| 意味 | 例文 |
upper- layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 11093件
The image display deice has stacking structure of a scanning line lower electrode GL-L embedded in a groove MZ formed by working the main surface of an insulating substrate SUB1 which is a first substrate, a first insulating layer INS1, a signal line electrode DL, a second insulating layer INS2, a third insulating layer INS3, and a scanning line upper electrode GL-H.例文帳に追加
第1の基板となる絶縁基板SUB1の主面を加工した溝MZに埋設した走査線下部電極GL−L、第1絶縁層INS1、信号線電極DL、第2の絶縁層INS2、第3の絶縁層INS3、および走査線上部電極GL−Hの積層構造とする。 - 特許庁
A magnetic layer 2 having a ferromagnetic metal thin film having film thickness of 100 nm or less is formed at a main plane of a non-magnetic supporter of long-length, a protective layer 3 containing carbon formed by the chemical vapor deposition utilizing an ion source including the hollow cathode is formed on its upper layer.例文帳に追加
長尺状の非磁性支持体1の一主面に、100nm以下の膜厚を有する強磁性金属薄膜を有する磁性層2が形成され、その上層に、ホローカソードを含むイオン源を利用する化学気相成長法により形成された炭素を含有する保護層3が形成された構成の磁気記録媒体とする。 - 特許庁
To provide the production of a high strength sintered ore by improving the ventilation of the upper part of charging layer and the whole charging layer in an operation of the downward sucking type sintering machine for introducing dilute gaseous fuel into the charging layer, and to provide the sintering machine for this target.例文帳に追加
希釈気体燃料を装入層中に導入する下方吸引式焼結機の操業において、装入層上層部および装入層全体の通気性を向上させて、高強度の焼結鉱を製造することができるようにすること、および、そのために用いられる焼結機を提供することにある。 - 特許庁
The image forming element includes an image forming layer and a base, the base includes a closed-cell foam core sheet and upper and lower flange sheets bonded to the core sheet, the upper flange sheet contains an oriented polystyrene or polypropylene polymer, the modulus of the upper flange sheet is 1,000-3,500 MPa and the roughness of the upper surface of the base is <0.4 μm Ra.例文帳に追加
画像形成層とベースとを含んで成る画像形成要素であって、前記ベースが、独立気泡フォームコアシートとそれに接着された上部および下部フランジシートとを含んで成り、前記上部フランジシートが配向ポリスチレンまたはポリプロピレンポリマーを含んで成り、前記上部フランジシートのモジュラスが1000〜3500MPaの間であり、前記ベースの上部表面の粗さが0.4μmRa未満である画像形成要素。 - 特許庁
Only a first silicon oxide film 30 (a lower-layer film 30-1 and an upper-layer film 30-2) having a thickness, for example, 40 nm or smaller is interposed between a semiconductor substrate 20 and a shielding film 32 on a photoelectric converter 23 of the solid-state image pickup device.例文帳に追加
固体撮像素子の光電変換部23上において半導体基板20と遮光膜32との間に、厚さ例えば40nm以下の第1シリコン酸化膜30(下層膜30−1と上層膜30−2)のみが介在するようにする。 - 特許庁
At the time of exposing a drain electrode constituting the laminate structure of a metallic film in a lower layer and an aluminum film in an upper layer, the exposure of only a partial region is changed, a region whose resist thickness is thinner than the other region is formed, then patterning is carried out as usual.例文帳に追加
下層の金属膜と上層のアルミ膜の積層構造をなすドレイン電極の露光時に一部領域のみ露光量を変えることによりレジスト厚が他よりも薄い領域を形成した後に、通常どおりのパターニングを行う。 - 特許庁
The drain pipes 9 to be passed through the holes 8a are vertically inserted into a liquefied ground 1 through the holes 8a until its upper end portions are located in the drainage layer 10 of the mat slab 8 to allow the liquefied ground to communicate with the drainage layer 10 through the drain pipes 9.例文帳に追加
孔8aを貫通するドレーンパイプ9は、その上端部が前記マットスラブ8の排水層10に位置するまで、孔8aから液状化地盤1の内方に鉛直に挿入され、排水層10とドレーンパイプ9により連通される。 - 特許庁
The inkjet recording medium is manufactured by a method wherein a lower layer containing a water-absorbing inorganic pigment, a latex and boric acid or a salt thereof and an upper layer containing a submicron pigment and polyvinyl alcohol are provided by coating on a base and subjected to calendering and then casting.例文帳に追加
基材上に、吸水性無機顔料、ラテックス、ホウ酸またはその塩を含有する下層、サブミクロン顔料、ポリビニルアルコールを含有する上層を塗工し、カレンダ処理を施した後に、キャスト処理をして製造されてなるインクジェット記録媒体。 - 特許庁
If the radiation is irradiated after a resist layer 3 is laminated on the circuit, a portion positioned at the upper part of the hollow E of the resist layer 3 is exposed to a dosage which is lower than a threshold of development of a resist only by primary flux F1.例文帳に追加
レジスト層3が回路上に積層された後に放射線を照射すると、レジスト層3の、くぼみEの上方に位置する部分は、1次フラックスF1のみによりレジストの現像のしきい値よりも小さい放射線量にさらされる。 - 特許庁
The mixed liquid 13 is separated by the difference of the specific gravities so that the catalyst and the extractant 14 taking in the hetero compound and the aromatic hydrocarbon may be moved to the lower layer, and the stock oil 16 converted to the hydrocarbon having the high octane number may be moved to the upper layer.例文帳に追加
次に上記混合液13を比重差により、ヘテロ化合物及び芳香族炭化水素を取込んだ触媒・抽出剤14を下層に移行させ、高オクタン価の炭化水素に転換された原料油16を上層に移行させる。 - 特許庁
This electronic equipment is provided with a display part, a hard translucent protection layer provided in an upper face side of the display part, and an ultraviolet sensor provided between a backface of protection layer and the display part, thereby eliminates the constraint on the design.例文帳に追加
この携帯用電子機器は、表示部と、表示部上面側に設けられた透光性を有する硬質の保護層と、該保護層背面と前記表示部の間に設けられた紫外線センサと、を備えることにより、デザイン上の制約を解消する。 - 特許庁
The inverting sense circuit 10 senses data of the bit lines BL when reading the data and sets so that current does not flow in either the main data line MDL on the upper layer side or the bit line BL on the lower layer side when the current flows in the other.例文帳に追加
反転センス回路10は、データの読み出し時に、ビット線BLのデータをセンスすると共に、上層側のメインデータ線MDLと下層側のビット線BLとの間で一方に電流が流れるときに他方に電流が流れないように設定する。 - 特許庁
An insulating layer 12 is formed in such a manner that it may constrict the path of the current supplied to an active layer AL inside an element from an electrode 13 in a stripe shape provided in the element upper part from both sides in a lateral direction under this electrode 13.例文帳に追加
素子上部に設けられたストライプ形状の電極13から素子内部の活性層ALへ供給される電流の経路を同電極13下にて横方向に両側から狭窄する態様で、絶縁膜12を形成する。 - 特許庁
A shielding plate 20 having a foaming layer 60 at an edge 71 is closely adhered from an upper surface 11a to an outer side surface 11b of a front frame 11 in the foaming layer 60 in the state wherein a gap 61 is provided relative to a front fender 14.例文帳に追加
縁部71に発泡層60を有する遮蔽板20をフロントフェンダ14に対し隙間61をあけた状態で発泡層60においてフロントフレーム11の上面11aから外側面11bにかけて密着させてなる。 - 特許庁
An insulating film 13 is formed covering at least part of a top surface of the semiconductor layer 12 and a region S2 on the top surface of the substrate 11, and a p-side electrode 14 is provided covering upper parts of the insulating film 13 and semiconductor layer 12.例文帳に追加
半導体層12の上面の少なくとも一部と基板11表面の領域S2とを覆うように絶縁膜13が形成され、この絶縁膜13と半導体層12の上部を覆うように、p側電極14が設けられている。 - 特許庁
Further, the thin film wiring is made such that the film having Cu or Ag as the main body is used as an intermediate layer, and upper and lower layers of the intermediate layer are formed with the alloy film containing Mo and V and/or Nb, and these three layers are laminated.例文帳に追加
また、CuまたはAgを主成分とする膜を中間層として、該中間層の上層と下層をMoを主体としてVおよび/またはNbを含有する合金膜で形成する3層で積層されている薄膜配線である。 - 特許庁
To provide a tunnel-type magnetic detecting element which, compared especially with such mode as a Ta layer is inserted in a free magnetic layer, reduces a gap length (GL) between upper and lower shield layers and raises a resistance change rate (ΔR/R).例文帳に追加
特に、フリー磁性層内にTa層を挿入した形態に比べて、上下シールド層間のギャップ長(GL)を小さくしつつ抵抗変化率(ΔR/R)を増大させることが可能なトンネル型磁気検出素子を提供することを目的としている。 - 特許庁
The first board 100 and the second board 200 may further have a plurality of ground vias 170 and 270 arranged on side parts of the cavity and electrically connecting the upper ground layer 160 of the cavity and the lower ground layer 260 of the cavity.例文帳に追加
また、第1基板100および第2基板200は、空洞の側部に配列され、空洞の上側のグランド層160および空洞の下側のグランド層260を電気的に接続する複数のグランドビア170、270を更に有してもよい。 - 特許庁
The crushed substances 4 of the hydrothermal solidified bodies the same as that 2 of the lower layer 2 are bonded by fine soil and a hydrothermal reaction product with the lime component in an upper layer 3, and there are large voids among the mutual crushed substances 4.例文帳に追加
上層3は、この下層2の水熱固化体2と同じ水熱固化体の破砕物4を細かい土と石灰系成分との水熱反応生成物によって結合したものであり、破砕物4同士の間に大きな空隙があいている。 - 特許庁
The gate electrode 1 has stacked structure where at least two layers of conductive materials are piled up, and the conductive material in the upper layer 1b close to the semiconductor film 5 is lower in heat conductivity than the conductive material in the lower layer 1a close to the substrate 0.例文帳に追加
ゲート電極1は、少なくとも二層の導電材料を重ねた積層構造を有し、半導体薄膜5に近い上層1bの導電材料は基板0に近い下層1aの導電材料に比較して熱伝導度が低い。 - 特許庁
Until only the previously selected quantity of materials is left on the first conductive pattern 15, a portion 28 of the flattening material layer 20 and the second inductive material layer 16 is removed in such a way that the practically flat upper surface is maintained.例文帳に追加
材料の予め選択した量のみが第一の導電性パターン15の上に残る迄、実質的に平坦な上面を維持する仕方にて平坦化材料層20及び第二の誘電材料層16の部分28が除去される。 - 特許庁
The stereo lithography capable of reducing the warp comprises the steps of forming an adhesive layer on an upper surface of a plate for manufacturing a stereo lithographic product, and then manufacturing the product on the adhesive layer, and the resin mold is made by stereo lithography.例文帳に追加
光造形法において、光造形物を作製するプレート上面に接着層を形成した後、該接着層上に光造形物を作製することを特徴とする反りを低減可能な光造形法および該作製法からなる樹脂型。 - 特許庁
Consequently light reaching a semiconductor layer 1a out of light emitted from a light source etc. is reduced compared with the case of shielding the semiconductor layer 1a from light with metal films such as the data line 6a etc. arranged on the upper side of a storage capacitor 70a.例文帳に追加
したがって、データ線6a等の蓄積容量70a上に配置された金属膜によって半導体層1aを遮光する場合に比べて、光源等から出射された光のうち半導体層1aに到達する光を低減できる。 - 特許庁
Total amount (about 3 μm) of a thickness of the p-side electrode 10 and the thickness of the p-side pad electrode 11 is larger than a distance (about 1.0 μm to about 2.1 μm) from an under surface of a n-type clad layer 3 under a MQW active layer 4 to the upper surface of the ridge.例文帳に追加
そして、p側電極10とp側パッド電極11との合計厚み(約3μm)は、MQW活性層4の下のn型クラッド層3の下面からリッジ部の上面までの距離(約1.0μm〜約2.1μm)よりも大きい。 - 特許庁
The magnetic pole part layer 11a is formed by forming a magnetic film on the surface having difference in level generated by the insulating layer 9, flattening the upper surface of the magnetic film and patterning the magnetic film flattened by photolithography.例文帳に追加
磁極部分層11aは、絶縁層9によって段差が生じている面の上に磁性膜を形成し、この磁性膜の上面を平坦化し、この平坦化された磁性膜をフォトリソグラフィによってパターニングすることによって形成される。 - 特許庁
The coil comprises a spiral conductor 141 formed on an upper surface 122a of an insulating layer 122, a spiral conductor 142 formed on a lower surface 123b of an insulating layer 123, and a frame-like spacer 190 arranged between the insulating layers 122 and 123.例文帳に追加
絶縁層122の上面122aに形成されたスパイラル状導体141と、絶縁層123の下面123bに形成されたスパイラル状導体142と、絶縁層122,123間に配置された枠状体のスペーサ190とを備える。 - 特許庁
An image supply section is notified of the data amount pooled in a moving picture transmission section due to transmission waiting, and inspects the notified data amount to stop supply of the data of a layer when the data amount reaches an upper limit or over determined for each layer of moving picture codes.例文帳に追加
動画像送信部に送信待ちでたまっているデータ量を画像供給部に通知し、画像供給部は通知されたデータ量を検査し、動画像符号の階層ごとに定めた上限値以上になるとその階層の供給を停止する。 - 特許庁
A spacer layer 65 having an upper surface is provided on a base 50, and a lengthwise channel 67 is formed in the spacer layer, and the channel 67 has a 1st sidewall 67a and a 2nd sidewall 67b facing opposite each other and a bottom face 67c.例文帳に追加
前記ベース50の上に、上表面を有するスペーサ層65が備えられ、前記スペーサ層65に、長手のチャンネル67が形成され、前記チャンネル67は、相対する第一側壁67aと第二側壁67bと底面67cとを備える。 - 特許庁
This packaging comprises a three laminated resin layers, an intermediate layer 30 is a resin layer containing a light transmission preventive material such as zinc oxide, titanium oxide and iron oxide, and upper and lower layers 10 and 20 are resin layers having a reinforcing structure of polyethylene and polypropylene.例文帳に追加
3層の樹脂層を積層してなり、中間の層30は酸化亜鉛、酸化チタン、酸化鉄等の光透過防止材を含有した樹脂層であり、上下の層10,20はポリエチレン、ポリプロピレンの補強構造を有する樹脂層である包装材。 - 特許庁
The Y-direction width of the lower part of a first conductive layer 6 becomes narrower than the Y-direction width of the upper part, because the side wall of the first conductive layer 6 is subjected to etching or the reaction product of the etching is removed.例文帳に追加
第1の導電層6の側壁をエッチング処理や当該処理時の反応生成物の除去処理等により除去することで第1の導電層6の下部のY方向の幅がその上部のY方向の幅よりも狭く形成される。 - 特許庁
At least the steering wheel 1 includes a synthetic resin layer 6 covering at least the entire rim part 4 for the metal core 5, and the upper shell 8 and the lower shell 9 are covered to be pinched in the synthetic resin layer 6 forming a part of the rim part 4.例文帳に追加
このとき、芯金5の少なくともリム部4の全体をモールディングによって被覆して成る合成樹脂層6を有し、アッパシェル8及びロアシェル9は、リム部4の一部を成す合成樹脂層6に挟み込むようにして被覆する。 - 特許庁
This construction plate 1 is constituted by providing a lower side paint layer 3 and an upper side paint layer 4 sequentially on a design surface 201 of an original plate forming many curly grain formation protrusions 21, 22 for providing tone of curly grain and having a curly grain recessed and protrusion 203.例文帳に追加
建築板1は,木目調を呈するための多数の木目形成凸部21,22を形成してなる木目凹凸模様203を有する原板の意匠表面201に,下側塗料層3及び上側塗料層4を順次設けてなる。 - 特許庁
To prevent factors of causing wiring crack, void and broken line in the formation of a wiring at an upper layer part of metallic wires by eliminating a step difference of an inter-layer insulation film covering the metallic wires in the case of forming the metallic wires made of a thick aluminum film on a semiconductor substrate.例文帳に追加
半導体基板上に厚いアルミニウム膜の金属配線形成した際、それを被覆する層間絶縁膜の段差を取り除く事で、その上層部での配線形成における配線クラック、ボイド、断線の要因を防止する。 - 特許庁
In a first dry etching step, dry etching is applied to the substrate for the master disk with the upper layer resist 13 as a mask and in a first ashing step, ashing is applied to an area exposed with a weak beam up to the glass substrate 1 with the intermediate layer 12 as a mask.例文帳に追加
第1のドライエッチング工程で、上層レジスト13をマスクにして原盤用基板をドライエッチングし、第1のアッシング工程で、上記中間層12をマスクにして弱いビームで露光された領域を硝子基板1までアッシングする。 - 特許庁
The non-linear element 10x is a TFD (thin film diode) element provided with: a lower electrode 13x; an insulation layer 14x covering the surface of the lower electrode 13x; and an upper electrode 15x opposite to the lower electrode 13x via the insulation layer 14x.例文帳に追加
非線形素子10xは、下電極13x、この下電極13xの表面側を覆う絶縁層14x、およびこの絶縁層14xを介して下電極13xに対向する上電極15xを備えたTFD素子である。 - 特許庁
That is, after forming a hole transport layer 5 and an electron transport layer 9 of the organic light-emitting element 2 on the whole display range, the contact hole section 122 is removed, and the current supply line 121 and the upper transparent electrode 10 are electrically connected.例文帳に追加
すなわち、有機発光素子2の正孔輸送層5と電子輸送層9とを表示領域全体に形成した後、コンタクトホール部122を除去して、電流供給線121と上部透明電極10とを電気的に接続する。 - 特許庁
Thickness is reduced by an amount corresponding to the thickness of an adhesive layer as compared with a case where the lower surface of the silicon substrate 3 of the semiconductor structure 2 is bonded to an upper surface of a base plate 1 through an adhesive layer of die bond material.例文帳に追加
これにより、ベース板1の上面に半導体構成体2のシリコン基板3の下面をダイボンド材等からなる接着層を介して接着する場合と比較して、接着層の厚さに相当する分だけ薄型化することができる。 - 特許庁
The element 10 is constituted so that the directions of the magnetizations of the layers 1 and 3 at the lower end and the upper end are changed by making a current in the in-face direction flow through the storage layer 4 to the element 10, and the information is recorded to the storage layer 4.例文帳に追加
また、上記磁気記憶素子10に対して、記憶層4にその面内方向の電流を流すことにより、下端部及び上端部の高飽和磁束密度層1,3の磁化の向きを変化させて、記憶層4に情報の記録を行う。 - 特許庁
The anisotropy particle arrangement 100 consists of an elastic polymer layer 120, and an elastic electrical conductor 110 or an elastic heat conductor 110 placed so as an upper part and a lower part to be exposed in the elastic polymer layer 120.例文帳に追加
本発明の非等方性粒子配列体100は、弾性高分子層120と、弾性高分子層120内に上部および下部が露出されるように位置する弾性導電体110または弾性熱伝導体110とを含んでなる。 - 特許庁
With respect to the lower-layer coil conductor 11U and the upper-layer coil conductor 11S, an arrangement interval of axial parallel parts PA in parallel with an axial direction of a magnetic core 1 is narrower than an arrangement interval of axial crossing parts CA crossing the axis of the magnetic core 1.例文帳に追加
下層コイル導体部11U及び上層コイル導体部11Sについて、磁性体コア1の軸方向に平行な軸平行部PAの配置間隔は、磁性体コア1の軸に直交する軸直交部CAの配置間隔より狭い。 - 特許庁
A lower clad layer 32, a core 33, and an upper clad layer 35 are formed on an Si substrate 31, and light is confined in the core 33 by a refractive index difference between the core 33 and the clad layers 32 and 35 to be propagated in the longitudinal direction of the core 33.例文帳に追加
Si基板31の上に、下部クラッド層32、コア33及び上部クラッド層35が形成されており、光はコア33とクラッド層32,35との屈折率の差によりコア33内に閉じ込められてコア33の長手方向に伝搬する。 - 特許庁
To provide an RFID tag structure that allows a wiring pattern to be formed up to a peripheral part of even a wiring layer of a lower layer, by reducing a region that must be secured as a clearance, when installing an RFID tag at an end of the upper surface of a printed board.例文帳に追加
RFIDタグをプリント基板上面の端部に設置する場合、クリアランスとして確保しなければならない領域を減らし、下層の配線層も周辺部まで配線パターンの形成ができるRFIDタグ構成を提供すること。 - 特許庁
The first common wiring 43b is led out to the lower surface of the piezoelectric layer 40 and the upper surface of the piezoelectric layer 42, respectively, by means of four first extensions 43b1 and through holes 51 and 53 formed to face a first joint 43b2.例文帳に追加
第1共通配線43bは、4つの第1延在部43b1、及び、第1接続部43b2と対向するように形成されたスルーホール51、53により、それぞれ、圧電層40の下面及び圧電層42の上面に引き出されている。 - 特許庁
To provide a component built-in type multilayer printed circuit board capable of maintaining insulation property between an electrode of the built-in component and a wiring layer in an upper layer, even if the component is built in a coreless substrate in order to reduce total board thickness, along with its manufacturing method.例文帳に追加
総板厚を薄くする為にコアレス基板に部品を内蔵しても、内蔵された部品の電極と上層の配線層との絶縁性を保つことが出来る部品内蔵型多層プリント配線板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
The second free layer includes: a first magnetization fixing region provided on an upper surface of a film of the second free layer, and in which magnetization direction is fixed to a first direction; and a second magnetization fixing region provided on a lower surface of the film, and in which the magnetization direction is fixed to a second direction.例文帳に追加
第2のフリー層は、第2のフリー層の膜の上面に設けられ、第1方向に磁化が固定された第1の磁化固定領域と、膜の下面に設けられ、第2方向に磁化方向が固定された第2の磁化固定領域とを含む。 - 特許庁
When heating and drying a resist film 2 after applying the resist on a photomask substrate 1, heating is carried out by a hot plate 10 to the lower face of the substrate and by near IR rays K2 to a light-shielding layer or a halftone layer 1b on the upper face of the substrate.例文帳に追加
フォトマスク基板1上にレジストを塗布した後の該塗布膜2の加熱乾燥にて、基板下面へのホットプレート10による加熱と、基板上面の遮光層或いはハーフトーン層1bへの近赤外線K2による加熱を行うこと。 - 特許庁
At least either of a lower magnetic shielding layer 3 and an upper magnetic shielding layer 12 are formed to such shapes that the sectional lengths, sectional positions, etc., in the track width direction exposed on surfaces for sliding with media change according to the depth of the MR element 6.例文帳に追加
下部磁気シールド層3及び上部磁気シールド層12のうち少なくとも一方を、MR素子6のデプスに応じて、媒体摺動面に露出するトラック幅方向の断面長さ、及び断面位置などが変化するような形状で形成する。 - 特許庁
Based on a surface of the resin insulation layer 24 as an outermost layer exposed from the upper surface 31 of the wiring lamination portion 30, the capacitor connection terminal 42 is higher than a reference surface and the IC chip connection terminal 41 is lower than the reference surface.例文帳に追加
配線積層部30の上面31にて露出する最外層の樹脂絶縁層24の表面を基準としたとき、コンデンサ接続端子42は基準面よりも高く、ICチップ接続端子41は基準面よりも低くなっている。 - 特許庁
The organic electroluminescent element 1 using the organic luminescent material is obtained by supporting at least a luminescent layer 503 between a lower electrode (anode) 3 and an upper electrode (cathode) 7 and contains the organic luminescent material in the luminescent layer 503.例文帳に追加
この有機発光材料を用いた有機電界発光素子1は、下部電極(陽極)3と上部電極(陰極)7との間に少なくとも発光層503を挟持してなり、発光層503に有機発光材料が含有されている。 - 特許庁
A protective film 1 for preventing electrification consists of a resin film 2, an adhesive layer 4 formed on the lower surface 22 of the resin film 2, and a sputtered layer 3 formed on the upper surface 21 of the resin film 2 by sputtering metal or metal oxide.例文帳に追加
樹脂フィルム2と,該樹脂フィルム2の下面22に形成した粘着層4と,上記樹脂フィルム2の上面21に金属又は金属酸化物をスパッタリングすることにより形成したスパッタ層3とからなる帯電防止用保護フィルム1。 - 特許庁
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