「upper- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(181ページ目) - Weblio英語例文検索

Additionally, the reflux magnetic flux 30 flowing out of the main magnetic pole layer 24 is branched into lower and upper return yoke layers 18, 28, after passing the magnetic disk 2 for smoothly flowing in recording operation.例文帳に追加

また、記録動作時に主磁極層２４から流出した還流磁束３０は、磁気ディスク２を通過したのち下部および上部リターンヨーク層１８，２８に分流して円滑に流入する。 - 特許庁

An upper transparent resin substrate 21 and a lower resin substrate 22 each formed by integrating a wavy layer with a substrate to obtain the light condensing property equal to that of a glass substrate and to simplify the multilayered structure are used.例文帳に追加

ガラス基板と同等の集光性を示し、多層構造の簡素化を図るため、凹凸層を基板に一体化して形成した上側透明樹脂基板２１と下側樹脂基板２２とを用いる。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit in which an area required for arrangement of a memory cell array and circuit design is easy to carry out, by avoiding congestion of wirings on an upper wiring layer, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

上位の配線層の配線の混雑を回避し、メモリセルアレイの配置領域を大きくでき、回路設計が容易な半導体集積回路及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

An alignment layer covers the protrusion and the upper substrate and is aligned along a second direction, parallel to the first direction or extended from the reflective region to the transmissive region so as to intersect with the first direction.例文帳に追加

配向膜は突起と上基板を被覆し、第一方向に平行な第二方向に沿って配向するか、或いは、第一方向と交差するように反射領域から透過領域に延伸する。 - 特許庁

Further, since a transparent conductive film 45 is connected to an upper layer 63 of the data line 6a via a contact hole 44a, the resistance of the connection terminals 90 is decreased to ensure excellent conduction.例文帳に追加

また、コンタクトホール４４ａを介して透明導電膜４５がデータ線６ａの上層６３と接続されているので、接続端子９０の抵抗値を下げ、良好な導通を確保することができる。 - 特許庁

The terminal device selects a transmission destination to transmit the log data, whether it is another terminal device which is logically connected to an upper layer or a log management server, and transmits the log data to the selected transmission destination.例文帳に追加

端末装置は、ログデータを送信する送信先を、上層に論理接続されている他の端末装置とするか、ログ管理サーバとするかを選択し、選択された送信先にログデータを送信する。 - 特許庁

The organic insulation layer 12 or the substrate 11 in contact with upper and lower sides of the short-circuit portion 23 are made to remain, and on the other hand, a cavity 25 is generated in the laser irradiation area 24 (a part where the short-circuit 23 disappears).例文帳に追加

短絡部２３の上下に接する有機絶縁層１２または基板１１は残されている一方、レーザ照射領域２４（短絡部２３が消失した部分）には空洞２５が生じる。 - 特許庁

Mesh holes 59a and 35a are each provided to upper plane layers 59 and 35 so as to be superposed in a vertical direction, so that an interlayer resin insulating layer 50 is hardly deteriorated in insulating properties.例文帳に追加

上層のプレーン層３５と上層のプレーン層５９とのメッシュ穴３５ａ、５９ａを重なる位置に形成してあるため、層間樹脂絶縁層５０の絶縁性が低下することがなくなる。 - 特許庁

A photoelectric conversion part 4 is formed at a specified position on the surface layer of a silicon substrate 1, and a light shielding film 12 that has an opening exposing an upper part to the photoelectric conversion part 4 is formed.例文帳に追加

シリコン基板１の表層部における所定の位置に光電変換部４を形成し、この光電変換部４に上側部分を露出する開口部を有する遮光膜１２を形成する。 - 特許庁

To provide an efficient slag removing method in which in the case of removing the slag on the upper layer of molten iron by horizontally tilting a converter under state of remaining the molten iron into the converter, a slag-removing ratio is high and the quick slag-removal can be performed.例文帳に追加

溶鉄を転炉に残したまま、転炉を横転させて溶鉄の上層のスラグを排滓する際に、排滓率が高く、また、迅速な排滓が可能な効率的な排滓方法を提供する。 - 特許庁

While taking account of the impact of overetching due to shattering of the PZT sintered particles, a mask 58a expanded larger than an upper electrode 57a is used, so that the piezoelectric sintered compact layer 54 is subjected to wet etching.例文帳に追加

ＰＺＴ焼結粒子の脱粒によるオーバーエッチングの影響を考慮して、上電極５７ａよりも拡大させたマスク５８ａを用いて圧電焼結体層５４をウェットエッチングする。 - 特許庁

An insulating layer 33 is formed on the side of the surface of the substrate 1, and contact holes 34 are formed in such a way as to open the upper parts of the central parts of the electrodes 31 only in an acceptable units 10.例文帳に追加

そして、基板１の表面側に絶縁層３３が形成され、良好ユニット１０においてのみショットキー電極３１の中央部上を開口する様にしてコンタクトホール３４が形成されている。 - 特許庁

After the duct has been hung on the floor layer, the de-coiler, the duct pipe making machine and the run-off table are disconnected, and are moved to the upper or lower subject floor with skipping one floor by using a construction elevator 4.例文帳に追加

当該階層のダクト吊り込みを終了したのち、デコイラ、ダクト製筒機及びランオフテーブルの連結を解き、工事用エレベータ４を利用して１つおいて上または下の対象フロアに移動する。 - 特許庁

An upper resist layer 6 is formed on the baked sample by spin coating with a photosensitive resist in about 1.5 μm thickness and the resulting sample is baked at 90-100°C.例文帳に追加

ベーク後の試料上に感光性レジストを１．５μｍ程度の厚さになるように回転塗布することによって上部レジスト層６を形成した後、この試料を９０℃〜１００℃で試料をベークする。 - 特許庁

To provide a floating material body recovering apparatus by which a material body, such as liquid like oil matter, etc., or solid like dust, waste, etc., floating on the upper layer part of a liquid such as spent coolant is efficiently recovered.例文帳に追加

使用済クーラントなどの液体の上層部に浮上した物体、即ち油分などの液体又はゴミや屑などの固体を効率良く回収できる浮上物体回収装置を提供する。 - 特許庁

When the composition is used for a material for an upper clad layer 6 of the waveguide 1, the refractive index of the composition changes by the impression of voltage by electrodes 3, 7, which can be utilized for light modulation, optical switch and the like.例文帳に追加

該組成物は、光導波路１の上部クラッド層６の材料として用いた場合、電極３，７による電圧印加によって屈折率が変化し、光変調、光スイッチ等に応用できる。 - 特許庁

The film thickness on the side boarder XA of the display region of an organic EL layer is set larger than the film thickness on the central axis XC so that the gradient of luminance due to the potential of the upper electrode is compensated.例文帳に追加

上部電極の電位による輝度傾斜を補償するために、有機ＥＬ層の表示領域の側辺ＸＡ上の膜厚を表示領域の中心軸ＸＣ上の膜厚よりも大きくする。 - 特許庁

The unit cell U has a plate-like positive current collector 1a and a positive active material layer 1b formed on a part of each of the upper surface and a lower surface of the positive current collector 1a.例文帳に追加

単位電池Ｕは、板状の正極集電体１ａと、正極集電体１ａの上面および下面の各一部の上に形成された正極活物質層１ｂとを有している。 - 特許庁

A layout design apparatus for designing layout of a semiconductor integrated circuit having a plurality of layers extracts wiring information of an upper layer near the locations of the lower modules in an upper module, for the lower modules to be used in a plurality of places, and sets the extracted wiring information of the upper layer as a wiring prohibition region to be used for designing the layout of the lower modules, to design the layout of the lower modules.例文帳に追加

上記課題を解決するために、本発明に係るレイアウト設計装置は、複数階層を有する半導体集積回路のレイアウト設計装置であって、複数個所で使用される下位モジュールについて、前記下位モジュールが配置される上位モジュール内のそれぞれの配置箇所近傍の上位階層の配線情報を抽出し、抽出した上位階層の配線情報を、前記下位モジュールのレイアウト設計を行なう際の配線禁止領域として設定し、前記下位モジュールのレイアウトを行なう。 - 特許庁

The integrated circuit device includes at least the SOI substrate which has an upper semiconductor layer of a first crystal orientation and a semiconductor material of a second crystal orientation, the semiconductor material is substantially on the same plane surface and its thickness is the same to that of the upper semiconductor layer, and in an integrated circuit structure, the first crystal orientation is different from the second crystal orientation.例文帳に追加

具体的には、第１の結晶方位の上部半導体層と第２の結晶方位の半導体材料とを有するＳＯＩ基板を少なくとも含んだ集積回路構造であって、半導体材料は実質的に同一平面上にありかつ上部半導体層と実質的に同じ厚さであり、さらに第１の結晶方位が第２の結晶方位と異なっている集積回路構造が提供される。 - 特許庁

The optical transmission substrate includes a substrate; a metal layer provided on the substrate; an optical waveguide installed on the substrate; and a metallic reflecting portion which is provided with a photoelectric transducer in the upper part for enabling coupling with the optical waveguide which has an optical reflection face, inclined with respect to the optical axis of the optical waveguide, and which is installed in contact with the metallic layer and in the upper part of the substrate.例文帳に追加

光伝送基板は、基板と、前記基板上に設けられた金属層と、前記基板上に設けられた光導波路と、上方に光電変換素子を設けて前記光導波路と光学的に結合させるための金属反射部であって、前記光導波路の光軸に対して傾斜した光反射面を有し、前記金属層と接して前記基板の上方に設けられた金属反射部と、を具備する。 - 特許庁

At least the portion of the upper layer part is vertically transparent and between both the upper and lower layer parts, a fluorescent light emitting compound solution containing a fluorescent compound and a chemical light emitting compound, and an oxidizer solution containing a peroxide compound are separated and held over a deformable stress destroyable partition wall.例文帳に追加

容器が載置される表面側上層部と、相対する裏面側下層部が一体化されてなるコースターであり、該上層部の少なくとも一部分は上下方向にわたって透明であり、該上下両層部間には、蛍光性化合物と化学発光性化合物を含む蛍光発光性化合物溶液と過酸化物系化合物を含む酸化剤溶液が変形応力破壊可能な隔離壁を介して分離、挟持されてなるコースター。 - 特許庁

The method includes the steps of: receiving an upper layer protocol request for reconfiguring an SR procedure parameter of an UE and not immediately reconfiguring the SR procedure parameter of the UE; and applying a new configuration value provided by the upper layer protocol request to the SR procedure parameter when an SR is triggered by the UE and there is no other incomplete SR in the UE.例文帳に追加

かかる方法は、ＵＥのＳＲプロシージャパラメータの再設定を求める上位層プロトコルリクエストを受信し、直ちに前記ＵＥのＳＲプロシージャパラメータの再設定を行わない段階と、前記ＵＥによりＳＲがトリガーされ、かつ前記ＵＥの中でその他未完成のＳＲが存在しなかった場合に、前記上位層プロトコルリクエストによる新しい設定値を前記ＳＲプロシージャパラメータに適用する段階と、を含む。 - 特許庁

The semiconductor device comprises: a semiconductor substrate; a first conductive type region provided in an upper layer part of the semiconductor substrate; a second conductive type source region and a second conductive type drain region that are disposed apart from each other in an upper layer part of the first conductive region; a gate insulating film provided on the semiconductor substrate; and a gate electrode provided on the gate insulating film.例文帳に追加

実施形態に係る半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板の上層部分に設けられた第１導電形領域と、前記第１導電形領域の上層部分に相互に離隔して配置された第２導電形のソース領域及びドレイン領域と、前記半導体基板上に設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、を備える。 - 特許庁

The apron is produced by overlapping both sides of the breastpiece 1 of the apron A formed of a flexible, thin and soft polyolefin sheet B directing the back face inward, superposing the front face of the overlapped upper layer on the upper surface directing the front face inward to form a three-layer structure at both sides of the breastpiece 1 and fixing with a fixing member 5 to form a bag 7 under the breastpiece 1.例文帳に追加

柔軟、かつ薄手で張りの弱いポリオレフィン系シートＢでなるエプロＡンの胸当て部１の両側を中裏状態で重ね合わせ、その重ね合わせた上層の表面をその上方の表面に中表状態で重ね合わせることにより胸当て部１の両側を三層構造にすると共に、係止部材５で留めることにより胸当て部１の下方に袋部７を形成しているエプロン。 - 特許庁

In a combined magnetic head 20 in which a magnetoresistive reproducing head part 22 for reproducing a signal recorded on the magnetic recording medium and an inductive recording head part 23 for recording a signal onto the magnetic recording medium are combined, magnetoresistive element parts 29, 30 and 31 have step parts at their both end parts and the upper surface of an upper layer gap layer 28 formed thereon is flattened.例文帳に追加

磁気記録媒体に記録された信号を再生する磁気抵抗効果型の再生ヘッド部２２と、磁気記録媒体に対して信号を記録するインダクティブ型の記録ヘッド部２３とが組み合わされてなる複合型磁気ヘッド２０であって、磁気抵抗効果素子部２９、３０，３１は、その両端部に段差部を有し、この上に形成される上層ギャップ層２８の上面が平坦化されている。 - 特許庁

The solar cell module includes: a plurality of solar cells including at least one photoelectric conversion layer as optical conversion members; a transparent member (430) provided on upper surfaces of the plurality of solar cells; and a filling layer to seal the plurality of solar cells, wherein at least one layer selected from the transparent member and the filling layer contains the semiconductor nanocrystals (115).例文帳に追加

本発明に従う太陽電池モジュールは、光転換部材として少なくとも１つ以上の光電変換層を含む複数個の太陽電池セル、上記太陽電池セルの上部面に備えられる透明部材（４３０）、及び上記太陽電池セルを封入するための充填層を含み、上記透明部材または充填層のうちから選択された少なくともいずれか１つ以上の層は半導体ナノ結晶（１１５）を含むことを特徴とする。 - 特許庁

On the CPP structured magnetoresistive effect head, the deformation adjacent to the plane facing the medium to occur in machine polishing for a floating plane machining process can be reduced by arranging deformation preventing layers 13, 14 with a shearing modulus larger than a first ferromagnetic layer 19 and a second ferromagnetic layer 17 between a magnetoresistive effect film 50 and at least either a lower shield layer 11 or un upper shield layer 12.例文帳に追加

ＣＰＰ構造の磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、磁気抵抗効果膜５０と、少なくとも下部シールド層１１あるいは上部シールド層１２の何れか一方との間に、第１の強磁性層１９および第２の強磁性層１７よりも大きなずれ弾性率を有する変形防止層１３、１４を設けることにより、浮上面加工工程で機械研磨加工を行った際に発生する媒体対向面近傍における変形を低減できる。 - 特許庁

The group III nitride-based semiconductor light emitting element has a light emitting part of pn junction double heterostructure obtained by forming a lower barrier layer 104 of n-type group III nitride-based semiconductor, a light emitting layer 105 of III nitride semiconductor, and a p-type upper barrier layer 106 sequentially on a crystal substrate 101.例文帳に追加

結晶基板１０１上に、ｎ形のＩＩＩ族窒化物半導体からなる下部障壁層１０４とＩＩＩ族窒化物半導体からなる発光層１０５とｐ形の上部障壁層１０６とを順次積層したｐｎ接合型ダブルヘテロ構造の発光部を有するＩＩＩ族窒化物半導体発光素子において、上部障壁層を、ｐ形のリン化硼素（ＢＰ）系半導体とする。 - 特許庁

In the inkjet recording medium having on a support at least two or more porous ink receiving layers containing silica fine particles, the fine pore distribution curve of each layer has at least one peak within a range of 8 to 70 nm of fine port diameters and the fine pore diameter peak of the upper layer is larger than that of the lower layer.例文帳に追加

支持体上に少なくとも２層以上のシリカ微粒子を含有した多孔質インク受容層を設けたインクジェット記録媒体であり、各層の細孔分布曲線が細孔径８〜７０ｎｍの範囲に少なくとも１つのピークを持ち、上層の細孔径ピークが下層の細孔径ピークより大きいことを特徴とするインクジェット記録媒体及びその製造方法。 - 特許庁

This inkjet recording sheet, which has at least one porous ink absorbing layer on at least one side on a substrate, is characterized in that a layer containing specified organic particulates and a hydrophilic binder including a cross-linked or polymerized high polymer is provided by applying ionizing radiation to the upper side of the porous ink absorbing layer.例文帳に追加

支持体上の少なくとも片面に少なくとも一層の多孔質インク吸収層を有するインクジェット記録シートにおいて、該多孔質インク吸収層の上方側に電離放射線を照射して架橋または重合された高分子化合物を含む親水性バインダー及び特定の有機微粒子を含有する層を設けてなることを特徴とするインクジェット記録シート。 - 特許庁

An imprint apparatus includes: a detector 172 that detects a marking formed on a substrate; and a control unit CNT that makes the detector detect the marking between imprint cycles, and that calculates an overlay to obtain an overlay error that is a shift between a pattern formed on a top layer of the substrate and a new pattern formed on a layer upper than the top layer based on a detection result.例文帳に追加

基板に形成されたマークを検出する検出器１７２と、インプリントサイクルとインプリントサイクルとの間において、前記検出器にマークを検出させて、その検出結果に基づいて、基板の上の層に形成されたパターンと当該層よりも上の層に新たに形成されたパターンとのずれであるオーバーレイ誤差を求めるオーバーレイ計測を実行する制御部ＣＮＴとを備える。 - 特許庁

The film 10 for semiconductors has functions for stacking a semiconductor wafer 7 on an upper surface of an adhesive layer 3, for supporting the semiconductor wafer 7 when dividing the semiconductor wafer 7 into individual pieces by dicing, and for selectively separating a first adhesive layer 1 from the adhesive layer 3 when picking up the divided semiconductor wafer 7 (semiconductor element 71).例文帳に追加

半導体用フィルム１０は、接着層３の上面に半導体ウエハー７を積層させ、半導体ウエハー７をダイシングにより個片化する際に半導体ウエハー７を支持するとともに、個片化された半導体ウエハー７（半導体素子７１）をピックアップする際に、第１粘着層１と接着層３との間が選択的に剥離する機能を有するものである。 - 特許庁

A process for forming the intermediate layer portion 30 includes: a process for forming the first wiring 31 on the first circuit forming region 110; a process for forming a film of the second insulating part 32 to cover the lower layer portion 10; and a process for removing the second insulating part 32 on the first region 120 so that an outer circumferential part 10a of an upper surface of the lower layer portion 10 is exposed.例文帳に追加

中間層部３０を形成する工程は、第１配線３１を第１回路形成領域１１０に形成する工程と、下層部１０を覆うように第２絶縁部３２を成膜する工程と、下層部１０の上面の外周部１０ａが露出するように、第１領域１２０上の第２絶縁部３２を除去する工程とを備える。 - 特許庁

To provide a conductive member which holds minimum hardness necessary for application which needs high bending property such as a connector female terminal, is provided with an Ni under layer preventing diffusion of Ni to an upper layer, preventing oxidation of the inside of the Ni based under layer and having high bending property, and has excellent bending property, while keeping excellent contact resistance and wear resistance, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

コネクタ雌端子等の高い曲げ加工性を必要とする用途に必要な最低限の硬度を保持し、Ｎｉの上層への拡散を防ぎ、Ｎｉ系下地層内部の酸化を防ぎ、高い曲げ加工性を有するＮｉ下地層を備え、良好な接触抵抗性、耐摩耗性を維持しながら、曲げ加工性に優れた導電部材及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

An ultrasonic transducer 10 comprises: a photosensitive film 11 provided with an opening 111 and having photosensitivity; a support film 12 for closing the opening 111 of the photosensitive film 11; and a piezoelectric element 20 provided on a membrane 121 of the support film 12, which closes the opening 111, and constituted by laminating a lower electrode layer 21, a piezoelectric layer 22, and an upper electrode layer 23.例文帳に追加

超音波トランスデューサー１０は、開口部１１１が設けられ、感光性を有する感光性フィルム１１と、感光性フィルム１１の開口部１１１を閉塞する支持膜１２と、支持膜１２のうち開口部１１１を閉塞するメンブレン１２１に設けられ、下部電極層２１、圧電層２２、及び上部電極層２３が積層されて構成される圧電素子２０と、を具備した。 - 特許庁

Alternatively, the electromagnetic steel sheet has the multilayer coating obtained by forming a film with a thickness of 0.2 to 1μm comprising a phosphorous compound as a first layer on the surface of a silicon steel sheet, and further forming a film with a thickness of 0.1 to 2 μm comprising a silicate and organic resin emulsion as a second layer on the upper layer thereof.例文帳に追加

電磁鋼板の表面に第１層として厚さ０．２〜１μｍのリン化合物を含む皮膜を形成し、更にその上層に第２層として厚さ０．１〜２μｍのケイ酸塩と有機樹脂エマルジョンを含む皮膜を形成した複層皮膜を有することを特徴とする塩素イオン存在下での耐食性、歪取り焼鈍後の密着性に優れた絶縁皮膜付き電磁鋼板。 - 特許庁

To provide multi-hop communication equipment and a multi-hop communication system that provide low power consumption, redundancy, and a capability of stable high-speed communication, by applying optical communication that makes an upper layer of a layer structure compliant with ZigBee (Registered mark) and makes a lower layer compliant with Ethernet (Registered mark), and by enabling a previously prepared network configuration to be preferentially constructed.例文帳に追加

レイヤ構造の上位層をＺｉｇＢｅｅ（登録商標）に準拠させ、下位層をイーサネット（登録商標）に準拠させた光通信を適用するとともに、予め用意されたネットワーク構成を優先的に構築できるようにすることで、低消費電力で冗長性を有しかつ安定した高速通信が可能なマルチホップ通信装置及びマルチホップ通信システムを提供する。 - 特許庁

In the method, a solar battery is manufactured by preparing a first substrate, forming a solar battery by depositing a layer formed by laminating the first substrate and a semiconductor substance in this sequence, attaching and adhering an alternate second substrate constituted of a substances having thermal expansion coefficient substantially similar to that of a semiconductor layer of the upper portion of the sequentially laminated layer, and removing the first substrate.例文帳に追加

第一基板を準備し、該第一基板上に半導体物質の順に重ねられた層を堆積して太陽電池を形成し、順に重ねられた層の上部の半導体層と実質的に類似する熱膨張係数を有する物質から構成される代替第二基板を取り付けて、接着し、第一基板を取り除くことにより太陽電池を製造する方法。 - 特許庁

Dust collection layers 9 are formed on the upper and back surfaces of a deodorizing layer and the photocatalyst 10 is mixed at least with the downstream dust collection layer 9a positioned on the downstream side of an air flow among the dust collection layers and the downstream dust collection layer 9a is constituted of at least a light pervious material permitting a wavelength generating the light exciting action of the photocatalyst 10 to transmit.例文帳に追加

脱臭層８の表裏面に集塵層９を形成し、集塵層９のうち、少なくとも空気流れの下流側に位置する下流側集塵層９ａに光触媒１０を混在させると共に、この下流側集塵層９ａを少なくとも前記光触媒１０が光励起作用を起こす波長を透過させる透光性材料で構成する。 - 特許庁

In the failure analysis method of a semiconductor device for a failure cause made by wiring formed on a semiconductor silicon board, a layer insulation film 3 is etched and removed on the semiconductor silicon board by using etching gas (for instance, CHF3) having a high etching selection ratio between a lower layer wire 2 and upper layer wiring 4, and the failure cause (foreign matter 5) is analyzed.例文帳に追加

半導体シリコン基板上に形成した配線に起因する不良原因を解析する半導体装置の不良解析方法において、下層配線２や上層配線４との間で高いエッチング選択比を有するエッチングガス（例えば、ＣＨＦ_3）を用いて、半導体シリコン基板上の層間絶縁膜３をエッチング除去して、不良原因（異物５）を解析する。 - 特許庁

The annular surface portion 28 of the diffuser 20 is at least partially covered with a coating which can be abraded by the outer edge of each circumferential vane 18, the abradable coating comprising a first lower metal-based coating layer applied on the annular surface portion 28 of the diffuser 20, and a second upper polymer-based coating layer applied on the first lower metal-based coating layer.例文帳に追加

ディフューザ２０の環状表面部分２８は、各円周方向ベーン１８の外縁部によって摩耗することができる皮膜で少なくとも部分的に覆われており、このアブレイダブル皮膜は、ディフューザ２０の環状表面部分２８上に施工された第１の下部金属ベース皮膜層と該第１の下部金属ベース皮膜層上に施工された第２の上部ポリマーベース皮膜層とからなる。 - 特許庁

The printed wiring board manufacturing method comprises a step wherein an aperture is provided by removing the upper conductor layer in a substrate having at least two conductor layers on its surfaces; and a step wherein the aperture is irradiated with a laser beam which is larger in diameter than the aperture and defocused but homogeneous in energy density, for the removal of the insulating layer for the exposure of the lower conductor layer.例文帳に追加

少なくとも表裏２層以上の導体層を備えた基板の上層の導体層を除去して開口部を形成する工程と、前記開口部に当該開口部より大きい径かつデフォーカスされてエネルギー密度が均一のレーザビームを照射して、下層の導体層までの絶縁層を除去する工程とを有することを特徴とするプリント配線板の製造方法。 - 特許庁

The Ni-plated steel plate for a battery can is characterized by having an Fe-Ni diffusion layer on a surface corresponding to an outside surface of the battery can, having a glossy addition agent or a semimat addition agent containing Ni-plated layer on its upper layer, and in that its surface roughness Ra is 0.1-1 μm and its Rmax is 1-10 μm.例文帳に追加

本発明の要旨とするところは、電池缶外面に相当する面にＦｅ−Ｎｉ拡散層を有し、更にその上層に光沢添加剤または半光沢添加剤含有Ｎｉメッキ層を有し、かつその表面粗度Ｒａが０．１μｍ以上１μｍ以下かつＲｍａｘが１μｍ以上１０μｍ以下であることを特徴とする電池缶用Ｎｉメッキ鋼板である。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device includes processes for forming a first mask layer 115 having a first lower opening 115a, on an interlayer insulting film 114, and forming, on the first mask layer 115, a second mask layer 116 having a first upper opening 116a exposing the interlayer insulating film 114 through the first lower opening 115a.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、層間絶縁膜１１４の上に第１の下部開口部１１５ａを有する第１のマスク層１１５を形成する工程と、第１のマスク層１１５の上に第１の下部開口部１１５ａを通して層間絶縁膜１１４を露出する第１の上部開口部１１６ａを有する第２のマスク層１１６を形成する工程とを備えている。 - 特許庁