「upper- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(169ページ目) - Weblio英語例文検索

Further, since upper and lower parts 186 and 187 meander very close to each other in the heat generation layer 80, a magnetic field generated by the upper part 186 and a magnetic field generated by the lower part cancel each other as the Ampere's right-handed screw law teaches.例文帳に追加

さらに、発熱層８０において、上り部１８６と下り部１８７とが互いに寄り添うようにして蛇行しているので、アンペールの右ねじの法則から分かるように、上り部１８６から発生する磁界と下り部１８７から発生する磁界とが、互いにうち消し合う。 - 特許庁

An elongated heat-insulating part 56b, which covers an upper end surface part 18a of a ceiling beam material 18 and an upper end surface 30a of an exterior wall section 28, is provided at the peripheral edge of a central heat-insulating layer 56a of the heat-insulating material 56 by being elongated in an almost horizontally integrated manner.例文帳に追加

この屋根部断熱材５６の中央部断熱層５６ａ周縁には、略水平方向に、一体となるように延設することにより、天井梁材１８の上端面部１８ａ及び外壁部２８の上端面３０ａを覆う延設断熱部５６ｂを有している。 - 特許庁

This application is related to this organic EL element that is composed by sequentially stacking, on a support substrate, at least a lower electrode, an organic EL layer and an upper electrode, and is characterized by that the upper electrode is formed with a plurality of transparent electrode layers having different reflectivity.例文帳に追加

本発明は、支持基板上に、少なくとも下部電極、有機ＥＬ層および上部電極を順次積層した有機ＥＬ素子であって、前記上部電極が屈折率の異なる複数の透明電極層から形成されていることを特徴とする有機ＥＬ素子に関する。 - 特許庁

The cell culture module 1 includes: a cell culture scaffold material 10 having hollow fiber membrane meshes and a nanofiber layer disposed fluid-tightly between a lower bottom 20 and an upper cover 30; and cell injection ports 21a, 22a, 31a and 32a and openings 21b, 22b, 31b and 32b covered by sheets at the position where the lower bottom 20 and the upper cover 30 correspond to the nanofiber layer.例文帳に追加

中空糸膜メッシュとナノファイバー層を有する細胞培養足場材料１０が、下底２０と上蓋３０の間に液密に配置され、下底２０と上蓋３０が、前記ナノファイバー層に対応する位置に、シートで塞がれた細胞注入口２１ａ、２２ａ、３１ａ、３２ａと開口２１ｂ、２２ｂ、３１ｂ、３２ｂを有している細胞培養用モジュール１。 - 特許庁

To provide a resin for upper layer film forming compositions contained in an upper layer film forming composition which hardly causes intermixing with a photoresist film, can maintain a stable coat less liable to dissolve in an immersion liquid such as water, effectively suppresses occurrence of watermark defects and pattern defects, and allows formation of a high-resolution resist pattern while showing a high receding contact angle.例文帳に追加

フォトレジスト膜とのインターミキシングを極めて生じ難く、水等の液浸液に極めて溶出し難く安定な被膜を維持可能であり、ウォーターマーク欠陥やパターン不良欠陥の発生を効果的に抑制し、高い後退接触角を示しつつ、高解像度のレジストパターンを形成可能な上層膜形成組成物に含有される上層膜形成組成物用樹脂。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a semiconductor substrate 1, a memory cell region and a peripheral circuit region provided on the semiconductor substrate 1, a gate electrode having a gate insulator 7 and a conductive layer 10 with a metal silicide upper portion on the memory cell region, and a gate electrode having the gate insulator 7 and the conductive layer 10 with a metal silicide upper portion on the peripheral circuit region.例文帳に追加

半導体基板１と、半導体基板１上に設けられたメモリセル領域および周辺回路領域と、メモリセル領域上にゲート絶縁膜７と上部が金属シリサイド化された導電層１０とを有するゲート電極と、周辺回路領域上にゲート絶縁膜７と上部が金属シリサイド化された導電層１０とを有するゲート電極とを備える。 - 特許庁

To provide the manufacture of a semiconductor device, which materializes one of such structures in which an F diffusion preventing film is not etched at formation of the metallic wiring of an upper layer and that an SiOF film is not polished directly by CMP method, in a semiconductor device equipped with an F diffusion preventing film for preventing the F atoms in the SiOF film from diffusing into the metallic wiring of an upper layer.例文帳に追加

ＳｉＯＦ膜中のＦ原子が上層の金属配線へと拡散することを防止するＦ拡散防止膜を備えた半導体装置であって、上層の金属配線の形成時にＦ拡散防止膜がエッチングされない構造のものを実現し、またＳｉＯＦ膜を直接、ＣＭＰ法により研磨することのない半導体装置の製造方法を実現する。 - 特許庁

A composite covering layer 15 including a sound insulating layer is provided in an upper inflow port part 5 and a lower outflow port part 6 of a pipe body 7 in a surrounding state of the outer peripheral surface of the pipe body 7 including the upper inflow port part 5 and the lower outflow port part 6, excluding a required riser outer fitting area and a required mounting work area of pipe connecting accessory instruments.例文帳に追加

管本体７の上部流入口部５及び下部流出口部６に対し、必要とされる立管外嵌領域や必要とされる管接続用付属器具の装着作業領域を除いて、これら上部流入口部５及び下部流出口部６を含む上記管本体７の外周面を取り囲む状態で、遮音層を含む複合被覆層１５が設けられている。 - 特許庁

The alumina cap layer 3 having width narrower than the width of a huge magnetoresistive element film 2 and self-adjusting with respect to the width of the magnetoresistive element film 2 is provided on the upper most surface of the huge magnetoresistive element film 2 and a terminal film 6 is formed so as to come into contact with the upper most surface at both end sides of the alumina cap layer 3.例文帳に追加

巨大磁気抵抗効果素子膜２の最上面に巨大磁気抵抗効果素子膜２の幅より狭い幅で、且つ、巨大磁気抵抗効果素子膜２の幅に対して自己整合的な幅を有するアルミナキャップ層３を設けるとともに、アルミナキャップ層３の両端側において巨大磁気抵抗効果素子膜２の最上面と接するように端子膜６を設ける。 - 特許庁

By structuring a width of a base film 31a larger than a substrate 30 so that the base film of a dielectric sheet 31 exists between an end of the substrate 30 and an upper press fitting roll 32 and press fitting a dielectric layer precursor 31b of the dielectric sheet 31 on the substrate 30 with the upper press fitting roll 32, the dielectric layer precursor 31b is bonded on the substrate 30.例文帳に追加

基板３０の端部と上圧着ロール３２との間に誘電体シート３１のベースフィルム３１ａが存在するようにベースフィルム３１ａの幅を基板３０より大きく構成し、その上圧着ロール３２により前記基板３０に誘電体シート３１の誘電体層前駆体３１ｂを圧着することにより、基板３０に誘電体層前駆体３１ｂを貼り付ける。 - 特許庁

In the paper container for beverage having an unsealing port 9 for straw in an upper surface for sucking beverage by a straw 7, the unsealing port 9 for straw is formed of a cut 11 having an enclosed portion larger than the section of the straw 7 piercing a paper layer 2 of the upper surface, and thermoplastic resin layers 14 and 18 are laminated on face and back sides of the paper layer 2.例文帳に追加

上面にストロー用開封口９を有しストロー７で飲料を吸引する飲料用紙容器であって、前記ストロー用開封口９を、前記上面の紙層２を貫通する前記ストロー７の断面より大きい囲い部を有する切り込み１１をもって形成し、該紙層２の表裏面に熱可塑性樹脂層１４，１８を積層した構成とした。 - 特許庁

To form at least two layers of coating films on the surface of a support simultaneously by using two coatings in which the viscosity of the coating of the lower layer is lower than that of the coating of the upper layer, to make the coating films of the upper and lower layers thin and uniform, and to enable shorter wave recording to be realized.例文帳に追加

下層塗料の粘度が上層塗料の粘度よりも低い塗料を用いて支持体表面に少なくとも二層の塗布膜を同時に形成し、形成される少なくとも二層の塗布膜の膜厚の均一化および薄膜化を可能とするダイヘッドを有する塗布装置を提供し、さらなる短波長記録化を可能とする磁気記録媒体を提供することである。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device comprises the steps of forming a recess 5 or a protrusion on the upper surface of a semiconductor substrate 1, then performing a homoepitaxy on the upper surface of the substrate 1 to form a homoepitaxial film 4 and a defect layer 6, and measuring the thickness of the film 4 based on the measurement of the length dimension of the layer 6 in the off direction.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板１の上面に凹部５または凸部を形成した後、半導体基板１の上面にホモエピタキシーを実行してホモエピタキシャル膜４と欠陥層６とを形成し、そして、欠陥層６のオフ方向の長さ寸法を測定することに基づいてホモエピタキシャル膜４の膜厚を測定するように構成したものである。 - 特許庁

A neutral calcium salt to increase the calcium concentration of permeated water is mixed to at least the upper portion (layer 2b) of the landfill layer 2 and the atmospheric air is brought into contact with the permeated water permeated through the landfill layer 2 in the ventilation layer 3 to dissolve the carbon dioxide in the atmospheric air therein.例文帳に追加

焼却灰廃棄物の埋立層２と、埋立層２の下に形成された通気層３と、通気層３に大気を導く空気通路４を備え、埋立層２の少なくとも上側部分（層２ｂ）には浸透水のカルシウム濃度を増加させる中性のカルシウム塩が混合されており、通気層３において埋立層２を通り抜けた浸透水に大気を接触させて大気中の炭酸ガスを溶解させるものである。 - 特許庁

A laser optical system comprises a first short-wavelength laser optical system for boring an upper layer copper foil, a CO2 laser optics for boring a resin layer beneath a hole in the copper foil made by the first short wavelength laser optical system, and a second short wavelength laser optics for removing remaining resin on an inner layer copper foil beneath a hole in the resin layer made by the CO2 laser optical system.例文帳に追加

レーザ光学系として、上層の銅箔に孔を形成する第一短波長レーザ光学系、第一短波長レーザ光学系によって形成された銅箔の孔の下の樹脂層に孔を形成するＣＯ２ レーザ光学系、ＣＯ２ レーザ光学系によって形成された樹脂層の孔の下の内層銅箔上に残る樹脂残渣を除去する第二短波長レーザ光学系を具備すること。 - 特許庁

A hard nitride layer is formed on the surface of a steel member, further a ceramic precursor layer containing at least one element selected from a group composed of Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, W, Mo and Al is formed as an upper layer thereof, and the steel member is subjected to quenching so as to form a quenched steel member having an inorganic compound layer including a metal oxide formed thereon.例文帳に追加

鉄鋼部材の表面に硬質窒化物層が形成され、さらにその上層として、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｗ、Ｍｏ及びＡｌからなる群の中から選択される少なくとも１種の元素を含有するセラミック前駆体層を形成し、焼き入れ処理を施すことにより、金属酸化物を含む無機化合物層が形成されたことを特徴とする焼入れ鉄鋼部材。 - 特許庁

In a wiring structure having multilayered wiring layers, dielectric ratio of an insulating layer between wirings in a wiring width direction is relatively higher than the one in a wiring thickness direction in an upper wiring layer and the dielectric ratio of the insulating layer between wirings in the wiring thickness direction is relatively higher than the one in the wiring width direction in a lower wiring layer.例文帳に追加

多層配線層を有する配線構造において、上層配線層では、配線の幅方向の配線間絶縁層の誘電率を、配線の厚み方向の配線間絶縁層の誘電率より相対的に高くした配線構造を有し、下層配線層では、配線の厚み方向の配線間絶縁層の誘電率を、配線の幅方向の配線間絶縁層の誘電率より相対的に高くする。 - 特許庁

At the ink-jet recording paper having two or more layers of the porous layer on a support, the porous layer contains an inorganic particle and a hydrophilic binder bridged by ionizing radiation.The average secondary-particle diameter of the inorganic particle of the porous layer locating at upper section is smaller than the one of the inorganic particle of the above porous layer locating at the position lower than the former.例文帳に追加

支持体上に、多孔質層を２層以上有するインクジェット記録用紙において、前記多孔質層は、無機微粒子と電離放射線により架橋された親水性バインダーとを含有し、上部に位置する前記多孔質層の無機微粒子の平均二次粒径が、それよりも下部に位置する前記多孔質層の無機微粒子の平均二次粒径よりも小さいことを特徴とするインクジェット記録用紙。 - 特許庁

In the crystal growth process of the semiconductor layer A, the upper face of the semiconductor layer A can be made a recess and projection shape having sufficient ruggedness to generate lateral direction growth action of the semiconductor layer B laminated thereafter, by optimizing V/III ratio of the semiconductor layer A or crystal growth temperature T_A or the like even in the case that a initial crystal growth face σ is substantially flat.例文帳に追加

半導体層Ａの結晶成長過程では、最初の結晶成長面σが殆ど平らな場合でも、上記の半導体層ＡのＶ／III 比や、或いは結晶成長温度Ｔ_A などを最適化することにより、半導体層Ａの上面を、その後積層される半導体層Ｂの横方向成長作用を発現させるのに十分な起伏のある凹凸形状にすることができる。 - 特許庁

A semiconductor device comprises metal wiring 34 consisting primarily of copper, uppermost layer wiring 5 formed in an upper layer than the metal wiring 34 and a fuse film 4 at least a part of which is formed on a plug formation layer 10 in which a plug 9 for connecting the metal wiring 34 with the uppermost layer wiring 5 is formed and formed from a conductive material consisting primarily of a metallic material other than copper.例文帳に追加

半導体装置は、銅を主成分とするメタル配線３４と、メタル配線３４よりも上層に形成された最上層配線５と、メタル配線３４と最上層配線５との間を接続するためのプラグ９が形成されるプラグ形成層１０に少なくとも一部が形成され、銅以外の金属材料を主成分とする導電性材料で形成されたヒューズ膜４とを含む。 - 特許庁

In the inkjet recording material having a porous ink receiving layer containing fine inorganic particles having an average secondary particle size of 500 nm or below and a resin binder on a support and the surface layer on its upper layer, the surface layer mainly contains fine organic particles and has a thickness of 200 nm or below, and the glass transition temperature (Tg) of the fine organic particles is 55°C or below.例文帳に追加

支持体上に、平均二次粒子径が５００ｎｍ以下の無機微粒子と樹脂バインダーを含有する多孔質のインク受容層と、その上層に表面層を有するインクジェット用記録材料において、該表面層が有機微粒子を主体として含有する厚さ２００ｎｍ以下の表面層であり、かつ該有機微粒子のガラス転移点（Ｔｇ）が５５℃以下であることを特徴とするインクジェット記録材料。 - 特許庁

An optical compensation layer formed of a material capable of reducing the reflectance to external light is formed on each of the top layer for covering a top protective layer 136 and the organic electroluminescent diode part E of an upper light emitting organic electroluminescent element, whereby the reflectances of the top protective layer surface and the electrode surface of the organic electroluminescent diode located in positions for mainly reflecting the external light can be simultaneously reduced.例文帳に追加

上部発光方式有機電界発光素子のトップ保護層１３６を覆う最上部層と有機電界発光ダイオード部Ｅに各々外部光に対する反射率を低下させることができる物質からなる光学的補償層を形成することによって、外部光が主に反射される位置であるトップ保護層表面と有機電界発光ダイオード電極表面の反射率を同時に低めるものである。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor device equipped with a ferroelectric capacitor comprises processes of forming the lower electrode layer of the ferroelectric capacitor on the semiconductor wafer provided with an underlying structure for the ferroelectric capacitor, forming an amorphous ferroelectric layer on the lower electrode layer, thermally treating the ferroelectric layer in an atmosphere containing a prescribed gas, and forming an upper electrode on the ferroelectric layer that has been crystallized through a thermal treatment.例文帳に追加

本発明による強誘電体キャパシタを有する半導体装置の製造方法は、強誘電体キャパシタに対する下地構造を有する半導体ウエハに、強誘電体キャパシタの下部電極層を形成する工程と、下部電極層に、アモルファス相の強誘電体層を形成する工程と、所定のガスを含む雰囲気中で、強誘電体層に熱処理を行う工程と、熱処理により結晶化した強誘電体層に、上部電極を形成する工程より成る。 - 特許庁

The thin film capacitor comprises a lower electrode layer formed on a substrate, a dielectric thin film formed on the lower electrode layer, and an upper electrode layer formed on the dielectric thin film wherein the dielectric thin film has the perovskite structure deficient of oxygen represented by (BaSr)TiO_(3-x) (0≤x≤1) and containing a donor dopant.例文帳に追加

基板上に形成された下部電極層と、該下部電極層上に形成された誘電体薄膜と、該誘電体薄膜上に形成された上部電極層とからなる薄膜コンデンサにおいて、該誘電体薄膜は（ＢａＳｒ）ＴｉＯ_(3-x)（ただし０≦ｘ≦１）で表される酸素が欠損したペロブスカイト構造であり、ドナードーパントを含有させた。 - 特許庁

Inner electrodes 13 mutually opposed through a resistance layer 12a are provided in the interior of a thermistor element 12, composed of the resistance layer 12a having thermistor characteristics and insulation layers 12b laid on the upper and lower surfaces of the resistance layer 12a, and the electrodes 13 are electrically connected to outer electrodes formed on the thermistor element 12 ends.例文帳に追加

サーミスタ特性をもつ抵抗体層と、この抵抗体層の上下に配置された絶縁体層とからなる有機質サーミスタ素子の内部に、前記抵抗体層を介して互いに対向するように内部電極が設けられ、この内部電極は有機質サーミスタ素子端部に形成された外部電極にそれぞれ電気的に接続されている。 - 特許庁

Relating to a TFT substrate 1, a current supply bus line 26 which supplies current to a lower electrode of an organic EL layer is formed outside a display region 10 where the organic EL layer and a drive TFT are formed, and contact holes 28 for supplying current to an upper electrode of the organic EL layer are formed in its outside.例文帳に追加

ＴＦＴ基板１には有機ＥＬ層、駆動ＴＦＴ等が形成されている表示領域１０の外側に有機ＥＬ層の下部電極に電流を供給する電流供給母線２６等が形成され、その外側には有機ＥＬ層の上部電極に電流を供給するためのコンタクトホール群２８が形成されている。 - 特許庁

The laminated ceramic capacitor has a structure, having the electrostatic capacity layer 5 alternately superimposing the internal electrodes 4 via ceramic dielectrics 3, superimposing the protective layers 6 on both upper and lower surfaces in the laminating direction of the electrostatic capacity layer 5 and forming a pair of external electrodes 7 to laminates 2, constituted of the electrostatic capacity layer 5 and the protective layers 6.例文帳に追加

セラミック誘電体３を介して内部電極４が交互に積み重ねられている静電容量層５を有し、この静電容量層５の積層方向上下両面に保護層６が重ねられており、この静電容量層５及び保護層６とで構成された積層体２に一対の外部電極７が形成された構造を有する。 - 特許庁

A label that is specifically for a glass bottle among the bottles includes: printed layers on upper and lower sides of the label base material; a filling layer for preventing an adhesive having adhesiveness to the glass bottle from penetrating into the label base material and the printed layers; and the adhesive layer on the surface of the filling layer.例文帳に追加

ボトルの中で、特にガラス瓶用のラベルにおいて、前記ラベル基材の上、及び下側に印刷層を設け、更に前記ラベル基材の下側に、前記ガラス瓶と接着性を有する接着剤が前記ラベル基材、前記印刷層へ浸透するのを防ぐ目止め層を設け、かつ、前記目止め層の面に、前記接着剤層を設けたことを特徴とするラベルである。 - 特許庁

The inkjet recording medium is manufactured by providing a lower layer and an upper layer on an air-permeable substrate and performing cast processing, and the inkjet recording medium has the lower layer formed of a coating composition comprising a water absorbing inorganic pigment, a latex, boric acid or its salt and a cationic resin having a five-membered heterocyclic structure.例文帳に追加

透気性の支持体上に下層と上層を設け、キャスト処理をして製造されてなるインクジェット記録媒体において、前記下層が、吸水性無機顔料、ラテックス、ホウ酸またはその塩、及び五員複素環構造を有するカチオン性樹脂を含有する塗工組成物から形成されることを特徴とするインクジェット記録媒体。 - 特許庁

The method for manufacturing a droplet ejecting head comprises a diaphragm 55 which is formed a metal oxide layer 65 at least on one side of a surface, a lower electrode 4 arranged on the metal oxide layer 65 of the diaphragm 55, and a piezoelectric element 54 in which a piezoelectric layer 5 is pinched between the lower electrode 4 and a upper electrode 6.例文帳に追加

少なくとも一方の面に金属酸化物層６５が形成されてなる振動板５５と、振動板５５の金属酸化物層６５上に設けられた下部電極４と下部電極４と上部電極６との間に圧電体層５が挟持されてなる圧電体素子５４と、を備える液滴吐出ヘッドの製造方法である。 - 特許庁

In the translucent or transparent optical sheet that transmits light, a substrate layer 1, a light diffusing layer 2 that diffuses light and a prism layer 3 that aligns light through a prism structure are disposed in the order from the lower surface as an incident surface of transmission light to the upper surface as the opposite surface.例文帳に追加

光を透過させる半透明又は透明の光学シートにおいて、透過光の入光面たる下面からその反対面たる上面にかけて順に、基材層１と、光を拡散させる光拡散層２と、光をプリズム構造によって整光させるプリズム層３とを具備してなり、各層が密着して一体化成形されてなること。 - 特許庁

The adhesive layer 230 has its upper side in Fig. made open after the second substrate 200 is removed, so gas discharged from the adhesion layer 230 to outside the microlens substrate 20 can uniformly be discharged to above the microlens substrate 20 and then the deformation of the adhesive layer 230 can be made less than the time when the gas is discharged only from an end surface side of the microlens substrate 20.例文帳に追加

接着層２３０は、第２基板２００が除去された後は図中上側が開放されているため、接着層２３０からマイクロレンズ基板２０の外部に抜けるガスをマイクロレンズ基板２０の上側に一様に逃がすことができ、マイクレンズ基板２０の端面側からのみガスを逃がす場合に比べて接着層２３０の変形を低減できる。 - 特許庁

A memory element 10 is constituted by laminating an oxide layer 13 consisting mainly of an oxide of at least one kind of element selected from Zr and Hf; and a conductive nitride layer 12 and 14 consisting of at least one kind of element and nitrogen, selected from Ti, Zr, Hf and Ta on the lower and upper of the oxide layer 13.例文帳に追加

Ｚｒ，Ｈｆから選ばれる少なくとも一種以上の元素の酸化物を主体とする酸化物層１３と、この酸化物層１３の下層及び上層に、それぞれＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｔａから選ばれる少なくとも一種以上の元素と窒素とから成る導電性窒化物層１２，１４が積層されて成る記憶素子１０を構成する。 - 特許庁

The piezoelectric element 100 includes: a substrate 2; a lower electrode 4 formed above the substrate 2; the piezoelectric layer 6 formed above the lower electrode 4; and an upper electrode 7 formed above the piezoelectric layer 6, and the piezoelectric layer 6 comprises a piezoelectric material with the perovskite structure and oriented to (110) in the pseudo-cubic representation.例文帳に追加

本発明に係る圧電素子１００は，基板２と、基板２の上方に形成された下部電極４と、下部電極４の上方に形成された圧電体層６と、圧電体層６の上方に形成された上部電極７と、を含み、圧電体層６は、ペロブスカイト型構造を有し，擬立方晶の表示で（１１０）に配向している圧電材料からなる。 - 特許庁

The semiconductor laser element of this invention has an active layer including a light emitting part on a substrate, a striped waveguide 204 formed on the active layer, an electrode for supplying a current to the active layer, a first upper electrode 206 electrically connected with the electrode, and a pair of resonance surfaces facing each other in the waveguide 204.例文帳に追加

本発明の半導体レーザ素子は、基板の上に、発光部を含む活性層と、該活性層に形成されたストライプ状の導波路２０４と、活性層に電流を供給する電極と、電極と電気的に接続された第１の上部電極２０６と、導波路２０４における互いに対向する一対の共振面とを有する。 - 特許庁

At opposite two sides of an outer bottom surface (lower surface) of a crystal vibrator 20, external terminals 25a and 25b are formed, respectively, by stacking a first lower-ground metal layer 75 constituted of a metal with poor solder wettability, a second lower-ground metal layer 85 and an upper-ground metal layer 95 constituted of a metal with excellent solder wettability in that order.例文帳に追加

水晶振動子２０の外底面（下面）の対向する二辺側には、半田ぬれ性の悪い金属からなる第１の下地金属層７５および第２の下地金属層８５、そして半田ぬれ性の良好な金属からなる上地金属層９５がこの順に積層されて形成された外部端子２５ａ，２５ｂがそれぞれ形成されている。 - 特許庁

An external electrode 5 comprises: a lower layer external electrode 5a including glass having a content of an alkaline earth metal within a range of 37 to 45 mol%, which is formed on a surface of a ceramic element body; and an upper layer external electrode 5b including a glass having a content of SiO_2 within a range of 50 to 55 mol%, which is formed on the lower layer external electrode.例文帳に追加

外部電極５が、セラミック素体の表面に形成された、アルカリ土類金属の含有率が３７〜４５ｍｏｌ％の範囲にあるガラスを含む下層外部電極５ａと、下層外部電極上に形成された、ＳｉＯ_2の含有率が５０〜５５ｍｏｌ％の範囲にあるガラスを含む上層外部電極５ｂとを備えた構成とする。 - 特許庁

The film for semiconductor 10 has functions of: supporting a semiconductor wafer 7 when the semiconductor wafer 7 is laminated on an upper surface of an adhesion layer 3 and the semiconductor wafer 7 is cut into pieces by dicing; and selectively peeling a first viscous layer 1 from the adhesion layer 3 when a semiconductor element 71 obtained by cutting it into pieces is picked up.例文帳に追加

半導体用フィルム１０は、接着層３の上面に半導体ウエハー７を積層させ、半導体ウエハー７をダイシングにより個片化する際に半導体ウエハー７を支持するとともに、個片化されてなる半導体素子７１をピックアップする際に、第１粘着層１と接着層３との間が選択的に剥離する機能を有するものである。 - 特許庁

To provide an impact absorption floor material excellent in impact absorption that is directly laid on a concrete slab floor face such as in a gymnasium, by three-layered structure composed of a surface veneer on an upper layer, a core material in which many openings are disposed in the longitudinal direction along the width direction on a middle layer, and a cushioning material of closed cells excellent in elasticity on a lower layer.例文帳に追加

本発明は、上層に表面単板と、中間層に幅方向に沿って長手方向に多数個の隙間を配設した芯材と、下層に弾力性に優れた独立気泡のクッション材との三層構造によって、体育館等のコンクリートスラブ床面等に直接敷設する衝撃吸収に優れた衝撃吸収床材を提供する。 - 特許庁

The method for producing the heat radiator includes a first step for forming a carbon nanotube layer nearly vertically oriented to the first substrate surface, and a second step for filling spaces of the carbon nanotube layer and/or the upper face of the carbon nanotube layer with a resin or a metal of the second component.例文帳に追加

本発明は、放熱材の製造方法であって、第１の基板面に対して略垂直に配向したカーボンナノチューブ層を形成する第一の工程、該カーボンナノチューブ層の隙間または／およびカーボンナノチューブ層の上面に第二成分である樹脂または金属を充填する第二の工程を有することを特徴とする放熱材の製造方法である。 - 特許庁

The resonator 3 has: a lower electrode 31 formed on the acoustic mirror layer 2 and made of SrRuO_3; a piezoelectric layer 32 formed on the lower electrode 31 and made of a lead-based piezoelectric material (for example, PMN-PZT); and an upper electrode 33 formed at a side opposite to the side of the lower electrode 31 in the piezoelectric layer 32.例文帳に追加

共振子３は、音響ミラー層２上に形成されたＳｒＲｕＯ_３からなる下部電極３１と、下部電極３１上に形成された鉛系圧電材料（例えば、ＰＭＮ−ＰＺＴなど）からなる圧電層３２と、圧電層３２における下部電極３１側とは反対側に形成された上部電極３３とを有する。 - 特許庁

To solve the problem that a thickness of a rubber layer is partly reduced or an adhesive is fluidized to lower its adhesive force by preferentially fluidizing a rubber layer of an uppermost site to be most easily heated to other rubber layer when a rubber support for elastically supporting an upper structure is compression vulcanization molded in a bridge or the like.例文帳に追加

橋梁等において上部構造体を弾性支持するゴム支承を圧縮加硫成形するに際し、最も加熱され易い最上位のゴム層が他のゴム層よりも優先して流動することにより、同ゴム層の肉厚が部分的に薄くなったり接着剤を流動させて接着力を低下させる問題を解決する。 - 特許庁

The method of manufacturing an electronic apparatus comprises the first step of forming the relief plate 20 having a convex 22, the second step of forming a liquid layer on the convex 22, the third step of exposing part of the upper surface of the convex 22 by removing part of the liquid layer, and the fourth step of transferring the liquid layer 30 to a substrate 40.例文帳に追加

本発明にかかる電子装置の製造方法は、凸部２２を有する版２０を形成する第１工程と、凸部２２の上に液体層を形成する第２工程と、液体層の一部を除去して凸部２２の上面の一部を露出させる第３工程と、液体層３０を基板４０に転写する第４工程と、を含む。 - 特許庁

A transparent layer 46 comprises the protrusions and a flat part 45 which are formed by subjecting a transparent photosensitive resin layer provided on color pixels 42 to exposure treatment via a density distribution mask PM1 and development treatment and parts of a transparent conductive film 43 above the protrusions are removed by photo etching applied to a transparent conductive film provided on the entire upper surface of the transparent layer.例文帳に追加

透明層４６は、着色画素４２上に設けた透明感光性樹脂層への濃度分布マスクＰＭ１を介した露光、現像処理によって形成された突起と平坦部４５からなり、透明導電膜４３は透明層の上面の全面に設けた透明導電膜へのフォトエッチングによって突起上の部分は除去されている。 - 特許庁

The dip coating device, used to manufacture the electrophotographic receptor, has a dip coating tank for coating a conductive base with one of an undercoating layer, a charge generating layer, and a charge transfer layer by dipping the conductive base and also has at lest one or more cut parts or dam parts at the upper end part of the dip coating tank.例文帳に追加

導電性基体を浸漬することにより下引き層、電荷発生層、電荷輸送層のいずれかを塗布するための浸漬塗布槽を有する浸漬塗布装置であって、当該浸漬塗布槽の上端部には、少なくとも１つ以上の切り欠き部又はせき部を有することを特徴とする電子写真感光体の製造に用いられる浸漬塗布装置。 - 特許庁