「upper- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(175ページ目) - Weblio英語例文検索

A first oil 11 of a low viscosity functioning as an operating fluid and a second oil 12 of a low volatility are filled in a bearing space between a sleeve 3 fixed with a stator coil 8 and a rotating shaft 4 having shallow grooves 4a, 4b for a dynamic pressure generation in a state of separating an upper layer and a lower layer.例文帳に追加

ステータコイル８を固定したスリーブ３と、動圧発生用の浅溝４ａ，４ｂを有する回転軸４の間の軸受間隙に、動作流体として作用する低粘度の第１のオイル１１と、揮発性の低い第２のオイル１２を上層、下層に分離した状態で充填する。 - 特許庁

The oil separating mechanism comprises a head part 15 having a compression air passage formed therein, a cover member 4A mounted on the upper part of the head part, a filter 11 and coagulation layer 17 contained in the cover member, and a lower end plate 13 for holding the filter and coagulation layer.例文帳に追加

油分離機構は圧縮空気の流路が形成されたヘッド部１５と、このヘッド部の上部に取付けられるカバー部材４Ａと、カバー部材に内蔵される濾材１１と凝集層１７と、これら濾材と凝集層とを保持する下部端板１３とを有している。 - 特許庁

To provide a magneto-resistance effect type head in which noise is reduced and which has an excellent high frequency characteristic with high yield by suppressing noise resulting from a level difference of an upper shield layer or a lower shield layer and by reducing a capacitance in the magneto-resistance effect type head of a CPP structure.例文帳に追加

ＣＰＰ構造の磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、上部シールド層あるいは下部シールド層の段差に起因するノイズを抑制し、かつ静電容量Ｃを低減し、ノイズが少なく、高周波特性に優れた磁気抵抗効果型ヘッドを高い歩留まりで提供する。 - 特許庁

In the case of so-called back washing, since a filtration layer 29 is made from silica of a specific gravity lighter than that of ceramics particles, silica in the filtration layer 29 easily laminarly separates by the back washing treatment to stir and float the objects to be filtered, and discharge from a water supply and drainage port 22 on the upper part.例文帳に追加

いわゆる逆洗する際には、濾過層２９がセラミックス粒子よりも軽い比重のシリカで形成されているから、この逆洗処理により該濾過層２９のシリカが容易に層状分離して被濾過物を攪拌浮遊させ、上部の給排水口２２から流出させることができる。 - 特許庁

The upper layer is a layer which has conductive performance and in which, a conductive part and a non-conductive part exist, a ratio of the conductive part is from 8 to 45%, the conductive part is continuous without being interrupted perfectly, and an electro-resistance value of the conductive part is 5 Ω or less per 1 m^2.例文帳に追加

上層：導電性能を有する層であり、該層には導電部と非導電部が存在し、該導電部の割合が８％から４５％であり、導電部が完全に途切れることなく連続し、導電部の電気抵抗値が１ｍ^２あたり５Ω以下である層。 - 特許庁

A light shielding film which is thinner than the light shielding agent dispersed layer is provided at a position remote from the position facing the light shielding agent dispersed layer on an upper surface of a transparent plate and the light shielding film is used as an object for adjusting the focus in an observation optical system for positioning and a projection optical system for reducing projection.例文帳に追加

透明板の上面の遮光剤分散層に対向する部位から外れた部位に、遮光剤分散層よりも薄い遮光膜を備えて、遮光膜を位置合わせのための観察光学系や縮小投影のための投影光学系のピント合わせの対象とする。 - 特許庁

The float bath has a bottom unit for holding a molten tin and a roof unit for covering the bottom unit, wherein the space inside the roof unit is divided by a roof brick layer 16 into an upper space 20 and a lower space 21, and a heater 18 is so arranged as to pass through a through-hole 17 which is provided in the roof brick layer 16.例文帳に追加

フロートバスは、溶融スズがたたえられているボトムと当該ボトムを覆うルーフとを有し、ルーフ内の空間がルーフレンガ層１６によって上方空間２０と下方空間２１とに二分され、ルーフレンガ層１６に設けられた貫通孔１７を貫通してヒータ１８が設置されている。 - 特許庁

Further, the small-area dummy pattern of a lower layer and the small area dummy pattern Ds2 of an upper layer are arranged to a region with a wide inter-pattern space in patterns (active regions L1, L2, L3, and a gate electrode 17 or the like) that act as elements in a product region PR and the scribe region SR.例文帳に追加

また、製品領域ＰＲおよびスクライブ領域ＳＲの素子として機能するパターン（活性領域Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３、ゲート電極１７等）のパターン間スペースが広い領域に下層の小面積ダミーパターンと上層の小面積ダミーパターンＤｓ２を配置する。 - 特許庁

Each upper end of a capacitive element is positioned as high as the surface of the metallic wiring layer 22, each lower end thereof is positioned as high as the surface of a metallic wiring layer 12, and the element comprises a pair of metallic electrode 40, 41 which extend vertically to the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

容量素子はそれぞれの上端が金属配線層２２の表面と同じ高さに位置し、そのそれぞれの下端が金属配線層１２の表面と同じ高さに位置し、半導体基板１に対して垂直方向に延びる１対の金属電極４０，４１を含む。 - 特許庁

An improvement body 7 reaching a gravel layer 21 is provided in both lateral directions of a designed tunnel position 3 so as to be taken as an impervious wall against spring water from the natural ground, an upper part of prelining 11 is provided with a drainage tube 17, and the spring water from the gravel layer 21 is collected for drainage in order to lower the groundwater level.例文帳に追加

計画トンネル位置３の両側方に、れき層２１に到達する改良体７を設け、地山からの湧水に対する遮水壁とし、先受け工１１の上部に水抜きチューブ１７を設け、れき層２１からの湧水を集水して排水し、地下水位を低下させる。 - 特許庁

In a process for forming a semiconductor thin film 13 having the same element as a burial substrate 11 at the upper portion of a porous layer 12 after forming the porous layer 12 on the substrate 11, the semiconductor thin film 13 is formed in a chemically active hydrogen atmosphere.例文帳に追加

基板１１に多孔質層１２を形成後、多孔質層１２の上部を埋め基板１１と同じ元素を有する半導体薄膜１３を形成する工程において、半導体薄膜１３の形成が化学的に活性な水素雰囲気中で行われることを特徴とする。 - 特許庁

Second layer gate oxide films 17 of silicon oxide, control gate electrodes 18 formed of n-type polysilicon and upper protective insulating films 19 are formed in sequence respectively on the floating gate electrodes 16 and above the first layer gate oxide films 15.例文帳に追加

フローティングゲート電極１６の上における第１層ゲート酸化膜１５の上方の領域には、酸化シリコンからなる第２層ゲート酸化膜１７、ｎ型ポリシリコンからなるコントロールゲート電極１８及び酸化シリコンからなる上部保護絶縁膜１９が順次形成されている。 - 特許庁

Leak water S consisting of waste leachate or groundwater which has entered the double floor 10 by the breakage of the lower layer or upper layer sheet is caused to flow along the drain gradient to a discharge port 26 through spaces 45 marked off by the intermediate floor blocks 40 and a main route 20.例文帳に追加

下層あるいは上層シートの破損により２重床内に浸入した廃棄物浸出水または地下水からなる漏出水Ｓが排水勾配に沿って中間床ブロック４０により画成された空間４５内及び幹路２０を経て排出口２６まで流下するようにした。 - 特許庁

An insulating layer 31 made of epoxy resin etc., is formed on the top surface of the lower insulating film 1 at a periphery of the semiconductor construct 2, and an upper insulating film 32 made of epoxy resin etc., is formed on top surfaces of the semiconductor construct 2 and insulating layer 31.例文帳に追加

次に、半導体構成体２の周囲における下層絶縁膜１の上面にエポキシ系樹脂等からなる絶縁層３１を形成し、且つ、半導体構成体２および絶縁層３１の上面にエポキシ系樹脂等からなる上層絶縁膜３２を形成する。 - 特許庁

The rigid pillars 4, 4 are connected to a base isolation interval guide housing 15 placed between the upper layer 3 and the lower layer 2 to synchronize rocking of the guide rails 5, 5, and the base isolation interval guide housing 15 is formed with a surrounding part 16 of a balance weight 14 to avoid an interference with an elevator car 19.例文帳に追加

剛性柱体４，４は上層３と下層２の中間に配置される免震間案内筺１５に連結してガイドレール５，５の揺動の同期を取り、また、免震間案内筺１５につり合いおもり１４の囲繞部１６を形成してエレベータかご１９との干渉を回避する。 - 特許庁

An MEA 15 is housed in the inside of framework-like frames 13, 14, and first and second gas passage forming members 21, 22 are interposed between an anode layer 17 and a cathode layer 18 of the MEA 15 and first and second separators 23, 24 joined to the upper and lower surfaces of the frames 13, 14.例文帳に追加

枠状のフレーム１３，１４の内部にＭＥＡ１５を収容し、該ＭＥＡ１５のアノード電極層１７及びカソード電極層１８と、フレーム１３，１４の上下両面に接合固定された第１，第２セパレータ２３，２４との間に第１，第２ガス流路形成部材２１，２２を介在する。 - 特許庁

The substrate 110 has a first surface 110a, a second surface 110b, a first patterned metal layer 112 on the first surface and a second patterned metal layer 114 on the second surface, and is sandwiched between an upper mold chase 210 and a lower mold chase 220 of a package mold 200.例文帳に追加

基板１１０は、第１表面１１０ａ、第２表面１１０ｂ、第１表面上の第１のパターン化金属層１１２、及び第２表面上の第２のパターン化金属層１１４を有し、パッケージモールド２００の上側モールドチェイス２１０と下側モールドチェイス２２０の間に挟まれている。 - 特許庁

In this method of manufacturing a printed wiring board, closely mounting on the mother board is enabled after electronic components are mounted on a surface outer layer circuit conductor of an upper substrate of the printed wiring board, and on an exposed inner layer circuit conductor on the bottom of an aperture hole of a reverse recessed part on the back of a lower substrate.例文帳に追加

プリント配線板の上部基板の表面外層回路導体と、下部基板の裏面の逆凹部の開口穴の底部の露出している内層回路導体に電子部品を実装してからマザーボードに密着実装することのできるプリント配線板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The rubber piece for shoes is composed of an upper layer and a lower layer, the former comprises a bright colored rubber composition and the latter comprises 0.1 to 100 pts.wt. of activated carbon or 10 to 100 pts.wt. of carbon black to 100 pts.wt. of the rubber component.例文帳に追加

また、靴用ゴム部品に、下層と上層よりなり、ゴム成分１００重量部に対し活性炭を０．１〜１００重量部又はカーボンブラックを１０〜１００重量部配合したゴム組成物を下層とし、明色ゴム組成物を上層とした靴用ゴム部品を使用する。 - 特許庁

Lower side conductive layers M1 and M2 in the area on the lower side of a passivation opening 314 (the place where a probe chip and a bond wire are arranged) as well as an upper part conductive layer M3 are formed of homogeneous material with no via, to decrease stress concentration points in an internal layer dielectric body 302.例文帳に追加

パッシベーション開口３１４の下側の区域（プローブチップ及びボンドワイヤが配置される場所）における下側導電層Ｍ１、Ｍ２、及び上部導電層Ｍ３をビアなしの均質な物質とし、それにより内部層誘電体３０２における応力集中点を減少させる。 - 特許庁

The thin-film inductor 10 has a structure wherein an interlayer insulation film 16, a lower magnetic thin film 19, an interlayer insulation film 20, a first layer conductor pattern 22, an interlayer insulation film 26, a second layer conductor pattern 28, an interlayer insulation film 32 and an upper magnetic thin film 34 are stuck in sequence on a substrate 12.例文帳に追加

薄膜インダクタ１０は、基板１２上に、層間絶縁膜１６，下部磁性薄膜１８，層間絶縁膜２０，第１層導体パターン２２，層間絶縁膜２６，第２層導体パターン２８，層間絶縁膜３２，上部磁性薄膜３４が積層された構造となっている。 - 特許庁

A part between a thrust plate 2 of the sleeve closing member and the sleeve 1 is so structured as to be sealed by a two-layer adhesive wherein an anaerobic adhesive such as an ultraviolet-curing anaerobic adhesive 7 is disposed in its deep part and a thermosetting adhesive 8 or the like in its upper layer.例文帳に追加

スリーブ閉塞部材であるスラストプレート２とスリーブ１との間が、紫外線硬化型嫌気性接着剤７などの嫌気性接着剤を奥部に配し、その上層に熱硬化型接着剤８などを配した、２層の接着剤によってシールされた構造とする。 - 特許庁

When the external wiring voltage exceeds the upper limit voltage, regenerative power is absorbed by the electric double layer capacitor, while simultaneously, the electric vehicle takes regenerative current restricting action to prevent the terminal voltage of the electric double layer capacitor from exceeding the maximum voltage (prevention of loss of effect of regeneration).例文帳に追加

外線電圧が定格電圧範囲の上限電圧を越えたときには、回生電力を電気二重層キャパシタで吸収し、これに並行して、電気車が回生電流絞り動作によって、電気二重層キャパシタの端子電圧がその最大電圧を超えないようにする（回生失効防止）。 - 特許庁

When one MD yarn in the upper yarn layer or the lower yarn layer forming the loop comes into touch with the CMD yarn forming the ground cloth only at one side, the DM yarn comes into contact with the loop-fixing CMD yarn on the side opposing to the one side contacting with the CMD yarn forming the ground cloth.例文帳に追加

そして、ループを形成する上糸層又は下糸層の１つのＭＤ糸が、基布を作るＣＭＤ糸に片脇でのみ接しているとき、該ＭＤ糸が前記基布を作るＣＭＤ糸と接する片脇の反対側にループ固定ＣＭＤ糸が接するように配した。 - 特許庁

A transparent second relay layer 400 is electrically connected to an upper capacitance electrode 300 via a contact hole 85 and a transparent pixel electrode 9aa is electrically connected to the second relay layer 400 via a contact hole 86 penetrating a fourth interlayer insulating film 44.例文帳に追加

透明な第２中継層４００は、コンタクトホール８５を介して上部容量電極３００に電気的に、透明な画素電極９ａａは、第４層間絶縁膜４４を貫通するコンタクトホール８６を介して第２中継層４００に電気的に接続されている。 - 特許庁

At least, regarding either the upper magnetic pole layer 10b or the lower magnetic pole layer 8b, a cross section in a field parallel with a medium facing surface ABS once contracts toward the medium facing surface ABS, and the cross section is expanded at a tip part 80 contacting the medium facing surface ABS.例文帳に追加

上部磁極層１０ｂと下部磁極層８ｂの少なくともいずれかは、媒体対向面ＡＢＳに向かって、媒体対向面ＡＢＳと平行な面における断面積がいったん縮小し、かつ、媒体対向面ＡＢＳと接する先端部８０で断面積が拡大されている。 - 特許庁

To provide a mask blank for use in manufacturing of an FPD device, which is capable of suppressing the damage to a tantalum light-semitransmissive film of a lower layer as much as possible when wet-etching a light-shielding film (upper layer) made of chromium by a chromium etching solution and doesn't need an etching stopper and has a simple film configuration.例文帳に追加

クロムからなる遮光性膜（上層）をクロムのエッチング液でウエットエッチングする際に、下層のタンタル系半透光性膜へのダメージを極力抑えることができ、しかもエッチングストッパも不要で膜構成が単純であるＦＰＤデバイスを製造するためのマスクブランクを提供する。 - 特許庁

Metallic interconnections are formed contiguously to the exposed part of the conduction structure in the trenches and nonadhesive properties of the nonadhesive material layer prevent the metal provided with the metallic interconnections from being accumulated on the upper surface of the nonadhesive material layer.例文帳に追加

金属製相互接続部は、前記トレンチ内の前記伝導構造の前記露出した部分に接して形成され、前記非粘着材料層の非粘着性は、前記金属製相互接続部を備える金属が、前記非粘着材料層の前記上部表面の上に蓄積することを防止する。 - 特許庁

A memory array layer used for 3D RRAM is formed with peripheral circuit on a silicon substrate, and formed by depositing: silicon oxide layer; lower electrode material; silicon oxide; resistor material; silicon oxide; silicon nitride; silicon oxide; upper electrode material; and covering oxide.例文帳に追加

３Ｄ ＲＲＡＭで用いられるメモリアレイ層は、シリコン基板上の周辺回路で形成され、シリコン酸化物層、下部電極材料、シリコン酸化物、抵抗器材料、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸化物、上部電極およびカバーリング酸化物が堆積されて、形成される。 - 特許庁

To provide an organic electroluminescent element that can form an anode having high transmissivity and conductivity without damaging an organic layer including an organic light-emitting layer when forming the anode, for a reversed lamination type organic electroluminescent element having an upper electrode as an anode.例文帳に追加

上部電極を陽極とする逆積層型の有機エレクトロルミネッセンス素子において、陽極を形成する際に有機発光層を含む有機層にダメージを与えることなく、高い透過率と導電性とを有する陽極を形成することができる有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。 - 特許庁

In the first coating station ST1, the protective layer-forming material is mainly supplied to the whole upper surface of the vehicle 14 to apply rough coating thereto and, in the second coating station ST2, the roughly applied protective layer-forming material is further spread and a finish coating is applied.例文帳に追加

第１塗布ステーションＳＴ１では、車両１４の、主に上面の全体にわたって保護層形成材を供給するとともに粗塗りを行い、第２塗布ステーションＳＴ２では、粗塗りされた前記保護層形成材を、さらに塗り延ばすとともに仕上げ塗りを行う。 - 特許庁

The upper-layer conductive layer 32 is connected to the connecting pad 6 for the other capacitor on the semiconductor substrate 4 via the third connecting wiring 28, a columnar electrode 21 formed on the top face of the connecting pad section of the second connecting wiring 16 and the second connecting wiring 16.例文帳に追加

そして、上層導電層３２は、第３の接続配線２８、第２の接続配線１６の接続パッド部上面に設けられた柱状電極２１および第２の接続配線１６を介して、半導体基板４上の他方のコンデンサ用接続パッド６に接続されている。 - 特許庁

A protection metal layer 47 which is more hardly etched than adhesion layers 20, 31 is formed on portions corresponding to sidewalls of wirings 22, 23 formed on the upper surface 18A of the insulating layer 18, and thereafter, unnecessary portions of the adhesion layers 20, 31 are removed by etching to form the wirings 22, 23.例文帳に追加

絶縁層１８の上面１８Ａに形成される配線２２，２３の側壁に対応する部分に、密着層２０，３１よりもエッチングされにくい保護金属層４７を形成した後に、エッチングにより不要な部分の密着層２０，３１の除去を行って、配線２２，２３を形成する。 - 特許庁

Then, a second Zr oxide film 33, which is an intermediate layer part or upper layer part of the gate insulating film, is formed on the first Zr oxide film 32 through reactive-sputtering, using the Zr target 20 in an atmosphere of the mixture gas comprising the Ar gas and O2 gas within the chamber.例文帳に追加

次に、チャンバー内をＡｒガスとＯ_2 ガスとの混合ガスの雰囲気にしながら、Ｚｒターゲット１０を用いて反応性スパッタリングを行なうことにより、第１のＺｒ酸化物膜３２上にゲート絶縁膜の中層部又は上層部となる第２のＺｒ酸化物膜３３を形成する。 - 特許庁

In this transflective liquid crystal display device 10, a liquid crystal layer 16 is held between an upper substrate 14 and a lower substrate 13, a transflective layer 18 is provided on the lower substrate 13 and a back light 12 is provided on the outer part of the lower substrate 13.例文帳に追加

本発明の液晶表示装置１０は、上基板１４と下基板１３との間に液晶層１６が挟持され、下基板１３上に半透過反射層１８が設けられるとともに下基板１３の外方にバックライト１２が設けられた半透過反射型の液晶表示装置である。 - 特許庁

Since an upper layer of the sintered ore manufacturing equipment can be sufficiently heated by spreading the coal on the surface of the raw material filling layer and feeding a heat source, the product yield of the sintered core can be improved without causing the lowering or the like of the rigidity of the sintered ore caused by the insufficiency of heat.例文帳に追加

原料充填層の表面に石炭を散布し、熱源を供給することにより、焼結鉱製造設備の上層部を十分に加熱できるので、熱不足による焼結鉱の強度等の低下を招くことなく焼結鉱の製品歩留まりを向上させることができる。 - 特許庁

The upper face of the concrete layer 14 in the sealing mat foundation 12 is covered with a heat insulating material 18, and the heat insulating material 18 is arranged projecting in an outer peripheral direction in the ground around the outer periphery of the sealing mat foundation 12 to prevent the temperature change of the concrete layer 14 due to an outside air temperature.例文帳に追加

密封べた基礎１２におけるコンクリート層１４の上面を断熱材１８で被覆し，また密封べた基礎１２の外周の地中に外周方向に向けて断熱材１８を張出し配置することによって，コンクリート層１４が外気温によって温度変化するのを防止する。 - 特許庁

Between at least one of face plates of the floor plate holding a honeycomb structure 4 between an upper face plate 2 and a lower face plate 3 and the honeycomb structure 4, a vibration shut-down layer 5 comprising rubber-state elastic bodies 7a and 7b with a rubber-state elastic body or fiber layer 6 interposed between them is interposed.例文帳に追加

上面板２と下面板３の間にハニカム構造体４を挟みこんだ床板１の少なくとも一方の面板とハニカム構造体４の間にゴム状弾性体又は繊維層６を介在させたゴム状弾性体７ａ，７ｂからなる振動遮断層５を介在させる。 - 特許庁

The method of forming the asymmetrical memory cell includes a step of forming a lower electrode having a first area, a step of forming an electric pulse various-resisting (EPVR) layer placed on the lower electrode, and a step of forming an upper electrode placed on the EPVR layer and having a second area smaller than the first area.例文帳に追加

この方法は、第１の面積を有する下部電極を形成するステップと、下部電極上に載る電気パルス変動抵抗（ＥＰＶＲ）材料を形成するステップと、ＥＰＶＲ層上に載る、第１の面積よりも狭い第２の面積を有する上部電極を形成するステップとを含む。 - 特許庁

A source side selection transistor includes a source side post-like semiconductor layer 44a extending upward from the upper surface of the post like part, and a source side conductive layer 41a which is formed so as to enclose the side surface through an gap Ag2 and functions as a control electrode of the source side selection transistor.例文帳に追加

ソース側選択トランジスタは、柱状部の上面から上方に延びるソース側柱状半導体層４４ａと、その側面を取り囲むように空隙Ａｇ２を介して形成され、ソース側選択トランジスタの制御電極として機能すソース側導電層４１ａとを備える。 - 特許庁

The capacitor (94) in a semiconductor device (20) has a lower copper plate (30) in a damascene/trench (22), barrier layers (56, 180a) disposed above the lower plate, a dielectric layer (60) disposed above the barrier layers and an upper plate (96) above the dielectric layer.例文帳に追加

本発明の一態様は、ダマシン・トレンチ（２２）中の下位銅プレート（３０）、前記下位プレートの上方のバリア層（５６、１８０ａ）、前記バリア層の上方の誘電層（６０）、および前記誘電層の上方の上位プレート（９６）を有する、半導体装置（２０）中のキャパシタ（９４）である。 - 特許庁

Since a flattened layer is not interposed between the immersed micro-convex lend 134 and the color filter 4, and the color filter 4 can be made thin without containing photosensitive agent and setting agent; a height H of an upper layer can be restrained and oblique incident light can be surely collected on the photosensor 104.例文帳に追加

層内マイクロ凸レンズ１３４とカラーフィルター４との間に平坦化層が介在せず、また、カラーフィルター４は感光剤や硬化剤を含まず薄く形成できるので、上層部の高さＨを抑えて、斜め入射光も光センサー１０４上に確実に集光できる。 - 特許庁

In blue organic EL elements 16B, green organic EL elements 16G and red organic EL elements 16R, an organic layer 163 formed between lower electrode layers 161B, 161G and 161R and an upper electrode layer 164 has a laminated structure where a plurality of luminescent layers are laminated.例文帳に追加

青色有機ＥＬ素子１６Ｂ、緑色有機ＥＬ素子１６Ｇおよび赤色有機ＥＬ素子１６Ｒにおいて、下部電極層１６１Ｂ，１６１Ｇ，１６１Ｒと上部電極層１６４との間に設けられた有機層１６３が、複数の発光層が積層された積層構造を有している。 - 特許庁

The formation method of an identification code formed of an aggregation of plural dot parts on a marking target comprises a step of forming the individual dot parts by laminating the dots of a marking material plural times in a manner that the center of an upper layer dot is displaced from the center of a lower layer dot.例文帳に追加

マーキング対象物の上に、複数のドット部の集合体で構成される識別コードにおいて、各々のドット部を、マーキング材料が複数のドットを積層して形成し、上層のドットの中心位置を、下層のドットの中心位置に対してずらして形成する。 - 特許庁

Then, an insulating layer 14 is formed so that the thin film coil 13, dummy magnetic pole piece 11c and the inter-coil connecting part 13A, and recording gap layer 10 can be covered, and the whole part is polished until an upper connecting piece 11b and the dummy magnetic pole piece 11c is exposed.例文帳に追加

次に、薄膜コイル１３、ダミー磁極片１１ｃおよびコイル間接続部１３Ａ、ならびに記録ギャップ層１０を覆うようにして絶縁層１４を形成したのち、上部磁極片１１ａ、上部接続片１１ｂおよびダミー磁極片１１ｃが露出するまで全体を研磨する。 - 特許庁