「upper- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(178ページ目) - Weblio英語例文検索

Then, the upper-layer part of the interlayer insulation film 2 is subjected to anisotropic etching via the first groove TC1, thus forming a second groove TC2 with a wider opening diameter than the first groove TC1.例文帳に追加

更に、前記第１の溝ＴＣ１を介して前記層間絶縁膜２の上層部を等方性エッチングして当該第１の溝ＴＣ１よりも開口径の広い第２の溝ＴＣ２を形成する。 - 特許庁

A pump 14A is operated to discharge water from a water storage tank 16 from a lava flow forming water supply nozzle 13 to the tank 16 and to flow down along the layer 5 by overflowing from an upper water tank 12.例文帳に追加

ポンプ１４Ａを運転して、貯水槽１６の水を溶岩流形成水供給ノズル１３から貯水槽１６に吐出し、上部水槽１２から溢出させて表層部５に沿って流下させる。 - 特許庁

Window glass 17 having a heat insulating effect is used for the additional window, and opening parts 19b and 19a are respectively arranged on the vertical directional lower side and upper side in the intermediate space layer.例文帳に追加

付加窓には遮熱効果を有する窓ガラス１７が用いられ、中空間層にはその鉛直方向下側及び上側にそれぞれ開口部１９ｂ及び１９ａが設けられている。 - 特許庁

In order to prevent deterioration of an organic EL layer 114 due to moisture, a first inorganic film 120, an organic planarizing film 130, and a second inorganic film 140 are formed on an upper electrode 115.例文帳に追加

有機ＥＬ層１１４が水分によって劣化することを防止するために、上部電極１１５の上に第１の無機膜１２０、有機平坦化膜１３０、第２の無機膜１４０が形成されている。 - 特許庁

When a read-out current is made to flow to a lamination direction through a lower part electrode 11 and an upper part electrode 14, reduction of resistance variation quantity caused by a second magnetization fixing layer 233 can be suppressed.例文帳に追加

下部電極１１および上部電極１４を介して積層方向に読出電流を流した場合、第２の磁化固着層２３３に起因する抵抗変化量の減少を抑制することができる。 - 特許庁

To each of the body electrode and the back gate electrode is applied potential for controlling carriers having opposite conductivity to a channel formed on the upper layer of the channel forming region of the field-effect transistor.例文帳に追加

前記ボディ電極、前記バックゲート電極の夫々には、前記電界効果トランジスタのチャネル形成領域の上層部に形成されるチャネルと反対導電型のキャリアを制御する電位が印加される。 - 特許庁

A first input/output electrode 31, a second input/output electrode 33, and first and second control input/output electrodes 35, 37 and 39 are provided at the upper side of the insulating layer provided on the capacity variable part.例文帳に追加

容量可変部上に設けられた絶縁層の上側に露出して第１入出力電極31、第２入出力電極33、第１及び第２制御用入出力電極35,37,39が設けられる。 - 特許庁

A first source/drain region and a second source/drain region are formed close to the upper surface in the semiconductor layer, and are arranged to be separated to each other.例文帳に追加

第１のソース／ドレイン領域および第２のソース／ドレイン領域が、半導体層内で、その上面近傍に形成され、第１のソース／ドレイン領域と第２のソース／ドレイン領域は互いに離隔されている。 - 特許庁

When the upper surface of the ZnO substrate 1 is an O surface (000-1), Zn atoms are not diffused to the InN crystal layer 2 side, so that the generation of p-type conduction can be suppressed.例文帳に追加

一方、ＺｎＯ基板１の上面がＯ面（０００−１）である場合には、Ｚｎ原子がＩｎＮ結晶層２側には拡散しないため、Ｐ型伝導が生じるのを抑制することができる。 - 特許庁

At least one of the wiring layers provided on the pixel region is contacted at its upper side with the interlayer insulating film through an antireflective layer, and is contacted at its lower side directly with the interlayer insulating film.例文帳に追加

前記画素領域上に配される少なくとも一層の配線層は、その上部が反射防止膜を介して前記層間絶縁膜と接し、その下部が前記層間絶縁膜に直接接している。 - 特許庁

Each pixel has the first substrate (24) provided on the upper part of the substrate (20) and a second electrode (28) provided to be opposed to the substrate (20) with a liquid crystal layer (22) including the liquid crystal molecules in-between.例文帳に追加

夫々の画素は、基板（２０）の上に設けられた第１の電極（２４）と、液晶分子を含む液晶層（２２）を挟んで基板（２０）に対向して設けられた第２の電極（２８）とを有する。 - 特許庁

Also, the exit end 51a of the liquid mixture pipeline 51 is immersed in the solvent of an upper layer inside the first liquid storage tank 50, and the air easily flows to the side of the air discharge pipe 52 by the liquid pressure.例文帳に追加

また、混合液管路５１の出口端５１ａを第１貯液槽５０内の上層の溶剤中に浸漬させ、その液圧によって空気抜き管５側に一層空気が流れ易くなるようにする。 - 特許庁

The method also comprises the steps of removing the exposed part of the first metal layer by etching with the gate electrode upper part pattern 38a formed as above as a mask, and forming the gate electrode lower pattern 36a.例文帳に追加

そして、これにより形成されたゲート電極上部パターン３８ａをマスクとして、第１の金属層の露出部分をエッチングにより除去しゲート電極下部パターン３６ａを形成する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile storage device, capable of preventing a memory cell processed into a columnar shape from being twisted and collapsed in the direction perpendicular to the extending direction of an upper layer wiring.例文帳に追加

柱状に加工されたメモリセルの上層配線の延在方向と直交する方向への縒れや倒れを抑制することができる不揮発性記憶装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

Pieces 51 to 59 of the upper layer piece group 5 are made of a transparent material and the pieces 51 to 59 are provided with second opaque parts 51a to 59a for covering at least the dummy patterns.例文帳に追加

上層ピース群５の各ピース５１ないし５９を透明材によって形成し、各ピース５１ないし５９に、少なくともダミーの絵柄を目隠しする第２の不透明部５１ａないし５９ａを設ける。 - 特許庁

To provide a wiring board capable of suppressing peeling of a through conductor, electrically connecting a plurality of wiring conductors on an upper and a lower surfaces of an insulating layer, from an inner side face of a through hole.例文帳に追加

絶縁層の上下面の複数の配線導体を電気的に接続する貫通導体が貫通孔の内側面から剥がれることを抑制することが可能な配線基板を提供する。 - 特許庁

In the optical modulation element 5, the magnetization direction of a magnetization reversal layer 53 is reversed by current from electrodes 2 and 3 connected to upper and lower parts of the optical modulation element 5, respectively and thereby an incident light is emitted so that the direction of the light is changed and the light is rotated.例文帳に追加

光変調素子５は、上下に接続された電極２，３からの電流で磁化反転層５３の磁化方向を反転させ、入射光を向きを変えて旋光させて出射する。 - 特許庁

The observed patterns of the upper- and lower-layer wiring sections 1 and 2 are obtained by projecting an electron beam upon the surface of the integrated circuit and detecting secondary charged particles by means of a secondary electron detector 10.例文帳に追加

そして、半導体集積回路の表面に電子ビームを照射して２次電子検出器１０により２次荷電粒子を検出することにより、上層及び下層配線の観察パターンを得る。 - 特許庁

To provide constitution which materializes the drop of contact resistance by securing the contact area between a contact plug and an upper conductive layer connected to it, even in a semiconductor integrated circuit with improved integration.例文帳に追加

集積度が向上した半導体集積回路においても、コンタクトプラグと、それに接続される上部の導電層との接触面積を確保して、コンタクト抵抗の低下を実現する構成を提供する。 - 特許庁

The lower and upper layer storage capacitors are formed so as to span nonopening regions of two pixel regions adjacent from side to side and the area is sufficiently wider than that in the case of formed within a pixel region.例文帳に追加

下層及び上層蓄積容量は、左右に隣接した２画素領域の非開口領域にまたがって形成され、その面積は１画素領域に形成される場合よりも十分に広い。 - 特許庁

The diffusion plate 10 is formed by sealing a diffusion layer 3 comprising a polymer material 4 and a liquid crystal material 5 between a pair of opposed transparent upper and lower substrates 1, 2 through a sealing member 7.例文帳に追加

一対の対向した透明な上下基板１、２の間に高分子材料４と液晶材料５からなる拡散層３を封止部材７を介して封止して拡散板１０を形成する。 - 特許庁

The apparatus-side connection part 10a is fitted in the recess 1a of the continuous footing 1 such that the upper part of the apparatus-side connection part 10a is positioned approximately immediately below the air layer 3c inside a wall body 3.例文帳に追加

器具側接続部10ａは、布基礎１の凹部１ａに嵌め込んだ際に器具側接続部10ａの上方が壁体３内部の空気層３ｃの略直下となるように位置決めされている。 - 特許庁

Thereafter, the upper ends 13B and 23B of the wires 13 and 23 are exposed on the surface 3A of the resin layer 3 in a state where the ends 13B and 23B are flushed with the surface 3A in a grinding step.例文帳に追加

この後、研削工程を行うことにより、ワイヤ１３、２３の上端１３Ｂ、２３Ｂが樹脂層３の表面３Ａに露出され、かつ樹脂層３の表面３Ａと面一となるようにされる。 - 特許庁

Over- etching is conventionally performed by stopping the etching by using an end monitor, however, the upper layer metal film 7 is etched at a part of a substrate due to dispersion of the etching in a lot surface and dispersion of the etching in a substrate surface.例文帳に追加

従来、エンドモニタを使用してエッチングを止め、オーバーエッチングをしていたが、ロット面内エッチングバラツキと基板面内でエッチングバラツキから基板一部において上層金属膜７がエッチングされてしまう。 - 特許庁

The word line 6a to be connected to the lower MR element 4a and the word line 6b to be connected to the upper MR element 4b are formed by using the same conductive layer at the same time as the digit line 8.例文帳に追加

下側のＭＲ素子４ａに接続されるワード線６ａと、上側のＭＲ素子４ｂに接続されるワード線６ｂは、ディジット線８と同時に同じ導体層を用いて形成される。 - 特許庁

Furthermore, an interlayer insulating film 7 covering the wire 6, a connection hole 8 provided in this interlayer insulating film 7, and an upper layer wire 9 connected to the wire 6 via the connection hole 6, are provided.例文帳に追加

さらに、配線６を覆う層間絶縁膜７、この層間絶縁膜７に設けられた接続孔８、接続孔８を介して配線６に接続された上層配線９が設けられている。 - 特許庁

Image output is performed by combining the LUT groups of lowermost layer and gray scale skip is eliminated in the vicinity of boundary, by correcting the coefficients used in the processing of one stage upper hierarchy, after the LUT groups are coupled.例文帳に追加

画像出力は、最下層のＬＵＴ群を組み合わせて行い、ＬＵＴ群の結合処理後、一段上階層の処理に用いた係数の補正によって、境界付近の階調飛びをなくす。 - 特許庁

Lower and upper auxiliary magnetic pole layers 32 and 33 are provided adjacent to the main magnetic pole layer 35 of the recording part 12 on a leading side and a trailing side with respect to a medium moving direction, retreating from a floating surface 41.例文帳に追加

記録部１２の主磁極層３５に隣接して、媒体移動方向に対しリーディング側とトレーリング側に、浮上面４１から後退して下部および上部補助磁極層３２，３３が設けられる。 - 特許庁

A boundary between the exposed portion 3a of the electrode wiring of the FPC1 and an insulating resist layer 4 is located at a position on a backup stage 10 where a recess 14 is formed, and the ACF5 is placed on the upper surface of the FPC1.例文帳に追加

バックアップステージ１０における凹部１４の形成位置にＦＰＣ１の電極配線の露出部３ａと絶縁レジスト層４との境界部を位置させてＦＰＣ１の上面にＡＣＦ５を載置する。 - 特許庁

The dummy gate pattern 13 is cut at a predetermined position in the gate width direction in the upper part of the diffusion layer 10, and performs a high-speed operation of the MOS transistor by reducing a resistance right beneath a cut portion 13a.例文帳に追加

ダミーゲートパターン１３は、拡散層１０の上部におけるゲート幅方向の所定位置で切断され、切断部１３ａの直下で抵抗を低減して高速なＭＯＳトランジスタの動作を実現する。 - 特許庁

The first fiber layer 21 consists of a compressive stress region 21A which is an upper region with respect to the neutral axis Sa and a tensile stress region 21B which is a lower region with respect to the neutral axis Sa.例文帳に追加

第１繊維層２１は、中立軸Ｓａに対する上側領域である圧縮応力領域２１Ａと、中立軸Ｓａに対する下側領域である引張応力領域２１Ｂを有している。 - 特許庁

The thermal sensor is mounted on a sensor pedestal supported by a heat insulation support part above the semiconductor device, and the sensor pedestal and heat insulation support member are formed of porous materials laminated on the insulation upper layer.例文帳に追加

熱型センサは、断熱支持部によって半導体装置の上方に支持されるセンサ台座に搭載され、センサ台座及び断熱支持部材は絶縁上層に積層された多孔質材料で形成される。 - 特許庁

The second adjustment layer 16 of SiO_2 is formed also on the surface of the substrate 11 not covered with the lower electrode film 12 or the upper electrode film 14 and on the surface of the piezoelectric film 13.例文帳に追加

また、ＳｉＯ_２の第２の調整層１６は、下部電極膜１２または上部電極膜１４で被覆されていない基板１１表面上および圧電膜１３表面上にも形成されている。 - 特許庁

The surface layer 10a having almost uniform thickness is formed at the upper part of the semiconductor light emitting element 2 so as to be separated from this so that the color non-uniformity at the time of lighting of the semiconductor light emitting device 2 can be prevented.例文帳に追加

略均一な厚さを有する表面層(10a)は半導体発光素子(2)から離間して上方に形成されるので、半導体発光装置(2)の点灯時の色むらを防止することができる。 - 特許庁

A contact hole having a larger upper opening diameter is formed through an interlayer dielectric 8A on a diffusion layer and a first film 9A having such a film thickness that the film 9A does not fill up completely the contact hole is formed in the hole.例文帳に追加

層間絶縁膜８Ａを介して拡散層上にその上部の開口径が広いコンタクト孔を形成し、当該コンタクト孔内が完全に埋まらない膜厚で第１の膜９Ａを形成する。 - 特許庁

A positioning guide 13 is not continuously formed over the whole periphery of the case 5, and the atmospheric layer 12 formed between the case 5 and the upper bracket 3 is not sealed and is communicated with the outside.例文帳に追加

位置決めガイド１３は、ケース５の全周に亘って連続的に形成されておらず、ケース５とアッパーブラケット３との間に形成された大気層１２は、密閉されることなく外部と連通している。 - 特許庁

Then, the fibrous filler 35 projected from the upper surface of the resin layer 36 is brought into contact with the under fill 29, thereby improving the adhesion strength of the under fill 29 and the insulating base material 4.例文帳に追加

そして、樹脂層３６の上面から突出する繊維状充填材３５がアンダーフィル２９に接触することにより、アンダーフィル２９と絶縁基材４との密着力が向上されている。 - 特許庁

The liquid crystal display element is provided with a liquid crystal cell in which a liquid crystal layer 8 is clamped between an upper side transparent substrate 4a and a lower side transparent substrate 4b, and a back light 2 arranged oppositely to the back surface of the liquid crystal cell.例文帳に追加

上側透明基板４ａおよび下側透明基板４ｂ間に液晶層８を挟持した液晶セルと、液晶セルの背面に対向配置されたバックライト２とを備えている。 - 特許庁

In a method of manufacturing the semiconductor device, a light-emitting element 12, which forms a p electrode 13 and a low-melt-point metal diffusion prevention layer 14 on the upper surface and comprises a plurality of group III nitride semiconductors, is formed on a sapphire substrate 10.例文帳に追加

ｐ電極１３および低融点金属拡散防止層１４が上面に形成された、複数のIII 族窒化物半導体からなる発光素子１２を、サファイア基板１０上に形成する。 - 特許庁

Resin 4, or a glass cloth layer 5 where glass cloth 2 is buried into a composite material obtained by mixing functional powder 3 into the resin 4 is provided at either of the upper and lower outermost layers.例文帳に追加

樹脂４または樹脂４に機能粉末３を混合してなる複合材料にガラスクロス２を埋設してなるガラスクロス層５を最外上下層のうちの少なくともどちらか一方に有する。 - 特許庁

To provide a method for etching and removing an underlying dielectric film from a via bottom so that the decrease of an upper layer insulating film is eliminated, and no etching residue is left remained on the inner wall surface of the via.例文帳に追加

ビアボトムの下地誘電体膜を、上層絶縁膜の膜減りをなくし、また、ビアの内壁面にエッチング残さを残さないでエッチング除去する方法及び半導体装置の製造方法の提供。 - 特許庁

This shoe 2 is provided with an upper 4, an insole 6, a cushion layer 8, a midsole 10, an outsole 12, an outside reinforced portion 14a, an inside reinforced portion 14b, a first reinforcing band 16 and a second reinforcing band 18.例文帳に追加

靴２は、アッパー４、インソール６、クッション層８、ミッドソール１０、アウトソール１２、アウトサイド補強部１４ａ、インサイド補強部１４ｂ、第一補強バンド１６及び第二補強バンド１８を備えている。 - 特許庁

Then, the support is etched in the state of the upper part of the support in the SOI formation region being covered with a resist pattern to form an opening surface in the support for exposing part of the end of the SiGe layer 3.例文帳に追加

そして、ＳＯＩ形成領域の支持体上をレジストパターンで覆った状態で支持体をエッチングすることにより、支持体にＳｉＧｅ層３の端部の一部を露出させる開口面を形成する。 - 特許庁

A side face (peripheral face) of the truncated-cone portion 18B is an annular inclined surface 18E facing an upper surface side of the mesa portion 18, and a side face of a contact layer 19 is exposed from the inclined surface 18E.例文帳に追加

円錐台部分１８Ｂの側面（周面）はメサ部１８の上面側に向いた円環状の傾斜面１８Ｅとなっており、傾斜面１８Ｅにはコンタクト層１９の側面が露出している。 - 特許庁

An anti-reflection film 12 is formed on a Si substrate 11 serving as a processing base body, a resist film 13 is formed on the anti-reflection film 12, and a hydrophobic upper layer film 14 is formed on the resist film 13.例文帳に追加

被加工基体であるＳｉ基板１１上に反射防止膜１２を形成し、反射防止膜１２上にレジスト膜１３を形成し、レジスト膜１３上に疎水性の上層膜１４を形成する。 - 特許庁