「upper- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(159ページ目) - Weblio英語例文検索

Three semiconductor laser elements 10 on the left, right and upper sides respectively have an N-type GaAs substrate 11 with an L-shaped section, a luminous layer 12 and an electrode 15 which are laminated in order on the upper surface 11a on the left side of this substrate 11, and an electrode 15 formed on the upper surface 11b on the right side of the substrate 11.例文帳に追加

左右上側の３個の半導体レーザ素子１０は、断面Ｌ字状のＮ型GａＡｓ基板１１と、このＮ型G ａＡｓ基板１１の左側上面１１ａに順次積層された発光層１２及び電極１５と、Ｎ型G ａＡｓ基板１１の右側上面１１ｂに形成された電極１５とをそれぞれ有する。 - 特許庁

Dielectric characteristics in the ferroelectric layer positioned between the upper electrode and the lower electrode can be greatly improved by applying metal oxide such as strontium ruthenium oxide onto the upper electrode and/or the lower electrode, thereby enabling the system to solve the particle problem in a process generating during the formation of the upper/lower electrodes.例文帳に追加

ストロンチウムルテニウム酸化物などの金属酸化物を上部電極及び／又は下部電極に適用することで、上部と下部電極との間に位置する強誘電体層の誘電特性を大きく改善することができ、上部電極及び下部電極を形成する間に発生する工程上のパーティクル問題を解決することができる。 - 特許庁

In the semiconductor device, a first wiring layer includes a first wiring 11a located in the upper part of a first element region 1a, a second wiring 11d located in the upper part of a second element region 1b, and a third wiring 11b located in the upper part of the second element region 1b to have a potential different from that of the second wiring 11d.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置において、第１配線層は、第１素子領域１ａの上方に位置する第１配線１１ａと、第２素子領域１ｂの上方に位置する第２配線１１ｄと、第２素子領域１ｂの上方に位置していて第２配線１１ｄとは異なる電位になる第３配線１１ｂを具備する。 - 特許庁

The electrode used for a ferroelectric device comprises a lower electrode, a ferroelectric layer and an upper electrode; and the upper electrode is formed on the ferroelectric layer, formed in combination with a metal which contains a first metal selected from the group, consisting of platinum and iridium and a second metal selected from the group consisting of aluminum and titanium, and functions as a protective layer.例文帳に追加

本発明による強誘電体デバイスで使用するための電極は、下部電極と、強誘電体層と、上部電極であって、上部電極は該強誘電体層上に形成され、プラチナおよびイリジウムからなる金属の群から選択される第１の金属と、アルミニウムおよびチタンからなる金属の群から選択される第２の金属とを含む金属の組み合わせによって形成され、保護層として機能する、上部電極とを含む。 - 特許庁

The sound insulation layer 20 is composed of a curtain-like sound insulation sheet having flexibility, and in a state in which it is attached to the working vehicle 1, its upper end is fixed to the periphery of the revolving part 5.例文帳に追加

遮音層２０は、可撓性を有する幕状の遮音シートから構成され、作業用車両１に取付けられた状態で上端が旋回部５の周囲に固定される。 - 特許庁

A shape of a cross sectional face of the conductive layer cut by a plane perpendicular to a longitudinal direction of each of the conductive layers is a substantially trapezoid shape, and has an upper base and a lower base.例文帳に追加

前記導電体層の長手方向に直交する平面により切断した同導電体層の断面の形状は実質的に上底及び下底を有する台形である。 - 特許庁

Since parts of a data line 6a located on a side wall and an upper face are covered by a reflection film 44, a middle layer 62 is not eroded by an etchant in the case of patterning the reflection film 44.例文帳に追加

データ線６ａの側壁および上面の一部は反射膜４４で覆われているから、反射膜４４をパターニングする際に中央層６２がエッチャントにより侵食されない。 - 特許庁

Moreover, the intermediate part of the wire rod 20 is pushed onto the adhesive layer of the substrate 32 by another pushing tool 70 to cut the wire rod 20 by an upper blade 68 and a lower blade 64.例文帳に追加

さらに、感磁性線材２０の中間部を別の押圧具７０で基材３２の接着剤層上に押し付け、上刃６８と下刃６４で感磁性線材２０を切断する。 - 特許庁

This electrical junction box installed on an apparatus includes a heat insulation layer on an upper inner wall of the electrical junction box, when it is viewed from a position of installation on the apparatus.例文帳に追加

機器に設置される電気接続箱において、該電気接続箱の内壁の、機器に設置されたときに上部となる部分に断熱層が設けられたことを特徴とする電気接続箱。 - 特許庁

The precise filtering is achieved by overlapping a plurality of metal screens 15 which are finer in mesh toward an upper layer on an outer cylinder 2 to prevent the suspended matter from passing through the mesh by providing finer meshes of the metal screens.例文帳に追加

外筒２に複数枚のメタルスクリーン１５を、上面層ほど細かい目のメタルスクリーンを重設して、メタルスクリーンの目を細かくして浮遊物質の目抜けをなくし、精密ろ過を行なう。 - 特許庁

Then, the cover parts 9 are peeled from the upper part of the black layer 8a using a peeling means 24, and the opening parts 8c of the black layers 8a and the opening parts 7c of the ITO layers 7 are formed.例文帳に追加

次に、ブラック層８ａ上方から剥離手段２４を用いて蓋部９が剥離され、ブラック層８ａの開口部８ｃおよびＩＴＯ層７の開口部７ｃが形成される。 - 特許庁

The induction type magnetic transducer element has a pair of magnetic layers including an upper part magnetic layer 19 connected electrically to the substrate 11 and a coil 20 insulated and supported between them.例文帳に追加

誘導型磁気変換素子は、基板１１と電気的に接続された上部磁極層１９を含む一対の磁極層、およびその間に絶縁されて支持されたコイル２０を有する。 - 特許庁

A surface light emitting type semiconductor laser element chip, having a resonator structure including reflecting mirrors which are provided in the upper part and the lower part of an active layer emitting light, is specified as a laser chip.例文帳に追加

レーザチップは、光を発生する活性層の上部及び下部に設けられた反射鏡を含んだ共振器構造を有する面発光型半導体レーザ素子チップとする。 - 特許庁

Two or more markers 16, together with a lower layer wiring 13, an upper wiring 14 and a via 15, are formed with a predetermined topography to the via 15 in an analysis region 10.例文帳に追加

解析領域１０に、下層配線１３、上層配線１４およびビア１５と共に、そのビア１５に対する所定の位置に、所定の形状で、複数のマーカ１６を形成する。 - 特許庁

An intermediate part of a solar cell module pannel 12 is supported with upper ends of pannel support pieces 6h, 32 erected on a sheathing board 2 on which a water resistant material 4 is layed, under the existence of an air layer therein.例文帳に追加

防水材４が敷設された野地板２上に立設されたパネル支持片６ｈ，３２上端によって太陽電池モジュールパネル１２の中間部が空気層を存して支持される。 - 特許庁

A gate line 20 is divided during the course the gate line 20 arrives at an output section of a vertical driver circuit and the divided gate lines 20 are connected to each other by metal wiring 25 of an upper layer.例文帳に追加

ゲートライン２０が垂直ドライバ回路１３０の出力部に至る途中で、ゲートライン２０を分断し、分断されたゲートライン２０，２０同士を上層のメタル配線２５で接続する。 - 特許庁

A metal layer 23 on which an antibody 32 is immobilized is provided on the upper surface of the light guide reflection plate 22 and the undersurface of the light guide reflection plate 22 is placed on a light detection element 25.例文帳に追加

導光反射板２２の上面には抗体３２を固定化した金属層２３が設けられており、導光反射板２２の下面は受光素子２５の上に載置している。 - 特許庁

A multi-chip module (MCM) is provided with a first integrated circuit 310, a second integrated circuit 320, and a bridge layer 330, in at least one upper side of the second integrated circuit 320.例文帳に追加

マルチチップモジュール（ＭＣＭ）は、第１集積回路３１０および第２集積回路３２０と、第２集積回路３２０の少なくとも一部の上側の架橋層３３０とを備えている。 - 特許庁

A surface layer 23a having a composition ratio of O not less than 5% that of Si are formed on the upper surface of the third insulating film 23B comparing to the bottom surface of the film 23B.例文帳に追加

第３の絶縁膜２３Ｂの上面には、第３の絶縁膜２３Ｂの底面と比べてＳｉに対するＯの組成比が５％以上高い表面層２３ａが形成されている - 特許庁

In the semiconductor memory device, an upper face of a third underlayer electrode layer 33c of the capacitor element CP is formed into a concavo-convex structure, and a capacitor insulating film 34c is formed into a three-dimensional structure.例文帳に追加

半導体記憶装置において、キャパシタ素子ＣＰの第３下層電極層３３ｃの上面を凹凸構造してキャパシタ絶縁膜３４ｃを立体的構造にする。 - 特許庁

The upper magnetic pole layer 13 consists of plural laminated magnetic material layers 13a to 13c and resistance layers 21, 22 arranged between adjacent magnetic material layers.例文帳に追加

上部磁極層１３は、積層された複数の磁性材料層１３ａ〜１３ｃと、隣接する２つの磁性材料層の間に配置された抵抗層２１，２２とによって構成されている。 - 特許庁

Then, a second conductive film 31 having a width larger than that of the opening width of the opening section 20a is formed in the upper layer of the first conductive film 30(30a), and then the sacrificial film 20 is removed.例文帳に追加

次に、第１導電膜３０（３０ａ）の上層に、開口部２０ａの開口幅よりも大きな幅を有する第２導電膜３１を形成し、次に、犠牲膜２０を除去する。 - 特許庁

Each tool side connection portion 10a is positioned such that an upper portion thereof is located immediately below an air layer 3c inside a wall body 3 when fitted into the recess 1a formed in the continuous footing 1.例文帳に追加

器具側接続部10ａは、布基礎１の凹部１ａに嵌め込んだ際に器具側接続部10ａの上方が壁体３内部の空気層３ｃの略直下となるように位置決めされている。 - 特許庁

A surface protective resin film 6 is formed on the upper side of the film 5, and a mat colored ink layer 7 is formed on the surface of the film 6 to form a grain pattern.例文帳に追加

艶消フィルム５の上側に表面保護樹脂被膜６を形成し、表面保護樹脂被膜６の表面に艶消着色インキ層７を設けて木目柄を形成する。 - 特許庁

The structured surface layer, which includes a plurality of non-parallel adjacent columnar structures, can gather light and can reduce the optical interference, is disposed on an upper surface of the substrate.例文帳に追加

複数の非平行で近接する柱状構造を有し、集光が可能であり、光学干渉を減少させることが可能な構造化された表面層を基板の上面上に配置する。 - 特許庁

To provide a double layer type elevator capable of installing two elevator cars which can be run separately from each other in a single elevator shaft without making the upper elevator car in a special form.例文帳に追加

上側エレベータかごを特殊な形状とすることなく、かつ単一昇降路内に独立して走行可能な２台のエレベータかごを設置できる二層形エレベータの提供。 - 特許庁

To provide a dwelling unit structure of a multi-layer building capable of preventing various construction work noise, life noise, and vibration generated in an indoor space of one dwelling unit from being transmitted between dwelling units at upper and lower stories.例文帳に追加

一住戸の室内空間で発生する各種工事音，生活音，振動が上下階の住戸間で伝播するのを防止できる多層建物の住戸構造を提供する。 - 特許庁

When the polysilicon layer 9 is etched, conditions such as Cl2: 150 sccm, HBr: 450 sccm, CHF3: 100 sccm, pressure: 100 mTorr, RF power in an upper counter electrode 15: 500 W and RF power in a lower counter electrode 13: 300 W are adopted.例文帳に追加

ここで、ポリシリコン層9のエッチングにおいて、例えば、Cl_2:150sccm、HBr:450sccm、CHF_3:100sccm、圧力:100mTorr、上部対向電極15におけるRFパワー:500W、および下部対向電極13におけるRFパワー:300Wの条件を用いる。 - 特許庁

A refractive index waveguide mechanism consisting of a ridge shaped stripe 24 which confines light in the lateral direction is formed in the first upper clad layer 23 to interrupt modes other than a basic lateral mode.例文帳に追加

そして上部第一クラッド層23に、横方向に光を閉じ込めるリッジ状ストライプ24からなる屈折率導波機構を形成して、基本横モード以外のモードを遮断する。 - 特許庁

According to an embodiment, a method of manufacturing a semiconductor device comprises a step of forming a core member 20 which includes a constriction between an upper end and a lower end, on a foundation layer.例文帳に追加

実施形態によれば、半導体装置の製造方法は、上端と下端との間にくびれた部分を有する芯材２０を、下地層上に形成する工程を備えている。 - 特許庁

The second SRAM circuit 13 realizes the SRAM function with the SRAM cell and the wirings formed in the fourth to sixth wirings in the upper layer side among the wiring layers of six layers.例文帳に追加

第２ＳＲＡＭ回路１３は、ＳＲＡＭセルと、６層の配線層のうち、上層側の第４〜第６配線に形成された配線とによってＳＲＡＭ機能が実現されている。 - 特許庁

The metal layer 4 may be directly joined with the valve-acting metal sheet in the state where the dielectric oxide coated film is removed or may be joined from an upper portion of the dielectric oxide coated film.例文帳に追加

金属層４は、誘電体酸化皮膜が除去された状態で弁作用金属シートに直接接合されていても良いし、誘電体酸化皮膜の上から接合されていても良い。 - 特許庁

The display of a display plate disposed in the lower part of the glass plate 1 for the cooking device is formed so that it is visible from the upper part of the glass top plate 1 for the cooking device through the touch panel layer 3.例文帳に追加

調理器用ガラストッププレート１の下方に配置される表示板の表示を、タッチパネル層３を介して調理器用ガラストッププレート１の上方から視認可能に構成されている。 - 特許庁

A difference between this embodiment and prior arts resides in that a plurality of voids 8 are provided to each layer of a piezoelectric film 6 and an upper electrode 7 on the surface of a diaphragm part 3 in this embodiment.例文帳に追加

本実施形態と従来例とは、ダイヤフラム部３の表面において圧電膜６並びに上部電極７の各層に複数の空所８が設けられている点が異なる。 - 特許庁

A first protective film 6 made of Sr-SION is formed on the upper side of a heating element 3 and an electrode layer 4, and then, the heat treatment is carried out under a state of a vacuum degree of 2 to 30 Pa (Figure (e)).例文帳に追加

発熱体３および電極層４の上側に、Ｓｒ−ＳＩＯＮからなる第１保護膜６を形成してから、真空度２〜３０Ｐａの真空中で熱処理を施す（図（ｅ））。 - 特許庁

And a substrate film 14 of the wiring plug P2 for connecting the local wiring 12 to an upper wiring 16 is formed by an IrO_X film 14A and an Ir film 14B successively from the lower layer side.例文帳に追加

また、局所配線１２と上部配線１６とを接続する配線プラグＰ２の下地膜１４を、下層側から順にＩｒＯ_X 膜１４ＡとＩｒ膜１４Ｂとを形成する。 - 特許庁

A second electronic component 8 having an adhesive layer 9 formed on its rear surface is held with a normal temperature suction tool 22, and gradually moved down from the upper part of the first electronic component 5.例文帳に追加

裏面側に接着剤層９が形成された第２の電子部品８を、常温の吸着ツール２２で保持して第１の電子部品５の上方から徐々に下降させる。 - 特許庁

In the fixture material, a coating layer 6 containing pigment 8 is provided on a recessed part 3 face of a wood material, and paint 7 containing luminous pigment 10 is filled in its upper part.例文帳に追加

木質材の凹み部３面に顔料８を含有するコーティング層６が設けられ、その上部に蓄光顔料１０を含有する塗料７が充填塗布された木質造作材。 - 特許庁

While the detection element 21 is a CPP-type element, the monitor element 22 is formed as a CIP-type element by forming an upper shield layer 32 on each end I of the monitor element 22.例文帳に追加

磁気検出素子２１がＣＰＰ型素子であるのに対し、モニタ素子２２の素子両側端部Ｉ上に上部シールド層３２を形成し、前記モニタ素子２２をＣＩＰ型素子にする。 - 特許庁

The hole of the middle layer is set to a cavity 208 where a metal pattern is formed on an internal wall, and upper and lower surfaces are closed by the metal plate 202 and the ground pattern of the dielectric substrate 204, respectively.例文帳に追加

中間層の穴は内壁に金属パターンを形成してあり、下面を金属板２０２、上面を誘電体基板２０４の接地パターンで閉じられた空洞２０８となる。 - 特許庁

In the interior of the chamber 2, the vapor growth device 1 is provided with an upper liner 16 and a lower liner 17; and a susceptor 4, in which a wafer W for performing the vapor phase growth of an epitaxial layer is laid in a top surface thereof.例文帳に追加

チャンバー２内部には、アッパーライナー１６およびロアライナー１７と、上面にエピタキシャル層を気相成長させるためのウェーハＷが載置されるサセプタ４を備える。 - 特許庁

To provide an apparatus for measuring the position of the mirror of a diffractive light modulator and performing positional compensation with which the position of an upper micromirror layer is measured and compensated and to provide a method of controlling the apparatus.例文帳に追加

上部マイクロミラー層の位置を測定して補償することが可能な回折型光変調器のミラー位置測定および補償装置とその制御方法を提供する。 - 特許庁

The overall strength of the upper case 3 is enhanced by a laminate of the substrate 41 and the correction layer 42 integrally formed with the frame section 8, and the warpage of the substrate 41 is further easily prevented.例文帳に追加

基板４１と矯正層４２との積層体と枠部８とが一体に形成されているので、上ケース３全体の強度が高くなり、基板４１の反りをさらに抑制しやすくなる。 - 特許庁

To provide an optical element with a three-dimensional structure that can secure sufficient adhesion to an upper layer without impairing optical characteristics, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

光学特性を損なうことなく、上層との十分な密着力を確保することが可能となる３次元構造体による光学素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Further, an unnecessary magnetic field is reduced on a medium at off-track positions by forming a projection level difference wider than the upper magnetic pole tip layer on the lower magnetic pole tip.例文帳に追加

また、下部磁極先端部の上に上部磁極先端層の幅より広い幅を有する突起段差を設けることによりオフトラック位置での不要な媒体面内磁界を低減する。 - 特許庁