outer peripheral part of the via conductor 1 to an upper surface of a ceramic substrate.例文帳に追加

配線基板のランドは、ビア導体１の表面中央部に位置する第１領域に形成される第１活性金属層５ａと、第１領域と離れているとともに、ビア導体１の外周部からセラミック基板の表面にかけて位置する第２領域に形成された第２活性金属層５ｂの表面に形成されている。 - 特許庁

A charge storage film 15 is formed on a semiconductor substrate 11, and a plurality of element isolation insulating films which extend in a memory string direction are formed at an upper-layer part of the semiconductor substrate 11 to part the electric charge storage film 15 in an electrode direction and also to section the upper-layer part of the semiconductor substrate 11 into a plurality of semiconductor parts 13.例文帳に追加

半導体基板１１上に電荷蓄積膜１５を形成し、半導体基板１１の上層部分にメモリストリング方向に延びる複数本の素子分離絶縁膜を形成することにより、電荷蓄積膜１５を電極方向に分断すると共に、半導体基板１１の上層部分を複数本の半導体部分１３に区画する。 - 特許庁

The VCSEL includes a p-side upper electrode 130 which is electrically connected to the contact layer 114 of the post P, and where an opening 132 is formed for regulating the emitting region of the laser beam; and a second upper electrode 140 which is formed on the pad formation region, and electrically connects the contact layer 114 of the pad formation region to the lower DBR 106.例文帳に追加

ポストＰのコンタクト層１１４に電気的に接続され、レーザ光の出射領域を規定する開口部１３２が形成されたｐ側の上部電極１３０と、パッド形成領域１１８上に形成され、パッド形成領域のコンタクト層１１４を下部ＤＢＲ１０６に電気的に接続するための第２の上部電極１４０とを有している。 - 特許庁

To provide a belt base material for an electrophotographic photoreceptor, with which the occurrence of a fracture at the time of repeated use can be suppressed satisfactorily, when the belt-like electrophotographic photoreceptor is formed and the occurrence of exfoliation of the upper layer at repeated use can be suppressed satisfactorily, when the upper layer is formed by a coating application method.例文帳に追加

ベルト状電子写真感光体を形成した場合に、繰り返し使用時における破断の発生を十分に抑制することができ、且つ、塗布法により上層を形成した場合に、繰り返し使用時における上層の剥離の発生を十分に抑制することが可能な電子写真感光体用ベルト基材を提供する。 - 特許庁

The medical adhesive composite 10 is covered with both an upper sheet 20 containing a cohesive cold seal material layer and a bottom sheet 22, wherein the upper sheet 20 and the bottom sheet 22 are closely bound to each other around the medical adhesive composite 10; and the releasing surface 24 covers only a part of the cohesive cold seal material layer on the bottom sheet 22.例文帳に追加

医療用接着複合物１０を疑集性コールドシール材料層を含んだ上面シート２０と底面シート２２で覆い、医療用接着複合物１０の周囲において上面シート２０を底面シート２２に密封するように互いに結合しており、剥離面２４は底面シート２２上の疑集性コールドシール材料層の一部のみを被覆する。 - 特許庁

In a substrate 1 for mounting an electronic component having a part A for mounting an electronic component 3 and a square frame-like sealing metallize layer 6 surrounding the mounting part A formed on the upper surface of an insulating substrate 4, the sealing metallize layer 6 is provided, in the upper surface thereof, with a groove-like recess 6a along the outer side thereof.例文帳に追加

絶縁基体４の上面に電子部品３が搭載される搭載部Ａおよび該搭載部Ａを取り囲む四角枠状の封止用メタライズ層６を形成して成る電子部品搭載用基板１であって、前記封止用メタライズ層６は、その上面に、該封止用メタライズ層６の外辺に沿った溝状の凹部６ａが形成されている - 特許庁

The VCSEL is equipped with a current limitting layer 82 on a lower DBR(distributed bragg reflctor) 50 and is provided with electrodes 94a, 94b to vary the width of an effective resonance region on a region given to an upper DBR layer 70 for emitting light, other than upper electrodes 92a, 92b and lower electrodes 90 for oscillating a laser.例文帳に追加

下部ＤＢＲ層５０上に電流制限層８２を備え、レーザ発振のための上部電極９２ａ、９２ｂ及び下部電極９０以外に光の放出される上部ＤＢＲ層７０の与えられた領域上に有効共振領域の幅を可変させるための別途の電極９４ａ、９４ｂを備えることを特徴とするＶＣＳＥＬ。 - 特許庁

By controlling movement of the separator 13 so that a sheet receiving face of the front stopper 11 may always receive edge faces of several sheets of the upper layer sheet group while the separator 13 moves, the edge of the upper layer sheet group lifted by the back fork 12 is prevented from being dropped out from the back fork 12 to a side of the front fork 14 due to the movement of the separator 13.例文帳に追加

セパレータ１３が移動中は常にフロントストッパ１１のシート受け止め面が上層シート群の数枚のシートの端面を受け止めるように、セパレータ１３の移動を制御することにより、セパレータ１３の移動に起因して、バックフォーク１２が持ち上げている上層シート群の端部がバックフォーク１２からフロントフォーク１４側へ脱落するのを防止する。 - 特許庁

In the luminous diode made of a compound semiconductor, light is emitted from an active region of multiple quantum well structure and the active region is coated in the state of sandwich by upper and lower double layers of InGAlP and an upper clad layer whereby the improvement of the luminous efficiency increases the light beams in the light emitting diode thereby reinforcing an electronic reflection layer.例文帳に追加

化合物半導体で製造された発光ダイオードにおいて、多重量子井戸構造の活性領域より光を発射し、活性領域が上下二層のＩｎＧａＡｌＰと上層のクラッド層でサンドイッチ式に被覆され、活性領域の発光効率が発光ダイオード中で光線を増加し電子反射層を強化する。 - 特許庁

A surface emitting laser 40 is provided with an n-type buffer layer 14, a lower semiconductor multilayer film reflecting mirror 44, a luminous layer structure 18 and an upper semiconductor multilayer film reflecting mirror 20 in order on a GaAs substrate 12 and moreover, is provided with a surface electrode 22 on the upper surface thereof and is provided with a rear side electrode 24 and a rear multilayer film reflecting mirror 42 on the rear thereof.例文帳に追加

本面発光レーザ４０は、Ｇa Ａs 基板１２上に、順次、ｎ−ＧａＡｓバッファ層１４、下部半導体多層膜反射鏡４４、発光層構造１８、及び上部半導体多層膜反射鏡２０を備え、更に、上面に表面側電極２２、及び裏面に裏面側電極２４と裏面多層膜反射鏡４２を備えている。 - 特許庁

In manufacturing a nonvolatile organic memory device 100 which includes a memory layer 20 interposed between an upper electrode 10 and a lower electrode 30, ions of the conductive particles are disposed in an organic material between the upper electrode 10 and the lower electrode 30, and then the conductive nanoparticles are formed by reducing the ions of conductive nanoparticles in the organic material, to form the memory layer 20.例文帳に追加

上部電極１０と下部電極３０との間にメモリ層２０を含む不揮発性有機メモリ１００を製造するにおいて、上部電極１０と下部電極３０との間の有機物にイオン状態の伝導性粒子を分散させた後、これを有機物内で還元させて伝導性ナノ粒子を形成することにより、メモリ層２０を形成する。 - 特許庁

An exothermic resistor 8 of thin film and a resin layer 9 covering the exothermic resistor 8 are adhered on the upper surface of an insulating board 7, a mounting part 10 of a metal thin film for mounting an LD element 4 is adhered on the upper surface of the resin layer 9, to constitute an LD board 6, and it is used for an LD module.例文帳に追加

絶縁基板７上面に薄膜から成る発熱抵抗体８および該発熱抵抗体８を覆う樹脂層９が被着されて成るとともに、樹脂層９の上面にＬＤ素子４を搭載するための金属薄膜から成る搭載部１０が被着されて成るＬＤ基板６およびこれを使用したＬＤモジュールである。 - 特許庁

A VCSEL contains, on a substrate, an n-type lower DBR106, an active region, and a p-type upper DBR 110, a first selective oxidation layer 106A composed of an n-type AlAs being formed in the lower DBR 106, a second selective oxidation layer 110A composed of a p-type AlAs being formed in the upper DBR 110.例文帳に追加

ＶＣＳＥＬは、基板上に、ｎ型の下部ＤＢＲ１０６、活性領域、ｐ型の上部ＤＢＲ１１０を含み、下部ＤＢＲ１０６内にｎ型のＡｌＡｓからなる第１の選択酸化層１０６Ａが形成され、上部ＤＢＲ１１０内にｐ型のＡｌＡｓからなる第２の選択酸化層１１０Ａが形成されている。 - 特許庁

The method for producing the lusterless silicone rubber comprises a step to perform the potting of the lusterless silicone rubber composition to a substrate, a step to leave the potted product at room temperature in a manner to migrate the component (B) to the upper part of the potted layer and a step to heat and cure the lusterless silicone rubber composition containing the component (B) migrated to the upper layer.例文帳に追加

また、艶消しシリコーンゴムの製造方法は、前記艶消しシリコーンゴム組成物を基材にポッティングする工程と、前記ポッティングされた層の上部に前記（Ｂ）成分が移行するように室温で放置する工程と、前記（Ｂ）成分が上部に移行した艶消しシリコーンゴム組成物を加熱して硬化させる工程とを具備する。 - 特許庁

When the user uses the contents, the discrimination software of the use contract is actuated at the client computer, a reproducing signal in which bits of the magnetic information of the upper and lower layer parts 102 and 104 obtained from a magnetic head are superimposed is identified, and the reproducing signals of the upper and lower layer parts 102 and 104 are subjected to digital signal processing to obtain the degree of correlation between both signals.例文帳に追加

ユーザーがコンテンツを利用する際、クライアントコンピュータにおいて利用契約の判別ソフトが作動し、磁気ヘッドから得られる上層部１０２と下層部１０４の磁気情報が重畳した再生信号を弁別して、上層部１０２と下層部１０４の再生信号をデジタル信号処理して、両信号の相関度を求める。 - 特許庁

A solder layer is formed by recessing the center part of the upper surface of a conductive pad which is formed to protrude from the surface on the surface of at least one resin insulation layer, and locating the whole surface above a surface level defined by the outer peripheral edge of the upper surface on the surface of the conductive pad.例文帳に追加

少なくとも１層の樹脂絶縁層の表面上において、この表面から突出するようにして形成された導電性パッドの上面の中央部を凹ませ、この導電性パッドの上面において、上面の外周縁部によって画定される表面レベルよりも、表面全体が上方に位置するようにしてはんだ層を形成する。 - 特許庁

In addition, a silicon oxide film 106 is formed on the surface of end of the aperture of the ONO film 102 by conducting heat treatment to the semiconductor substrate 101 in an atmosphere including an oxygen and halogen compound, and a bit line oxide film 107 is simultaneously formed to the upper part of each n-type diffusing layer 104 by oxidizing the upper part of the n-type diffusing layer 104.例文帳に追加

さらに、酸素およびハロゲン化合物を含む雰囲気で半導体基板１０１に熱処理を行なって、ＯＮＯ膜１０２の開口部の端部表面にシリコン酸化膜１０６を形成すると同時に、各ｎ型拡散層１０４の上部を酸化することにより、各ｎ型拡散層１０４の上部にビットライン酸化膜１０７を形成する。 - 特許庁

The capacitor of the semiconductor memory is provided with a lower electrode 10 for covering the bottom of a storage node hole 9, and for covering the side surface to a height lower than the height of the upper surface of a second interlayer insulating film 8, a capacity insulating layer 11 for covering the top of the lower electrode, and an upper electrode 12 for covering the top of the capacity insulating layer 11.例文帳に追加

本発明の半導体記憶装置のキャパシタは、ストレージノードホール９の底面を覆い、側面を第２の層間絶縁膜８の上面の高さよりも低い高さまで覆う下部電極１０と、下部電極の上を覆う容量絶縁膜１１と、容量絶縁膜１１の上を覆う上部電極１２とを備える。 - 特許庁

The light emitting module 10 includes: a metal substrate 12; a conductive pattern 14 formed on the upper surface of the metal substrate 12 with an insulation layer 24 between; an opening 48 which is formed by removing partly the insulation layer 24; and a light emitting device 20 which is fitted to the upper surface of the metal substrate 12 exposed to the bottom of the opening 48.例文帳に追加

発光モジュール１０は、金属基板１２と、絶縁層２４を介して金属基板１２の上面に形成された導電パターン１４と、絶縁層２４を部分的に除去して設けられた開口部４８と、開口部４８の底部に露出する金属基板１２の上面に固着された発光素子２０とを主要に備えた構成となっている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a capacitor formed in a multi-layer wiring layer for preventing the generation of the short-circuit of the upper electrode of a capacitor and wiring and the capacitor embedded in an inter-layer insulating film, or the excessive etching of a via bottom at the time of forming via/wiring on the capacitor with high reliability.例文帳に追加

キャパシタの上部電極と層間絶縁膜中に埋め込み形成された配線とキャパシタがショートする問題やキャパシタ上のビア／配線形成時にビア底の過エッチングを防ぐことができ、高い信頼性を持つ、多層配線層内に形成されたキャパシタを有す半導体装置を提供する。 - 特許庁

A semiconductor device includes: first and second blocks having a plurality of memory cells MT installed in a semiconductor substrate 11 and a plurality of selection transistors ST2 serially connected to one ends of the current paths of the plurality of memory cells MT; an embedded wiring layer 32; and an upper layer wiring layer SL.例文帳に追加

半導体記憶装置は、半導体基板１１に設けられた複数のメモリセルＭＴと、複数のメモリセルＭＴの電流経路の一端に直列に接続された複数の選択トランジスタＳＴ２とを有する第１及び第２のブロックと、埋め込み配線層３２と、上層配線層ＳＬとを含む。 - 特許庁

The lithographic printing plate precursor is obtained by disposing on a support a recording layer including a lower layer containing resin having a phenol skeleton and a urea bond in a backbone structure and an upper layer containing a water-insoluble but alkali-soluble resin and an infrared absorbent and having solubility in an alkaline aqueous solution increased by exposure.例文帳に追加

支持体上に、主鎖構造中にフェノール骨格と尿素結合とを有する樹脂を含有する下層と、水不溶性且つアルカリ可溶性樹脂及び赤外線吸収剤を含有し、露光によりアルカリ性水溶液に対する溶解性が増大する上層と、を含む記録層を設けてなることを特徴とする。 - 特許庁

The printed circuit board includes: an upper circuit layer 600 including connection pads 630 made of a conductive metal and buried in an insulation layer 700; and metal bumps 500 of a constant diameter, which are integrated with the connection pads 630, protrude over the connection pads 630 and also protrude over the insulation layer 700.例文帳に追加

絶縁層７００上に埋め込まれた電気伝導性金属でなる接続パッド６３０を含む上部回路層６００；及び接続パッド６３０と一体を成し、接続パッド６３０の上部に突出するとともに絶縁層７００の上部に突出した一定直径の金属バンプ５００を含む。 - 特許庁

The lubricative film includes a lower lubricant layer 13 comprising a 1st polymer having a polar group or a group with ≥7 introduced πelectrons as a terminal group and an upper lubricant layer 14 comprising a 2nd polymer applied on the lower lubricant layer 13 and having a terminal group different from that of the 1st polymer.例文帳に追加

未端基に極性基または７つ以上のπ電子が導入された基を有する第１のポリマーからなる下側の潤滑剤層１３と、下側の潤滑剤層１３の上に塗布され且つ末端に第１のポリマーと異なる末端基を有する第２のポリマーからなる上側の潤滑剤層１４とを含む。 - 特許庁

The semiconductor laminated layers 10 have a current block layer 23 having an opening exposing the upper surface of the semiconductor laminated layers 10 and a protection layer 24 composed of a group III-V nitride compound continuously covering at least a part of the current block layer 23 along the opening formed thereon.例文帳に追加

半導体層積層体１０の上には、半導体層積層体１０の上面を露出する開口部を有する電流ブロック層２３と、電流ブロック層２３の上面の少なくとも一部を開口部に沿って連続して覆うIII−Ｖ族窒化物系化合物からなる保護層２４とが形成されている。 - 特許庁

Because of the tunnel magnetoresisitive elements 34 and 35, a part of the first magnetic layer 29 can be left as the upper shield layer 50, and the protection layer 28 can be effectively protected from the ion milling so that a plurality of thin film magnetic head whose electric characteristic variation is suppressed can be formed simultaneously.例文帳に追加

トンネル型磁気抵抗効果素子３４，３５であるから、前記第１磁性層２９を上部シールド層５０して一部残すことが可能であり且つ、前記保護層２８をイオンミリングからより効果的に保護でき、電気特性のばらつきが抑制された薄膜磁気ヘッドを複数個同時に形成できる。 - 特許庁

After that, a resist layer 6 for protecting the upper electrode 33 and the insulating layer 4 is formed at one surface side of the support substrate 1, the etchant is introduced through the opening 7 of the resist layer 6 and each etching hole 5, and the cavity 2 is formed by etching the scheduled cavity formation area on the support substrate 1.例文帳に追加

その後、支持基板１の上記一表面側に上部電極３３および絶縁層４を保護するレジスト層６を形成し、レジスト層６の開孔部７および各エッチングホール５を通してエッチング液を導入し支持基板１における空洞形成予定領域をエッチングすることにより空洞２を形成する。 - 特許庁

The nitride semiconductor element contains a large number of nano rods which are formed so as to be aligned perpendicularly on the silicon substrate, an amorphous matrix layer with which spaces between the mutual nano rods are filled so that upper portions of the nano rods project, and the GaN layer formed on the matrix layer.例文帳に追加

本発明の窒化物系半導体素子によると、シリコン基板上に垂直方向に整列されるよう形成された多数のナノロッドと、上記ナノロッドの上端一部が突出するよう上記ナノロッド同士の空間を充填する非晶質のマトリックス層と、上記マトリックス層上に形成されたＧａＮ層を含む。 - 特許庁