| 意味 | 例文 |
upper- layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 11093件
To adjust the received data quantity of a communication apparatus, corresponding to the processing capability of an upper layer, in making communication by using an SSCOP (service-specific connection oriented protocol) defined in the ITU-T Recommendations.例文帳に追加
ITU−T勧告で定義されたSSCOPを使用してデータを通信するとき、上位レイヤの処理能力に応じて、通信装置の受信データ量を調節する。 - 特許庁
The encapsuled part 1 has a second cavity 9 at least bordering on the whole of the upper wall of the first cavity 3 and a second cover 10 formed of a thin layer.例文帳に追加
カプセル封じ部品1は、少なくとも第1の空洞3の上壁7全体と薄い層で形成された第2のカバー10とに境界を接した第2の空洞9を有する。 - 特許庁
In this case, the whole of the upper layer structures 10b, 10c protrudes across the width, however, only part of them is enough as long as required volume is secured.例文帳に追加
なお、ここでは、上側階層構造物10b,10cの幅方向に関しては全部を張り出しているが、必要な容積を確保できるのであれば、幅方向に関して一部であってもよい。 - 特許庁
A resin layer 30 for radiating heat having high thermal conductivity is provided at a region from the corner section at the upper side of the center of each annular section 21 of the coil 2 to the inner surface of the case 3.例文帳に追加
コイル2の各環状部分21の中央部上側のコーナー部からケース3の内側面に亘る領域には、熱伝導率の高い放熱用樹脂層30が設けられている。 - 特許庁
The second magnetic pole layer is formed to be a pattern so as to have an opening formed in the vicinity of the upper end position of a substantially formed second magnetic pole tip part 76.例文帳に追加
第2の磁極層は、実質的に作られた第2の磁極先端部76の上端部の位置に近傍して形成された開口部を有するようにパターン成形されている。 - 特許庁
To provide a saddle snap tap which can obtain advantage of shallow layer burying while maintaining workability by decreasing a protruded part from a main pipe and permitting drilling from a pipe upper surface.例文帳に追加
本管よりの突出部が少なくしかも管上面から穿孔可能であって、作業性を維持すると共に、浅層埋設の有利性を得ることのできるサドル分水栓を提供する。 - 特許庁
The 2nd component 2 is put on the 1st component 1 and the conductive layer 2a formed on the lower surface of the 2nd component 2 is soldered 3 to the upper conductive surface 1a of the 1st component 1.例文帳に追加
第1の部品1の上に第2の部品2を載せ、第2の部品2の下面の導体層2aを第1の部品1の上面の導体面1aに半田3付け接続する。 - 特許庁
Since the sidewall and a part of the upper face of a data line 6a are covered with a reflecting film 44, a center layer 62 is not corroded by an etchant when the reflecting film 44 is patterned.例文帳に追加
データ線6aの側壁および上面の一部は反射膜44で覆われているから、反射膜44をパターニングする際に中央層62がエッチャントにより侵食されない。 - 特許庁
The first upper layer 4 is removed in an area between a first track area in which information is recorded, and a second track area adjacent to the first track area.例文帳に追加
情報が記録される第1のトラック領域と、前記第1のトラック領域に隣接する第2のトラック領域との間の領域において、前記第1の上部層4が除去されている。 - 特許庁
The liquid crystal display device is completed by a lower substrate, a gate line, a gate insulating film, an auxiliary capacitance capacitor, a protective film, a data line, an auxiliary capacitance contact hole, a pixel electrode, an upper substrate and a liquid crystal layer.例文帳に追加
液晶表示装置は、下部基板、ゲートライン、ゲート絶縁膜、補助容量キャパシター、保護膜、データライン、補助容量コンタクトホール、画素電極、上部基板及び液晶層で完成される。 - 特許庁
Namely, the signal line upper layer wiring 51 as the auxiliary wiring is arranged so as to form a strip-like part 52a continuous in each area held between adjacent scanning lines 11.例文帳に追加
すなわち、補助配線としての信号線上層配線51は、隣合う走査線11に挟まれた領域ごとに連続する、短冊状部分52aをなすように配置する。 - 特許庁
Also, since the the upper layer insulation film 7a at a part adjacent to the outer side to the frame-like projection 13b is removed and a groove 16 is formed, the light transmitting reflection surface 8e is wide.例文帳に追加
また、枠状突起13bに対して外側で隣接する部分の上層絶縁膜7aが除去されて溝16が形成されているので、導光反射面8eが広い。 - 特許庁
In a thin area 44 in which a signal interconnect line 41 is not formed in the upper layer of a semiconductor device 40, a charge removing interconnect line 45 connected to a power interconnect line 43 is formed.例文帳に追加
半導体装置40上層の信号配線41が形成されていない疎領域44には、電源配線43に接続された電荷除去用配線45が形成されている。 - 特許庁
By the magnetic shielding layer, the propagation of a magnetic flux between the connection part 27a(3) of the upper part pole chip 27a and the lower part magnetic pole 7 in the overlap area is suppressed.例文帳に追加
この磁気遮蔽層81により、オーバーラップ領域における上部ポールチップ27aの接続部27a(3) と下部磁極7との間の磁束の伝搬を抑制することができる。 - 特許庁
The salt 13 passing under the ash movement preventing weir 12 when the amount of salt 13 increases is moved to the upper layer of the slag 8 in the salt volatile area 18 for vaporizing under the heat of slag 8.例文帳に追加
塩13の量が多くなって灰移動防止用堰12の下方をくぐり抜けた塩13は、塩揮散域18のスラグ8の上層に移され、スラグ8の熱により揮散される。 - 特許庁
A coating material is applied to a roller 23 formed of an elastic material to press the roller 23 to the chamfered part 3, and coating is performed while bringing the roller 23 into contact with the chamfered part 3 and the surface handle part in the vicinity to form an upper coating film layer on a lower coating film layer 65.例文帳に追加
弾性材料からなるロール23に塗料を付着させて面取部3に押圧し、ロール23を面取部3およびその近傍の表面柄部に接触させながら塗装を行うことにより、下層塗膜層65の上に上層塗膜層を形成する。 - 特許庁
Quantum dots 11 on the upper layer have a tunnel coupling shape showing a nonlinear current-voltage characteristic with the adjoining quantum dots, and receive inputs of initial data/bias currents 3, and are coupled with the lower layer quantum dots 12 to have a gate function having a time constant.例文帳に追加
上の層の量子ドット11は隣接する量子ドットと非線形の電流−電圧特性を示すトンネル結合で、初期データ/バイアス電流3の入力を受け、下の層の量子ドット12とは時定数を持ったゲート機能を持つ結合をしている。 - 特許庁
The method for manufacturing black-matrix banks includes: a step of providing a substrate; a step of applying the material on the upper surface of the substrate to form a photoresist layer; and a step of exposing and developing the photoresist layer to form black-matrix banks.例文帳に追加
本発明のブラックマトリクス隔壁の製造方法は、基板を提供するステップと、前記材料を基板の上表面に塗布してフォトレジスト層を形成するステップと、前記フォトレジスト層に対して、露光と現像を行って、ブラックマトリクス隔壁を形成するステップとを備える。 - 特許庁
In the organic EL apparatus 100 and the method for manufacturing the same, a photocurable resin-buffering film 621 in a lower layer side and a thermosetting resin-buffering film 622 in an upper layer side are layered between a first inorganic sealing film 61 and a second inorganic sealing film 63.例文帳に追加
有機EL装置100およびその製造方法では、第1無機封止膜61と第2無機封止膜63との間では、下層側の光硬化性樹脂緩衝膜621と、上層側の熱硬化性樹脂緩衝膜622とが積層されている。 - 特許庁
In addition, on the upper surface of the flow path unit 30, a unimorph-type piezoelectric actuator 31 is arranged which is configured of an oscillating plate 40, an insulation layer 41, a common electrode 44, a piezoelectric layer 42 and individual electrodes 43a and 43b laminated in that order from below.例文帳に追加
流路ユニット30の上面には、下から順に、振動板40、絶縁層41、共通電極44、圧電層42及び個別電極43a、43bが積層されることによって構成されたユニモルフ型の圧電アクチュエータ31が配設されている。 - 特許庁
On the surface of a metal base material, at least two GL layers composed of a lower coating ordinary glass lining (GL) layer fired without adding electrically conductive substance to glass frit and an upper coating electrically conductive GL layer obtained by adding light color electrically conductive substance to glass frit and performing firing are applied.例文帳に追加
金属基材の上に、ガラスフリットに導電性物質を添加せずに焼成した下引き通常グラスライニング(GL)層と、ガラスフリットに薄色導電性物質を添加して焼成した上引き導電性GL層の少なくとも二層のGL層を施工する。 - 特許庁
The upper die insert frame 10 and the lower die insert frame 20 are constituted by pressing a plain sheet metal 1 and a decorative sheet metal 5 composed of a print layer 2 laminated on the outer surface of the plain sheet metal 1 and a clear protect layer 3 further laminated thereon.例文帳に追加
上型インサートフレーム10及び下型インサートフレーム20は、無地金属板1と、無地金属板1の外表面に積層される印刷層2と、さらにその上に積層されるクリア保護層3とからなる化粧金属板5がプレス加工されたものからなっている。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a chromium-free surface-treated galvanized steel sheet having an underlayer as a bonding layer and then an upper coating layer formed thereon by two-step treatment, and having both superior corrosion resistance and superior adhesiveness of a surface treatment film to a base plated steel sheet.例文帳に追加
2段処理により下層接着層と上昇被覆層を形成して、耐食性と表面処理皮膜の下地めっき鋼板への密着性の両方に優れた非クロム型処理亜鉛系めっき鋼板を製造する新しい方法を提供すること。 - 特許庁
After a circular mask layer M2 having a diameter L3 smaller than the diameter of the mesa portion 18 enclosed with a groove portion 30 is disposed in a central region of the upper surface of the mesa portion 18D, the mask layer M2 is used as a mask to selectively etch a semiconductor stack structure 20D.例文帳に追加
溝部30に囲まれたメサ部18Dの直径よりも小さな直径L3の円形状のマスク層M2をメサ部18Dの上面中央領域に配置したのち、マスク層M2をマスクとして、半導体積層構造20Dを選択的にエッチングする。 - 特許庁
The first interface film 53A has a film thickness with which electrical connection between the lower-layer electrode 51A and the upper-layer electrode 52A is maintained, and the second interface film 53B has a film thickness with which epitaxial growth between the substrate 15 and the diode electrode 52B is inhibited.例文帳に追加
第1の界面膜53Aは、下層電極51Aと上層電極52Aとの電気的接続を維持する膜厚であり、第2の界面膜53Bは、基板15とダイオード電極52Bとの間におけるエピタキシャル成長を阻害する膜厚である。 - 特許庁
Thus, a turbulence is generated in line up of a magnetic brush on the developing sleeve 204 passed by the developing range, the toner adhered to a carrier in a lower layer is also activated for developing as well as the toner adhered to the carrier on the upper layer of the magnetic brush and the efficiency in use of the toner is accelerated.例文帳に追加
これにより、現像領域を通過する現像スリーブ204上の磁気ブラシの配列に乱れを生じさせ、磁気ブラシの上層のキャリアに付着するトナーと共に下層のキャリアに付着するトナーも現像に動員し、トナーの利用効率を促進する。 - 特許庁
To provide a low-temperature insulating container having a heat insulating layer constituted of a strip-like plate foam containing a paper component and a resin component built therein which is capable of enhancing heat insulating performance and preventing the upper surface thereof from being swollen in a drum shape by the restoring force of the heat insulating layer.例文帳に追加
紙成分と樹脂成分を含む帯状の板状発泡体で構成される断熱層を内蔵する保冷容器において、断熱性能を向上させると共に断熱層の復元力によって上面が太鼓状に膨らむのを防止する。 - 特許庁
For this non-contact communication medium, an inlet sheet where the antenna coil 2 is formed is arranged on a card base material composed of PET-G and an upper layer substrate and the card base material to be the most surface layer composed of the PET-G are arranged on the inlet sheet further and integrated.例文帳に追加
本発明の非接触通信媒体は、PET−Gからなるカード基材の上に、アンテナコイル2が形成されたインレットシートを配し、更に、その上に上層基板と、PET−Gからなる最表面層となるカード基材が配置され、一体化されている。 - 特許庁
The semiconductor device has a semiconductor integrated circuit in an upper part; and a semiconductor substrate 1, formed in advance in an interior with a minute defective layer 2, is thinned from the rear surface of the substrate by 150 μm or smaller in thickness, so that it may leave minute defective layer 2.例文帳に追加
本発明の半導体装置は、上部に半導体集積回路を有すると共に、内部に微小欠陥層2が予め形成された半導体基板1が、微小欠陥層2を残すように基板裏面から厚さ150μm以下に薄板化されてなる。 - 特許庁
To provide a metal-base BGA(ball grid array) package, which has a circuit formed on a copper foil layer on an insulating layer with heat-resistant thermoplastic resin as essential component, by connecting via-hole upper and lower wires and forming a solder ball in the same process.例文帳に追加
耐熱性熱可塑性樹脂を必須成分とする絶縁層上の銅箔層に回路が形成されている半導体用メタルパッケージにおいて、ビアホール上下配線の接続と半田ボール形成を同一工程で行い、メタルベースBGAパッケージを提供する。 - 特許庁
Since each set of the plurality of single-layer printed boards becoming the single laminated printed wiring board are housed in the bag body in the laminated state, pressure can be evenly applied even when the upper face of the single-layer printed wiring board has unevenness.例文帳に追加
1枚の積層プリント配線基板となる複数枚の単層プリント基板を積み重ねた状態で1セットずつ袋体に収容されるため、単層プリント配線基板の上面に凹凸があるような場合であっても、むらなく圧力を加えることができる。 - 特許庁
The waveguide type rat race circuit has excellent electric characteristics prevented from deteriorating owing to resonance of a leaked electromagnetic wave, in the region enclosed with the upper main conductor layer 51a, lower main conductor layer 51b, and through conductor group 52a for the inner peripheral tube wall.例文帳に追加
上側主導体層51a,下側主導体層51b,内周管壁用貫通導体群52aで囲まれた領域内に漏洩した電磁波の共振による電気特性の劣化が防止された良好な電気特性を有する導波管型ラットレース回路である。 - 特許庁
A through hole 11 for connecting upper and lower pads of the double structure is formed by laminating an insulating film 9, and the wirings 12 for connecting second and first layer structure pads 1, 3 of the double structure and both are constituted of an (n+1)-th metal wiring layer.例文帳に追加
さらに絶縁膜9を積層し、2重構造の上下パッドを接続するスルーホール11を形成し、第n+1番目の金属配線層で2重構造パッドの2重目1と1重構造パッド3および両者を接続する配線12を構成する。 - 特許庁
In both terminal portions of a center electrode 21 in the second layer, electrode thickness is enlarged by a charging electrode 25b formed within an opening 51b of an insulating film 51 formed on the side of an upper surface in both the terminal portions of the center electrode 21 in the second layer.例文帳に追加
第2層目の中心電極21の両端部は、第2層目の中心電極21の両端部の上面側に形成された絶縁膜51の開口部51b内に形成されている充填電極25bにて電極厚みが厚くなっている。 - 特許庁
To efficiently enable connection of power source lines of a DRAM placed in an upper layer to power source lines of a DRAM placed in a lower layer and in proper density without constraint of wiring while using the DRAM as cache memory.例文帳に追加
DRAMをキャッシュメモリとして用いながらも、上層側に配線されるDRAMの電源線を、下層側に配設されるDRAMの電源線に対して、配線の制約を受けることなく、効率よく適正な密度で接続することができる半導体集積回路を提供する。 - 特許庁
In performing working of copper foil of an upper layer and interlayer insulating layer for forming an interlayer conduction structure of a laminated wiring board by a copper direct method using a laser beam, the pulse height of a laser beam is set slightly higher and the pulse length is determined relatively longer.例文帳に追加
積層配線板における層間導通構造の形成のための上層の銅箔および層間絶縁層の加工を,レーザビームを用いた銅ダイレクト法により行うに当たり,レーザビームのパルス高を低めに設定するとともに,パルス長を比較的長めにとる。 - 特許庁
To minimize the expansion of a chip size by bringing a first electrode into contact with the partial upper surface of a capacitor formation film simultaneously with a capacitor for circuit for a capacitor for detecting failure, at the same time bringing an isolation layer into contact with a lower surface, and providing a second electrode for leading the layer.例文帳に追加
MIS型キャパシタを含む半導体集積回路においては、製作工程中にキャパシタ形成膜の異常が発生した場合、それを検出しようとしても、キャパシタが回路の一部であるため、キャパシタ単体での異常検出は行えない。 - 特許庁
In a lap joint in which two steel plates having no plated layer on a face layer overlap in the vertical direction, and an overlapped portion is laser-welded, the thickness of the steel plate is set to be 0.6-4.0 mm, and a gap g (mm) between the upper and lower steel plates is set to be 0.05-0.15 mm.例文帳に追加
表層にめっき層を有さない鋼板2枚を上下に重ね合わせ、重ね合わせ部をレーザ溶接する重ね継手において、鋼板の板厚を0.6〜4.0mm、上下鋼板間の隙間g(mm)を0.05mm〜0.15mmとして溶接する。 - 特許庁
Additionally, on the upper surface of the base region 14, a recombination layer 17, which functions as the recombination center of minority carriers(electrons in this case), is formed, and a groove section 18 is formed at the side of the emitter region 15 and at the side of the collector region 16 in the recombination layer 17.例文帳に追加
更に、ベース領域14の上面には、少数キャリア(ここでは、電子)の再結合中心として機能する再結合層17が形成され、再結合層17のエミッタ領域15側及びコレクタ領域16側に溝部18が形成されている。 - 特許庁
A probe 24 of a friction stir welding tool 20 is buried, while being rotated, in the second workpiece 14 which is the uppermost layer, passing the through hole 18 of the holed workpiece 16 and reaching the upper end face exposed in the through hole 18 in the first workpiece 12 (the lowest layer).例文帳に追加
摩擦撹拌接合用工具20のプローブ24は、回転動作しながら最上層である第2ワーク14に埋没し、有孔ワーク16の貫通孔18を通過して第1ワーク12(最下層)における貫通孔18に露呈した上端面に到達する。 - 特許庁
In a seat cushion part 10, a base network 170 for cushion is hung around to become a loop shape with a predetermined gap between the upper layer surface and a lower layer surface, between a front frame 130 supported resiliently by torsion bars 150, 160 and a rear frame 140.例文帳に追加
シートクッション部10において、トーションバー150,160により弾性的に支持された前部フレーム130及び後部フレーム140間に、上層面と下層面との間に所定間隙をおいたループ状となるように、クッション用ベースネット170が掛け回されている。 - 特許庁
Gases are jetted from the gas ports 21, 22 on the lower layer side toward the machining point of the laser beam, the gases are sucked by a gas port 24 on a stage moving side in the gas ports 23, 24 on the upper layer side, and the gas port 23 facing the gas port 24 jets a gas to the machining point.例文帳に追加
下層側のガスポート21、22よりガスをレーザ光の加工点に向けて噴出させ、上層側のガスポート23、24のうちのステージ進行側のガスポート24にガスを吸引し、これに対向するガスポート23は、加工点に対してガスを噴出する。 - 特許庁
Also, in the insulator 22, a projection guide unit 35 is formed, such that it is circumferentially projected from a first side 32c of the tooth covering unit 32, and guides a root 23b of the lead line 23s to an upper-layer side of a first layer coil line 41 of the coil 23.例文帳に追加
また、インシュレータ22には、ティース被覆部32の第1側部32cから周方向に突出し、引き出し線23sの根本部分23bをコイル23の第1層コイル線41よりも上層側に案内するための突出案内部35が形成される。 - 特許庁
A connection pitch L4 is made smaller than that of a connecting method using Cu core-containing solder balls by using metal paste for electric connection between an upper layer-side wiring board 20 and a lower layer-side wiring board 10 which are stacked, and the connection is made at low temperature.例文帳に追加
積層された上層側配線基板20および下層側配線基板10の電気的接続に金属ペーストを使用することで、Cuコア入り半田ボールを使用した接続方法に比べ接続ピッチL4を小さくし、低温での接続を実現する。 - 特許庁
On the main face side of the wiring board 2C, an electrode pad 4B is formed which is electrically connected to the conductive member 3B, and on which a semiconductor member 32 of an upper layer is loaded, and the electrode pad 4B is disposed, also at a position overlapping with a semiconductor chip 22 of a lower layer in a plane.例文帳に追加
配線基板2Cの主面側には、導電性部材3Bと電気的に接続し、上段の半導体部材32が搭載される電極パッド4Bを形成し、電極パッド4Bは平面で下段の半導体チップ22と重なる位置にも配置する。 - 特許庁
A trapezoidal trench is formed on the surface of a semiconductor substrate by using a LOCOS method and wet etching, and a lower electrode layer 5 is formed on the surface of the trapezoidal trench, and a capacitance insulating film 6 and an upper electrode 7 are laminated in this order over the lower electrode layer.例文帳に追加
半導体基板の表面にLOCOS法およびウェットエッチングを用いて台形状トレンチを設け、台形状トレンチ表面に下部電極層5を形成し、下部電極層の上に容量絶縁膜6と上部電極7を順次積層する。 - 特許庁
To provide a radiation-sensitive composition used for patterning due to double exposure, suitably used for a liquid immersion exposure process, such as water, without requiring separate formation of an upper layer film, and which os suitably used for forming a first resist layer.例文帳に追加
二重露光によるパターンニングに用いられ、上層膜を別途形成する必要がなく、水等の液浸露光プロセスにも好適に用いられることが可能であり、第一のレジスト層を形成するために好適に用いられる感放射線性組成物を提供すること。 - 特許庁
In the sealing lid 1, there are formed cutting lines 41 which reach the boundary between the lower layer part 11 and the upper layer part 12 of the first sheet 10 in the thickness direction and radially extend in the orientation direction of the first sheet 10 and the second sheet 20.例文帳に追加
シール蓋1には、厚み方向において、第1シート10の下層部11と上層部12との境界にまで到達し、前記第1シート10及び前記第2シート20の延伸方向において、放射状に伸びる切断線41が形成される。 - 特許庁
An antenna module 10 includes a loop-shaped antenna coil 14 formed on an insulating substrate 12, a ferrite core 18 formed on an upper face side at an inner layer of the insulating substrate 12, and a Liqualloy sheet 20 prepared with space on the lower face side in the inner layer of the insulating substrate 12.例文帳に追加
アンテナモジュール10は、絶縁基板12に形成されたループ状のアンテナコイル14と、絶縁基板12の内層で上面側に設けられたフェライトコア18と、絶縁基板12の内層で下面側に間隔を置いて設けられたリカロイシート20とを備える。 - 特許庁
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