「upper- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(153ページ目) - Weblio英語例文検索

On both end faces of a semiconductor laser 100 in a lengthwise direction L, core layers 123 are formed which are composed of GaInAsP not containing Al and work as passive waveguide layers, instead of a lower part SCH layer 112, a multiple quantum well active layer 113 and an upper part SCH layer 114 which are positioned in the center of the lengthwise direction L.例文帳に追加

半導体レーザ１００の長さ方向Ｌの両端面に、長さ方向Ｌの中央に位置する部分の、下部ＳＣＨ層１１２、多重量子井戸活性層１１３、上部ＳＣＨ層１１４の代わりに、Ａｌを含まないＧａＩｎＡｓＰでなる、受動導波路層としてのコア層１２３が形成されている。 - 特許庁

In processing method of a lithographic printing plate having physical development nuclei layer as an upper layer over silver halide emulsion layer formed on a support by using a silver salt diffusion transfer method, the processing method is characterized to use treatment liquid containing polyethylene imines having average molecular weight of 200 or more after development.例文帳に追加

支持体上に設けられたハロゲン化銀乳剤層の上層に物理現像核層を有する銀塩拡散転写法を利用した平版印刷版の処理方法において、現像処理後に平均分子量が２００以上のポリエチレンイミンを含有する処理液にて処理することを特徴とする平版印刷版の処理方法。 - 特許庁

The semiconductor device has a semiconductor substrate, a gate insulating film formed on the semiconductor substrate, a metal-containing layer formed on the gate insulating film, and a gate electrode comprising a polycrystalline silicon layer that includes impurity ions covering the upper face and side faces of the metal-containing layer.例文帳に追加

本発明の一態様に係る半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された金属含有層、並びに前記金属含有層の上面および側面を覆う不純物イオンを含んだ多結晶シリコン層からなるゲート電極と、を有する。 - 特許庁

On the upper surface of a second interlayer insulation layer 7, a second local interconnect line 8 connecting the source region 4A of an MOS transistor T with the lower electrode layer 10A of a ferroelectric capacitor C and connecting a part of the gate electrodes 3A and 3C of the MOS transistor T with the uppermost layer interconnect line 12 is formed.例文帳に追加

また、第二の層間絶縁層７の上面に、ＭＯＳトランジスタＴのソース領域４Ａと強誘電体キャパシタＣの下部電極層１０Ａとを接続し、且つ、ＭＯＳトランジスタＴの一部のゲート電極３Ａ、３Ｃと最上層配線１２とを接続する第二の局所配線８を形成する。 - 特許庁

That is, the gate wiring 8 is made a double layer structure of the metallic film of a row like wiring pattern and the storage ITO film 9, and by prolonging the pixel electrode 4 on the upper layer of the double layer structure, the structure forming the auxiliary capacitance by the part where the pixel electrode 4 is overlapped the gate wiring 8 is obtained.例文帳に追加

つまり、ゲート配線８を行状の配線パターンの金属膜とストレージＩＴＯ膜９との２層構造とし、その２層構造の上層に画素電極４を延在させることにより、画素電極４がゲート配線８とオーバーラップする部分にて補助容量を形成する構造とする。 - 特許庁

The phase change memory element includes a lower electrode 12 formed on a substrate 10; a composite layer 20, containing a dielectric material 16 and a low heat-conducting material 18, which is formed on an insulating layer 14; a phase change material 24 filled in a through-hole formed in the composite layer 20; and an upper electrode 26.例文帳に追加

相変化メモリ素子は、基板１０上に形成された下電極１２と、絶縁層１４上に形成され、誘電材料１６と低熱伝導材料１８からなる複合層２０と、複合層２０に形成された貫通孔に充填される相変化物質２４と、上電極２６からなる。 - 特許庁

A Schottky barrier diode 1 is provided with an n-type substrate 3 and an n^+ epitaxial layer 5; an anode electrode 9 formed on the upper surface 5a of the n^+ epitaxial layer 5; a cathode electrode 7 formed on the lower surface 3b of the n-type substrate 3; and a p-type impurity region 13 formed in the n^+ epitaxial layer 5.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオード１は、ｎ型基板３およびｎ^+エピタキシャル層５と、ｎ^+エピタキシャル層５の上面５ａに形成されたアノード電極９と、ｎ型基板３の下面３ｂに形成されたカソード電極７と、ｎ^+エピタキシャル層５中に形成されたｐ型不純物領域１３とを備えている。 - 特許庁

An anisotropic conductive adhesive layer 5 mixed with conductive grains into a thermosetting adhesive is provided at the terminal upper section of a conductive circuit pattern 3 wired on a flexible film 2, and an insulating adhesive layer 7 having the fluidity higher than that of the anisotropic conductive adhesive layer at the heat seal temperature is provided on it.例文帳に追加

レキシブルフィルム２に配線された導電回路パターン３の端子部上部に熱硬化性接着剤に導電粒子４をまぜた異方導電性接着剤層５を設け、さらにその上部に異方導電性接着剤層よりもヒートシール温度において流動性のよい絶縁性接着剤層７を設けた。 - 特許庁

The light-emitting device 1 includes: a substrate 3; the light-emitting part 5, which is formed by laminating a plurality of semiconductor layers on the substrate 3, wherein a contact layer 15 comprising a Ga-containing phosphide semiconductor is provided on an uppermost layer of the light-emitting part; and the electrode 7, which is connected to the upper surface of the contact layer 15.例文帳に追加

本発明に係る発光装置１は、基板３と、基板３の上に複数の半導体層を積層して形成されており、Ｇａを含む燐化物半導体からなるコンタクト層１５が最上層に設けられている発光部５と、コンタクト層１５の上面に接続されている電極７と、を備えている。 - 特許庁

A power trench MOS gate device is provided with a heavily- doped semiconductor substrate 201, a deep trench gate 213 separated by an insulating layer 212 in an upper layer composed of an N-epitaxial layer 202, doped to a first conductivity-type and well layers 215 doped to a second conductivity-type, and a strongly conductive drain region 211 below the trench gate 213.例文帳に追加

重くドープした半導体基体２０１と、この基体上に第１導電型にドープしたＮ−エピタキシャル層２０２と第２導電型にドープしたウエル層２１５からなる上側層内に、絶縁層２１２で分離された深いトレンチゲート２１３とを設け、トレンチゲート２１３の下に強導電性ドレイン領域２１１を設ける。 - 特許庁

A plug electrode extending from a semiconductor substrate to the upper surface of an interlayer insulation film is divided into a first plug electrode 5 and a second plug electrode 13 which are then connected by an LI layer 7a, and an LI layer 7b is laid under an alignment mark 15 and used as an etching stopper layer.例文帳に追加

半導体基板から層間絶縁膜の上面に至るプラグ電極を第１プラグ電極５と第２プラグ電極１３とに分け、第１プラグ電極５と第２プラグ電極１３とをＬＩ層７ａで繋ぐと共に、ＬＩ層７ｂを合わせマーク１５の下に敷いてエッチングストッパ層として使用する。 - 特許庁

With respect to an arbitrary projection surface, the first region of the projection where the projected lower spin state variable layer 102 is projected on the normal line direction of the flat surface of the spin state fixed layer 104, does not coincide with the second region of the projection where the upper spin state variable layer 106 is projected to the above surface of projection.例文帳に追加

任意の投影面に対し、下部スピン状態可変層１０２をスピン状態固定層１０４の平面の法線方向に投影した射影である第１領域と、同様に上記投影面に対して上部スピン状態可変層１０６を投影した射影である第２領域とが一致していない。 - 特許庁

The semiconductor device comprises: an n-type epitaxial layer 2; a trench 3 formed on the n-type epitaxial layer 2, where an embedded electrode 5 is provided inside; and a p^+-type impurity region 2a formed at a prescribed region at the upper surface side of the n-type epitaxial layer 2 with a prescribed interval to the trench 3 when viewed in plan view.例文帳に追加

この半導体装置は、ｎ型エピタキシャル層２と、このｎ型エピタキシャル層２に形成され、内部に埋め込み電極５が設けられたトレンチ３と、ｎ型エピタキシャル層２の上面側の所定領域に、平面的に見て、トレンチ３と所定の間隔を隔てて形成されたｐ^+型不純物領域２ａとを備えている。 - 特許庁

The low-resistance ground-plane may have a slot for reducing a loop size of an eddy current path; and the ground-plane is formed from at least one of an upper IC metal layer, a copper pad formed between a non-activated layer in IC and the dielectric layer, and a part or combination of metal portions used in formation of the micro-coil.例文帳に追加

低抵抗グランドプレーンは、渦電流路のループサイズを減少するためにスロットを設けることができ、１つ以上の上部ＩＣメタル層、ＩＣ不活性化層と誘電体層との間に形成された銅パッド、マイクロコイルの形成に使用されるメタルの部分又はその組合せから形成される。 - 特許庁

After forming an electron transport layer 16D composed of a nitrogen-containing heterocyclic compound having electron mobility of 1.0×10^-6 to 1.0×10^-1 cm^2/Vs on the entire surface of the blue light-emitting layer 16CB, an electron injection layer 16E and an upper electrode 17 are formed thus obtaining an organic EL display device.例文帳に追加

青色発光層１６ＣＢの全面に電子移動度が１．０×１０^-6ｃｍ^2／Ｖｓ以上１．０×１０^-1ｃｍ^2／Ｖｓ以下の含窒素複素環式化合物からなる電子輸送層１６Ｄを形成したのち電子注入層１６Ｅおよび上部電極１７を形成し有機ＥＬ表示装置を得る。 - 特許庁

In a semiconductor device 1, an underlaying insulating film 250, an interlayer insulating film 220, and an upper layer insulating film 260 are almost constant in the film thickness, and in a first wiring layer 210, a film thickness d11 at an intersection part 280 with a second wiring layer 230 is thinner than a film thickness d12 of its peripheral part.例文帳に追加

半導体装置１において、下地絶縁膜２５０、層間絶縁膜２２０、および上層絶縁膜２６０は、その膜厚が略一定であるが、第１の配線層２１０は、第２の配線層２３０との交差部分２８０での膜厚ｄ１１がその周辺部分の膜厚ｄ１２よりも薄い。 - 特許庁

Furthermore, smoothness on the surface of the lower layer via hole 46 is high because cover plating 58 is performed after a filling agent 54 in the via hole 46 is flattened by polishing and thereby high connection reliability is ensured between the lower layer via hole 46 and an upper layer via hole 66.例文帳に追加

また、バイアホール４６に充填された充填剤５４を研磨により平坦にしてから蓋めっき５８を配設し、この上に上層バイアホール６６が形成されているため、下層バイアホール４６表面の平滑性が高く、当該下層バイアホール４６と上層バイアホール６６との接続信頼性に優れる。 - 特許庁

The underlay conductive member 28 which has a thermal expansion coefficient smaller than that of the metal wiring 23 is interposed between the metal wiring 23 and solder layer 14, so that thermal stress due to the difference in thermal expansion coefficient between the upper and lower members which is applied to the solder layer 14 is reduced to suppress cracking of the solder layer 14.例文帳に追加

金属配線２３と半田層１４との間に、金属配線２３よりも熱膨張係数の小さい下敷き導電部材２８が介在しているので、半田層１４に印加される上下部材間の熱膨張係数差に起因する熱応力が緩和され、半田層１４のクラックの発生が抑制される。 - 特許庁

The electrode (123) is composed of a lower layer electrode high in luminous efficiency and an upper layer high in water resistance and gas barrier property and excellent in conductivity and connected to the wiring layer (107) of the power source on the side of the substrate (100) within the sealing part of the sealing substrate (200) while doubling with a part of the wiring.例文帳に追加

前記２層電極（１２３）は、発光効率の高い下層電極と、耐水性およびガスバリア性が高く、かつ導電性の優れた上層電極からなり、上層電極は配線の一部を兼ねると共に封止基板（２００）の封止部内にて基板側の電源の配線層（１０７）と接続される。 - 特許庁

A gate electrode 7P of the PMOS transistor consists of a lower layer film comprising an a-Si film 71 and a SiGe film 72, an upper layer film comprising a polysilicon film 73, a barrier film (SiO) 74 and a cap silicon film (a-Si) 75 thereover, and a metal silicide layer 12 formed on the surface of the cap silicon film 75.例文帳に追加

ＰＭＯＳトランジスタのゲート電極７Ｐはａ−Ｓｉ膜７１及びＳｉＧｅ膜７２からなる下層膜と、その上のポリシリコン膜７３、バリア膜（ＳｉＯ）７４、キャップシリコン膜（ａ−Ｓｉ）７５からなる上層膜と、キャップシリコン膜７５の表面に形成された金属シリサイド層１２とを備えている。 - 特許庁

This system is provided with a double floor 10 consisting of a lower layer sheet 11 laid on the ground surface, making a prescribed drain gradient, intermediate floor blocks 40 arranged on the lower layer sheet 11 lengthwise and breadthwise in consideration of the drain gradient, and an upper layer sheet 12 laid on the intermediate floor blocks 40 so as to cover the whole surface thereof.例文帳に追加

地盤面上に所定排水勾配をつけて敷設された下層シート１１と、この下層シート１１上に排水勾配を考慮して縦横方向に配設された中間床ブロック４０と、中間床ブロック４０の全面を覆うように敷設された上層シート１２とからなる２重床１０を備える。 - 特許庁

The gate electrode 9 has a lower conductive layer 7 formed on the gate insulating film 4 and having a first width W1 in a channel widthwise direction, and an upper conductive layer 8 formed on the lower conductive layer 7 and having a second width W2 larger than the first width W1 in the channel widthwise direction.例文帳に追加

フローティングゲート電極９は、ゲート絶縁膜４上に形成されてチャネル幅方向に第１の幅Ｗ１を有する下部導電層７と、下部導電層７上に形成されてチャネル幅方向に第１の幅Ｗ１よりも大きい第２の幅Ｗ２を有する上部導電層８とを含む。 - 特許庁

When the medium access control layer measures the traffic volume, the medium access control layer measures the traffic volume in the unit of transmission channels, the measured traffic volume in the unit of transmission channels is compared with a predetermined threshold value in the event triggered mode, and the measured traffic volume is reported to the upper layer when the volume is out of a given range.例文帳に追加

媒体接続制御階層でトラフィックボリュームを測定する時、伝送チャネル単位でトラフィックボリュームを測定し、その測定される伝送チャネル単位のトラフィックボリュームをイベントトリガーモードでは定められたしきい値と比較し、しきい値を超える該伝送チャネルに対して上位階層にトラフィックボリュームを報告する。 - 特許庁

The method for fabricating a thin device 1 comprises a process for forming a flat film 3 on a substrate 2, a process for forming a lower conductor layer 10 on the flat film 3, a process for forming a dielectric film 20 on the lower conductor layer 10, and a process for forming an upper conductor layer 30 on the dielectric film 20.例文帳に追加

薄膜デバイス１の製造方法は、基板２の上に平坦化膜３を形成する工程と、平坦化膜３の上に下部導体層１０を形成する工程と、下部導体層１０の上に誘電体膜２０を成膜する工程と、誘電体膜２０の上に上部導体層３０を形成する工程とを備えている。 - 特許庁

In a cover cap member 14, a semitransparent half mirror layer 15 having a front face side of a metal-tone color is formed, and on the lower face side of the half mirror layer 15, a light shielding layer with a slit 16a formed in a portion overlapping an upper face part 13i of an indicator body 13 in a top view, is formed.例文帳に追加

カバーキャップ部材１４には、表面側が金属調の色彩を有して、半透明のハーフミラー層１５が形成されてると共に、ハーフミラー層１５の下面側には、上面視で、指針本体１３の上面部１３ｉと重複する部分にスリット１６ａが形成された遮光層が設けられている。 - 特許庁

The barrier rib 150a is formed on a substrate P, the fluorine content in the top layer of the upper surface of the barrier rib 150a is higher than that in the top layer of the inner surface of the opening 151, and the functional layer 140 is arranged in the opening 151 sectioned by the barrier rib 150a.例文帳に追加

基体Ｐ上に隔壁１５０ａを形成するとともに、隔壁１５０ａの上面の表面層におけるフッ素含有率を開口部１５１の内側面の表面層におけるフッ素含有率より高くし、隔壁１５０ａによって区画される開口部１５１に機能層１４０を配置する。 - 特許庁

The reinforcing insulation layer 140 is formed between the bell mouth portions 120, 130, the internal electrode 110, and the stem 204; and the outer shut-off layer 150, in a state with the stem 204 installed in the metal mold and an outer conductive layer installed on the upper of the bell mouth portions 120, 130 and the internal electrode 110.例文帳に追加

心棒２０４を金型内に設置して、ベルマウス部１２０、１３０および内部電極１１０の上方に外部導電層が配置された状態で、ベルマウス部１２０、１３０、内部電極１１０および心棒２０４と、外部遮蔽層１５０との間に補強絶縁層１４０を形成する。 - 特許庁

To obtain a positive type photoresist composition having high sensitivity and high resolving power of ≤0.2 μm in the production of a semiconductor device, giving a photoresist of a rectangular shape and less liable to cause a dimensional shift in pattern transfer to a lower layer in an oxygen plasma etching step when the composition is used as the upper layer resist of a two- layer resist system.例文帳に追加

半導体デバイスの製造において、高感度で0.2μｍ以下の高解像力を有し、かつ矩形形状のフォトレジストを与え、また二層レジストシステムの上層レジストとして使用した場合、酸素プラズマエッチング工程での下層へのパターン転写の際に寸法シフトが少ないポジ型フォトレジスト組成物を得る。 - 特許庁

In a connection pad structure for a COG package, an upper layer conductive film 12 is made smaller than a lower layer conductive film 9 and made larger than an opening 11 of an insulating film 10 in shape, and thereby the insulating part is exposed to step parts 10a, 10b to be formed on the periphery of the lower layer conductive film 9.例文帳に追加

ＣＯＧ実装を行う接続パッドの構造において、上層導電膜１２を下層導電膜９の形状より小さくかつ絶縁膜１０の開口部１１の形状より大きくすることにより、下層導電膜９の辺縁に形成される段差部１０ａ，１０ｂに絶縁部分を露出させる。 - 特許庁

This grid holder sandwiches from the upper and lower sides and fixes this grid for the transmission electron microscope having a base material 1 having at least one opening part 6, a carbon film 2 for covering a first face and the opening part of the base material, a metal later (for example, a tantalum layer) formed on the carbon film, and a ceramic layer (for example, an alumina layer).例文帳に追加

少なくとも１つの開口部６を有する基材１と、基材の第１面および開口部を被覆するカーボン膜２と、カーボン膜上に形成された金属層（例えばタンタル層）３と、セラミック層（例えば酸化アルミニウム層）４とを有する透過型電子顕微鏡用グリッドと、それを上下から挟んで固定するホルダー。 - 特許庁

A vibration absorption layer 3 constituted by an elastic material having an average Young's modulus of 22-62 MPa is formed on a corrugated sheet 9 fixed to a lateral beam 11, and a load-resistance layer constituted by a material having an average Young's modulus of 3,000-4,000 MPa is formed on an upper surface of the vibration absorption layer 3.例文帳に追加

横梁１１に固定された波板９に、平均的なヤング率が２２〜６２ＭＰａの弾性材料から構成される振動吸収層３を形成し、その振動吸収層３の上面に、平均的なヤング率が３０００〜４０００ＭＰａの材料から構成される耐荷重層を形成する。 - 特許庁

The magnetic sensor 10 is equipped with a single substrate 10a, ordinary GMR devices 11 and 12 each comprising a spin valve film equipped with a single film fixed layer, and SAF devices 13 and 14 each comprising a synthetic spin valve film equipped with a multi-layer film laminate fixed layer formed so as to be superposed an an upper part of each of the GMR devices.例文帳に追加

磁気センサ１０は、単一の基板１０ａと、単一膜固定層を備えたスピンバルブ膜からなる通常ＧＭＲ素子１１及び１２と、これらの通常ＧＭＲ素子のそれぞれの上部に重なるように形成された多層膜積層固定層を備えたシンセティックスピンバルブ膜からなるＳＡＦ素子１３，１４とを備える。 - 特許庁

After reproducing data are recorded in the data zone DZ0 of an upper side recording layer L0 and the data zone DZ1 of a lower side recording layer L1, a lower side middle zone recording operation is carried out for recording prescribed data into the middle zone MZ1 of the lower side recording layer L1 from a disk outer peripheral side to a disk inner peripheral side.例文帳に追加

上位側記録層Ｌ０のデータゾーンＤＺ０と下位側記録層Ｌ１のデータゾーンＤＺ１とに再生用データを記録した後は、下位側記録層Ｌ１のミドルゾーンＭＺ１に規定データをディスク外周側からディスク内周側へ記録する下位側ミドルゾーン記録動作が実行される。 - 特許庁

In the image forming member comprising an integral base material containing at least one image receptive layer and an upper surface layer containing at least one polyester layer and a polymer of a polyester or polyolefin and a blueing agent, a spectral transmittance of the base material is equal to or larger than 90%.例文帳に追加

少なくとも１つの画像受容層、並びに少なくとも１つのポリエステル層及びポリエステル又はポリオレフィンの重合体と青味剤とを含有する上面層を含む一体基材材料を含んでなる画像形成部材であって、前記一体基材材料の分光透過率が９０％より大きい画像形成部材。 - 特許庁

The positive lithographic printing original plate comprises an intermediate layer containing a polymer having a lactone group, a lower layer containing a water-insoluble and alkali-soluble resin, and an upper thermosensitive layer containing a water-insoluble and alkali-soluble resin and an IR ray absorbing dye, successively layered on a supporting body.例文帳に追加

支持体上に、ラクトン基を有する重合体を含有する中間層と、水不溶性且つアルカリ可溶性樹脂を含む下層と、水不溶性且つアルカリ可溶性樹脂及び赤外線吸収染料を含む上部感熱層とを順次積層してなることを特徴とするポジ型平版印刷版原版である。 - 特許庁

The light emitting element 12 has a structure of a lower clad layer 18, an active layer 20 acting as a waveguide and an upper clad layer 22 laminated on a substrate 16 and has an emitting plane 12a, formed by cleaving and a reflective plane 12b formed parallel to the emitting plane 12a by cleaving.例文帳に追加

発光素子１２は、基板１６上に、下側クラッド層１８、導波路として作用する活性層２０、上側クラッド層２２が順次積層された構造となっており、劈開によって形成された出射面１２ａと、同じく劈開によって形成され、出射面１２ａと平行な反射面１２ｂとを有している。 - 特許庁

A plurality of signal wirings 3 are provided in a plurality of grooves 30 of a substrate 1, respectively, and a sensor portion 103 having a semiconductor layer 6 for generating charges according to the irradiation of an electromagnetic wave and a collecting electrode 11 for collecting the charges generated in the semiconductor layer 6, is provided on an upper layer of the substrate 1.例文帳に追加

複数の信号配線３を基板１の複数の溝３０内にそれぞれ設けており、電磁波の照射に応じて電荷を発生する半導体層６及び当該半導体層６に発生した電荷を収集する収集電極１１を有するセンサ部１０３を基板１の上層に設けた。 - 特許庁

To prevent migration of copper in a copper wiring from an interface between a barrier metal layer and a nitride layer to an interlayer insulating film and thus to prevent the occurrence of a leak current and a short circuit between neighboring wirings, by simply covering the upper surface of the copper wiring formed in a wiring trench via a barrier metal layer with a nitride film.例文帳に追加

配線溝の内部にバリアメタル層を介して形成した銅配線の上面に窒化膜を単に被覆した構成では、バリアメタル層と窒化膜との界面より層間絶縁膜方向に移動しようとする銅配線中の銅の移動を阻止し、リーク電流を発生および隣接する銅配線との短絡を防止する。 - 特許庁

An active layer 15 has a structure of a different gain wavelength along the waveguide direction of light, and at least one electrode layer 19 on a upper or lower surface is constituted of two or more electrodes 19a, 19b and 19c separated from each other in the waveguide direction so that the spectrum distribution of light emitted from the active layer 15 is made variable.例文帳に追加

活性層15が光の導波方向に沿って利得波長の異なる構造を備え、上面または下面の少なくともいずれか一方の電極層19を、活性層15が生ずる光のスペクトル分布を可変とするように、導波方向に互いに分離された２以上の電極19ａ、19ｂおよび19ｃから構成する。 - 特許庁

To provide a chip resistor that is equipped with an upper electrode layer which is never corroded even if a gap is formed between a protective layer and a plating layer, and reduced in manufacturing cost, by decreasing material conducive to a corrosion preventing effect in amount as much as possible, keeping a corrosion preventive effect high.例文帳に追加

保護層とメッキ層間に隙間が形成されても、上面電極層が腐食しないチップ抵抗器を提供すると共に、上記の腐食防止効果を維持しつつ、この腐食防止効果を呈する物質の使用量を極力減らすことにより製造コストを低減させることが可能なチップ抵抗器を提供する。 - 特許庁

It comprises a multi-layer board composed of a plurality of laminated layers, packaging components mounted on the upper layer surface of the board, and at least one built-in component wired to the packaging component through vias composed of a pattern formed on at least one layer of the laminated layers in a solid region of the board.例文帳に追加

複数層を積層してなる多層基板と、多層基板の最上位層表面に搭載した実装部品と、多層基板の内部の立体領域内にて、複数層の少なくとも一層に形成したパターンからなり、実装部品とビアホールを介して配線された少なくともひとつの内蔵部品とを備える。 - 特許庁

An insulating layer 20 is formed on the insulating substrate 10 so as to surround all periphery of the center contact pattern 50, the periphery contact pattern 70 is formed on the insulating layer 20 including the upper part of the first extraction pattern 60, and the thickness of the first extraction pattern 60 is formed thinner than the thickness of the insulating layer 20.例文帳に追加

絶縁基板１０上に中央接点パターン５０の全周を囲むように絶縁層２０を形成し、且つ外周接点パターン７０は、第一引出パターン６０の上部をも含む絶縁層２０上に形成され、さらに第一引出パターン６０の厚みは絶縁層２０の厚みよりも薄く形成されている。 - 特許庁

On a transparent insulating substrate 1, a titanium film as a lower layer 2a, an aluminum film as a middle layer 2b and a nitrogen containing titanium film as an upper layer 2c are laminated by a sputtering process by 30 nm, 100 nm, 50 nm respectively in this order and a gate electrode and gate signal line 2 are formed by a photolithography-dry etching technique.例文帳に追加

透明絶縁性基板１上にスバッタ法を用いて下層２ａにチタニウム膜、中間層２ｂにアルミニウム膜、上層２ｃに窒素を含有したチタニウム膜を順にそれぞれ３０ｎｍ、１００ｍｍ、５０ｎｍ積層し、フォトリソ・ドライエッチ技術を用いて、ゲート電極及びゲート信号線２を形成した。 - 特許庁

This movable contact for the panel switch is manufactured by sticking together a separator 13 to a base sheet 11 in which the central upper surface of the movable contact 3 is held with an adhesive layer on the lower surface, so that a part corresponding to the movable contact 3 is positioned in a slight adhesion layer region 14 and other parts are positioned in a releasing layer region 15.例文帳に追加

可動接点３の中央部上面を下面の粘着層１２で粘着保持したベースシート１１に対して、可動接点３に対応する部分が微粘着層領域１４で、その他の部分が離型層領域１５に構成されたセパレータ１３を貼り合わせてパネルスイッチ用可動接点体とする。 - 特許庁

To provide a power distribution monitoring control device and a monitoring control system for an electric power distribution system, which enable multihop communication by making an upper layer of a layer structure conform to the ZigBee (R), making a lower layer conform to the Ethernet (R), and properly managing a transmitting/receiving destination.例文帳に追加

レイヤ構造の上位層をＺｉｇＢｅｅ（登録商標）に準拠させ、下位層をイーサネット（登録商標）に準拠させるとともに、信号の送受信先を適切に管理することでマルチホップな通信が可能となる配電系監視制御装置及び電力配電システム用監視制御システムを提供する。 - 特許庁