「upper- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(178ページ目) - Weblio英語例文検索

A first interface unit 31 inputs transmission target data and a trigger relating to cancellation of transmission of the transmission data from a processing unit 30 that performs processing in compliance with a communication protocol of an upper layer.例文帳に追加

第１インタフェース部３１は、送信対象データおよび送信対象データの送信のキャンセルに関係するトリガを、上位層の通信プロトコルに従った処理を行う処理部３０から入力する。 - 特許庁

Upper and lower surfaces of disk-like shapes act as two electrodes in the diode 11, and the electrode of the lower surface is connected to a bottom surface of the recessed part in the supporting electrode 12 via a solder layer 13.例文帳に追加

円板形状における上下面が、ダイオード１１における２つの電極となっており、下面の電極は、はんだ層１３を介して支持電極１２における凹部の底面に接続されている。 - 特許庁

Then, a conductive film 51 is formed on almost entire region of the upper surface of the piezoelectric layer 42 (conductive film forming step) followed by cutting out a common electrode 44 from the conductive film 51 by laser processing (laser processing step).例文帳に追加

次に、圧電層４２の上面のほぼ全域に導電膜５１を形成し（導電膜形成工程）、続いて、レーザ加工により、導電膜５１から共通電極４４を切り出す（レーザ加工工程）。 - 特許庁

An upper-stage metal conductor portion 45b constituting the mother substrate connection terminal 45 is formed on the lower-stage metal conductor portion 45a and resin insulating layer 21 to cover an opening edge of the opening 37.例文帳に追加

母基板接続端子４５を構成する上段金属導体部４５ｂは、開口部３７の開口縁を覆う状態で下段金属導体部４５ａ及び樹脂絶縁層２１の上に形成されている。 - 特許庁

A light reflecting structure 4a comprising an inorganic thin film configured by laminating a plurality of evaporated films so as to reflect near infrared light is deposited on an upper layer of the light absorbing structure 3.例文帳に追加

光吸収構造体３の上層には、近赤外光を反射するように複数の蒸着膜を積層して構成した無機薄膜から成る光反射構造体４ａが成膜されている。 - 特許庁

To provide a method by which a partition component is united with a memory device, and a lamination related to a previously formed cell or an additional memory layer lamination to an upper portion of the previously formed cell and its programming are simplified.例文帳に追加

パーティションコンポーネントはメモリデバイスと一体化され、以前に形成されたセルに関連づけられた、または以前に形成されたセルの上部への付加的メモリ層の積層とそのプログラミングとを容易にする。 - 特許庁

On an upper portion surface to the step 8, a semiconductor light emitting device 1 is mounted via an AuSn solder layer 2 and the electrode of this semiconductor light emitting device 1 is connected with a terminal for the electrode wiring using an Au wire.例文帳に追加

段差８の上側面にはAuSn系半田層２を介して半導体発光素子１をマウントし、この半導体発光素子１の電極を電極配線用ターミナルとAuワイヤーにより接続する。 - 特許庁

Also, the opposite portion of the thermohardening resin of the upper-side bonding layer 5 to the rear surface of the semiconductor chip 4 is so hardened as to join the semiconductor chip 4 to the transparent substrate 1 by this hardened portion 5a.例文帳に追加

また、上側接着層５の熱硬化性樹脂のうち、半導体チップ４の下面に対応する部分が硬化し、この硬化部分５ａによって半導体チップ４が透明基板１に接合される。 - 特許庁

Since the joined upper-lower waterproof floor members 1 and 2 have drain gradients, the waterproof floor F having a similar drain gradient can be constructed only by arranging the surface layer material P having a substantially uniform thickness.例文帳に追加

接合した上下の防水床部材１，２が排水勾配を持つから、厚みが実質的に均一の表層材Ｐを配置するだけで同様の排水勾配を有する防水床Ｆを構築できる。 - 特許庁

An information recording layer is formed on at least either of the upper disk substrate 3a and the lower disk substrate 3b within a range between the inner peripheral segment and outer peripheral segment of the disk substrates.例文帳に追加

上側ディスク基板３ａおよび下側ディスク基板３ｂの少なくといずれか一方には、ディスク基板の内周部分と外周部分との間の範囲内で情報記録層が形成されている。 - 特許庁

To enhance junction strength for an upper surface of a columnar type electrode of the surface processing layer, for preventing oxidation to be formed on the surface of the column type electrode in a semiconductor device called a CSP.例文帳に追加

ＣＳＰと呼ばれる半導体装置において、柱状電極の上面に形成される酸化防止用の表面処理層の柱状電極の上面に対する接合強度を強くする。 - 特許庁

The upper electrode layer 15B is laminated on an underside 13D opposed to the substrate 11 of the sealing member 13, and at the same time, is extended outside from the enclosed space 21 to be formed as an electrode wire.例文帳に追加

上部電極層１５Ｂは、封止部材１３の基板１１に対向する下面１３Ｄに積層するとともに、密閉空間２１から外部に延出し、電極線として形成される。 - 特許庁

A via hole is etched up to the top plate 24A and the metal register 24B using an upper etching stop layer 26 by depositing insulating layers to prevent excessive etching and damage.例文帳に追加

絶縁層を堆積させ、過剰なエッチング及び損傷を防止するため、上方エッチング停止層２６を使用してバイアホールをコンデンサの頂部プレート２４Ａ及び金属レジスタ２４Ｂまでエッチングする。 - 特許庁

Then, the upper-layer part of the interlayer insulation film 2 is subjected to anisotropic etching via the first groove TC1, thus forming a second groove TC2 with a wider opening diameter than the first groove TC1.例文帳に追加

更に、前記第１の溝ＴＣ１を介して前記層間絶縁膜２の上層部を等方性エッチングして当該第１の溝ＴＣ１よりも開口径の広い第２の溝ＴＣ２を形成する。 - 特許庁

A pump 14A is operated to discharge water from a water storage tank 16 from a lava flow forming water supply nozzle 13 to the tank 16 and to flow down along the layer 5 by overflowing from an upper water tank 12.例文帳に追加

ポンプ１４Ａを運転して、貯水槽１６の水を溶岩流形成水供給ノズル１３から貯水槽１６に吐出し、上部水槽１２から溢出させて表層部５に沿って流下させる。 - 特許庁

Window glass 17 having a heat insulating effect is used for the additional window, and opening parts 19b and 19a are respectively arranged on the vertical directional lower side and upper side in the intermediate space layer.例文帳に追加

付加窓には遮熱効果を有する窓ガラス１７が用いられ、中空間層にはその鉛直方向下側及び上側にそれぞれ開口部１９ｂ及び１９ａが設けられている。 - 特許庁

In order to prevent deterioration of an organic EL layer 114 due to moisture, a first inorganic film 120, an organic planarizing film 130, and a second inorganic film 140 are formed on an upper electrode 115.例文帳に追加

有機ＥＬ層１１４が水分によって劣化することを防止するために、上部電極１１５の上に第１の無機膜１２０、有機平坦化膜１３０、第２の無機膜１４０が形成されている。 - 特許庁

When a read-out current is made to flow to a lamination direction through a lower part electrode 11 and an upper part electrode 14, reduction of resistance variation quantity caused by a second magnetization fixing layer 233 can be suppressed.例文帳に追加

下部電極１１および上部電極１４を介して積層方向に読出電流を流した場合、第２の磁化固着層２３３に起因する抵抗変化量の減少を抑制することができる。 - 特許庁

To each of the body electrode and the back gate electrode is applied potential for controlling carriers having opposite conductivity to a channel formed on the upper layer of the channel forming region of the field-effect transistor.例文帳に追加

前記ボディ電極、前記バックゲート電極の夫々には、前記電界効果トランジスタのチャネル形成領域の上層部に形成されるチャネルと反対導電型のキャリアを制御する電位が印加される。 - 特許庁

A first input/output electrode 31, a second input/output electrode 33, and first and second control input/output electrodes 35, 37 and 39 are provided at the upper side of the insulating layer provided on the capacity variable part.例文帳に追加

容量可変部上に設けられた絶縁層の上側に露出して第１入出力電極31、第２入出力電極33、第１及び第２制御用入出力電極35,37,39が設けられる。 - 特許庁

A first source/drain region and a second source/drain region are formed close to the upper surface in the semiconductor layer, and are arranged to be separated to each other.例文帳に追加

第１のソース／ドレイン領域および第２のソース／ドレイン領域が、半導体層内で、その上面近傍に形成され、第１のソース／ドレイン領域と第２のソース／ドレイン領域は互いに離隔されている。 - 特許庁

When the upper surface of the ZnO substrate 1 is an O surface (000-1), Zn atoms are not diffused to the InN crystal layer 2 side, so that the generation of p-type conduction can be suppressed.例文帳に追加

一方、ＺｎＯ基板１の上面がＯ面（０００−１）である場合には、Ｚｎ原子がＩｎＮ結晶層２側には拡散しないため、Ｐ型伝導が生じるのを抑制することができる。 - 特許庁

At least one of the wiring layers provided on the pixel region is contacted at its upper side with the interlayer insulating film through an antireflective layer, and is contacted at its lower side directly with the interlayer insulating film.例文帳に追加

前記画素領域上に配される少なくとも一層の配線層は、その上部が反射防止膜を介して前記層間絶縁膜と接し、その下部が前記層間絶縁膜に直接接している。 - 特許庁

Each pixel has the first substrate (24) provided on the upper part of the substrate (20) and a second electrode (28) provided to be opposed to the substrate (20) with a liquid crystal layer (22) including the liquid crystal molecules in-between.例文帳に追加

夫々の画素は、基板（２０）の上に設けられた第１の電極（２４）と、液晶分子を含む液晶層（２２）を挟んで基板（２０）に対向して設けられた第２の電極（２８）とを有する。 - 特許庁

Also, the exit end 51a of the liquid mixture pipeline 51 is immersed in the solvent of an upper layer inside the first liquid storage tank 50, and the air easily flows to the side of the air discharge pipe 52 by the liquid pressure.例文帳に追加

また、混合液管路５１の出口端５１ａを第１貯液槽５０内の上層の溶剤中に浸漬させ、その液圧によって空気抜き管５側に一層空気が流れ易くなるようにする。 - 特許庁

The method also comprises the steps of removing the exposed part of the first metal layer by etching with the gate electrode upper part pattern 38a formed as above as a mask, and forming the gate electrode lower pattern 36a.例文帳に追加

そして、これにより形成されたゲート電極上部パターン３８ａをマスクとして、第１の金属層の露出部分をエッチングにより除去しゲート電極下部パターン３６ａを形成する。 - 特許庁

This electrode structure 300 is provided with a plurality of scan signal lines, a plurality of data signal lines, a plurality of switch devices and a plurality of pixel electrodes 301, 302 which are respectively independent above a surface of a glass substrate upper layer.例文帳に追加

ガラス基板上層表面の上方に複数のスキャン信号ライン、複数の資料信号ラインと複数のスイッチデバイス、及びそれぞれが独立した複数の画素電極３０１，３０２が設けられる。 - 特許庁

In the absorbent article 10, the entire main surface on the absorbent side of a diffusion preventing sheet 1 for storing the excrement is not bonded and a space R2 is formed with an upper layer sheet 11.例文帳に追加

吸収性物品１０では、排泄物を蓄積する拡散防止シート１の吸収体側の主面全体が非接着とされて、上層シート１１との間に空間Ｒ２が形成される。 - 特許庁

On the upper surface of the p-type contact layer 7, a concave-convex shape is intentionally formed by gas phase etching using the mixed gas of H_2 gas and HCl gas as etching gas after a crystal growth is completed.例文帳に追加

このｐ型コンタクト層７の上面には、結晶成長完了後にＨ_2 ガスとＨＣｌガスとの混合ガスをエッチングガスとして用いた気相エッチングによって凹凸形状が故意に形成されている。 - 特許庁

To provide a nonvolatile storage device with self-aligningly formed wiring for connecting an upper electrode of a ferroelectric capacitor with a diffusion layer of a cell transistor, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

強誘電体キャパシタの上部電極とセルトランジスタの拡散層を接続するための配線が、自己整合的に形成された不揮発性記憶装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a disk mirroring controller which continues an operation with respect to an upper layer even when an error occurs in a copy source disk during data copying to restore the mirroring state of the disk.例文帳に追加

ディスクのミラーリング状態を復旧するためのデータコピー処理中にコピー元ディスクでエラーが発生した場合でも、上位層に対し動作継続が可能となるディスクミラーリング制御装置を提供する。 - 特許庁

A piezoelectric thin film resonator 1 has such a structure as an adhesive layer 12, a lower surface electrode 13, a piezoelectric thin film 14 and an upper surface electrode 15 are laminated in this order on a supporting substrate 11.例文帳に追加

圧電薄膜共振子１は、支持基板１１の上に、接着層１２、下面電極１３、圧電体薄膜１４及び上面電極１５をこの順序で積層した構造を有している。 - 特許庁

The lower end portion of the aluminum weld 7 melts in the surface layer of said aluminum material 3, and the upper end portion thereof melts and is joined to a weld bead 5 formed over the surface of said steel material 2.例文帳に追加

前記アルミニウム接合部７は、その下端部がアルミニウム板３の表面に溶け込み、その上端部が前記鉄鋼板２の表面に被覆形成された溶接ビード５に溶融接合している。 - 特許庁

A laminated ceramic capacitor 1 is provided with a ceramic substrate 3 having an inner layer 9 and a pair of upper and lower outer layers 11 and 13, and a pair of external electrodes 5 and 7 provided on both sides thereof.例文帳に追加

積層セラミックコンデンサ１は、内層部分９及び上下一対の外層部分１１、１３を有するセラミック基体３と、その左右に設けられた一対の外部電極５、７とを備える。 - 特許庁

A gate insulating film 121 is formed on the upper layer side of the base protective film and the semiconductor film 109a, while a scanning line 163 and a gate electrode 143 are formed on the gate insulating film 121.例文帳に追加

下地保護膜および半導体膜１０９ａの上層側にはゲート絶縁膜１２１が形成され、ゲート絶縁膜１２１上には走査線１６３およびゲート電極１４３が形成されている。 - 特許庁

The piezoelectric driving portion 20 constituted by laminating a cylindrical lower electrode 21, a piezoelectric layer 22, and an upper electrode 24 is provided on an outer peripheral face of a cylindrical base material 10 having a flowing path 12 for compressing an ink and discharging outlet 11.例文帳に追加

インクを加圧する流路１２と吐出口１１を有する円筒基材１０の外周面に、筒状の下電極２１、圧電層２２、上電極２４を積層した圧電駆動部２０を設ける。 - 特許庁

In this manufacturing mold 84 for anisotropic conductive sheet, an upper small magnetic pole part 80 is a plated layer, while a lower small magnetic pole part 74 is formed by selectively etching a magnetic material substrate 70.例文帳に追加

異方導電性シート製造用金型８４によれば、上部小磁極部８０はメッキ層であり、下部小磁極部７４は磁性体基板７０を選択的にエッチングして形成されたものである。 - 特許庁

There are independently provided: a dispensing station 18 for performing dispensing treatment; and an interface detection station 14 for detecting the interface of the upper and lower sides of a layer of the serum (specimen) 86 of an original specimen container 12.例文帳に追加

分注処理を行う分注ステーション１８と、元検体容器１２の血清（検体）８６の層の上側、下側の界面を検出する界面検出ステーション１４とを独立して設ける。 - 特許庁

The LCD device comprises a lower substrate, an upper substrate, and a liquid crystal layer formed between these substrates and includes red sub-pixels, green sub-pixels, blue sub-pixels, and viewing angle control sub-pixels.例文帳に追加

本発明に係る液晶表示装置は、下部基板と、上部基板と、その間に形成された液晶層とからなり、赤色サブピクセル、緑色サブピクセル、青色サブピクセル、視野制御用サブピクセルを備えている。 - 特許庁

To improve adhesion of an electric circuit pattern and the resin film of an upper layer in a multilayer substrate constituted by laminating a plurality of resin films on one surface of which an electric circuit pattern is formed.例文帳に追加

樹脂フィルムの片面に電気回路パターンが形成されたものを複数積層して構成される多層基板において、電気回路パターンと上層の樹脂フィルムとの密着力を向上する。 - 特許庁

An organic luminescent layer 5 and a cathode 6 are sequentially formed thereon so that the cathode 6 can be parted into the plurality of parallel electrodes by the acute edge portions 41 of the upper end faces of the barriers 4.例文帳に追加

その上に、有機発光層５と、陰極６を順次成膜すると、隔壁４上端面の鋭角のエッジ部４１にて、陰極６を複数の平行電極に分断することができる。 - 特許庁

After a Schottky electrode 14 is formed on the upper surface of the epitaxial layer 12 and an ohmic electrode 15 is formed on the rear surface of the silicon carbide substrate 11, heat treatment is performed at a temperature of 600°C or below.例文帳に追加

このエピタキシャル層１２の上面上にショットキー電極１４を、炭化珪素基板１１の裏面上にオーミック電極１５を形成した後、６００℃以下の温度で熱処理を行なう。 - 特許庁

Then, the second cooling treatment is performed, and the upper silicon 16 is formed by crystal growing the silicon in the silicon containing low melting point metal fused solution 13 on the area starting from the lower silicon layer 14.例文帳に追加

そして第２の冷却処理を行い、シリコン含有低融点金属溶融液１５中のシリコンを下層シリコン層１４を起点に結晶成長させて上層シリコン層１６を形成する。 - 特許庁

This configuration prevents the occurrence of a paraelectric layer between the dielectric film 50 and the upper electrode 60, thereby further thinning the dielectric film 50 while maintaining desired characteristics.例文帳に追加

これにより、誘電体膜５０と上部電極膜６０との間に常誘電体層が発生することが抑制され、所望の特性を維持しつつ誘電体膜５０のより一層の薄膜化が可能になる。 - 特許庁

When carrying out the production of the acrylonitrile by the ammoxidation reaction, methanol in combination with steam is charged to the fluidized catalytic layer from a gas-feeding opening installed in the upper part of the fluidized bed.例文帳に追加

アンモ酸化反応によりアクリロニトリル製造を行うに際して、流動層上部に設置されたガス導入口からメタノールを水蒸気と共に高い線速速で流動触媒層に送入する。 - 特許庁