「upper- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(153ページ目) - Weblio英語例文検索

The first surface layer plate 3 is folded with an edge 2a of the middle plate 2 expanded so that the inside of the first surface layer plate 3 becomes a cavity to form an expanding part 3a, and the first surface layer plate 3 is further overlapped on an upper surface of the middle part 2 at a part in the vicinity of the edge 2a of the middle plate 2.例文帳に追加

第１表層板３は、中間板２の縁２ａで該第１表層板３の内側が空洞となる様に膨らんだ状態で曲げられて、膨らみ部３ａを形成し、更に該第１表層板３が中間板２の縁２ａ近傍部分で該中間板２の上面にも重ねられている。 - 特許庁

A building of a center core comprises upper-layer floors as housing floors and lower-layer floors as continuous tilt floor type self-propelled multistory parking lots, and on a lower-layer floor, a core part C includes a pair of gateways 14a, 14b connecting vehicle travel paths 10, 10 on respective sides across the core part C to the inside of the core part C.例文帳に追加

センターコアの建物の上層階を住戸階に、下層階を連続傾床型自走式立体駐車場として構成し、下層階において、コア部Ｃは、該コア部Ｃを挟んだ各側の車両走行路１０，１０とコア部Ｃの内部とを直接につなぐ一対の出入口１４ａ，１４ｂを備える。 - 特許庁

To obtain a positive type photoresist composition having high sensitivity and high resolving power of ≤0.2 μm in the production of a semiconductor device, giving a photoresist of a rectangular shape and less liable to cause a dimensional shift in pattern transfer to a lower layer in an oxygen plasma etching step when the composition is used as the upper layer resist of a two- layer resist system.例文帳に追加

半導体デバイスの製造において、高感度で0.2μｍ以下の高解像力を有し、かつ矩形形状のフォトレジストを与え、また二層レジストシステムの上層レジストとして使用した場合、酸素プラズマエッチング工程での下層へのパターン転写の際に寸法シフトが少ないポジ型フォトレジスト組成物を得る。 - 特許庁

In a connection pad structure for a COG package, an upper layer conductive film 12 is made smaller than a lower layer conductive film 9 and made larger than an opening 11 of an insulating film 10 in shape, and thereby the insulating part is exposed to step parts 10a, 10b to be formed on the periphery of the lower layer conductive film 9.例文帳に追加

ＣＯＧ実装を行う接続パッドの構造において、上層導電膜１２を下層導電膜９の形状より小さくかつ絶縁膜１０の開口部１１の形状より大きくすることにより、下層導電膜９の辺縁に形成される段差部１０ａ，１０ｂに絶縁部分を露出させる。 - 特許庁

This grid holder sandwiches from the upper and lower sides and fixes this grid for the transmission electron microscope having a base material 1 having at least one opening part 6, a carbon film 2 for covering a first face and the opening part of the base material, a metal later (for example, a tantalum layer) formed on the carbon film, and a ceramic layer (for example, an alumina layer).例文帳に追加

少なくとも１つの開口部６を有する基材１と、基材の第１面および開口部を被覆するカーボン膜２と、カーボン膜上に形成された金属層（例えばタンタル層）３と、セラミック層（例えば酸化アルミニウム層）４とを有する透過型電子顕微鏡用グリッドと、それを上下から挟んで固定するホルダー。 - 特許庁

An inorganic board 10 having an upper layer and a lower layer 11 and 12 consisting essentially of a mineral substance fiber, an inorganic powdery body and a binder is coated with a ground treating material composed of 50-80 wt.% of a pigment and 20-50 wt.% of a synthetic resin and having 40,000-70,000 cps viscosity to form a ground treated layer 14.例文帳に追加

上，下層部１１，１２が鉱物質繊維、無機粉状体および結合剤を主体とする無機質板１０に、顔料５０〜８０重量％および合成樹脂２０〜５０重量％からなる粘度４００００〜７００００ｃｐｓの下地処理材を塗布し、下地処理層１４を形成する。 - 特許庁

A vibration absorption layer 3 constituted by an elastic material having an average Young's modulus of 22-62 MPa is formed on a corrugated sheet 9 fixed to a lateral beam 11, and a load-resistance layer constituted by a material having an average Young's modulus of 3,000-4,000 MPa is formed on an upper surface of the vibration absorption layer 3.例文帳に追加

横梁１１に固定された波板９に、平均的なヤング率が２２〜６２ＭＰａの弾性材料から構成される振動吸収層３を形成し、その振動吸収層３の上面に、平均的なヤング率が３０００〜４０００ＭＰａの材料から構成される耐荷重層を形成する。 - 特許庁

The magnetic sensor 10 is equipped with a single substrate 10a, ordinary GMR devices 11 and 12 each comprising a spin valve film equipped with a single film fixed layer, and SAF devices 13 and 14 each comprising a synthetic spin valve film equipped with a multi-layer film laminate fixed layer formed so as to be superposed an an upper part of each of the GMR devices.例文帳に追加

磁気センサ１０は、単一の基板１０ａと、単一膜固定層を備えたスピンバルブ膜からなる通常ＧＭＲ素子１１及び１２と、これらの通常ＧＭＲ素子のそれぞれの上部に重なるように形成された多層膜積層固定層を備えたシンセティックスピンバルブ膜からなるＳＡＦ素子１３，１４とを備える。 - 特許庁

After reproducing data are recorded in the data zone DZ0 of an upper side recording layer L0 and the data zone DZ1 of a lower side recording layer L1, a lower side middle zone recording operation is carried out for recording prescribed data into the middle zone MZ1 of the lower side recording layer L1 from a disk outer peripheral side to a disk inner peripheral side.例文帳に追加

上位側記録層Ｌ０のデータゾーンＤＺ０と下位側記録層Ｌ１のデータゾーンＤＺ１とに再生用データを記録した後は、下位側記録層Ｌ１のミドルゾーンＭＺ１に規定データをディスク外周側からディスク内周側へ記録する下位側ミドルゾーン記録動作が実行される。 - 特許庁

Because of the tunnel magnetoresisitive elements 34 and 35, a part of the first magnetic layer 29 can be left as the upper shield layer 50, and the protection layer 28 can be effectively protected from the ion milling so that a plurality of thin film magnetic head whose electric characteristic variation is suppressed can be formed simultaneously.例文帳に追加

トンネル型磁気抵抗効果素子３４，３５であるから、前記第１磁性層２９を上部シールド層５０して一部残すことが可能であり且つ、前記保護層２８をイオンミリングからより効果的に保護でき、電気特性のばらつきが抑制された薄膜磁気ヘッドを複数個同時に形成できる。 - 特許庁

After that, a resist layer 6 for protecting the upper electrode 33 and the insulating layer 4 is formed at one surface side of the support substrate 1, the etchant is introduced through the opening 7 of the resist layer 6 and each etching hole 5, and the cavity 2 is formed by etching the scheduled cavity formation area on the support substrate 1.例文帳に追加

その後、支持基板１の上記一表面側に上部電極３３および絶縁層４を保護するレジスト層６を形成し、レジスト層６の開孔部７および各エッチングホール５を通してエッチング液を導入し支持基板１における空洞形成予定領域をエッチングすることにより空洞２を形成する。 - 特許庁

The nitride semiconductor element contains a large number of nano rods which are formed so as to be aligned perpendicularly on the silicon substrate, an amorphous matrix layer with which spaces between the mutual nano rods are filled so that upper portions of the nano rods project, and the GaN layer formed on the matrix layer.例文帳に追加

本発明の窒化物系半導体素子によると、シリコン基板上に垂直方向に整列されるよう形成された多数のナノロッドと、上記ナノロッドの上端一部が突出するよう上記ナノロッド同士の空間を充填する非晶質のマトリックス層と、上記マトリックス層上に形成されたＧａＮ層を含む。 - 特許庁

This coating method comprises: a process for applying a first coating liquid F1 on the surface of a continuously travelling belt like flexible supporting body W in a first coater and drying the first coating liquid to form a primary layer; and a process for applying a second coating liquid F2 on the surface of the primary layer in a second coater 10 to form an upper layer.例文帳に追加

連続走行する帯状の可撓性支持体Ｗの表面に第１の塗布装置で第１の塗布液Ｆ１を塗布し、この第１の塗布液を乾燥させて下層を形成する工程と、下層の表面に第２の塗布装置１０で第２の塗布液Ｆ２を塗布し上層を形成する工程と、を有する塗布方法。 - 特許庁

The semiconductor device has a semiconductor substrate, a gate insulating film formed on the semiconductor substrate, a metal-containing layer formed on the gate insulating film, and a gate electrode comprising a polycrystalline silicon layer that includes impurity ions covering the upper face and side faces of the metal-containing layer.例文帳に追加

本発明の一態様に係る半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された金属含有層、並びに前記金属含有層の上面および側面を覆う不純物イオンを含んだ多結晶シリコン層からなるゲート電極と、を有する。 - 特許庁

On the upper surface of a second interlayer insulation layer 7, a second local interconnect line 8 connecting the source region 4A of an MOS transistor T with the lower electrode layer 10A of a ferroelectric capacitor C and connecting a part of the gate electrodes 3A and 3C of the MOS transistor T with the uppermost layer interconnect line 12 is formed.例文帳に追加

また、第二の層間絶縁層７の上面に、ＭＯＳトランジスタＴのソース領域４Ａと強誘電体キャパシタＣの下部電極層１０Ａとを接続し、且つ、ＭＯＳトランジスタＴの一部のゲート電極３Ａ、３Ｃと最上層配線１２とを接続する第二の局所配線８を形成する。 - 特許庁

That is, the gate wiring 8 is made a double layer structure of the metallic film of a row like wiring pattern and the storage ITO film 9, and by prolonging the pixel electrode 4 on the upper layer of the double layer structure, the structure forming the auxiliary capacitance by the part where the pixel electrode 4 is overlapped the gate wiring 8 is obtained.例文帳に追加

つまり、ゲート配線８を行状の配線パターンの金属膜とストレージＩＴＯ膜９との２層構造とし、その２層構造の上層に画素電極４を延在させることにより、画素電極４がゲート配線８とオーバーラップする部分にて補助容量を形成する構造とする。 - 特許庁

The electrode (123) is composed of a lower layer electrode high in luminous efficiency and an upper layer high in water resistance and gas barrier property and excellent in conductivity and connected to the wiring layer (107) of the power source on the side of the substrate (100) within the sealing part of the sealing substrate (200) while doubling with a part of the wiring.例文帳に追加

前記２層電極（１２３）は、発光効率の高い下層電極と、耐水性およびガスバリア性が高く、かつ導電性の優れた上層電極からなり、上層電極は配線の一部を兼ねると共に封止基板（２００）の封止部内にて基板側の電源の配線層（１０７）と接続される。 - 特許庁

A gate electrode 7P of the PMOS transistor consists of a lower layer film comprising an a-Si film 71 and a SiGe film 72, an upper layer film comprising a polysilicon film 73, a barrier film (SiO) 74 and a cap silicon film (a-Si) 75 thereover, and a metal silicide layer 12 formed on the surface of the cap silicon film 75.例文帳に追加

ＰＭＯＳトランジスタのゲート電極７Ｐはａ−Ｓｉ膜７１及びＳｉＧｅ膜７２からなる下層膜と、その上のポリシリコン膜７３、バリア膜（ＳｉＯ）７４、キャップシリコン膜（ａ−Ｓｉ）７５からなる上層膜と、キャップシリコン膜７５の表面に形成された金属シリサイド層１２とを備えている。 - 特許庁

This system is provided with a double floor 10 consisting of a lower layer sheet 11 laid on the ground surface, making a prescribed drain gradient, intermediate floor blocks 40 arranged on the lower layer sheet 11 lengthwise and breadthwise in consideration of the drain gradient, and an upper layer sheet 12 laid on the intermediate floor blocks 40 so as to cover the whole surface thereof.例文帳に追加

地盤面上に所定排水勾配をつけて敷設された下層シート１１と、この下層シート１１上に排水勾配を考慮して縦横方向に配設された中間床ブロック４０と、中間床ブロック４０の全面を覆うように敷設された上層シート１２とからなる２重床１０を備える。 - 特許庁

The gate electrode 9 has a lower conductive layer 7 formed on the gate insulating film 4 and having a first width W1 in a channel widthwise direction, and an upper conductive layer 8 formed on the lower conductive layer 7 and having a second width W2 larger than the first width W1 in the channel widthwise direction.例文帳に追加

フローティングゲート電極９は、ゲート絶縁膜４上に形成されてチャネル幅方向に第１の幅Ｗ１を有する下部導電層７と、下部導電層７上に形成されてチャネル幅方向に第１の幅Ｗ１よりも大きい第２の幅Ｗ２を有する上部導電層８とを含む。 - 特許庁

When the medium access control layer measures the traffic volume, the medium access control layer measures the traffic volume in the unit of transmission channels, the measured traffic volume in the unit of transmission channels is compared with a predetermined threshold value in the event triggered mode, and the measured traffic volume is reported to the upper layer when the volume is out of a given range.例文帳に追加

媒体接続制御階層でトラフィックボリュームを測定する時、伝送チャネル単位でトラフィックボリュームを測定し、その測定される伝送チャネル単位のトラフィックボリュームをイベントトリガーモードでは定められたしきい値と比較し、しきい値を超える該伝送チャネルに対して上位階層にトラフィックボリュームを報告する。 - 特許庁

The method for fabricating a thin device 1 comprises a process for forming a flat film 3 on a substrate 2, a process for forming a lower conductor layer 10 on the flat film 3, a process for forming a dielectric film 20 on the lower conductor layer 10, and a process for forming an upper conductor layer 30 on the dielectric film 20.例文帳に追加

薄膜デバイス１の製造方法は、基板２の上に平坦化膜３を形成する工程と、平坦化膜３の上に下部導体層１０を形成する工程と、下部導体層１０の上に誘電体膜２０を成膜する工程と、誘電体膜２０の上に上部導体層３０を形成する工程とを備えている。 - 特許庁

In a cover cap member 14, a semitransparent half mirror layer 15 having a front face side of a metal-tone color is formed, and on the lower face side of the half mirror layer 15, a light shielding layer with a slit 16a formed in a portion overlapping an upper face part 13i of an indicator body 13 in a top view, is formed.例文帳に追加

カバーキャップ部材１４には、表面側が金属調の色彩を有して、半透明のハーフミラー層１５が形成されてると共に、ハーフミラー層１５の下面側には、上面視で、指針本体１３の上面部１３ｉと重複する部分にスリット１６ａが形成された遮光層が設けられている。 - 特許庁

The barrier rib 150a is formed on a substrate P, the fluorine content in the top layer of the upper surface of the barrier rib 150a is higher than that in the top layer of the inner surface of the opening 151, and the functional layer 140 is arranged in the opening 151 sectioned by the barrier rib 150a.例文帳に追加

基体Ｐ上に隔壁１５０ａを形成するとともに、隔壁１５０ａの上面の表面層におけるフッ素含有率を開口部１５１の内側面の表面層におけるフッ素含有率より高くし、隔壁１５０ａによって区画される開口部１５１に機能層１４０を配置する。 - 特許庁

The reinforcing insulation layer 140 is formed between the bell mouth portions 120, 130, the internal electrode 110, and the stem 204; and the outer shut-off layer 150, in a state with the stem 204 installed in the metal mold and an outer conductive layer installed on the upper of the bell mouth portions 120, 130 and the internal electrode 110.例文帳に追加

心棒２０４を金型内に設置して、ベルマウス部１２０、１３０および内部電極１１０の上方に外部導電層が配置された状態で、ベルマウス部１２０、１３０、内部電極１１０および心棒２０４と、外部遮蔽層１５０との間に補強絶縁層１４０を形成する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises: an n-type epitaxial layer 2; a trench 3 formed on the n-type epitaxial layer 2, where an embedded electrode 5 is provided inside; and a p^+-type impurity region 2a formed at a prescribed region at the upper surface side of the n-type epitaxial layer 2 with a prescribed interval to the trench 3 when viewed in plan view.例文帳に追加

この半導体装置は、ｎ型エピタキシャル層２と、このｎ型エピタキシャル層２に形成され、内部に埋め込み電極５が設けられたトレンチ３と、ｎ型エピタキシャル層２の上面側の所定領域に、平面的に見て、トレンチ３と所定の間隔を隔てて形成されたｐ^+型不純物領域２ａとを備えている。 - 特許庁

The low-resistance ground-plane may have a slot for reducing a loop size of an eddy current path; and the ground-plane is formed from at least one of an upper IC metal layer, a copper pad formed between a non-activated layer in IC and the dielectric layer, and a part or combination of metal portions used in formation of the micro-coil.例文帳に追加

低抵抗グランドプレーンは、渦電流路のループサイズを減少するためにスロットを設けることができ、１つ以上の上部ＩＣメタル層、ＩＣ不活性化層と誘電体層との間に形成された銅パッド、マイクロコイルの形成に使用されるメタルの部分又はその組合せから形成される。 - 特許庁

In the image forming member comprising an integral base material containing at least one image receptive layer and an upper surface layer containing at least one polyester layer and a polymer of a polyester or polyolefin and a blueing agent, a spectral transmittance of the base material is equal to or larger than 90%.例文帳に追加

少なくとも１つの画像受容層、並びに少なくとも１つのポリエステル層及びポリエステル又はポリオレフィンの重合体と青味剤とを含有する上面層を含む一体基材材料を含んでなる画像形成部材であって、前記一体基材材料の分光透過率が９０％より大きい画像形成部材。 - 特許庁

The semiconductor laminated layers 10 have a current block layer 23 having an opening exposing the upper surface of the semiconductor laminated layers 10 and a protection layer 24 composed of a group III-V nitride compound continuously covering at least a part of the current block layer 23 along the opening formed thereon.例文帳に追加

半導体層積層体１０の上には、半導体層積層体１０の上面を露出する開口部を有する電流ブロック層２３と、電流ブロック層２３の上面の少なくとも一部を開口部に沿って連続して覆うIII−Ｖ族窒化物系化合物からなる保護層２４とが形成されている。 - 特許庁

The positive lithographic printing original plate comprises an intermediate layer containing a polymer having a lactone group, a lower layer containing a water-insoluble and alkali-soluble resin, and an upper thermosensitive layer containing a water-insoluble and alkali-soluble resin and an IR ray absorbing dye, successively layered on a supporting body.例文帳に追加

支持体上に、ラクトン基を有する重合体を含有する中間層と、水不溶性且つアルカリ可溶性樹脂を含む下層と、水不溶性且つアルカリ可溶性樹脂及び赤外線吸収染料を含む上部感熱層とを順次積層してなることを特徴とするポジ型平版印刷版原版である。 - 特許庁

Then, the N+type source layer 13 that is exposed to the bottom face of the contact opening 25 and the N+type source layer 13 that is exposed to the recess section 16, and a source extraction electrode 17a that is connected to the P+type contact layer 14 by laying the electrode under the ground inside the contact opening 25 by its upper end and is extended are formed.例文帳に追加

次にコンタクト用開口２５の底面に露出するＮ＋型ソース層１３及びくぼみ部１６に露出するＮ＋型ソース層１３、Ｐ＋型コンタクト層１４に接続し、コンタクト用開口２５内をその上端まで埋設して延在するソース引き出し電極１７ａを形成する。 - 特許庁

The extraction electrodes (31B, 32B) include an underlayer formed in the piezoelectric frame and a first metal layer formed from a material differing from that of the underlayer on an upper surface of the underground layer, and the first metal layer is formed from the same material as the sealing material (70) from a position connected to the through hole wiring to a prescribed position.例文帳に追加

そして引出電極（３１Ｂ、３２Ｂ）は、圧電フレームに形成される下地層と該下地層とは異なる材料で下地層の上面に形成される第１金属層とを含み、第１金属層はスルーホール配線に接続される位置から所定の位置まで封止材（７０）と同じ材料で形成されている。 - 特許庁

On both end faces of a semiconductor laser 100 in a lengthwise direction L, core layers 123 are formed which are composed of GaInAsP not containing Al and work as passive waveguide layers, instead of a lower part SCH layer 112, a multiple quantum well active layer 113 and an upper part SCH layer 114 which are positioned in the center of the lengthwise direction L.例文帳に追加

半導体レーザ１００の長さ方向Ｌの両端面に、長さ方向Ｌの中央に位置する部分の、下部ＳＣＨ層１１２、多重量子井戸活性層１１３、上部ＳＣＨ層１１４の代わりに、Ａｌを含まないＧａＩｎＡｓＰでなる、受動導波路層としてのコア層１２３が形成されている。 - 特許庁

In processing method of a lithographic printing plate having physical development nuclei layer as an upper layer over silver halide emulsion layer formed on a support by using a silver salt diffusion transfer method, the processing method is characterized to use treatment liquid containing polyethylene imines having average molecular weight of 200 or more after development.例文帳に追加

支持体上に設けられたハロゲン化銀乳剤層の上層に物理現像核層を有する銀塩拡散転写法を利用した平版印刷版の処理方法において、現像処理後に平均分子量が２００以上のポリエチレンイミンを含有する処理液にて処理することを特徴とする平版印刷版の処理方法。 - 特許庁

This capacitive element is provided with a diffusion preventing layer 10a, a capacitive lower electrode 12 formed on the diffusion preventing layer 10a, a capacitive film 13 constituted of a ferroelectric having a bismuth layer-shaped structure formed on the capacitive lower electrode 12, and a capacitive upper electrode 14 formed on the capacitive film 13.例文帳に追加

容量素子は、拡散防止層１０ａと、拡散防止層１０ａの上に形成された容量下部電極１２と、容量下部電極１２の上に形成されたビスマス層状構造を有する強誘電体よりなる容量膜１３と、容量膜１３の上に形成された容量上部電極１４とを備える。 - 特許庁

This is a display panel film with electromagnetic wave shielding and light transmitting characteristics, which has an adhesive layer on its transparent plastic base material and a mesh-shaped metal foil layer on top of that, wherein the adhesive layer's upper part is in contact with the metal foil layer and air, and the haze of the mesh part is equal to or less than 10%.例文帳に追加

透明プラスチック基材上に接着剤層を有し、その上にメッシュ状の金属箔層を有し、接着剤層上部が金属箔層及び空気と接しており、メッシュ部分のヘイズが１０％以下であることを特徴とする、電磁波シールド性と光透過性を有するディスプレーパネル用フィルム。 - 特許庁

An insulating layer 102, a lower electrode layer 103 provided commonly, a plurality of metal oxide layers 104 that are approximately 30-200 nm thick composed of Bi, Ti, and O, and an upper electrode 105 provided for each metal oxide layer 104 are provided on a substrate 101 made of single-crystal silicon.例文帳に追加

単結晶シリコンからなる基板１０１の上に絶縁層１０２，共通に設けられた下部電極層１０３，ＢｉとＴｉとＯとから構成された膜厚３０〜２００ｎｍ程度の複数の金属酸化物層１０４，金属酸化物層１０４毎に設けられた上部電極１０５を備える。 - 特許庁

A selecting function 30 compares the version numbers of the common functional layers ('L2CAP', 'SDP', 'RFCOMM' equivalent to an intermediate layer and 'profile' equivalent to an upper layer) to execute the selection processing of each functional layer (or to allow a user to select the version numbers of the common functional layers on a display screen).例文帳に追加

選択機能３０は、共通する機能層（中間層に相当する「Ｌ２ＣＡＰ」、「ＳＤＰ」、「ＲＦＣＯＭＭ」、及び上位層に相当する「プロファイル」）のバージョン番号を比較することにより、機能層毎の選択処理を行う（もしくは共通する機能層のバージョン番号を画面表示して使用者に選択させる）。 - 特許庁

The container packing to be thermally pressure-welded to the internal top face of the lid for use has an upper layer to be thermally compressed to the internal top face of the lid made of a polyethylene resin, a lower layer to serve as a sealing face made of polypropylene resin, and a foaming layer made of synthetic resin between them.例文帳に追加

蓋の内頂面に熱圧着して容器の密封のために使用する容器用パッキンであって、蓋の内頂面に熱圧着される上層をポリエチレン樹脂製とし、シール面となる下層をポリプロピレン樹脂製とし、中間に合成樹脂製の発泡層を有する構成とすること、に有る。 - 特許庁

A solid layer 6 formed of a material with high durability against breakage and disabled to compress or slightly enabled to compress is disposed between an upper side layer 4 having a high returning force and formed of a volumetrically compressible porous material and a lower side layer 5 formed of a plastically elastic material.例文帳に追加

高い戻し力を有する、容量圧縮可能な微孔性の材料から成る上側の層（４）と、可塑性の弾性的材料から成る下側の層（５）との間に、高い裂断耐久性を有する材料から成る、圧縮不能な、又は極わずかにだけ圧縮可能な中実の層（６）が配置されているようにした。 - 特許庁

The phase change memory element includes a lower electrode 12 formed on a substrate 10; a composite layer 20, containing a dielectric material 16 and a low heat-conducting material 18, which is formed on an insulating layer 14; a phase change material 24 filled in a through-hole formed in the composite layer 20; and an upper electrode 26.例文帳に追加

相変化メモリ素子は、基板１０上に形成された下電極１２と、絶縁層１４上に形成され、誘電材料１６と低熱伝導材料１８からなる複合層２０と、複合層２０に形成された貫通孔に充填される相変化物質２４と、上電極２６からなる。 - 特許庁

A Schottky barrier diode 1 is provided with an n-type substrate 3 and an n^+ epitaxial layer 5; an anode electrode 9 formed on the upper surface 5a of the n^+ epitaxial layer 5; a cathode electrode 7 formed on the lower surface 3b of the n-type substrate 3; and a p-type impurity region 13 formed in the n^+ epitaxial layer 5.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオード１は、ｎ型基板３およびｎ^+エピタキシャル層５と、ｎ^+エピタキシャル層５の上面５ａに形成されたアノード電極９と、ｎ型基板３の下面３ｂに形成されたカソード電極７と、ｎ^+エピタキシャル層５中に形成されたｐ型不純物領域１３とを備えている。 - 特許庁

An anisotropic conductive adhesive layer 5 mixed with conductive grains into a thermosetting adhesive is provided at the terminal upper section of a conductive circuit pattern 3 wired on a flexible film 2, and an insulating adhesive layer 7 having the fluidity higher than that of the anisotropic conductive adhesive layer at the heat seal temperature is provided on it.例文帳に追加

レキシブルフィルム２に配線された導電回路パターン３の端子部上部に熱硬化性接着剤に導電粒子４をまぜた異方導電性接着剤層５を設け、さらにその上部に異方導電性接着剤層よりもヒートシール温度において流動性のよい絶縁性接着剤層７を設けた。 - 特許庁

The light-emitting device 1 includes: a substrate 3; the light-emitting part 5, which is formed by laminating a plurality of semiconductor layers on the substrate 3, wherein a contact layer 15 comprising a Ga-containing phosphide semiconductor is provided on an uppermost layer of the light-emitting part; and the electrode 7, which is connected to the upper surface of the contact layer 15.例文帳に追加

本発明に係る発光装置１は、基板３と、基板３の上に複数の半導体層を積層して形成されており、Ｇａを含む燐化物半導体からなるコンタクト層１５が最上層に設けられている発光部５と、コンタクト層１５の上面に接続されている電極７と、を備えている。 - 特許庁

A power trench MOS gate device is provided with a heavily- doped semiconductor substrate 201, a deep trench gate 213 separated by an insulating layer 212 in an upper layer composed of an N-epitaxial layer 202, doped to a first conductivity-type and well layers 215 doped to a second conductivity-type, and a strongly conductive drain region 211 below the trench gate 213.例文帳に追加

重くドープした半導体基体２０１と、この基体上に第１導電型にドープしたＮ−エピタキシャル層２０２と第２導電型にドープしたウエル層２１５からなる上側層内に、絶縁層２１２で分離された深いトレンチゲート２１３とを設け、トレンチゲート２１３の下に強導電性ドレイン領域２１１を設ける。 - 特許庁