「upper- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(171ページ目) - Weblio英語例文検索

Since the surface of the metal layer 17 for bonding is also planarized and no gap is formed between the metal layer 17 for bonding and an upper part cap 30, water or sawdust is prevented from entering a sensor chip during dicing, thereby preventing decrease in the yield associated with dicing.例文帳に追加

したがって、接合用金属層１７の表面も平坦になり、接合用金属層１７と上部キャップ３０との間に隙間が形成されないから、ダイシング時にセンサチップ内部へ水や切削屑が侵入するのを防止することができ、ダイシングに伴う収率の低下が抑制される。 - 特許庁

Characteristics of a silicon on insulator (SOI) wafer 4 equipped with an insulating layer 6 sandwiched between a semiconductor upper layer 8 and a semiconductor substrate 10 are determined by moving a pair of spaced electric conductors 18, 20 into contact with a front surface of a wafer which is exposed at an opposite side of the substrate 10.例文帳に追加

半導体上層８と半導体基板１０との間に挟まれた絶縁層６を備えるシリコンオンインシュレータ（ＳＯＩ）ウエハ４の特性を、一対の離間した導電体１８，２０を移動して、基板１０と反対の側に露出したウエハの表面に接触させることで決定する。 - 特許庁

On an electronic component connection pad 3 exposed in an opening 4a of a solder-resistant resin layer 4, a solder bump 5 is made of solder plating, comprises a polished flat surface on its upper end, and is so provided as to fill the opening 4a and also to protrude from the solder-resistant resin layer 4.例文帳に追加

耐半田樹脂層４の開口部４ａ内に露出した電子部品接続パッド３上に、半田めっきから成り、その上端に研磨された平坦面を有する半田バンプ５を、開口部４ａ内を埋めるとともに耐半田樹脂層４から突出するようにして設けた。 - 特許庁

The nonvolatile memory element 10 is configured with an interlayer dielectric 11 with a contact hole 11a, a lower electrode 12 provided in the contact hole 11a, an adhesive layer 14 provided on the interlayer dielectric 11 in this order, the recording layer 15, and an upper electrode 16.例文帳に追加

不揮発性メモリ素子１０は、コンタクトホール１１ａを有する層間絶縁膜１１と、コンタクトホール１１ａ内に設けられた下部電極１２と、層間絶縁膜１１上にこの順に設けられた接着層１４、記録層１５及び上部電極１６とを備えて構成されている。 - 特許庁

This thin-film capacitor 10 is provided with a glass epoxy substrate 1 in which a through-hole 2 is formed, and a laminated structure like an array in which an infrared light reflecting layer 3 for reflecting infrared rays, a lower electrode 4, a dielectric layer 5, and an upper electrode 6 are formed successively on the glass epoxy substrate 1.例文帳に追加

本薄膜コンデンサ１０は、スルーホール２を貫通させたガラスエポキシ基板１と、ガラスエポキシ基板１上に、順次、形成された、赤外線を反射する赤外光反射層３と、下電極４と、誘電体層５と、上電極６との積層構造をアレイ状に備えている。 - 特許庁

Molecule or mycrocrystal, particulate (molecule or the like) of a piezoelectric material is oriented in an orientation area 14 of a piezoelectric material layer 11 so that a direction may be radially arranged where elasticity produced by application of voltage is large, and a pair of electrodes 12 and 13 are provided on upper and lower sides of the piezoelectric material layer 11.例文帳に追加

圧電体の分子又は微結晶又は微粒子（分子等）を、配向領域１４内において、電圧の印加により生じる伸縮の大きい方向が放射状に並ぶように配向させた圧電材料層１１の上下に、１対の電極１２及び１３を設ける。 - 特許庁

A VCSEL 100 is obtained by sequentially laminating semiconductor layers on a substrate 102 including an n-type lower DBR 106, an active layer region 108, a p-type upper DBR 112 constituting a resonator together with the lower DBR, and a p-type GaAs contact layer 114.例文帳に追加

ＶＣＳＥＬ１００は、基板１０２上に、ｎ型の下部ＤＢＲ１０６、活性層領域１０８、下部ＤＢＲとともに共振器を構成するｐ型の上部ＤＢＲ１１２、及びｐ型のＧａＡｓコンタクト層１１４を含む半導体層を順次積層する。 - 特許庁

The seismic response control frame for the high-rise or super-high-rise building has dampers 4 installed at a core peripheral part frame in a lower layer part where shearing deformation exceeds flexural deformation, and dampers 5 installed at an outer peripheral part frame in an upper layer part where flexural deformation exceeds shearing deformation.例文帳に追加

高層ないし超高層建物を対象とする制震架構であって、曲げ変形よりもせん断変形が卓越する下層部にはコア周部架構にダンパー４を設置し、せん断変形よりも曲げ変形が卓越する上層部には外周部架構にダンパー５を設置する。 - 特許庁

In this case, the source wiring 17S, the drain wiring 17D and a lower metal layer 11 extend from the side of each of the contact holes CH to cover a region not exceeding an end P3 of a width direction of the gate wiring 15 on the upper or lower part of the semiconductor layer 13 and the gate wiring 15.例文帳に追加

ここで、ソース配線１７Ｓ、ドレイン配線１７Ｄ、及び下部金属層１１は、各コンタクトホールＣＨの側から延びて、半導体層１３及びゲート配線１５の上方もしくは下方において、ゲート配線１５の幅方向の端Ｐ３を越えない領域を覆う。 - 特許庁

In the stacked image sensor capable of simultaneously obtaining the color image and the black-and-white image containing IR information, the color image and the black-and-white image are obtained at upper layer parts; and at lower layer parts, image sensitivity is improved through a stacked structure for obtaining the IR information.例文帳に追加

カラー映像と、ＩＲ情報を含む白黒映像とを同時に獲得することができる積層型イメージセンサーに関し、上層部では、カラー映像と白黒映像とを獲得し、下層部では、ＩＲ情報を獲得する積層型構造を通じてイメージの感度を向上させる。 - 特許庁

The thin film piezoelectric resonator includes: a piezoelectric resonance stack 12 having a piezoelectric layer 2 and an upper electrode 10 and a lower electrode 8 formed so as to be opposite to each other on both sides of the piezoelectric layer 2; a gap 4 formed under the piezoelectric resonance stack 12; and a substrate 6 supporting the piezoelectric resonance stack 12.例文帳に追加

圧電層２とそれを挟んで互いに対向するように形成された上部電極１０及び下部電極８とを有する圧電共振スタック１２と、その下に形成された空隙４と、圧電共振スタック１２を支持する基板６とを含んでなる薄膜圧電共振器。 - 特許庁

To provide a SMA (stone mastic asphalt) pavement body capable of securing a slip resistance value by suppressing a separation phenomenon in which an asphalt binder separates and assembles at a lower layer without cost increase and by preventing fine aggregates from decreasing at an upper layer section at the time of construction.例文帳に追加

施工時において、アスファルトバインダーが分離して下層に集まるという分離現象をコストの上昇を招くことなく抑制するとともに、上層部の細粒骨材の減少を防ぐことでスベリ抵抗値を確保することを可能にするＳＭＡ舗装体を提供する。 - 特許庁

Therefore, a distance between the conductors in a pattern of the lower-layer conductors 3' and in a pattern of the upper-layer conductors 55, which the separate conductor layers have, is larger, compared with that in the case when the conductors connected to the electrodes in a plurality are provided on the same plane.例文帳に追加

よって、上記複数の電極に接続された配線が同一面上に設置された場合と比べて、それぞれの配線レイヤーが有する下層配線３’のパターンにおける配線間の距離、及び、上層配線５５のパターンにおける配線間の距離が大きくなる。 - 特許庁

Since the floc particles hold air bubbles, the washing wastewater 1c entering a separation cylinder 10 from the outlet part 8b provided to the lower end of a mixing cylinder 8 is separated into an upper floc layer 9 and a lower cleaned water layer 22 by the buoyancy of the floc particles.例文帳に追加

これにより前記凝集体粒子は気泡を保持するので、その浮力によって前記混合筒８の下端の出口部８ｂから分離筒１０内に流出する洗濯排水１ｃは、上方の凝集体層９と下方の浄化水層２２とに分離される。 - 特許庁

A layer for ohmic contact layer formation composed of n-type amorphous silicon between a source electrode 17 and the drain electrode 18 is removed by performing just etching by dry etching, and the ohmic contact layers 15 and 16 are formed on both sides of the upper surface of the semiconductor thin film 14 for the device composed of true amorphous silicon.例文帳に追加

ソース電極１７とドレイン電極１８との間のｎ型アモルファスシリコンからなるオーミックコンタクト層形成用層をドライエッチングによりジャストエッチングして除去し、真性アモルファスシリコンからなるデバイス用半導体薄膜１４の上面の両側にオーミックコンタクト層１５、１６を形成する。 - 特許庁

In the manufacturing method of the ladle, the furnace 8 made of the pre-cast product is relatively inserted into the heat-insulating layer 7 at the inside of the vessel frame 6 from the upper opening part, and the heat-insulating layer 7 and the furnace 8 are stuck with adhesive so as to be separable.例文帳に追加

容器状の炉枠６の内側に有する断熱層７の中に、上面開口部からプレキャスト製品の溶湯収容炉８を相対的に挿入し、断熱層７と溶湯収容炉８を接着剤で分離可能に接着することを特徴とする取鍋の生産方法。 - 特許庁

The pattern of the lower wiring layer Ma of the monitor mark formation region and a pattern of wiring trenches TRb (or upper wiring layer Mb) include repetitive patterns, respectively, in a rectangular region R having a breadth of 3 μm-100 μm and extend in the same direction parallel with each other.例文帳に追加

モニター用マーク形成領域の下層配線層Ｍａのパターンと配線溝ＴＲｂ（または上層配線層Ｍｂ）のパターンとは３μｍ〜１００μｍ□の広さを有する矩形領域Ｒ内において、繰り返しパターンを有しており、かつ互いに同じ方向に平行に延びている。 - 特許庁

The shot magnification etc., of an exposure system 21 is corrected by measuring the superimposing accuracy between the lower-layer pattern and an upper-layer pattern in a chip area, by measuring the patterns by using an evaluation device 11 utilizing a substrate current signal induced when an electron beam is projected upon an overlay mark.例文帳に追加

重ね合わせマークに電子ビームを照射したときに誘起される基板電流信号を利用した評価装置１１を用いて、チップエリアの下層パターンと上層パターンを測定することで重ね合わせ精度を測定し、露光装置２１のショット倍率等を補正する。 - 特許庁

The p-side electrode 114 of a multiple structure formed on the surface of the second conductivity type semiconductor layer group on the side of an upper ridge 130 makes contact with the side surface of the ridge 130 and with the surface of the second conductivity type semiconductor layer group in the vicinity of the ridge 130.例文帳に追加

上記第２導電型の半導体層群の上側のリッジ部１３０側の表面に形成された多層構造のｐ側電極１１４が、リッジ部１３０の側面およびリッジ部１３０近傍の第２導電型の半導体層群の表面に接している。 - 特許庁

To provide an organic EL (electroluminescent) element restrained or reduced in driving voltage rise due to damage to an organic EL layer in forming an upper electrode by a high-energy film formation method, in an organic EL element including a buffer layer containing a phthalocyanine compound, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

フタロシアニン化合物を含有するバッファ層を含む有機ＥＬ素子において、高エネルギー成膜法による上部電極の形成の際の有機ＥＬ層へのダメージによる駆動電圧上昇を抑制または低減化した有機ＥＬ素子及びその製造を提供すること。 - 特許庁

Thereafter, on the surfaces of a metal support substrate 2, a base insulating layer 3 and the conductor pattern 4, a semiconductive layer 5 composed of an oxidized metal is formed by sputtering from the upper part in the thickness direction of the conductor pattern 4 so as to form a cut 10 at the side etching part 9.例文帳に追加

その後、金属支持基板２の表面、ベース絶縁層３の表面および導体パターン４の表面に、導体パターン４の厚み方向上方からのスパッタリングにより、酸化金属からなる半導電性層５を、サイドエッチング部分９に切り目１０が形成されるように、形成する。 - 特許庁

An oxygen barrier layer 108A connected to the upper end of the plug 107 is formed on the first protective insulation film 103, and the oxygen barrier layer 108A is composed of multiple nitride which is the mixture of a first conductive nitride and a second insulating nitride or an alloy.例文帳に追加

第１の保護絶縁膜１０３の上には、プラグ１０７の上端と接続する酸素バリア層１０８Ａが形成されており、該酸素バリア層１０８Ａは、導電性を有する第１の窒化物と、絶縁性を有する第２の窒化物との混合物又は合金である複合窒化物からなる。 - 特許庁

A CPP structure indicates "a structure comprising a columnar conductive part and insulator part surrounding its periphery" worked in a vertical direction to layers for passing a current from an upper layer to lower layer (or in the reverse direction), in a wiring circuit and an electronic element having a multilayer structure.例文帳に追加

ＣＰＰ構造は、多層構造を持つ電子素子、配線回路において、上層から下層（あるいはその反対方向）に電流を流すために、層に対して垂直な方向に加工された「柱状の導電性部分とその周辺を囲う絶縁体部分からなる構造」を指す。 - 特許庁

At least one of the lower clad layer 12 and upper clad layer 22 is made of a cured body of a photocuring resin composition containing (A) urethane (meth)acrylate oligomer, (B) a reactive diluted monomer, (C) elastomer particles of 1 to 100 nm in number average particle size, and (D) a photoinitiator.例文帳に追加

下部クラッド層１２及び上部クラッド層２２のうち少なくとも１つは、（Ａ）ウレタン（メタ）アクリレートオリゴマー、（Ｂ）反応性希釈モノマー、（Ｃ）数平均粒径が１〜１００ｎｍであるエラストマー粒子、及び（Ｄ）光重合開始剤を含む光硬化性樹脂組成物の硬化物からなる。 - 特許庁

To suppress occurrence of side etching of a film containing silicon when a recess is formed in a silicon layer by performing plasma etching of a substrate, on which a resist mask, a film containing silicon and a silicon layer are laminated in this order from the upper side, through a pattern of the resist mask.例文帳に追加

レジストマスク、シリコンを含む膜及びシリコン層が上方側からこの順番で積層された基板に対して、レジストマスクのパターンを介してプラズマエッチング処理を行ってシリコン層に凹部を形成するにあたり、前記シリコンを含む膜のサイドエッチングの発生を抑えること。 - 特許庁

Even when a leakage path is generated in the layer 14a of the larger Pb composition amount by a lead dioxide generated by electrochemical reaction under the highly humid environment, since the leakage path is not generated in the layer 14b of the smaller Pb composition amount, the decline is prevented in the insulation between upper and lower electrodes.例文帳に追加

Ｐｂ組成量の多い層１４ａに高湿度環境下で電気化学的な反応によって発生する二酸化鉛によるリークパスが発生したとしても、Ｐｂ組成量の少ない層１４ｂではリークパスが発生しないので、上下電極間での絶縁性の低下を防ぐことができる。 - 特許庁

More specifically, the method for forming the semiconductor device, containing a stack consisting of a dielectric layer and a conductive material on the surface being an upper section or an internal section of a germanium contained material in which a non-oxygen chalcogen is rich (layer or wafer) or both of them is provided.例文帳に追加

具体的には、本発明は、その表面が非酸素カルコゲンに富んだＧｅ含有材料（層またはウェーハ）の上部またはその内部あるいはその両方に誘電体層と導電材料を含むスタックを含む半導体デバイスを形成する方法を提供する。 - 特許庁

To form a polishing stopper film with a low dielectric constant on an organic interlayer insulating film of a semiconductor device having a multi-layered wiring structure with the organic interlayer insulating film and to form a wiring pattern of an upper layer stably in a favorable yield even if a lower-layer wire is dished.例文帳に追加

有機層間絶縁膜を有する多層配線構造を備えた半導体装置において、前記有機層間絶縁膜上に、低誘電率の研磨ストッパ膜を形成し、さらに下層配線パターンにディッシングが生じた場合にも上層の配線パターンを歩留まり良く、安定して形成する。 - 特許庁

The display device has a lower capacity electrode 24a provided to the TFT array substrate 100, a first inter-layer insulating film 25 formed on the lower capacity electrode 24a, and an upper capacity electrode 26a formed on the lower-capacity electrode 24a with the first inter-layer insulating film 25 interposed.例文帳に追加

これは、ＴＦＴアレイ基板１００に設けられた下部容量電極２４ａと、下部容量電極２４ａ上に形成された第１層間絶縁膜２５と、第１層間絶縁膜２５を介して、下部容量電極２４ａ上に形成された上部容量電極２６ａとを有する。 - 特許庁

The imaging device 10 furthermore comprises a lower transparent electrode film 50 provided over the photodetective sensor 12, a refractive index variable material layer 52 having an electro-optical effect provided on the lower transparent electrode film 50, and an upper transparent electrode film 54 provided on the refractive index variable material layer 52.例文帳に追加

撮像素子10はさらに、受光センサ部12の上方に設けられた下部透明電極膜50と、下部透明電極膜50上に設けられた電気光学効果を有する屈折率可変材料層52と、屈折率可変材料層52上に設けられた上部透明電極膜54とを含む。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which the adhesiveness of a bonding pad and a second wiring layer to an insulating film is improved, and even when any stress is applied from the upper part to the bonding pad, the insulating film between the bonding pad and the second wiring layer can be prevented from being cracked.例文帳に追加

ボンディングパッドと第２配線層および絶縁膜との密着性が良好であり、かつ、ボンディングパッドに上方からストレスが加わっても、ボンディングパッドと第２配線層との間の絶縁膜に亀裂が入ることを回避することのできる半導体装置を提供する。 - 特許庁

In the semiconductor laser device where the semiconductor lasers having a couple of wavelengths are formed on one substrate, the layers above a clad layer of a second conductivity type at the upper part of an active layer of each semiconductor laser are simultaneously crystal-grown to conduct in common the step of forming the current pinching part.例文帳に追加

２つの波長の半導体レーザを１つの基板上に作成する半導体レーザ素子において、各半導体レーザの活性層上部の第２導電型のクラッド層より上の層を同時に結晶成長させ、電流狭窄部の形成工程を共通化する。 - 特許庁

Similarly, after a second side wall metal 8 is provided on the side wall within a trench 7 of a second interlayer dielectric 6 including a porous second low dielectric constant film 6b, a second etching stopper layer 6a is etched and an upper layer 9 is formed that connects to the via plug 5.例文帳に追加

同様に、多孔質の第２低誘電率膜６ｂを含む第２層間絶縁膜６のトレンチ７内の側壁に第２サイドウォールメタル８設けられた後に第２エッチングストッパー層６ａがエッチングされ上記ビアプラグ５に接続する上層配線９が形成される。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting element which emits low-coherence light having a center wavelength band of 0.90 to 1.15 μm, formation of a wide-band quantum well layer and formation of an upper clad layer of high crystal quality being compatibly achieved without removing a mask for selective growth.例文帳に追加

０．９０μm以上かつ１．１５μm以下の中心波長帯の低コヒーレンス光を射出する半導体発光素子において、選択成長用マスクを除去せずに、広帯域な量子井戸層の形成と結晶品質の高い上部クラッド層の形成とを両立する。 - 特許庁

The surface friction coefficient of the cellular plastic blocks 1b used for at least one layer including a lowermost part is larger than that of the cellular plastic blocks 1a used for the upper part, and no binding metal fitting is used for the mutual connection of the blocks in the layer of the cellular plastic blocks 1b.例文帳に追加

最低部を含む少なくとも一層に用いる発泡プラスチックブロック１ｂの表面摩擦係数が、その上方部に用いる発泡プラスチックブロック１ａの表面摩擦係数よりも大きく、上記発泡プラスチックブロック１ｂの層においては、ブロック同士の連結に緊結金具を用いない。 - 特許庁

A 1.7-3.0 μm thick silicon oxide film layer 2 is formed on the single crystal silicon substrate 1, and on the silicon oxide film layer 2 on the front surface side of the silicon substrate 1, a Pt lower electrode 3, a piezoelectric thick film 4 of barium titanate zirconate, and an Au upper electrode 5 are sequentially laminated.例文帳に追加

単結晶のシリコン基板１に、厚み１．７〜３．０μｍの酸化シリコン膜層２が形成され、シリコン基板１の表面側の酸化シリコン膜層２に、Ｐｔ下部電極３、チタン酸ジルコン酸バリウム系圧電体厚膜４、およびＡｕ上部電極５が順次積層されている。 - 特許庁

Also, the lower layer coil performs a part as the etching stopper since it has a selection ratio to the RIE of alumina or an inorganic compound containing alumina, therefore, the upper layer coil groove is stably formed, resultantly the coil film thickness can be stably formed, and the shortening of the magnetic path length is attained.例文帳に追加

また、下層コイルは、アルミナ、アルミナを含む無機化合物のＲＩＥに対し選択比があるのでエッチングストッパーとしての役割を果たすため上層コイル溝を安定に形成することができ結果的にコイル膜厚を安定に形成することができ、短磁路長化が可能となる。 - 特許庁

This reference electrode 10 is equipped with a porous film 16 arranged on the bottom part of the aperture provided in the substrate, an internal electrolyte solution including hydrophilic polymer layer 12 laminated on the porous film, and a conductor electrode 20 connected to a hydrophilic polymer upper layer.例文帳に追加

参照電極１０は、基板内に設けられた透孔内の底部に配置された多孔膜１６と、該多孔膜上に積層された内部電解質溶液含有親水性高分子層１２と、該親水性高分子上層に接続された導体電極２０とを具備する。 - 特許庁

The optical recording medium 21 has an upper side substrate 5, a lower side substrate 1, a recording layer 4 recorded with information by utilizing photography on the lower side substrate, in which the filter layer is a laminated body obtained by laminating the two or more cholesteric liquid crystal layers.例文帳に追加

上側基板５と、下側基板１と、該下側基板上にホログラフィを利用して情報が記録される記録層４と、前記下側基板と該記録層との間にフィルタ層とを有してなり、前記フィルタ層が、コレステリック液晶層を２層以上積層した積層体である光記録媒体２１である。 - 特許庁

Two layered resist layers consisting of a lower resist layer 2 which is relatively higher in an etching rate with respect to a developer and an upper resist layer 3 which is relatively smaller in an etching rate are exposed to form the resist patterns 1 of an undercut shape and thereafter the resist patterns 1 are subjected to slimming of their widths.例文帳に追加

現像液に対してエッチング速度が相対的に大きな下層レジスト層２と、エッチング速度が相対的に小さな上層レジスト層３からなる２層レジスト層を露光し、アンダーカット形状のレジストパターン１を形成したのち、レジストパターン１の幅のスリミングを行う。 - 特許庁

The elctromigration evaluation device is structured, such that a plurality of patterns, in which a lower layer wiring 3 and a via 2, and an upper layer wiring 1 and the via 2 are electrically connected in series, and they are provided with turnips and arranged in plurality of rows.例文帳に追加

この発明にかかるエレクトロマイグレーション評価装置は、下層配線３とビア２と上層配線１とビア２を電気的に直列に接続したパターンを複数個電気的に直列に接続し、これを、折り返し部分１０を設けて複数列に並ぶように構成してなる。 - 特許庁

Each of the particles 40 has a metallic magnetic particle 10 containing iron, a lower layer coat 20 surrounding the surface of the particle 10 and containing non-ferrous metal, and an insulating upper layer coat 30 surrounding the surface of the coat 20 and containing an inorganic compound.例文帳に追加

複数の複合磁性粒子４０の各々は、鉄を含む金属磁性粒子１０と、金属磁性粒子１０の表面を取り囲み、非鉄金属を含む下層被膜２０と、下層被膜２０の表面を取り囲み、無機化合物を含む絶縁性の上層被膜３０とを有する。 - 特許庁

The hot water 2 can be extracted from the intermediate layer of the hot water storing tank 3 or the upper layer of the hot water storing tank by a three-way valve 5 provided in the midway of the intermediate intake pipe 8c, the three-way valve 15 and pumps 12 and 13.例文帳に追加

給水分配管８ａと給湯管１４との接続部には三方弁１５が設けられており、中間取水管８ｃの途中に設けられた三方弁５、及び三方弁１５、ポンプ１２、１３によって、湯２を、貯湯槽３の中間層から、または貯湯槽の上層から抜き出すことができる。 - 特許庁

By a method of manufacturing transistor elements, the source electrode 120 and the drain electrode 130 made of metal are formed on a transparent glass substrate 110, a transparent semiconductor oxide channel layer 140 made of InGaZnO_4 is formed on the source and drain electrodes, and a transparent insulating layer 150 is formed on the upper surface (Fig. 8(a)).例文帳に追加

透明ガラス基板１１０上に金属からなるソース電極１２０，ドレイン電極１３０を形成し、その上に、ＩｎＧａＺｎＯ_４からなる透明な酸化物半導体チャネル層１４０を形成し、その上面に透明な絶縁層１５０を形成する（図８(a) ）。 - 特許庁

The wiring grooves for forming the upper-layer wiring are formed only in the wafer central part, while, in the wafer peripheral part, the insulating film for forming the wiring grooves is left without forming the wiring grooves, and in the wafer outer peripheral edge part, the metal layer deposited for forming the wiring is removed by wet etching.例文帳に追加

そして、ウエハ中央部にのみ上層配線形成用の配線溝を形成し、ウエハ周辺部では配線溝を形成することなく、配線溝形成用の絶縁膜を残留させ、ウエハ外周縁部では、配線形成時に堆積した金属層をウエットエッチング法により除去する。 - 特許庁