「upper- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(173ページ目) - Weblio英語例文検索

Wiring coating layers 5 and 5', which cover a lower wiring layer 3a and an upper wiring layer 3b composed of Au on or above a compound semiconductor substrate 1 and are composed of tantalum or titanium that is a metal having a smaller thin film stress than Au and having a high melting point than Au, are formed by sputter.例文帳に追加

化合物半導体基板１上の、Ａｕからなる下部配線層３ａと上部配線層３ｂの上部を覆って、Ａｕより薄膜応力が小さく高融点を有する金属であるタンタルあるいはチタンからなる配線被覆層５と５’をスパッタにより形成する。 - 特許庁

When a splitting groove 14 is formed in a lower electrode layer 12 by the laser scribe method and a substrate is insulated and split, a square groove 15 is formed just beneath a position where an upper electrode layer 19 is insulated and split and a square insulating and isolating area insulated electrically from its periphery is formed.例文帳に追加

レーザ・スクライブ法によって下部電極層１２に分割溝１４を形成して絶縁分割する際に、上部電極層１９を絶縁分離する位置の直下に矩形溝１５を形成して、周辺と電気的に絶縁された矩形の絶縁分離領域を形成する。 - 特許庁

The powder layer forming part 4 includes: a chamber 43 which has a window 44 allowing the light beam L to pass through, on the upper surface, and whose lower part is opened to cover the powder layer 31; and a gas feed opening for an inert gas performing the removal of fume in the chamber 43 and the treatment of window cleaning.例文帳に追加

粉末層形成部４は、光ビームＬを透過させるウィンドウ４４を上面に有し、下方が開口して粉末層３１を覆うチャンバー４３と、チャンバー４３内のヒュームの除去とウィンドウ清掃の処理を行なう不活性ガスの給気口とを有している。 - 特許庁

A light-emission control method for a light-emitting device is provided, wherein the light-emitting device is constituted by an active layer 114 and a photonic crystal layer 116 arranged between an upper electrode 124 and a lower electode111, and comprises a plurality of light-emitting elements 118, each of which can be driven independently.例文帳に追加

上部電極１２４と下部電極１１１との間に活性層１１４およびフォトニック結晶層１１６を介在して構成され、それぞれ独立して駆動可能な複数の発光素子１１８を備えた発光装置の発光制御方法が提供される。 - 特許庁

The object A to be stored is stored sandwiched between the upper-layer cushion part 12 and the lower-layer cushion part 14, which makes it hard for the stored object A move in the storage part 16, and prevents the generation of an unpleasant sound or breaking of the stored object A inside the pillow 10.例文帳に追加

これにより、収納物(A)が、上層クッション部(12)と下層クッション部(14)とによって挟み込まれるようにして収納されるので、収納部(16)内で収納物(A)が移動し難く、枕(10)の内部で不快音が発生したり、収納物(A)が破損したりするのを防止できる。 - 特許庁

In the lid 1 for the food container which is adhered to an upper surface of a mouth part of the container to cover the mouth part of the container, and has a partial unsealing tab 11 on a circumferential edge part, a paper layer of the weight-average fiber length of at least 1.5 mm is provided in the layer configuration of the lid.例文帳に追加

容器口部の上面に接着して容器口部を覆い、且つ周縁部に部分開封用タブ１１を設けてなる食品容器用蓋材１において、蓋材の層構成中に、少なくとも、重量平均繊維長さが１．５ｍｍ以上の紙層を有することを特徴とする。 - 特許庁

An upper magnetic layer 105 which is a magnetic recording layer formed on a nonmagnetic base 101 of the magnetic recording medium is formed by dispersing magnetic powder 111 deposited or mixed with carbon 109 on or with hexagonal system ferrite particles 107 into an organic binder 113.例文帳に追加

磁気記録媒体の非磁性支持体１０１上に形成される磁気記録層である上層磁性層１０５は、六方晶系フェライト粒子１０７に対してカーボン１０９が被着または混合された磁性粉末１１１が、有機バインダー１１３中に分散されてなる。 - 特許庁

To provide a method for correcting an FIB wiring of a flip-chip LSI by an FIB of only a normal ion beam, by enabling removal of the upper layer interconnection and the lower layer interconnection on an FIB processing region through wet etching.例文帳に追加

ＦＩＢ加工領域上の上層配線および下層配線をウェットエッチングで除去することができるようにすることにより、通常のイオンビームのみのＦＩＢで、フリップチップＬＳＩのＦＩＢ配線修正加工が可能である、フリップチップＬＳＩの配線修正方法を提供する。 - 特許庁

To provide a scale removing method of a chromium-containing steel material for sufficiently removing, with a simple facility, scale of a bilayer structure having a lower layer containing high chromium oxide content formed on the surface of the chromium-containing steel material and an upper layer mainly made of iron oxide.例文帳に追加

クロム含有鋼材料の表面に形成された酸化クロム含有量の多い下層と、酸化鉄を主体とする上層とを含んだ二層構造のスケールを簡易な設備で十分に除去することができるクロム含有鋼材料のスケール除去方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device 100 has upper-lower two cut-out semiconductor wafers 5, a resin sealing layer 28 held by these two semiconductor wafers 5 and formed, and conductive posts 30 formed at the outer edge section of the resin sealing layer 28 and exposed to the outside.例文帳に追加

半導体装置１００は、上下２枚の切り出された半導体ウェハ５と、これら２枚の半導体ウェハ５に挟まれて形成されている樹脂封止層２８と、この樹脂封止層２８の外縁部に形成され、外部に露出している導電性ポスト３０とを有する。 - 特許庁

A connection wiring 25 for connecting an upper electrode 23 of the capacitor C to the layer 12 is formed by a first layer metal on an interlayer film 24 coating the capacitor C, and a shunt wiring 26 for short circuiting the word line is formed.例文帳に追加

強誘電体キャパシタＣを覆う層間絶縁膜２４上に、第１層メタルにより、強誘電体キャパシタＣの上部電極２３とトランジスタ拡散層１２の間を接続する接続配線２５が形成され、またワード線を短絡するためのシャント配線２６が形成される。 - 特許庁

The rainwater inflow side ditch 20 is constituted by positioning its rainwater outlet 21 on an upper layer region side of the stratum 50 composed of pebbles across a concrete floor slab 25, and a rainwater inflow part of the holed underground pipe 30 is positioned on a lower layer region side of the stratum 50 composed of pebbles.例文帳に追加

雨水流入側溝２０はその雨水流出口２１を、コンクリート床版２５を挟んで、小石から成る層５０の上層領域側に位置させており、有孔地中埋設管３０はその雨水流入部を小石から成る層５０の下層領域側に位置させている。 - 特許庁

In the semiconductor laser device, having the window structure area formed by making random the active layer of the quantum well structure through the implantation of silicon ions and following heat treatment; no transition loop practically exists in the window structure region 10a and the neighborhood (upper clad layer 9a).例文帳に追加

シリコンイオンの注入、及びその後の熱処理により量子井戸構造の活性層を無秩序化して形成された窓構造領域を有する半導体レーザ装置において、窓構造領域１０ａ及びその近傍（上クラッド層９ａ）には転位ループが実質的に存在しない。 - 特許庁

The X-ray photoelectric converter 10 has a charge collecting electrode 2, an under coating layer 3 situated on the charge collecting electrode 2, an upper electrode 5 situated on an X-ray photoelectric layer 4.例文帳に追加

本発明のＸ線光電変換器１０は、電荷収集電極２と、電荷収集電極２上に配置された下引き層３と、下引き層３上に配置されたＸ線光導電層４と、Ｘ線光導電層４上に配置された上部電極５とを有している。 - 特許庁

The upper layer 12A and the lower layer 12B are formed by vulcanizing a rubber composition that includes a high viscosity elastomer such as EPM or EPDM and a low viscosity elastomer having a lower Mooney viscosity than the high viscosity elastomer, and these layers include modified nylon microfibers as short fibers 21A, 21B.例文帳に追加

上部層１２Ａ及び下部層１２Ｂは、ＥＰＭ、ＥＰＤＭ等の高粘度エラストマー、及び高粘度エラストマーよりムーニー粘度が低い低粘度エラストマーを含むゴム組成物を加硫したものであるとともに、短繊維２１Ａ、２１Ｂとして変成ナイロンミクロファイバーを含有する。 - 特許庁

The relay electrode pad RP of the lower layer first chip 12 electrically connected to a substrate terminal BP of the mounting substrate 10 via the coupling electrode pad P thereof is electrically connected to the coupling electrode pad P of the upper layer second chip 16 by wiring 27.例文帳に追加

そして、実装基板１０の基板端子ＢＰにその連結電極パッドＰを介して電気的に接続された前記下層の第１チップ１２の中継電極パッドＲＰと前記上層の第２チップ１６の連結電極パッドＰとが配線２７により電気的に接続される。 - 特許庁

The positive photosensitive lithographic printing plate is obtained by sequentially stacking on an aluminum support a lower layer containing an alkali-soluble resin and an acid-decomposable compound but not containing a photothermal conversion compound and an upper layer containing an alkali-soluble resin and a photothermal conversion compound.例文帳に追加

アルミニウム支持体の上に、アルカリ可溶性樹脂かつ酸により分解する化合物を含み、かつ光熱変換化合物を含まない下層と、アルカリ可溶性樹脂及び光熱変換化合物を含む上層を順次積層することを特徴とするポジ型感光性平版印刷版。 - 特許庁

Since electrophoresis particles in the microcapsules 7a and the ITO electrode 2 pull each other, microcapsules 7a is attracted to the side of the ITO electrode 2, and microcapsules 7a of the upper layer which are overlapped with each other enter easily into gaps of microcapsules 7a of the lower layer.例文帳に追加

マイクロカプセル７ａ内の電気泳動粒子とＩＴＯ電極２とが引き合うから、マイクロカプセル７ａはＩＴＯ電極２側に引きつけられることになって、重なりあっている上層のマイクロカプセル７ａは、下層のマイクロカプセル７ａどうしの隙間に入り込みやすくなる。 - 特許庁

To provide a substrate for a liquid crystal display device having a wiring structure which can avoid problems arising when a Cu material is used and suppress a disclination defect due to a step of a lower-layer side wiring line and a wire breaking defect of an upper-layer side wiring line, and its manufacturing method.例文帳に追加

Ｃｕ材料を用いる場合に生じる問題を回避するとともに、下層側の配線の段差に起因するディスクリネーション不良や上層側配線の断線不良の発生を抑制することができる配線構造を備えた液晶表示装置用基板及びその製造方法の提供。 - 特許庁

The liquid crystal display is provided with gate terminals 16 for applying a voltage to the gate wiring 4 and a tapered gate wiring 14 to connect with it, and a conductor layer 18 is provided on the upper layer of the tapered gate wiring 14 via a gate insulating film 5.例文帳に追加

本発明にかかる液晶表示装置は、ゲート配線４に電圧を印加するためのゲート端子１６およびこれに接続するため設置されたテーパーゲート配線部１４が設けられ、テーパーゲート配線部１４の上層にゲート絶縁膜５を介して導電層１８を配設するものである。 - 特許庁

An upper layer part of the multistory scaffold 10 is arranged by assembling the other standard 11 on the standard 11 for constituting the lowest layer part 56, and installing the frame body fasteners 25 and 42 fixed to a skeleton part 24 of a building at the predetermined interval to the standard 11.例文帳に追加

連層足場１０の上層部は、最下層部５６を構成する建枠１１の上に他の建枠１１を組み上げるとともに、組み上げられる建枠１１に対し所定の間隔毎に建造物の躯体部２４に固定される枠体締結具２５，４２を装着することによって設置される。 - 特許庁

The upper magnetic pole layer comprises a first portion 15a, located in the area which includes the area which faces the thin film coils 12, 18, a second portion 15b which forms the magnetic pole portion, and a third portion 15c for connecting the first portion 15a to the lower magnetic pole layer.例文帳に追加

上部磁極層は、薄膜コイル１２，１８に対向する領域を含む領域に配置された第１の部分１５ａと、磁極部分を形成する第２の部分１５ｂと、第１の部分１５ａと下部磁極層とを接続するための第３の部分１５ｃとを有している。 - 特許庁

Each of a forward-distributed feedback active region 101, a center-distributed feedback active region 102, and a backward-distributed feedback active region 103 is equipped with a diffraction grating 5 buried in a p-type InP clad layer 4 in the proximity of an upper surface 3a of an optical waveguide layer 3.例文帳に追加

前方分布帰還型活性領域１０１、中央分布帰還型活性領域１０２および後方分布帰還型活性領域１０３の各々には、光導波層３の上面３ａに近接するようにｐ型ＩｎＰクラッド層４内に埋め込まれた回折格子５が設けられている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which the periphery of an upper layer metal film of multilayer metal films formed on an electrode is prevented from turning up or being separated by the side etch of the lower layer metal film, and to provide a method of manufacturing such a semiconductor device.例文帳に追加

本発明は、電極上に形成された複層金属膜のうちの下層金属膜のサイドエッチによる上層金属膜周辺の捲れや剥がれを防止し、電極の保護を目的とした半導体装置及びそのような半導体装置の製造方法を提供することを課題する。 - 特許庁

The process of a second embodiment comprises a step that the silicon substrate having the mesa encircled in the trench is formed, a step that a dielectric layer is formed in the trench abutted on the mesa, and a step that the silicon germanium layer is grown on the upper surface of the mesa by a selectively epitaxial growth method to form a silicon germanium base.例文帳に追加

第２実施例のプロセスは、トレンチに囲まれたメサを有するシリコン基板を形成するステップ、メサに隣接したトレンチに誘電層を形成するステップ、及び選択的エピタキシャル成長によりメサ上面にシリコン・ゲルマニウム層を成長させてシリコン・ゲルマニウム・ベースを形成するステップを含む。 - 特許庁

The method includes growing a nitride semiconductor layer on a GaN substrate having a non-polar or semi-polar crystal plane, the upper surface of which has a predetermined angle of intersection with respect to the c plane, patterning the nitride semiconductor layer, and forming light emitting cells separated from one another.例文帳に追加

この方法は、上部表面がｃ面に対して一定の交差角をなす非極性または半極性の結晶面を有するＧａＮ基板上に窒化物半導体層を成長させ、前記窒化物半導体層をパターニングし、互いに分離された発光セルを形成することを含む。 - 特許庁

Accordingly, since a natural updraft by a temperature rise is generated in the air layer 53 by communicating the upper section of the air layer 53 with the outside air and the outside air is flowed, a heat-shielding effect is improved while running cost is made unnecessary, and indoor cooling efficiency is not deteriorated.例文帳に追加

これによって、空気層５３の上部を外気に連通することで空気層５３内に温度上昇による自然上昇気流が発生して外気が流通するので遮熱効果が優れたものであると共に、運転コストが不要で、室内の冷房効率が悪くならない。 - 特許庁

An impedance matching layer 164, 168 are formed of a material having the same acoustic impedance to the first acoustic impedance, have a second or third thicknesses 192, 194, and are mounted on the upper side and bottom side 166, 170 of the poled piezoelectric material layer 154.例文帳に追加

インピーダンス整合層１６４、１６８は第１の音響インピーダンスと同様の音響インピーダンスを有する材料から形成され、第２または第３の厚さ１９２、１９４を有し、有ポール圧電材料層１５４の上部側及び底部側１６６、１７０に取り付けられる。 - 特許庁

When the device main body is vibrated, by randomly changing a value indicating the arrangement of audio contents in the reproduction list, the possibility is given to temporarily arrange contents positioned in the lower layer of the reproduction list in an upper layer when arranged based on an original parameter.例文帳に追加

装置本体が振動されたとき、再生リストにおけるオーディオコンテンツの配置を表す値をランダムに変更することによって、元のパラメータに基づいて配置されたときには再生リストで低層に位置するコンテンツに対して、一時的に上層に配置される可能性が与えられる。 - 特許庁

Further, at least one of the contacts have a plurality of parts sectioned by the conductor layers such that an opening portion of a contact connected to a lower layer is smaller in internal diameter than an opening portion of a contact sectioned by an upper conductor layer.例文帳に追加

また、コンタクトのうち少なくとも１つは、導電体層で区切られた複数の部分を有し、上層の導電体層に区切られるコンタクトの内径より、下層の導電体層に接続されるコンタクトの開口部の内径が小さいことを特徴とすることもできる。 - 特許庁

Accordingly, the n-type GaN layer 2 connected to the n-type electrode 10 and the p-type layer 7 connected to a p-type transparent electrode 8 are electrically insulated from each other as shown in (d) to prevent leakage and short, thereby improving the reliability and easily forming the upper electrode 8.例文帳に追加

したがって、（ｄ）で示すように、ｎ型電極１０に接続されるｎ型ＧａＮ層２とｐ型透明電極８に接続されるｐ型層７とは電気的に絶縁され、リークやショートを防止して信頼性を向上し、かつ上部電極８を容易に形成できる。 - 特許庁

Polyamideimide 50 exists densely in a lower layer part C1 of the resin C, and silicone 60 exists densely in an upper layer part C2 of the resin C so that polyamideimide 50 having excellent bonding property adheres near a surface 2a of the slide part and a surface of the resin C can be covered with silicone 60 having non-adhesive property.例文帳に追加

しかも、樹脂Ｃの下層部Ｃ１にはポリアミドイミド５０が密に、樹脂Ｃの上層部Ｃ２にはシリコン６０が密に存在することで、摺動部表面２ａ近傍には接着性のよいポイアミドイミド５０が付着し、かつ樹脂Ｃ表面を非粘着性のシリコン６０で覆うことができる。 - 特許庁

To provide a laminated label which can lessen such a situation that print of lower layer side ink and upper layer side ink move to either of the labels or are shifted from each other, and which can be efficiently printed by a printer performing multi-color printing through one process, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

下層側インキと上層側インキとが各々のラベルのどちらかに印刷が移ったりずれたり等の事態を少なくすることができるとともに、多色印刷を一回の工程で行うことができる印刷機により効率よく印刷することできるようにする - 特許庁

In an element substrate 10 of the reflective liquid crystal device 100, first contact holes 41a and 41b comprising a lower layer side light reflecting film and connecting a data line 5a and a relay electrode 5b and a field effect transistor 30 are formed at positions to overlap with an upper layer side light reflecting film 7a.例文帳に追加

反射型液晶装置１００の素子基板１０では、下層側光反射性膜からなるデータ線５ａおよび中継電極５ｂと電界効果型トランジスタ３０とを接続する第１コンタクトホール４１ａ、４１ｂは上層側光反射膜７ａと重なる位置に形成されている。 - 特許庁

Therefore, after the delivery roller 4 contacts an upper most layer paper sheet S in a paper feed tray 3 at a prescribed position P and delivers this paper sheet S, the delivery roller can also contact a paper sheet S that becomes the top-most layer next at the prescribed position P (or a position nearest to the prescribed position P).例文帳に追加

そのため、繰り出しローラ４は、給紙トレイ３における最上層の用紙Ｓに対して所定位置Ｐで接触してこの用紙Ｓを繰り出した後、次に最上層となる用紙Ｓに対しても、所定位置Ｐ（または所定位置Ｐに限りなく近い位置）で接触できる。 - 特許庁

Furthermore, the washing drainage is agitated while blowing in air by an aerating type agitator 5, so that the aggregates float entraining air, and the washing drainage is separated in an upper aggregate layer 20 with the relatively large ratio of aggregates, and a lower water layer 21 without the large ratio of aggregates.例文帳に追加

更に、この洗濯排水は曝気型攪拌機５によって空気を吹き込みながら攪拌されるため、前記凝集体は空気を巻き込んで浮上し、洗濯排水は凝集体の割合が比較的多い上方の凝集体層２０と、そうでない下方の水層２１とに分離する。 - 特許庁

Further, the reproducing head is provided with a mask layer 22 for etching which is arranged between one face of the MR element 5 and the upper shield layer 9 and is used as a mask to determine the position of the end part on the side opposite to the side facing a recording medium of the MR element 5.例文帳に追加

再生ヘッドは、更に、ＭＲ素子５の一方の面と上部シールド層９との間に配置され、エッチングによってＭＲ素子５の記録媒体に対向する側とは反対側の端部の位置を決定するためのマスクとして用いられるエッチング用マスク層２２を有している。 - 特許庁

A method for manufacturing the capacitive element comprises the steps of forming a trench on the surface of a base, forming a separate insulation film 2 in the trench, and forming a lower electrode 23 in the bottom of a recess provided at an opposite side to the base, a dielectric layer 24 on the lower electrode and an upper electrode 25 on the dielectric layer.例文帳に追加

基体の表面にトレンチを形成、トレンチ内に分離絶縁膜２を形成し、前記基体と反対側に設けた凹部の底部上に下部電極２３を、前記下部電極上に誘電体層２４を、前記誘電体層上に上部電極２５を、それぞれ形成する。 - 特許庁

Furthermore, the electro-optical device is equipped with a gap light shielding film (210) which is disposed on the side more upper than the semiconductor layer (74) on at least a part of a gap region (D1) between transistors adjacent to each other and which at least partly overlaps the semiconductor layer that the transistors adjacent to each other have.例文帳に追加

更に、半導体層（７４）よりも上層側に、相隣接するトランジスタ間の間隙領域（Ｄ１）の少なくとも一部に設けられると共に、この相隣接するトランジスタが有する半導体層に少なくとも部分的に重なる間隙遮光膜（２１０）を備える。 - 特許庁

A second ridge-shaped upper clad layer 6 and a contact layer 7 are formed by an etching using a mask 8 consisting of an SiO2 film and following the formation, optical confinement layers 10 which are N-type Aly2 Ga(1-y2)As layers are selectively formed on both sides of a ridge part 12 utilizing the mask 8 by an MOCVD method.例文帳に追加

ＳｉＯ_2よりなるマスク８を用いたエッチングにより、リッジ形状の上部第２クラッド層６およびコンタクト層７を形成し、続いてＭＯＣＶＤ法により、マスク８を利用して、ｎ型Ａｌ_y2Ｇａ_(1-y2)Ａｓである光閉じ込め層１０を、リッジ部１２の両側に選択的に形成する。 - 特許庁

The powder layer forming part 4 includes: a plurality of chambers 43 which has a window 44 allowing the light beam L to pass through, on the upper face, and whose lower part is opened to cover the powder layer 31; and air supply openings 73 for an inert gas performing the removal of fume in the chambers 43 and cleaning treatment for window cleaning.例文帳に追加

粉末層形成部４は、光ビームＬを透過させるウィンドウ４４を上面に有し、下方が開口して粉末層３１を覆う複数のチャンバー４３と、チャンバー４３内のヒュームの除去とウィンドウ清掃の清掃処理を行なう不活性ガスの給気口７３を有している。 - 特許庁

To provide a bilayer-type bleaching cosmetic having high bleaching effects, providing excellent fresh feeling, compatibility with the skin and pliancy of the skin after coating when being used, and having excellent aesthetic properties of appearance separated to two layers of a transparent upper layer and a gel-shaped lower layer when being stood still, and good redispersibility and preservation stability.例文帳に追加

美白効果が高く、使用時のみずみずしい感触、肌なじみ、あと肌のしなやかさに優れ、静置時には透明な上層とゲル状の下層の二層に分離する外観の審美性に優れ、再分散性及び保存安定性が良好な二層型美白化粧料を提供すること。 - 特許庁

Thus, the value of resistance and the heat release and reduced by enlarging the size of width in height direction for the second coil segment 41 and enlarging the cross section, and the size of the upper core layer 39 and the lower core layer 29 is made equal to, or smaller than, the conventional one at the same time.例文帳に追加

これによって、第２コイル片４１のハイト方向幅寸法を大きくし、断面積を大きくして抵抗値、発熱量の低減を図ると同時に、上部コア層３９及び下部コア層２９の大きさを従来と同じか従来より小さくすることが可能になる。 - 特許庁

An insulator layer 6 is provided on a part of an outside from the recess 5 of the upper surface 3a of the lower electrode board 3 so as to form a gap of a suitable size S between the inner periphery of the layer 6 and the outer periphery of the recess 5 over the entire periphery of the recess 5.例文帳に追加

前記下部電極盤３の上面３ａのうち前記凹所５より外側の部分に、絶縁体層６を、当該絶縁体層６の内周と前記凹所の外周との間に適宜寸法Ｓの隙間を前記凹所５の全周囲にわたって形成するように設ける。 - 特許庁

A light diffusion layer 6 comprising light scattering particles 7 nearly uniformly distributed on an upper surface of a reflection film 5 disposed between a liquid crystal layer 9 and a rear substrate 1B with ≥50% filling factor and coated with a coating material 8 having a refractive index different from that of the light scattering particles 7 is formed.例文帳に追加

液晶層９とリア基板１Ｂとの間に配設された反射膜５の上面に、充填率が５０％以上となるように略均一に分布させた散乱粒子７を当該散乱粒子７と異なる屈折率を有する被覆材８で被覆させた光拡散層６を形成する。 - 特許庁