「upper- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(173ページ目) - Weblio英語例文検索

A solder resist layer 6 covering on an lower surface side of an insulating substrate 1 fills the inside of a through hole 2 provided in the insulating substrate 1, and the solder resist layer 6 covering on an upper surface of the insulating substrate 1 has an opening for exposing the through hole 2 in a loading section 1a.例文帳に追加

絶縁基板１に設けられたスルーホール２内は絶縁基板１の下面側に被着されたソルダーレジスト層６により充填されているとともに、絶縁基板１の上面に被着されたソルダーレジスト層６は、搭載部１ａにおけるスルーホール２を露出させる開口部を有している。 - 特許庁

To facilitates connecting or fixing lead wires for an electric motor stator having two coils respectively arranged in a lower layer and an upper layer with a conductor wound around the teeth of a stator core and parallelly flowing currents to the two coils by parallelly connecting the ends of the coils.例文帳に追加

ステータコアの各歯部に導線を下層と上層の２つのコイルに分けて巻付け、各層のコイルの端部を並列結線して２つのコイルに並行して電流を流すようにした電動機の固定子において、引出し線の結線作業や、固定作業がしやすくなるようにする。 - 特許庁

To provide a wiring board for a surface-mounted light-emitting element that has enhanced adhesion between a coating layer covering a part of a connection electrode and an insulating base and has increased reflectivity of the coating layer, thereby having improved light reflectivity over the entire upper surface, and to provide a light-emitting device having improved luminous efficiency.例文帳に追加

接続電極の一部を覆う被覆層と絶縁基体との密着性を高め、被覆層における反射率を高めて、上面全体における光の反射率を向上させた表面実装型発光素子用配線基板を提供し、発光効率を高めた発光装置を提供する。 - 特許庁

A metal-made conductive member 3A is provided in a wiring board 1C as a mounting board of a lower layer, and a through-hole 7 is provided at a location corresponding to the conductive member 3A, in a plane in a wiring board 2C as a mounting board of an upper layer, to expose wiring to a sidewall of the through-hole 7.例文帳に追加

下段の実装基板である配線基板１Ｃに金属製の導電性部材３Ａを設け、上段の実装基板である配線基板２Ｃには平面で導電性部材３Ａと対応する位置でスルーホール７を設けてそのスルーホール７の側壁に配線を露出させる。 - 特許庁

The electronic device 108 also includes the frame material 102 disposed upright on the main body part 101 to expose an upper surface of the function part and surrounding the function part in two or more layers, and a resin layer (a sealing resin layer 106) filling the surrounding of an outermost peripheral frame material (for example, a second frame material 102b).例文帳に追加

電子装置１０８は、更に、機能部の上面が露出するように本体部１０１上に立設されて機能部を２重以上に囲む枠材１０２と、最外周の枠材（例えば、第２枠材１０２ｂ）の周囲を埋める樹脂層（封止樹脂層１０６）と、を有する。 - 特許庁

The packaging bag includes a sheet formed by arranging at least a base material, an adhesive layer, and a thin metal layer in that order one on another, and has an opening in the upper part thereof, part of the sheet has a plurality of vertically discontinuous lines arranged alternately.例文帳に追加

少なくとも、基材、接着剤層、金属薄膜層が順次積層されてなるシート体からなり、上部に開口部を有する袋であって、前記シート体の一部に切れ目を千鳥状に配列した縦方向の断続した切れ目線を複数有していることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a film-forming composition to be used in liquid crystal displays, recording materials for hard discs, solid imaging elements, solar cell panels light-emitting diodes, organic luminescent devices, luminescent films, fluorescent films, MEMS, actuators, antireflective materials, resists, resist lower layer films, resist upper layer films or templates (molds) for nanoimprinting use.例文帳に追加

液晶ディスプレイ、ハードディスク用記録材料、固体撮像素子、太陽電池パネル、発光ダイオード、有機発光デバイス、ルミネセントフィルム、蛍光フィルム、ＭＥＭＳ、アクチュエーター、反射防止材料、レジスト、レジスト下層膜、レジスト上層膜、又はナノインプリント用テンプレート（モールド）に使用される膜形成組成物を提供する。 - 特許庁

To provide an electrophotographic photoreceptor having an a-SiC upper charge injection inhibition layer and an a-SiC surface layer, the photoreceptor being superior in adhesiveness, suppressing surface deterioration, being superior in sensitivity characteristics and charging characteristics, and capable of maintaining a favorable image formation for a long period of time.例文帳に追加

ａ−ＳｉＣ上部阻止層およびａ−ＳｉＣ表面層を有する電子写真感光体において、密着性に優れ、表面変質が抑制され、感度特性や帯電特性に優れ、良好な画像形成を長期間維持できる電子写真感光体を提供する。 - 特許庁

A P-type well 12 is formed at the upper part of a semiconductor substrate 11, an STI13 is provided selectively at the well 12, and an N^+-type source layer 17 and a drain layer 18 are formed in an opening 14 of the STI13 to touch the side surface 13a of the STI 13 and to be separated from each other.例文帳に追加

半導体基板１１の上部にＰ型のウェル１２を形成し、ウェル１２にＳＴＩ１３を選択的に設け、ＳＴＩ１３の開口部１４内にＳＴＩ１３の側面１３ａに接するようにＮ^＋型のソース層１７及びドレイン層１８を相互に離隔して形成する。 - 特許庁

The organic EL device (200) includes a substrate (210a), a light emitting unit (240) arranged on the substrate, and a light shielding layer (230) laminated on an upper-layer side of the light emitting unit with a given interval from it, and covering at least part of it as seen in plane on the substrate.例文帳に追加

有機ＥＬ装置（２００）は、基板（２１０ａ）と、基板上に配置された発光部（２４０）と、発光部の上層側に、発光部から所定間隔をあけて積層されると共に、基板上で平面的に見て、発光部を少なくとも部分的に覆う遮光層（２３０）とを備える。 - 特許庁

In the sensitized solar cell module 11, an electrolyte solution 10 is impregnated into the porous semiconductor layer 7 and the counter electrode layer 9, and a liquid sealing material is arranged so as to seal the electrolyte solution 10 covering the upper part of the cell barrier rib 6 and the liquid sealing material is solidified.例文帳に追加

増感型太陽電池モジュール１１では、多孔質半導体層７及び対極層９に電解液１０を含浸させ、セル隔壁６の上部を覆って電解液１０を封止するように液状封止材料を配置し、液状封止材料を固化させるようにする。 - 特許庁

A capacitor C is composed by a lower electrode L1a formed of a first wiring layer L1, an upper electrode L2a formed of a second wiring layer L2, and an interlayer insulating film 12a interposed thereby, and is formed between a substrate 10 and a pad 5 on a pad arrangement region 4.例文帳に追加

パッド配置領域４上で基板１０とパッド５との間には、第１の配線層Ｌ１に形成された下部電極Ｌ１ａと、第２の配線層Ｌ２に形成された上部電極Ｌ２ａと、それらに挟まれた層間絶縁膜１２ａとから構成されるキャパシタＣが形成されている。 - 特許庁

The manufacturing method of the membrane electrode assembly comprises (i) a process of forming an electrolyte membrane by coating electrolyte or electrolyte solution on one of the faces of a first damage-preventing layer, and (ii) a process of bonding a second damage-preventing layer on an upper face of the electrolyte membrane.例文帳に追加

本発明の膜電極接合体の作製方法は、ｉ）第１の破損防止層の一方の面上に、電解質または電解質溶液を塗布することにより電解質膜を形成する工程と、ｉｉ）電解質膜の上面に、第２の破損防止層を接着する工程と、を備える。 - 特許庁

To provide an axle box supporting structure which is excellently functioned by avoiding any inconvenience such as separation and crack of a rubber layer attributable to the compressive load even when an axle box supporting elastic body to be interposed between an axle box and a coil spring has a lower flange-less structure consisting of an upper flange and the rubber layer.例文帳に追加

軸箱とコイルバネとの間に介装される軸箱支持用弾性体が、上フランジとゴム層とで成る下フランジレス構造のものでも、圧縮荷重に起因してゴム層の剥離や亀裂等の不都合が回避され、良好に機能できるものとして提供する。 - 特許庁

Power source patterns 3-1 and 3-2 connected to power source terminals 11 and 13 of an IC 10, and a ground pattern 4 connected to a ground terminal 12 are provided side by side on an upper layer 21 of a multilayer circuit board 2, and a ground pattern 5-1, a power source supply pattern 6, and a ground pattern 5-2 are provided side by side on a lower layer 22.例文帳に追加

ＩＣ１０の電源端子１１，１３に接続される電源パターン３−１，３−２と、グランド端子１２に接続されるグランドパターン４とを、多層回路基板２の上層２１に並設し、グランドパターン５−１と電源供給パターン６とグランドパターン５−２とを、下層２２に並設する。 - 特許庁

In a process for forming a semiconductor thin film 13 having the same element as a burial substrate 11 at the upper portion of a porous layer 12 after forming the porous layer 12 on the substrate 11, the semiconductor thin film 13 is formed in a chemically active hydrogen atmosphere.例文帳に追加

基板１１に多孔質層１２を形成後、多孔質層１２の上部を埋め基板１１と同じ元素を有する半導体薄膜１３を形成する工程において、半導体薄膜１３の形成が化学的に活性な水素雰囲気中で行われることを特徴とする。 - 特許庁

In such a semiconductor device, a depletion layer 106 is formed in the low-density P-type silicon substrate 101 below the inductor 105 along the thickness direction from the upper surface of the silicon substrate 101, so that the eddy current induced by a current flowing to the inductor 105 is blocked by the depletion layer 106.例文帳に追加

このような半導体装置では、インダクタ105下方の低濃度P型シリコン基板内101にシリコン基板101の表面から厚み方向に空乏層106が形成されているため、インダクタ105を流れる電流によって誘起される渦電流は空乏層106によって遮断される。 - 特許庁

In the case of the presence of the contact hole penetrated through the interlayer insulating films 41, 12 of at least two layers or over whose film quality differs from each other, an etching rate by dry etching of the upper layer interlayer insulating film 41 is selected faster than that of the lower layer interlayer insulating film 12.例文帳に追加

膜質が異なる少なくとも２層以上の層間絶縁膜４１，１２を貫通するコンタクトホールが存在する場合、上層の層間絶縁膜４１のドライエッチングによるエッチングレートが、下層の層間絶縁膜１２のエッチングレートより速く設定するようにした。 - 特許庁

The dielectric film 10 contacts a part of the contact layer 8 and includes a convex portion 13 around the opening portion 12, the contact layer 8 includes a width narrower than the width of the opening portion 12 of the dielectric film 10, and the upper surface of the conductive film 9 is positioned at a position lower than the convex portion 13 of the dielectric film 10.例文帳に追加

誘電体膜１０は、コンタクト層８の側面の一部に接し、開口部１２の周囲に凸部１３を有し、コンタクト層８の幅が誘電体膜１０の開口部１２の幅より狭く、導電膜９の上面が誘電体膜１０の凸部１３よりも低い位置に位置する。 - 特許庁

Each upper end of a capacitive element is positioned as high as the surface of the metallic wiring layer 22, each lower end thereof is positioned as high as the surface of a metallic wiring layer 12, and the element comprises a pair of metallic electrode 40, 41 which extend vertically to the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

容量素子はそれぞれの上端が金属配線層２２の表面と同じ高さに位置し、そのそれぞれの下端が金属配線層１２の表面と同じ高さに位置し、半導体基板１に対して垂直方向に延びる１対の金属電極４０，４１を含む。 - 特許庁

An improvement body 7 reaching a gravel layer 21 is provided in both lateral directions of a designed tunnel position 3 so as to be taken as an impervious wall against spring water from the natural ground, an upper part of prelining 11 is provided with a drainage tube 17, and the spring water from the gravel layer 21 is collected for drainage in order to lower the groundwater level.例文帳に追加

計画トンネル位置３の両側方に、れき層２１に到達する改良体７を設け、地山からの湧水に対する遮水壁とし、先受け工１１の上部に水抜きチューブ１７を設け、れき層２１からの湧水を集水して排水し、地下水位を低下させる。 - 特許庁

Second layer gate oxide films 17 of silicon oxide, control gate electrodes 18 formed of n-type polysilicon and upper protective insulating films 19 are formed in sequence respectively on the floating gate electrodes 16 and above the first layer gate oxide films 15.例文帳に追加

フローティングゲート電極１６の上における第１層ゲート酸化膜１５の上方の領域には、酸化シリコンからなる第２層ゲート酸化膜１７、ｎ型ポリシリコンからなるコントロールゲート電極１８及び酸化シリコンからなる上部保護絶縁膜１９が順次形成されている。 - 特許庁

Leak water S consisting of waste leachate or groundwater which has entered the double floor 10 by the breakage of the lower layer or upper layer sheet is caused to flow along the drain gradient to a discharge port 26 through spaces 45 marked off by the intermediate floor blocks 40 and a main route 20.例文帳に追加

下層あるいは上層シートの破損により２重床内に浸入した廃棄物浸出水または地下水からなる漏出水Ｓが排水勾配に沿って中間床ブロック４０により画成された空間４５内及び幹路２０を経て排出口２６まで流下するようにした。 - 特許庁

An insulating layer 31 made of epoxy resin etc., is formed on the top surface of the lower insulating film 1 at a periphery of the semiconductor construct 2, and an upper insulating film 32 made of epoxy resin etc., is formed on top surfaces of the semiconductor construct 2 and insulating layer 31.例文帳に追加

次に、半導体構成体２の周囲における下層絶縁膜１の上面にエポキシ系樹脂等からなる絶縁層３１を形成し、且つ、半導体構成体２および絶縁層３１の上面にエポキシ系樹脂等からなる上層絶縁膜３２を形成する。 - 特許庁

To provide a substrate for a liquid crystal display device having a wiring structure which can avoid problems arising when a Cu material is used and suppress a disclination defect due to a step of a lower-layer side wiring line and a wire breaking defect of an upper-layer side wiring line, and its manufacturing method.例文帳に追加

Ｃｕ材料を用いる場合に生じる問題を回避するとともに、下層側の配線の段差に起因するディスクリネーション不良や上層側配線の断線不良の発生を抑制することができる配線構造を備えた液晶表示装置用基板及びその製造方法の提供。 - 特許庁

The liquid crystal display is provided with gate terminals 16 for applying a voltage to the gate wiring 4 and a tapered gate wiring 14 to connect with it, and a conductor layer 18 is provided on the upper layer of the tapered gate wiring 14 via a gate insulating film 5.例文帳に追加

本発明にかかる液晶表示装置は、ゲート配線４に電圧を印加するためのゲート端子１６およびこれに接続するため設置されたテーパーゲート配線部１４が設けられ、テーパーゲート配線部１４の上層にゲート絶縁膜５を介して導電層１８を配設するものである。 - 特許庁

An upper layer part of the multistory scaffold 10 is arranged by assembling the other standard 11 on the standard 11 for constituting the lowest layer part 56, and installing the frame body fasteners 25 and 42 fixed to a skeleton part 24 of a building at the predetermined interval to the standard 11.例文帳に追加

連層足場１０の上層部は、最下層部５６を構成する建枠１１の上に他の建枠１１を組み上げるとともに、組み上げられる建枠１１に対し所定の間隔毎に建造物の躯体部２４に固定される枠体締結具２５，４２を装着することによって設置される。 - 特許庁

The upper magnetic pole layer comprises a first portion 15a, located in the area which includes the area which faces the thin film coils 12, 18, a second portion 15b which forms the magnetic pole portion, and a third portion 15c for connecting the first portion 15a to the lower magnetic pole layer.例文帳に追加

上部磁極層は、薄膜コイル１２，１８に対向する領域を含む領域に配置された第１の部分１５ａと、磁極部分を形成する第２の部分１５ｂと、第１の部分１５ａと下部磁極層とを接続するための第３の部分１５ｃとを有している。 - 特許庁

Each of a forward-distributed feedback active region 101, a center-distributed feedback active region 102, and a backward-distributed feedback active region 103 is equipped with a diffraction grating 5 buried in a p-type InP clad layer 4 in the proximity of an upper surface 3a of an optical waveguide layer 3.例文帳に追加

前方分布帰還型活性領域１０１、中央分布帰還型活性領域１０２および後方分布帰還型活性領域１０３の各々には、光導波層３の上面３ａに近接するようにｐ型ＩｎＰクラッド層４内に埋め込まれた回折格子５が設けられている。 - 特許庁

When the external wiring voltage exceeds the upper limit voltage, regenerative power is absorbed by the electric double layer capacitor, while simultaneously, the electric vehicle takes regenerative current restricting action to prevent the terminal voltage of the electric double layer capacitor from exceeding the maximum voltage (prevention of loss of effect of regeneration).例文帳に追加

外線電圧が定格電圧範囲の上限電圧を越えたときには、回生電力を電気二重層キャパシタで吸収し、これに並行して、電気車が回生電流絞り動作によって、電気二重層キャパシタの端子電圧がその最大電圧を超えないようにする（回生失効防止）。 - 特許庁

When one MD yarn in the upper yarn layer or the lower yarn layer forming the loop comes into touch with the CMD yarn forming the ground cloth only at one side, the DM yarn comes into contact with the loop-fixing CMD yarn on the side opposing to the one side contacting with the CMD yarn forming the ground cloth.例文帳に追加

そして、ループを形成する上糸層又は下糸層の１つのＭＤ糸が、基布を作るＣＭＤ糸に片脇でのみ接しているとき、該ＭＤ糸が前記基布を作るＣＭＤ糸と接する片脇の反対側にループ固定ＣＭＤ糸が接するように配した。 - 特許庁

A transparent second relay layer 400 is electrically connected to an upper capacitance electrode 300 via a contact hole 85 and a transparent pixel electrode 9aa is electrically connected to the second relay layer 400 via a contact hole 86 penetrating a fourth interlayer insulating film 44.例文帳に追加

透明な第２中継層４００は、コンタクトホール８５を介して上部容量電極３００に電気的に、透明な画素電極９ａａは、第４層間絶縁膜４４を貫通するコンタクトホール８６を介して第２中継層４００に電気的に接続されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which the periphery of an upper layer metal film of multilayer metal films formed on an electrode is prevented from turning up or being separated by the side etch of the lower layer metal film, and to provide a method of manufacturing such a semiconductor device.例文帳に追加

本発明は、電極上に形成された複層金属膜のうちの下層金属膜のサイドエッチによる上層金属膜周辺の捲れや剥がれを防止し、電極の保護を目的とした半導体装置及びそのような半導体装置の製造方法を提供することを課題する。 - 特許庁

The process of a second embodiment comprises a step that the silicon substrate having the mesa encircled in the trench is formed, a step that a dielectric layer is formed in the trench abutted on the mesa, and a step that the silicon germanium layer is grown on the upper surface of the mesa by a selectively epitaxial growth method to form a silicon germanium base.例文帳に追加

第２実施例のプロセスは、トレンチに囲まれたメサを有するシリコン基板を形成するステップ、メサに隣接したトレンチに誘電層を形成するステップ、及び選択的エピタキシャル成長によりメサ上面にシリコン・ゲルマニウム層を成長させてシリコン・ゲルマニウム・ベースを形成するステップを含む。 - 特許庁

The method includes growing a nitride semiconductor layer on a GaN substrate having a non-polar or semi-polar crystal plane, the upper surface of which has a predetermined angle of intersection with respect to the c plane, patterning the nitride semiconductor layer, and forming light emitting cells separated from one another.例文帳に追加

この方法は、上部表面がｃ面に対して一定の交差角をなす非極性または半極性の結晶面を有するＧａＮ基板上に窒化物半導体層を成長させ、前記窒化物半導体層をパターニングし、互いに分離された発光セルを形成することを含む。 - 特許庁

Accordingly, since a natural updraft by a temperature rise is generated in the air layer 53 by communicating the upper section of the air layer 53 with the outside air and the outside air is flowed, a heat-shielding effect is improved while running cost is made unnecessary, and indoor cooling efficiency is not deteriorated.例文帳に追加

これによって、空気層５３の上部を外気に連通することで空気層５３内に温度上昇による自然上昇気流が発生して外気が流通するので遮熱効果が優れたものであると共に、運転コストが不要で、室内の冷房効率が悪くならない。 - 特許庁

An impedance matching layer 164, 168 are formed of a material having the same acoustic impedance to the first acoustic impedance, have a second or third thicknesses 192, 194, and are mounted on the upper side and bottom side 166, 170 of the poled piezoelectric material layer 154.例文帳に追加

インピーダンス整合層１６４、１６８は第１の音響インピーダンスと同様の音響インピーダンスを有する材料から形成され、第２または第３の厚さ１９２、１９４を有し、有ポール圧電材料層１５４の上部側及び底部側１６６、１７０に取り付けられる。 - 特許庁

When the device main body is vibrated, by randomly changing a value indicating the arrangement of audio contents in the reproduction list, the possibility is given to temporarily arrange contents positioned in the lower layer of the reproduction list in an upper layer when arranged based on an original parameter.例文帳に追加

装置本体が振動されたとき、再生リストにおけるオーディオコンテンツの配置を表す値をランダムに変更することによって、元のパラメータに基づいて配置されたときには再生リストで低層に位置するコンテンツに対して、一時的に上層に配置される可能性が与えられる。 - 特許庁

Further, at least one of the contacts have a plurality of parts sectioned by the conductor layers such that an opening portion of a contact connected to a lower layer is smaller in internal diameter than an opening portion of a contact sectioned by an upper conductor layer.例文帳に追加

また、コンタクトのうち少なくとも１つは、導電体層で区切られた複数の部分を有し、上層の導電体層に区切られるコンタクトの内径より、下層の導電体層に接続されるコンタクトの開口部の内径が小さいことを特徴とすることもできる。 - 特許庁

The operation display device 6 of the image forming apparatus 1 is provided with; an indicator 10 which displays an upper layer setting screen and a lower layer setting screen which display the content of setting in piles; and a display switch instruction button 12 which performs switching of setting screens being displayed on the indicator 10.例文帳に追加

画像形成装置１の操作表示装置６には、設定内容を表示する上位階層設定画面と下位階層設定画面とを重ねて表示する表示部１０と、表示部１０に表示されている設定画面の切替えを行う表示切替指示ボタン１２とが設けられている。 - 特許庁

A method for preparing a solid acid catalyst includes the steps of: putting at least one compound selected from the group consisting of oxides and hydroxides in the lower layer part of a tube; putting a catalyst having the ability to oxidize sulfur dioxide with oxygen in the upper layer part of the tube; and bringing a sulfur trioxide-containing gas into contact with the selected compound in the lower part.例文帳に追加

管の下層部に酸化物及び水酸化物からなる群より選ばれる少なくとも１化合物を、その上層部に酸素で二酸化硫黄を酸化する能力を有する触媒を存在させ、三酸化硫黄を含む気体とを接触させ固体酸触媒を調製する。 - 特許庁

The ultrasonic array sensor 1 is provided with a base 10 in which the insulating layer 21 of an oxidized film is formed on an upper main surface 11a, and a plurality of recesses 12 each opening toward a lower main surface 11b and having an insulating layer 21 as the bottom are formed on the base 10.例文帳に追加

超音波アレイセンサ１は、上側の主面１１ａ上に酸化膜の絶縁層２１が形成されたベース部１０を備え、ベース部１０には下側の主面１１ｂに向かって開口するとともに絶縁層２１を底部とする複数の凹部１２が形成される。 - 特許庁

A magnetic head used for a magnetic recording medium includes a top write magnetic pole, which is used when information is recorded on the magnetic recording medium, and the solenoid coil structure, which has a lower coil layer placed below the top write magnetic pole and an upper coil layer placed above the top write magnetic pole.例文帳に追加

磁気記録媒体で使用する磁気ヘッドは、磁気記録媒体上に情報を記録する際に使用する頂部書込磁極と、頂部書込磁極の下方に配置された下部コイル層および頂部書込磁極の上方に配置された上部コイル層を有するソレノイドコイル構造とを含む。 - 特許庁

A rubber plate 10 formed by an inclined member in an upper part of the backing concrete layer 6 in a section where the expansible joint is provided to be substantially flush with a paved surface in such a way that a wear amount is sequentially reduced from a paved layer side to an expansible joint side in the mounting part of the expansible joint 1.例文帳に追加

伸縮継手１の取付け部において、伸縮継手の設置箇所の裏込めコンクリート層６の上部に傾斜材料により形成されたゴム板１０を舗装層側から伸縮継手側にかけて順次摩耗量が少なくなるようにして舗装面とほぼ面一に設置する。 - 特許庁

In the clay tile crosspiece 1 which is formed of the synthetic resin foam and has the skin layer 5 on an upper face 1e, a lower face 1f and both side faces 1a and 1b, a thick-walled part 12 is provided extending lengthwise at part of the skin layer 5 on at least either of the side faces 1a and 1b.例文帳に追加

合成樹脂発泡体から構成され、上面１ｅ、下面１ｆ、及び両側面１ａ，１ｂにスキン層５を有する瓦桟１において、少なくともいずれか一方の側面１ａ（１ｂ）におけるスキン層５の一部に長さ方向に延びる厚肉部１２を設けた瓦桟１。 - 特許庁