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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > upper- layerの意味・解説 > upper- layerに関連した英語例文

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upper- layerの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 11093件



例文

On the upper face of a protective film 5 formed on a silicon board 1, a thin-film resistor 9 is formed between two wirings 8b(base metal layer 7b is included).例文帳に追加

シリコン基板1上に形成された保護膜5の上面において所定の2つの配線8b(下地金属層7bを含む)間には薄膜抵抗体9が形成されている。 - 特許庁

To provide a data transfer controller capable of appropriately restarting data transfer even when an error takes place in an upper layer device during data transfer, an information storage medium and electronic equipment.例文帳に追加

データ転送中に上層のデバイスにエラーが発生した場合にも適正にデータ転送を再開できるデータ転送制御装置、情報記憶媒体及び電子機器の提供。 - 特許庁

A re-retrieval item condition generation means 6 traces back from a retrieval object classification item designated by the item condition 9b to an upper layer when the retrieval result satisfies a predetermined condition.例文帳に追加

再検索項目条件生成手段6は、検索結果が所定の条件を満たしたとき、項目条件9bで指定された検索対象分類項目から上位階層に辿る。 - 特許庁

Photoresists R1 to R5 with different sensitivity are recoated and stacked on a crystal element chip 1a in a way that sensitivity becomes higher from the surface of the crystal element chip 1a toward an upper layer.例文帳に追加

水晶素子片1aに、感度の異なるフォトレジストR1〜R5を、水晶素子片1aの表面から上層に向かって感度が高いものとなるように塗り重ねて積層させる。 - 特許庁

例文

Terminals 606, 603, 601 for fixing the potential of an upper electrode 212 are formed of the same start layers as for a signal line 306, the electrode layer 308, and a pixel electrode 606 respectively.例文帳に追加

上部電極212の電位を固定するための端子606、603、601はそれぞれ、信号線306、電極層308、画素電極606と同一の出発膜で形成される。 - 特許庁


例文

In the lower electrode 3, a plurality of trenches T are formed, and a thin film-like dielectric layer 4 is formed so as to cover the upper surface of the lower electrode 3 including an inner wall surface of the trench T.例文帳に追加

下部電極3には、トレンチTが複数形成されており、その内壁面を含む下部電極3の上面を覆うように、薄膜状の誘電体層4が形成されている。 - 特許庁

The electrode 6NA of a gate electrode 6N is formed on the upper surface of an SOI layer 4 through the intermediary of a gate insulating film 5N in the element forming region of an SOI substrate 1.例文帳に追加

ゲート電極6Nの電極部6NAは、SOI基板1の素子形成領域において、ゲート絶縁膜5Nを介してSOI層4の上面上に形成されている。 - 特許庁

To prevent the slippage to a PC floor system in asphalt construction and to prevent the peeling from the PC floor system or the peeling of asphalt of the upper layer in the passing of an asphalt finishing roller.例文帳に追加

アスファルト施工時にPC床板に対する位置ずれを防止し、さらにアスファルト仕上げ用のローラを通したときに、PC床板からの剥離や上層のアスファルトの剥離を防ぐ。 - 特許庁

After an element for accelerating crystallization is added on an amorphous semiconductor film of the upper most layer of a plurality of amorphous semiconductor films laminated, the element is heat treated and crystallized.例文帳に追加

複数の非晶質半導体膜を積層した状態で、最上層にある非晶質半導体膜の上に結晶化を促進するための元素を添加した後、熱処理して結晶化する。 - 特許庁

例文

The self light-emitting panel is provided with an upper electrode 8 of a conductive mixing layer including a metal material and an organic material, formed with a metal material and an organic material evaporated.例文帳に追加

自発光パネルでは、上部電極8は、金属材料とともに有機材料を蒸着して形成された、金属材料に有機材料を含む導電性混合層である。 - 特許庁

例文

The composition for an upper layer film contains a polymer (A), which has either of units represented by general formulas (1) and (2) and a specific unit except them, and a solvent.例文帳に追加

一般式(1)及び(2)で表される単位のいずれか、並びにそれ以外の特定の単位を有する重合体(A)を含む重合体と溶剤とを含有する上層膜用組成物。 - 特許庁

A p impurity region 3 defining an nMOS region 202 is provided from an upper surface of the n^- semiconductor layer 2 to an interface with the p^- semiconductor substrate 1.例文帳に追加

n^-半導体層の内部には、n^-半導体層2の上面からp^-半導体基板1との界面にかけて、nMOS領域202を区分するp不純物領域3が設けられている。 - 特許庁

To provide a moisture-curing urethane composition causing no foaming due to carbon dioxide when cured, excellent in curing properties, and further extremely excellent in adhesiveness to a polyurethane used as the upper layer.例文帳に追加

硬化時に炭酸ガスによる発泡がなく、硬化性に優れ、更に上層に用いられるポリウレタンとの接着性に極めて優れる湿気硬化性ウレタン組成物を提供する。 - 特許庁

A source terminal of the semiconductor switching element 12U on the upper arm side and a drain terminal of the semiconductor switching element 12L on the lower arm side are connected through a first wiring 14 consisting of the wiring layer.例文帳に追加

上アーム側の半導体スイッチング素子12Uのソース端子と、下アーム側の半導体スイッチング素子12Lのドレイン端子とは、配線層からなる第1配線14により接続される。 - 特許庁

Since the nutritive salts are absorbed in sediment in the bottom of the lake or are solidified to precipitate while drifting away the bottom of the lake, it is prevented that the nutritive salts are supplied to the upper layer.例文帳に追加

そして、湖底を漂っている間に栄養塩類は、湖底の沈殿物に吸着されたり、固形化して沈殿するので、上層に栄養塩類が供給されることが阻止される。 - 特許庁

Local wiring 12 for connecting an upper electrode 10 of a ferroelectric capacitor C to the wiring 16 is formed by an IrO_X film 12A and an Ir film 12B successively from a lower layer side.例文帳に追加

強誘電体キャパシタCの上部電極10と配線16とを接続するための局所配線12を、下層側から順にIrO_X 膜12AとIr膜12Bとを形成する。 - 特許庁

Alternately, the wiring path connecting the input terminal for the synchronous circuit cell and the mesh-structure clock wiring is formed through the wiring layers upper than the lowermost wiring layer in the mesh-structure clock wiring.例文帳に追加

あるいは、同期回路セルの入力端子とメッシュ構造クロック配線をつなぐ配線経路は、メッシュ構造クロック配線における最下位配線層より上位の配線層を経由する。 - 特許庁

To provide a thin film capacitor, in which the electrode loss of a lower electrode layer and an upper electrode is small and moreover the area of a capacity generation area can be formed accurately.例文帳に追加

本発明は下部電極層、上部電極の電極損失が小さく、且つ容量発生領域の面積を精度よく形成することができる薄膜コンデンサを提供する。 - 特許庁

To prevent deterioration in prediction performance caused by interpolation processing in inter-layer prediction coding by generating a signal of an upper-level hierarchy, based on texture synthesis in scalable encoding.例文帳に追加

スケーラブル符号化においてテクスチャ合成に基づき上位階層の信号を生成することにより,階層間予測符号化における補間処理による予測性能の低下を防ぐ。 - 特許庁

Further, the semiconductor sensor module 10 has the control IC as an electronic component for processing the output signal of the semiconductor sensor element 25 and an upper-layer substrate 12 on which an electronic element 14 is mounted.例文帳に追加

半導体センサ素子25の出力信号処理用の電子部品である制御ICや、電止素子14が実装された上層基板12と、半導体センサモジュール10を有する。 - 特許庁

Preferably, the heat insulating body 1 is a heat insulating sheet incorporating an air layer 13 between two aluminum evaporated sheets of an upper aluminum evaporated sheet 11 and a lower aluminum evaporated sheet.例文帳に追加

好ましくは、上記断熱体1は、上部アルミ蒸着シート11と下部アルミ蒸着シート12との2枚のアルミ蒸着シートの間に空気層13を内包した断熱シートとされる。 - 特許庁

The light emitted from the organic EL layer in a region held between the light-transmitting conductive film of the lower electrode and the light-reflecting conductive film of the upper electrode is released to the lower electrode side selectively.例文帳に追加

下部電極の光透過導電膜と上部電極の光反射導電膜に挟まれた領域の有機EL層からの発光は、選択的に下部電極側に放出される。 - 特許庁

A plurality of pieces of wiring 13, a columnar electrode 15, a sealing film 16 and a solder ball 17 are provided on a third upper layer insulating film 9 formed on a silicon substrate 1.例文帳に追加

シリコン基板1上に設けられた第3の上層絶縁膜9上には複数の配線13、柱状電極15、封止膜16および半田ボール17が設けられている。 - 特許庁

To provide a light emitting semiconductor element in which a specified peak wavelength can be obtained stably even when a distance between the upper surface of a DBR and the lower surface of a quantum well active layer varies slightly.例文帳に追加

DBRの上面と量子井戸活性層の下面との間の距離が多少ばらついても、所定のピーク波長が安定して得られる半導体発光素子を提供すること。 - 特許庁

The uneven microstructure layer 34 contains a light translucent binder resin 4 and a light translucent particulate 3 which is held by the light translucent binder resin 4 and an upper part of which projects from the translucent binder resin 4.例文帳に追加

微細凹凸構造層34は、透光性バインダ樹脂4とそれにより保持され上部が透光性バインダ樹脂4から突出している透光性微粒子3とを含む。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit having a small area of a power supply interconnection arranged in a circumference of a macro cell, and suitable for an automatic interconnection easily connected to an upper layer power supply interconnection and the macro cell.例文帳に追加

マクロセルの周辺に配置される電源配線の面積が小さく、上層電源配線とマクロセルとの接続が容易な、自動配線に適した半導体集積回路を提供する。 - 特許庁

One part of the mirror 20, one part of the structure 18 and the upper layer of one part of the mirror 44 are processed into a cylindrical mesa type by cylindrical grooves 32.例文帳に追加

上部半導体多層膜反射鏡、発光構造及び下部半導体多層膜反射鏡の一部上層は、円筒状溝32により円柱状のメサ型に加工されている。 - 特許庁

The resistive memory element includes the memory part formed by a lower electrode 10, a resistance memory layer 20 and an upper electrode 30, and the resistor part 50 for controlling the switching window of the memory part.例文帳に追加

抵抗変化型メモリ素子は、下部電極10、抵抗メモリ層20および上部電極30より形成されたメモリ部と、メモリ部のスイッチングウィンドウを調整する抵抗部50を含む。 - 特許庁

The second barrier layer 7 is made of conductive TaN capable of suppressing the diffusion of copper and oxidation, and is formed continuously to cover the upper face and side faces of the copper interconnection 6.例文帳に追加

第2バリア層7は、導電性を有し銅の拡散及び酸化を抑制可能なTaNからなり、銅配線6の上面と側面とを覆うように連続して形成されている。 - 特許庁

A display flag of an object corresponding to a key word of key word search and a flag in its upper layer are changed and color tone of the object information on the client picture where the flag has changed is changed.例文帳に追加

キーワード検索のキーワードに対応するオブジェクトの表示フラグとその上位層のフラグを変化させ、フラグが変化したクライアント画面上のオブジェクト情報の色調を変える。 - 特許庁

An electric double layer capacitor 10 has: the square-box-like vessel 11 whose upper portion is open; and the sealing plate 12 that is welded to the vessel 11 to seal the opening.例文帳に追加

電気二重層キャパシタ10は、上方が開放した四角箱状の容器11を有するとともに、その容器11に溶接されその開口部を封口する封口板12を有している。 - 特許庁

The semiconductor device has an impurity region 15 formed at a surface portion of a silicon substrate 11 and a metal silicide layer 16 formed to a predetermined depth from an upper surface of the impurity region 15.例文帳に追加

シリコン基板11の表面部に形成された不純物領域15と、不純物領域15の表面から所定深さにわたって形成された金属シリサイド層16とを備える。 - 特許庁

The upper layer is a nonwoven fabric containing principal fibers made from synthetic fibers and has a basis weight of 20 to 100 g/m^2, a thickness of 20 to 200 μm, and air permeability resistance of 0.1 to 5 seconds.例文帳に追加

上層は、合成繊維からなる主体繊維を含む不織布であって、坪量が20〜100g/m^2、厚さが20〜200μm、透気抵抗度が0.1〜5秒である。 - 特許庁

To provide a method for forming wiring of a display device in which an upper layer of metal wiring is completely covered with a wiring protective film in the case the metal wiring is formed with a lift-off method.例文帳に追加

リフトオフ法により金属配線を形成する場合において、金属配線の上層を配線保護膜で完全に被覆する表示装置の配線形成方法を提供する。 - 特許庁

The gas sensor is previously provided with a ring-shaped groove part in an insulation film for supporting a wiring part of the gas sensor, with the groove part having such a depth and width as to cause an upper-layer platinum film to steppedly break.例文帳に追加

本発明のガスセンサは、ガスセンサの配線部を支持する絶縁膜に、予め上層の白金膜が段切れするような深さと幅とを持つ環状の溝部を設けた。 - 特許庁

The light-emitting device comprises: a housing 22; a light-emitting element 23; an encapsulation layer 27 to fill in the opening of the housing 22; and an optical member arranged to cover an upper part of the housing.例文帳に追加

筺体22と、発光素子23と、筺体22の開口内を充填する封止層27と、筺体の上部を覆うように配置された光学部材とを有する発光装置である。 - 特許庁

The planting base A for rooftop greening is obtained by laminating a planting layer 2 comprising plants 21 and soil 22 on the upper surface of an autoclaved lightweight concrete (ALC) plate 1.例文帳に追加

軽量気泡コンクリート(ALC)板1の上面に植物21と土壌22を含む植栽層2を積層することにより、本発明の屋上緑化用植栽基盤Aを構成する。 - 特許庁

The π-conjugate conductive polymer formed on the upper layer of the base body with the intermediate formed thereon is formed by an electrolytic polymerization method or the electrolytic polymerization method after chemical polymerization.例文帳に追加

該中間層を形成した基体の上層に形成されるπ共役系導電性高分子が、電解重合法、または、化学重合後に電解重合法よって形成される。 - 特許庁

This measuring chip comprises a metal film or strip metal growing on the substrate, and a dielectric for limiting the refraction ratio on the upper and lower surfaces and a dielectric buffer layer.例文帳に追加

下地の上に成長した金属薄膜またはストリップ状金属を有し、その上下表面に屈折率を限定する誘電体と誘電体バッファ層を有する測定チップに関する。 - 特許庁

The re-wiring 9 is covered with the upper layer protection film 13, whereby it is possible that the short caused by the so-called ion migration is hard to occur between the re-wirings 9.例文帳に追加

そして、再配線9が上層保護膜13で覆われていることにより、再配線9間にいわゆるイオンマイグレーションによるショートが発生しにくいようにすることができる。 - 特許庁

In a gate electrode SG of a selection gate transistor, a short-circuit opening 6a is formed in the inter-electrode insulating film 6 between the lower electrode film 5B and the upper layer electrode film 7B.例文帳に追加

選択ゲートトランジスタのゲート電極SGは、下層電極膜5Bと上層電極膜7Bとの間の電極間絶縁膜6に短絡用開口部6aが形成されている。 - 特許庁

A hydrophilic color coating in which a pigment is dispersed in a base material organic compound including a hydrophilicity-imparting material, is formed on an upper layer of a base material composed of aluminum or aluminum alloy.例文帳に追加

アルミニウム又はアルミニウム合金からなる基材の上層に、親水性付与材を含む母材有機化合物に顔料が分散した親水性着色皮膜を形成する。 - 特許庁

The semiconductor device 10 comprises a first upper electrode 106, including a central part 106c and a peripheral part 106p, and a layer insulation film 110 covering this element 106.例文帳に追加

半導体装置10は、中央部106cと周縁部106pとを含む第1の上部電極106と、第1の上部電極106を覆う層間絶縁膜110とを備える。 - 特許庁

The objective wallpaper 1 has a non-organic solvent resin layer 11 foamed by a thermally decomposable foaming agent and formed on the upper face of an air-permeable sheet substrate 21.例文帳に追加

通気性を有するシート基材21の上部に、熱分解型発泡剤により発泡処理されている非有機溶剤系樹脂層11を設けたことを特徴とする壁紙1。 - 特許庁

To prevent contamination of copper metal produced when cleaning a semiconductor substrate before forming a barrier film to form an upper wiring layer and to reduce the number of manufacturing processes.例文帳に追加

上層の配線層のためにバリア層成膜する前の半導体基板のクリーニング処理により発生する銅金属の汚染を防止し、かつ製造工程の工程数を削減する。 - 特許庁

Since it is not necessary to curve and weld a copper core on an upper metal layer of a conventional ceramic cylinder, the manufacturing time can be shortened and work can be simplified.例文帳に追加

従来のセラミック円柱の上部の金属層に銅芯を湾曲させて溶接する必要がないので、製造時間を短くすることができ、作業を簡素化することができる。 - 特許庁

A wiring pattern 30 electrically connected with the electrode 14 is formed in the area where the conductive particles 24 are exposed on the upper end surface of the layer 20 through an electroless plating step.例文帳に追加

無電解メッキ工程によって、層20の上端面における導電粒子24が露出した領域に、電極14と電気的に接続された配線パターン30を形成する。 - 特許庁

To provide the method of countermeasure for the change of critical dimension caused by etching of photoresist of an upper layer into lateral direction employing gas containing O_2 in the dry etching of an organic reflection preventing film.例文帳に追加

有機反射防止膜のドライエッチングに、O2を含むガスを用いて、上層のフォトレジストが横方向にエッチングされ、クリティカルディメンジョンの変化を対策する方法を提供する。 - 特許庁

The interference of light and the negation of the light in the multilayered films are prevented at the time of position detection of the alignment marks 1 using a laser beam by the presence of the dot marks 11 of the upper layer.例文帳に追加

この上層のドットマーク21の存在により、レーザー光を用いるアライメントマーク1の位置検出の際、多層膜での光の干渉や光の打ち消しが防止される。 - 特許庁

例文

The upper side of the horizontally arranged solid high polymer electrolytic membrane 2 is provided with the cathode power feeder 3, and the cathode chamber 5 is provided with a water layer 10 always covering the solid high polymer electrolytic membrane 2.例文帳に追加

水平に配置された固体高分子電解質膜2の上側にカソード給電体3を備え、カソード室5は常に固体高分子電解質膜2を被覆する水層10を備える。 - 特許庁




  
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