「upper- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(158ページ目) - Weblio英語例文検索

The semiconductor device has a switching element 30, a pixel electrode layer 34 connected to a drain region 44 of the switching element 30, a lower electrode 52 for the capacitor connected to the drain region 44 and formed on a layer different from the pixel electrode layer 34 and the upper electrode 56 for the capacitor placed opposite to the lower electrode 52 for the capacitor via a dielectric layer 54.例文帳に追加

スイッチング素子３０と、スイッチング素子３０のドレイン領域４４に接続される画素電極層３４と、ドレイン領域４４に接続され、画素電極層３４とは異なる層に形成されるキャパシタ用下部電極５２と、キャパシタ用下部電極５２に対して誘電体層５４を介して向き合うキャパシタ用上部電極５６と、を有する半導体装置である。 - 特許庁

After a poly-Si layer 4 is located on a silicon substrate 1 including an upper surface of a field-oxide film 3, the poly-Si layer 4 is patterned, thereby, the poly-Si layer 4a remains in a region constituting a gate electrode in a MOSFET-formed region and a poly-Si layer 4b also remains in a poly-Si resistive-element-formed region.例文帳に追加

フィールド酸化膜３の上を含むシリコン基板１の上にＰｏｌｙ−Ｓｉ層４を配置したのち、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ層４をパターニングすることで、ＭＯＳＦＥＴ形成領域のうちゲート電極を構成する領域においてＰｏｌｙ−Ｓｉ層４ａを残すと共に、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ抵抗体形成領域においてＰｏｌｙ−Ｓｉ層４ｂを残す。 - 特許庁

A surface emitting laser module 10 is constituted into such a structure that the module 10 is provided with a semiconductor substrate 18, an upper side clad layer 14, an active layer layer 12 and a lower side clad layer 16, which are laminated in order.例文帳に追加

面発光型レーザモジュール１０は、半導体基板１８、上側クラッド層１４、活性層１２、下側クラッド層１６を順次積層し、下側クラッド層１６の下面及び半導体基板１８の上面にそれぞれ形成された下部電極２０及び上部電極２２を有する面発光型半導体光増幅器と、半導体基板１８の上側に設けられた光ファイバ２４を備えて構成されている。 - 特許庁

This printed wiring board 1 is provided with: a flexible substrate 10 having flexibility; a rigid substrate 20 formed on the upper and lower surfaces of the flexible substrate 10 and having an insulating layer 22 and a conductor layer 23 laminated; and a blocking layer 30 arranged between the flexible substrate 10 and the rigid substrate 20 and having water-vapor permeability lower than that of the insulating layer 22 of the rigid substrate 20.例文帳に追加

このプリント配線基板１は、可撓性を有するフレキシブル基板１０と、フレキシブル基板１０の上面上および下面上に形成され、絶縁層２２および導体層２３が積層されたリジッド基板２０と、フレキシブル基板１０およびリジッド基板２０の間に配置され、リジッド基板２０の絶縁層２２よりも小さい水蒸気透過度を有する遮断層３０とを備える。 - 特許庁

The semiconductor device 8 contains a lower layer metal wiring 2 formed on a base film 1, an organic interlayer film 4 composed of an insulating material formed on the base film 1 and on the lower layer metal wiring 2, an upper layer metal wiring 7 formed on the organic interlayer film 4, contact metal members 12 that are connected to the lower layer metal wiring 2 piercing the organic interlayer film 4.例文帳に追加

半導体装置８は下地膜１の上に形成された下層金属配線２と、下地膜１および下層金属配線２の上に形成された絶縁材料から成る有機層間膜４と、有機層間膜４の上に形成された上層金属配線７と、有機層間膜４を貫通して下層金属配線２に接続するコンタクトメタル１２を含んでいる。 - 特許庁

In the organic electroluminescent element 3, in which at least a hole-transporting layer 503 and a light emitting layer 505 are stacked one above the other from the anode side and sandwiched between a lower electrode 4 serving as an anode and an upper electrode 6 serving as a cathode, the light emitting layer 505 is made from a spiro compound and the hole-transporting layer 503 is made from a triphenylamine tetramer.例文帳に追加

陽極となる下部電極４と陰極となる上部電極６の間に、少なくとも正孔輸送層５０３及び発光層５０５を陽極側から順に積層させた状態で挟持してなる有機電界発光素子３において、発光層５０５がスピロ化合物からなり、正孔輸送層５０３がトリフェニルアミン４量体からなることを特徴としている。 - 特許庁

In the variable capacity capacitor where a lower electrode layer 2, a dielectric layer 3 where a dielectric rate changes by applying an external control voltage, and an upper electrode layer 4 are deposited successively, the dielectric layer 3 is made of a Perovskite type oxide crystal particle containing at least Ba, Sr, and Ti, and the crystal particle is oriented randomly without being oriented in a specific direction.例文帳に追加

支持基板１上に下部電極層２、外部制御電圧を印加することにより誘電率が変化する誘電体層３、上部電極層４を順次被着してなる可変容量コンデンサにおいて、前記誘電体層３が、少なくともBa、Sr、Tiを含有するペロブスカイト型酸化物結晶粒子からなり、その結晶粒子が特定方向に配向のすることがない、ランダム配向している。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device includes the stages of: forming a lower electrode including nobel metal; forming a first ferroeelctric layer on the lower electrode at a first speed; forming a second ferroelectric layer on the first ferroelectric layer at a speed faster than the first speed; and forming an upper electrode on the second ferroelectric layer.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、貴金属を含む下部電極を形成する工程と、前記下部電極上に、第１の速度で第１の強誘電体層を形成する工程と、前記第１の強誘電体層上に、前記第１の速度より速い速度で第２の強誘電体層を形成する工程と、前記第２の強誘電体層上に上部電極を形成する工程と、を含む。 - 特許庁

With such a structure, the lower n-type semiconductor layer 19 and the upper n-type semiconductor layer 23, which surround the group III-V compound semiconductor layer 21 on both sides of the main surface, can act as a so-called protective film to suppress hydrogen from mixing into the group III-V compound semiconductor layer 21 in various kinds of manufacturing process of a semiconductor device.例文帳に追加

このような構成により、III−Ｖ族化合物半導体層２１を主面両側で囲んでいる下部ｎ型半導体層１９および上部ｎ型半導体層２３は、半導体デバイスの種々の製造工程において水素がIII−Ｖ族化合物半導体層２１に混入することを抑制するためのいわゆる保護膜として作用することができる。 - 特許庁

The light emitting element includes: a conductive support member; a light emitting structure which is formed on the conductive support member, and contains a first conductivity type semiconductor layer, a second conductivity type semiconductor layer and an active layer between the first conductivity type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer, and further contains an oxygen injection region wherein oxygen (O_2) is injected into an upper region; and an electrode on the light emitting structure.例文帳に追加

本発明による発光素子は、伝導性支持部材と、上記伝導性支持部材の上に形成され、第１導電型半導体層、第２導電型半導体層、及び上記第１導電型半導体層と上記第２導電型半導体層との間に活性層を含み、上部領域に酸素（Ｏ_２）が注入された酸素注入領域を含む発光構造物と、上記発光構造物の上に電極と、を含む。 - 特許庁

The transistor includes: a first semiconductor 1003; a second semiconductor layer 1004 having a first region and a second region; a first p-type semiconductor layer 1005 formed on a region excluding the first and the second regions in the second semiconductor layer 1004; and a second p-type semiconductor layer 1006 formed on the first p-type semiconductor layer 1005 which are sequentially formed in the upper part of a substrate.例文帳に追加

トランジスタは、基板の上方に順に形成された第１の半導体層１００３および第１の領域と第２の領域とを有する第２の半導体層１００４と、第２の半導体層１００４のうち第１の領域と第２の領域とを除く領域の上に形成された第１のｐ型半導体層１００５と、第１のｐ型半導体層１００５上に形成された第２のｐ型半導体層１００６とを備えている。 - 特許庁

When etching a monocrystalline silicon layer 101 through a photoresist layer 102 formed on the upper part of the monocrystalline silicon layer 101 and patterned in a prescribed pattern by processing gas plasma, a protection film forming process for forming a protection film 103 on a side wall part of the photoresist layer 102 by using gas containing carbon, e.g., CF gas plasma, is performed before starting a plasma etching process for etching the monocrystalline silicon layer 101.例文帳に追加

単結晶シリコン層１０１を、単結晶シリコン層１０１の上部に形成され所定のパターンにパターニングされたフォトレジスト層１０２を介して処理ガスのプラズマによりエッチングする際に、単結晶シリコン層１０１のエッチングを行うプラズマエッチング工程を開始する前に、カーボンを含んだガス例えばＣＦ系ガスのプラズマを用いてフォトレジスト層１０２の側壁部に保護膜１０３を形成する保護膜形成工程を行う。 - 特許庁

In the optical recording medium having a dielectric lower protective layer, recording layer, upper protective layer and reflective heat radiating layer successively deposited on a transparent substrate, the recording layer shows reversible phase change between an amorphous phase and a crystalline phase by irradiation of light and the face where light enters is in the transparent substrate side.例文帳に追加

記録層が光照射により非晶質相と結晶相の可逆的相変化をするものであって、光入射面が透明基板側で、該透明基板上に誘電体下部保護層、記録層、上部保護層、反射放熱層を順次積層した光記録媒体において、上部保護層にＺｎＳ・ＳｉＯ_２より熱伝導率が低く、かつ結晶化を促進させるＳｉＣ系の物質を用いる光記録媒体であることを主要な構成とする。 - 特許庁

A fixing side transparent electrode plate (20) is formed by adhering a transparent conductive film (22) obtained by covering a conductive material(24) composed of a transparent ITO on an upper surface of the transparent film (23) on an upper side of the transparent board (21) made of plastic or glass with an adhesive layer (25).例文帳に追加

固定側透明電極板（２０）はプラスチックまたはガラス製の透明板（２１）の上側に接着層（２５）で透明フィルム（２３）の上面に透明なＩＴＯから成る導電性物質（２４）を被着させた透明導電フィルム（２２）を付着して形成されている。 - 特許庁

The hollow body forming the upper chamber includes a reversible color changing layer 3 including a reversible thermal color changing material on the outer surface, or the hollow body forming the upper chamber is formed of a resin product including a reversible thermal color changing material.例文帳に追加

前記上室部を形成する中空体には、外面に可逆熱変色性材料を含む可逆熱変色層３を設けたり、或いは、上室部を形成する中空体を可逆熱変色性材料を含有し樹脂成形体により形成してなる。 - 特許庁

By making a transient voltage protecting liquid material adhere and harden, the transient voltage protecting layer 6 with flat upper surface is formed by making the transient voltage protecting liquid material adhere and harden inside the frame-shaped bank part 8 formed on the upper electrode 3 on the base material 2 horizontal with uniformed height.例文帳に追加

基材２と上電極３の上部に、水平面方向で上端部の高さ位置が均一な枠状の土手部８を形成し、その内側に液状の過渡電圧保護材料を付着硬化させて、上面が平坦な過渡電圧保護層６を形成する。 - 特許庁

In this micro-heater, an insulating layer 200 is constituted by layering on a surface 110 of a semiconductor substrate 100 the lower tensile stress film 211, the lower compressive stress film 212, the upper compressive stress film 221 and the upper tensile stress film 222 in this order.例文帳に追加

マイクロヒータにおいて、絶縁層２００は、下側引張応力膜２１１、下側圧縮応力膜２１２、上側圧縮応力膜２２１及び上側引張応力膜２２２を順次半導体基板１００の表面１１０に積層して構成されている。 - 特許庁

A clearance between an inner cylinder 5 and an outer cylinder 6 is filled with a catalyst layer 6, while the upper end of the inner cylinder 5 is closed by an upper lid body 5a, and a combustion gas flow passage 12 is arranged between a combustion cylinder 11 and the inner cylinder 5 by arranging the combustion cylinder 11 inside the inner cylinder 5.例文帳に追加

内筒５と外筒６との間に触媒層７を充填し、内筒５の上端は上部蓋体５ａにより塞ぎ、内筒５の内部には燃焼筒１１を配設して燃焼筒１１と内筒５との間に燃焼ガス流路１２を設ける。 - 特許庁

In a wiring substrate having a built-in semiconductor element 117, the wiring substrate includes a supporting substrate 101, a semiconductor element provided on the supporting substrate, a peripheral insulating layer 113 for covering an outer circumferential side surface of the semiconductor element, and an upper surface-side wiring on the upper surface side of the wiring substrate.例文帳に追加

半導体素子１１７を内蔵する配線基板において、配線基板は、支持基板１０１と、支持基板上の半導体素子と、半導体素子の外周側面を覆う周辺絶縁層１１３と、配線基板の上面側の上面側配線と含む。 - 特許庁

The piezoelectric layer 5B is formed with two through holes 9B for connecting upper and lower electrodes 6B electrically, a through hole 10B for connecting the upper and lower electrodes 6A electrically, and a connection pattern 11B connected electrically with the through hole 10B.例文帳に追加

圧電体層５Ｂには、上下の電極６Ｂ同士を電気的に接続する２つのスルーホール９Ｂと、上下の電極６Ａ同士を電気的に接続するスルーホール１０Ｂと、スルーホール１０Ｂと電気的に接続された接続用パターン１１Ｂとが形成されている。 - 特許庁

The planar shape or the like of a semiconductor region 140a below an upper electrode 150 and a semiconductor region 140b below an upper electrode 160 out of a semiconductor layer 140 are changed to cause resistance values to be different between the semiconductor regions 140a and 140b.例文帳に追加

半導体層１４０のうち、上部電極１５０下方の半導体領域１４０ａと、上部電極１６０下方の半導体領域１４０ｂとの平面形状等を変化させて、半導体領域１４０ａ、１４０ｂの抵抗値を異ならせる。 - 特許庁

To provide a substrate exposing method and an aligner by which the warpage and wrinkles or the like of a film-like substrate such as a multi- layer substrate placed on the upper face of a lower frame are eliminated and alignment work with a mask film stuck and fixed at an upper frame is easily and surely performed.例文帳に追加

下枠の上面に載置される多層基板基板等のフィルム状の基板の反りまたは皺等を除き、上枠に被着固定されたマスクアフィルムとのライメント作業を簡単確実にする基板露光方法および露光装置を提供すること。 - 特許庁

On a silicon substrate 18, a lower nitride film 20, a lower oxide film 21, a heater 16, a temperature sensitive part 17, an upper oxide film 22, an upper nitride film 23, and the oxide film 25 of an uppermost layer are formed; and a hollow part 19 is formed in the membrane 15 forming part of the silicon substrate 18.例文帳に追加

シリコン基板１８上に、下部窒化膜２０、下部酸化膜２１、ヒータ部１６、感温部１７、上部酸化膜２２、上部窒化膜２３および最上層の酸化膜２５を形成し、メンブレン１５の形成部分のシリコン基板１８に空洞部１９を形成する。 - 特許庁

A polyurethane foamable raw liquid M is discharged to the surface of an undersurface material 2 while an upper surface material 3 is supplied to the upper surface of the raw liquid layer on the undersurface material 2 and the whole is fed to cure the polyurethane foamable raw liquid M and the cured polyurethane foamable raw liquid M is cut into a predetermined length to obtain hard foamed polyrethane P.例文帳に追加

下面材２上にポリウレタン発泡原液Ｍを吐出すると共に、その上面に上面材３を供給しつつこれらを搬送してポリウレタン発泡原液Ｍを硬化させ、所定長さに切断して硬質発泡ポリウレタンＰを得る。 - 特許庁

The midsole of the foamed shoe in a softened state is covered with a thermoplastic decorative layer and the periphery of the upper provided to a shoe is grasped by one set of molds and the upper, the midsole in a softened state and the outsole are succeedingly pressed and bonded by a shoe extruder to complete a shoe.例文帳に追加

本発明は、熱可塑性装飾層で軟化状態の発泡靴のミッドソールを被覆し、一組の型で靴に套設されたアッパーの周囲を挟持し、続いて、靴押し機でアッパー、軟化状態のミッドソール及びアウトソールを加圧接着して靴を完成する。 - 特許庁

The piezoelectric layer 5A is formed with two through holes 9A for connecting upper and lower electrodes 6A electrically, a through hole 10A for connecting upper and lower electrodes 6B electrically, and a connection pattern 11A connected electrically with the through hole 10A.例文帳に追加

圧電体層５Ａには、上下の電極６Ａ同士を電気的に接続する２つのスルーホール９Ａと、上下の電極６Ｂ同士を電気的に接続するスルーホール１０Ａと、スルーホール１０Ａと電気的に接続された接続用パターン１１Ａとが形成されている。 - 特許庁

The flat plate type display element at least comprises a plurality of lower electrodes 20 arranged on the same plane, a plurality of upper electrodes 6 arranged on the same plane, and a luminous layer 4 formed between the plurality of lower electrodes 20 and the plurality of upper electrodes 6.例文帳に追加

平板型表示素子は、同一平面上に配された複数の下電極２０と、同一平面上に配された複数の上電極６と、複数の下電極２０と複数の上電極６との間に配された発光層４とを少なくとも備える。 - 特許庁

A ferroelectric memory comprises a plug, a ferroelectric capacitor, which is formed above the plug and consists of an upper electrode, a lower electrode and a ferroelectric held between the upper electrode and the lower electrode, and a barrier layer covering a connection surface between a plug and a lower electrode.例文帳に追加

強誘電体メモリは、プラグと、プラグの上方に形成され、上部電極、下部電極、および上部電極と下部電極の間に挟まれた強誘電体とから成る強誘電体キャパシタと、プラグと下部電極との接続面を覆うバリア層とを含む。 - 特許庁

To provide a bracket extremely simple in structure, low in cost and easily and rapidly mounted to a seam joint part of a seam joint type lower roof to support an upper roof in two-layer type roof comprising the lower roof and the upper roof.例文帳に追加

下部屋根と上部屋根とからなる２層タイプの屋根において、その馳締タイプの下部屋根の馳締部に簡易且つ迅速に装着して上部屋根を支持するものであって、しかもその構造を極めて簡単且つ低価格に提供することができる受金具に関する。 - 特許庁

The insulation layers 170 are separated in a periphery (a peripheral area 170B) of the piezoelectric element 144 of the upper surface of the vibration plate 124, i.e., from an adjacent piezoelectric element 144, and as for their layer thicknesses, the upper surface 170C is made thinner than the side surface 170A.例文帳に追加

また、絶縁体層１７０は、振動板１２４の上面における圧電素子１４４の周囲（周囲部１７０Ｂ）、すなわち、隣接する圧電素子１４４の間では分離させ、層厚については、側面部１７０Ａよりも上面部１７０Ｃの方を薄くする。 - 特許庁

When the upper face of slag is determined to be covered with molten salt due to the fall of input electric power P, the molten salt in the upper layer of slag is heated at high temperature with arc heat and vaporized to prevent a lowering of resistance heating efficiency due to the formation of molten salt.例文帳に追加

投入電力Ｐの低下によりスラグ上面が溶融塩に覆われたと判断されたら、スラグ上層の溶融塩をアーク熱で高温加熱して揮散させるもので、これにより溶融塩の発生による抵抗加熱効率の低下が防止される。 - 特許庁

In the shoes respectively consisting of a sole and an upper, material which is evaluated to be at the third grade or higher than this about a dirtiness degree by a gray scale in a test of dirtiness with dry and solid soil using soil and sand in a loamy layer of the Kanto district is used at least as a part of the upper.例文帳に追加

ソールとアッパーとからなるシューズにおいて、関東ローム層土砂による乾式固体土汚れ試験においてグレースケールによる汚れ度合の評価が３級以上である材料をアッパーの少なくとも一部に用いたことを特徴とするシューズ。 - 特許庁

A titanium silicide layer 21c is formed on an upper face 13a of a gate electrode 13 in such a state that the top parts 33a and 33b of the first parts 31a and 31b of the sidewalls 41a and 41b are located at a position lower than the upper face 13a of the gate electrode 13.例文帳に追加

サイドウォール４１ａ、４１ｂの第１部分３１ａ、３１ｂの頂部３３ａ、３３ｂを、ゲート電極１３の上面１３ａより低い位置にした状態で、ゲート電極１３の上面１３ａにチタンシリサイド層２１ｃを形成している。 - 特許庁

In this thin film magnetic head having an upper magnetic core and a lower magnetic core, a layered film consisting of a soft magnetic film 71 and a non-magnetic film 72 which has resistivity higher than that of the soft magnetic layer is formed by electroless plating on the upper magnetic core 7 and/or the lower magnetic core.例文帳に追加

上部磁気コアと下部磁気コアを備えた薄膜磁気ヘッドにおいて、上部磁気コア７及び／又は下部磁気コアに、軟磁性膜７１と軟磁性層よりも比抵抗の高い非磁性膜７２を無電解めっき法で積層した膜を形成したもの。 - 特許庁

The disk protective sheet 8 is provided with a sheet main body 11 superposed on the upper surface of the cartridge main body 3 to close the disk inserting/ejecting opening 7, and an adhesive layer 12 for bonding the sheet main body 11 to the upper surface of the cartridge main body 3.例文帳に追加

ディスク保護シート８は、カートリッジ本体部３の上面に重ね合わされて前記ディスク出入用の開口部７を塞ぐシート本体部１１と、シート本体部１１を前記カートリッジ本体部３の上面に接着する接着剤層１２と、を備えている。 - 特許庁

A gate insulator 7 of a high breakdown voltage MISFET having a thick film thickness is formed at an upper part of an n-type buried layer 3 serving as a dummy active region, and a resistance element IR of an internal circuit is formed at an upper part of the gate insulator 7.例文帳に追加

ダミーアクティブ領域であるｎ型埋込み層３の上部には、厚い膜厚を有する高耐圧ＭＩＳＦＥＴのゲート絶縁膜７が形成されており、このゲート絶縁膜７の上部には、内部回路の抵抗素子ＩＲが形成されている。 - 特許庁

An upper substrate 1 and a lower substrate 2 are arranged opposite to each other across spacers (not illustrated) and a plurality of colored particles 6 which are negatively charged are charged in an air layer 9 formed between those upper substrate 1 and lower substrate 2.例文帳に追加

上側基板１および下側基板２は、スペーサ（図示せず）を介して対向して配置されており、これらの上側基板１と下側基板２との間に形成された空気層９には負に帯電させた複数の着色粒子６が充填されている。 - 特許庁

A diaphragm 41 made of a piezoelectric material is bonded to an upper surface of a cavity plate 21 made of stainless steel by means of a thermosetting adhesive, and the piezoelectric layer 42 made of the same piezoelectric material as the diaphragm 41 is arranged on an upper surface of the diaphragm 41.例文帳に追加

ステンレス鋼からなるキャビティプレート２１の上面には、圧電材料からなる振動板４１が熱硬化性接着剤によって接合されており、振動板４１の上面には振動板４１と同じ圧電材料からなる圧電層４２が配置されている。 - 特許庁

The third wiring layer includes a fifth wiring 17a located in the upper part of the first element region 1a, and a sixth wiring 17b located in the upper part of the second element region 1b and electrically connected to the third wiring 11b via the conductive pattern 14b for connection.例文帳に追加

第３配線層は、第１素子領域１ａの上方に位置する第５配線１７ａと、第２素子領域１ｂの上方に位置していて接続用導電パターン１４ｂを介して第３配線１１ｂに電気的に接続する第６配線１７ｂを具備する。 - 特許庁

The carbon nanotube 121 is grown in the catalyst metal layer 111 and is extended on the plane from the upper stage 101a to the lower stage 101b, and it is provided with a bending part 121a in a step between the upper stage 101a and the lower stage 101b.例文帳に追加

カーボンナノチューブ１２１は、触媒金属層１１１より成長し、上段部１０１ａから下段部１０１ｂの平面上に延在し、上段部１０１ａと下段部１０１ｂとの間の段差部において屈曲した屈曲部１２１ａを備えている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin-film magnetic head, capable of forming a plane made flat including the upper surface of an upper return yoke and forming a low thermal expansion material layer having no step on the plane without greatly increasing the number of steps.例文帳に追加

工程数を大幅に増加させることなく、上部リターンヨークの上面を含む平坦化された平面を形成すると共に、該平面上に段差部の無い低熱膨張材層を形成することが可能な薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁

A piezoelectric element 300 comprises a lower electrode 33, an upper electrode 44, and a piezoelectric layer 43 which is arranged between the lower electrode 33 and the upper electrode 44 with the crystalline plane direction priorly oriented to (100) and the particle diameter of 100 nm or less.例文帳に追加

下部電極３３と、上部電極４４と、下部電極３３と上部電極４４との間に配設されると共に、結晶面方位が（１００）に優先配向しており、粒径が１００ｎｍ以下である圧電体層４３を備えた圧電体素子３００である。 - 特許庁

An upper side stopper body ST is arranged on the underside of the rear part 4d of a keyboard chassis 4, and in the upper side stopper body ST, a front side stopper part 10 is disposed in the front side and a three-layer structured backside stopper part 20 is disposed in the back side along the longitudinal direction of a hammer 2.例文帳に追加

鍵盤シャーシ４の後部４ｄの下面には、上側ストッパ体ＳＴが設けられ、上側ストッパ体ＳＴは、ハンマ２の長手方向に沿って、前側に前側ストッパ部１０、後側に３層構造の後側ストッパ部２０が配置されてなる。 - 特許庁

The optical window member 20 has two layer structure constituted of a transparent plate 21 which is made of a synthetic resin and has an upper surface 22 where a rugged pattern of predetermined fineness is formed and an optical thin film 30 which is formed on the upper surface 22 of the transparent resin plate 21.例文帳に追加

光学窓部材２０は、所定の細かさの凹凸のパターンが形成された上面２２を有する透明な合成樹脂製の板２１と、この透明樹脂板２１の上面２２に形成された光学薄膜３０とよりなる、二層構造である。 - 特許庁

A protection layer 60 is formed so that a part of a p-type domain 21 may be exposed, being smaller than a contact hole 21 concerned on the upper surface of a semiconductor substrate 10 inside the contact hole 21, and the upper surface of p-type domain 14 for specifically forming a diode.例文帳に追加

コンタクトホール２１の内側の半導体基板１０の上面、具体的にはダイオードを形成するためのＰ型領域１４の上面に、当該コンタクトホール２１よりも小さく、Ｐ型領域２１の一部が露出するように保護層６０を設ける。 - 特許庁