「upper- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(182ページ目) - Weblio英語例文検索

A transparent layer 46 consists of the alignment controlling depressions and a flat part 45 which are formed by subjecting a transparent photosensitive resin layer provided on color pixels 42 to exposure treatment via a density distribution mask PM1 and development treatment and the parts of a transparent conductive film 43 above the alignment controlling depressions are removed by photo etching of a transparent conductive film provided on the entire upper surface of the transparent layer.例文帳に追加

透明層４６は、着色画素４２上に設けた透明感光性樹脂層への濃度分布マスクＰＭ１を介した露光、現像処理によって形成された配向制御凹みと平坦部４５からなり、透明導電膜４３は透明層の上面の全面に設けた透明導電膜へのフォトエッチングによって配向制御凹み上の部分は除去されている。 - 特許庁

The organic EL display device is provided with a color filter 16 and a dispersion member 17 on a lamination structure in which an organic EL layer 12, a common upper electrode (a cathode) 13, and a transparent image receiving layer 15 are laminated on a glass substrate 11 equipped with a TFT and a divided lower electrode, and is sealed as a barrier film 20 is provided through an adhesive layer 18.例文帳に追加

ＴＦＴ及び分割下部電極が設けられたガラス基板１１の上に有機ＥＬ層１２、共通上部電極（陰極）１３、及び透明受像層１５が積層された積層構造の上に、さらにカラーフィルタ１６及び散乱部材１７を備え、接着層１８を介してバリアフィルム２０を設けることにより封止された有機ＥＬ表示装置である。 - 特許庁

A plug 114 composed of a copper film is buried through a barrier layer composed of a second β-tantalum film 111 into a via hole formed in the first interlayer dielectric film 106, and an upper-layer wiring 115 composed of a copper film is buried through the barrier layer composed of the second β-tantalum film 111 into the a wiring groove formed on the second interlayer dielectric film 108.例文帳に追加

第１の層間絶縁膜１０６に形成されたヴィアホールには第２のβ−タンタル膜１１１よりなるバリア層を介して銅膜よりなるプラグ１１４が埋め込まれ、第２の層間絶縁膜１０８に形成された配線溝には第２のβ−タンタル膜１１１よりなるバリア層を介して銅膜よりなる上層配線１１５が埋め込まれている。 - 特許庁

The method for joining metal surfaces comprises: a step of forming a metal additive layer on one metal surface; a step of depositing a metal film consisting of a metal of the same kind as the other metal surface or a metal to be alloyed with the other metal on an upper layer on the metal additive layer; and a step of performing the intensive working by tightly attaching the other metal surface to the metal film.例文帳に追加

金属面同士を接合する方法であって、一方の金属面に金属添加層を形成する工程、該金属添加層より上層に、他方の金属面と同種の金属または他方の金属と合金化しうる金属からなる金属膜を成膜する工程、および該金属膜に他方の金属面を密着させて強加工を施す工程を含む前記方法。 - 特許庁

In order to effectively radiate the heat generated by the operation of the semiconductor device into the atmosphere, the heat dissipation substrate comprises a composite material layer 3a made of porous material of tungsten or molybdenum with copper impregnated and copper layers 3b located on the upper surface and the lower surface of the composite material layer 3a, both of which are continuously connected to the copper impregnated in the composite material layer 3a.例文帳に追加

半導体素子の作動に伴い発生する熱を効果的に大気中に放散するため、放熱基体は、タングステンまたはモリブデンの多孔質体に銅を含侵させてなる複合材料層３ａと、複合材料層３ａの上下面上に位置し且つ複合材料層３ａに含侵している銅と連続的につながっている銅からなる銅層３ｂとを含んでなる。 - 特許庁

The liquid crystal display includes a luminance-enhancement film, including a film body which reflects light and changes a polarization axis; a protective layer, disposed on at least a part of the lower and upper sides of the film body, and an adhesive layer disposed between the film body and the protection layer and containing a photocurable resin, a photoinitiator, and a radical scavenger.例文帳に追加

本発明は、光を反射して偏光軸を変化させるフィルム本体と、前記フィルム本体の下部及び上部のうちの少なくとも一部に形成される保護層と、前記フィルム本体及び前記保護層の間に形成される光硬化性樹脂、光開始剤、及びラジカル消去剤を含む接着層を含む輝度向上フィルムと、を含む液晶ディスプレイを提供する。 - 特許庁

This method for manufacturing the thin film transistor includes the steps of: forming the silicon layer 4 on a substrate 2; forming a silicon oxide film 5a on the silicon layer 4 by a chemical vapor deposition method using a tetraethoxysilane as a raw material gas; forming a silicon nitride film 5b at an upper layer of the silicon oxide film 5a; and executing an annealing treatment.例文帳に追加

本実施形態に係る薄膜トランジスタの製造方法は、基板２上にシリコン層４を形成する工程と、シリコン層４上にテトラエトキシシランを原料ガスとして用いた化学気相堆積法により酸化シリコン膜５ａを形成する工程と、酸化シリコン膜５ａの上層に窒化シリコン膜５ｂを形成する工程と、アニール処理を行なう工程と、を有する。 - 特許庁

A BTO ferroelectric thin film 36 is grown epitaxially on an Si substrate 31 through the intermediary of a lower electrode, and an SRO upper electrode 37 is formed on the ferroelectric thin film 36 for the formation of a ferroelectric capacitor, where the lower electrode is formed of a three- layered epitaxial film composed of a (Ti, Al) N film layer 33, an Ir layer 38, and an SOR layer 365.例文帳に追加

Ｓｉ基板３１上に下部電極を介してＢＴＯ強誘電体薄膜３６がエピタキシャル成長され、強誘電体薄膜３６上にＳＲＯ上部電極３７が形成された強誘電体キャパシタにおいて、下部電極を、Ｓｉ基板３１側から（Ｔｉ，Ａｌ）Ｎ膜層３３，Ｉｒ層３８，ＳＲＯ層３５の３層構造のエピタキシャル膜で形成した。 - 特許庁

The conductive covering material comprises a lower layer region 2 made of one element selected from the group IV-X elements of the periodic table or an alloy predominantly composed of the element, an intermediate layer region 3 made of a Cu-Sn intermetallic compound, and an upper layer region 4 made of an Sn alloy containing an Ag-Sn intermetallic compound that are formed in this order on the surface of a base 1.例文帳に追加

基材１の表面に、周期律表４〜１０族に属する元素のいずれか１種またはその元素を主成分とする合金から成る下層領域２と、Ｃｕ−Ｓｎ金属間化合物から成る中間層領域３と、Ａｇ−Ｓｎ金属間化合物を含有するＳｎ合金から成る上層領域４とがこの順序で形成されている導電性被覆材料。 - 特許庁

Thereby, by contacting one pickup roller 51a with the paper prior to the other pickup roller 51b, the paper part between a pickup roller contact position of the paper and a cassette claw provided on a paper feed cassette is upwardly curved and deflected, an air layer is formed between the upper and lower paper sheets and the upper and lower paper sheets are separated.例文帳に追加

これにより、一方のピックアップローラ５１ａが他方のピックアップローラ５１ｂより先に用紙に接触することで、当該用紙のピックアップローラ接触位置と、給紙カセットに設けられているカセット爪との間の用紙部分が上方に湾曲して撓み、上下の用紙間に空気層が形成されて、上下の用紙が分離される。 - 特許庁

The sticking of the under surface of the optical layer to the upper surface of the brightness increase film is prevented and the occurrence of Newton rings due to the close contact is suppressed by forming a prism pattern having the prism forms with different height on the upper surface of the brightness-improving film.例文帳に追加

輝度上昇フィルムの上面に高さが異なる複数のプリズム形状を配列したプリズムパターンを形成することにより、当該上面に光学層を積層しても光学層の下面と輝度上昇フィルムの上面との密着（貼り付き）を防止でき、前記密着によるニュートンリングの発生を軽減できる。 - 特許庁

A wafer level package process has steps of: providing a lower cover wafer 210 and an upper cover wafer 230; providing a semiconductor wafer including a plurality of MEMS devices on a substrate layer; joining the semiconductor wafer to a first surface of the lower cover wafer; and joining a second surface of the upper cover wafer to the semiconductor wafer.例文帳に追加

下カバーウェハ２１０および上カバーウェハ２３０を提供するステップと、基板層上に複数のＭＥＭＳ装置を含む半導体ウェハを提供するステップと、半導体ウェハを下カバーウェハの第１表面に接合するステップと、上カバーウェハの第２表面を半導体ウェハに接合するステップと、を有する。 - 特許庁

The electro-optic apparatus is equipped with a pixel electrode (9a) and a TFT (30) connected to the electrode on a TFT array substrate (10), an upper light shielding layers (300, 6a) covering the upper side of at least the channel region of the TFT, and a lower light shielding layer (11a) covering the lower side of the channel region.例文帳に追加

電気光学装置は、ＴＦＴアレイ基板（１０）上に、画素電極（９ａ）と、これに接続されたＴＦＴ（３０）と、このＴＦＴの少なくともチャネル領域を上側から覆う上側遮光層（３００、６ａ）と、このＴＦＴの少なくともチャネル領域を下側から覆う下側遮光層（１１ａ）とを備える。 - 特許庁

The flat panel display device includes a display panel including a lower substrate, an upper substrate, and one or a plurality of light emitting elements positioned between the lower substrate and the upper substrate, a protection board positioned on the display panel, and an adhesive layer positioned between the display panel and the protection board.例文帳に追加

下部基板、上部基板及び前記下部基板と前記上部基板との間に位置する１つまたは複数の発光素子を含む表示パネルと、前記表示パネル上に位置する保護基板と、前記表示パネルと前記保護基板との間に位置する粘着層とを含むことを特徴とする平板表示装置に関する。 - 特許庁

This capacitive element has a lower electrode 22 formed on a substrate 10 through an interlayer insulation film 12, an upper electrode 24 opposed to the lower electrode 22 through the interlayer insulation film 12, and a lower wiring layer 14 that is formed between the substrate 10 and the lower electrode 22 and electrically connected with the upper electrode 24.例文帳に追加

基板１０上に層間絶縁膜１２を介して形成された下層電極２２と、下層電極２２に対して層間絶縁膜１２を介して対向する上層電極２４と、基板１０と下層電極２２の間に形成され、上層電極２４に電気的に接続された下部配線層１４とを有する。 - 特許庁

The plasma display panel composed of an upper panel and a lower panel connected to each other with barrier ribs is provided with a first protective membrane which is formed on a dielectric layer of the above upper panel and contains magnesium oxide of columnar crystal and a second protective membrane which is formed on a first protective membrane and contains magnesium oxide of hexahedron crystal.例文帳に追加

隔壁を介して互いに接合される上部パネルと下部パネルを含むプラズマディスプレイパネルにおいて、前記上部パネルの誘電体層上に形成され、柱状結晶の酸化マグネシウムを含む第１保護膜と、前記第１保護膜上に形成され、六面体結晶の酸化マグネシウムを含む第２保護膜と、を備える。 - 特許庁

To provide a light emitting element package which maximizes light extraction efficiency by allowing light emitted from side surfaces of a chip to be emitted toward an upper part through internal reflection, which realizes light having uniform color quality by a phosphor layer uniformly formed on the upper part of the chip, and to provide a manufacturing method of the light emitting element package.例文帳に追加

チップの側面から放出される光を内部反射によって上部に放出できるようにして光抽出効率を極大化し、均一に形成されたチップの上部の蛍光体層によって均一な色品質の光を具現することができる発光素子パッケージ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The masking tape 1 is provided by overlapping the lower surface edge 114 of the substrate material 11 with the upper surface edge 123, and positioning the lower surface edge 124 of the adhesive agent layer 12 at more inside than that of the upper surface edge 123 relative to the width direction at the both sides in width direction of an optional cross section which is vertical in longitudinal direction.例文帳に追加

マスキングテープ１では、長手方向に垂直な任意の断面の幅方向の両側において、基材１１の下面エッジ１１４が粘着剤層１２の上面エッジ１２３と重なり、粘着剤層１２の下面エッジ１２４が上面エッジ１２３よりも幅方向に関して内側に位置する。 - 特許庁

To provide a method of winding, in a rolled shape, a gel sheet formed by providing a band-like base made of a resin film to the upper and lower surfaces of a gel layer, in which a tunnel-like hollow is prevented from occurring in the gel sheet wound while the upper side band-like base faces outward due to the shrinkage of the band-like base.例文帳に追加

ゲル層の上下面に樹脂フィルムからなる帯状基材を設けてなるゲルシートをロール状に巻き取る方法において、上記上側の帯状基材を外側に向けた状態にして巻き取られたゲルシートに、この帯状基材の収縮によってトンネル状の空洞の発生を防止する。 - 特許庁

Since a water-repellent coating layer 6 for continuously covering a range from side end faces 20f to 20h of the sensor substrate 20 to the upper metal framework 50 is provided, the translucency conductive film 28 and the upper metal framework 50 are not short-circuited even if waterdrops are deposited on side end faces 20f to 20h and the like of the sensor substrate 20.例文帳に追加

センサー基板２０の側端面２０ｆ〜２０ｈから上金枠５０までを連続して覆う撥水性コーティング層６が設けられているため、センサー基板２０の側端面２０ｆ〜２０ｈ等に水滴が付着しようとした場合でも、透光性導電膜２８と上金枠５０とが短絡することがない。 - 特許庁

When the baking finish steel sheet 1 which is coated and baked with the resin is cooled, only the upper surface of the sheet 1 is cooled by water until the temperature of a resin layer formed on each of the upper and lower surfaces becomes lower than the solidifying point of the wax at the least.例文帳に追加

塗装焼付温度よりも低い融点のワックスを含有する樹脂を鋼板に塗装焼付した塗装焼付鋼板１の冷却に際し、鋼板１の上面に対してのみ水冷を行うとともに、水冷を、少なくとも鋼板１の上下面の樹脂面の温度がワックスの凝固点未満となるまで行う。 - 特許庁

A lower clad 102 provided on a substrate 101, a core region 104 having a shape whose head gradually becomes narrow and which is provided on the lower clad 102, an upper clad 103 covers the lower clad 102 and the core region 104, and an optical resin layer 105 covers the upper clad 103 are provided.例文帳に追加

基板１０１上に設けられた下部クラッド１０２と、下部クラッド１０２上に設けられ先端が徐々に細くなる形状を有するコア領域１０４と、下部クラッド１０２及びコア領域１０４を覆う上部クラッド１０３と、上部クラッド１０３を覆う光学樹脂層１０５とを備える。 - 特許庁

In the active matrix substrate having a pixel array region wherein a plurality of pixels are arrayed and a peripheral region adjacent to the pixel array region which are formed on one and the same substrate, an ultraviolet shielding member is provided on a portion which is an upper part of the environmental sensor on the upper layer of the surface protection film in the peripheral region.例文帳に追加

同一基板上に、複数の画素が配列された画素配列領域と、該画素配列領域に近接する周辺領域を有するアクティブマトリクス基板において、前記周辺領域における表面保護膜の上層の前記環境センサの上部となる箇所に紫外線遮蔽部材を備えている。 - 特許庁

The liquid crystal display element is provided with a liquid crystal layer interposed between substrates and having negative dielectric constant anisotropy and comprises first and second dielectric layers 20 and 21 provided on an upper part of pixel electrodes 27A and 27B and an upper part of a common electrode 11 to be opposed to each other for electrically forming capacitance.例文帳に追加

基板間に挟持された負の誘電率異方性を有する液晶層を具備し、画素電極２７Ａ、２７Ｂ上部及び共通電極１１の上部に、各々電気的に容量を形成するために対向して設けられた第１の誘電体層２０および第２の誘電体層２１からなる。 - 特許庁

In the laminated piezoelectric actuator element 1, a laminate 13 includes a plurality of piezoelectric layers 2A wherein conductor layers 3A and 5A are provided in a manner to reach opposing ends respectively on their upper surfaces and a plurality of piezoelectric layers 2B that are provided on their upper surfaces so that a conductor layer 4B may not reach the end, wherein both layers are alternately provided.例文帳に追加

積層型圧電アクチュエータ素子１は、上面に２つの導体層３Ａ，５Ａをそれぞれ相対向する端部に至るように設けた圧電体層２Ａと、導体層４Ｂを端部に至らないようにその上面に設けた圧電体層２Ｂとを、それぞれ複数枚、交互に備える積層体１３を形成する。 - 特許庁

The mechanism 100 for setting a gap between upper and lower rollers comprises upper and lower retaining rollers 10 and 11 vertically arranged at a gap through a conveying route P of a base layer, and an air cylinder mechanism 102 arranged above both ends of a shaft 106 of the roller 10.例文帳に追加

基層２の搬送経路Ｐを挟んで上下に隙間をおいて配設される上及び下押さえローラ１０及び１１と、上押さえローラ１０の軸１０６の両端部上方に配設されたエアシリンダ機構１０２とを備えた上下ローラ間の隙間設定機構１００及びそれを使用した建築用ボードの製造装置。 - 特許庁

Then, by removing the SOG film 26 formed on the upper surface of the drive circuit part 60 by etch-back, a level difference between the upper surface of the drive circuit part 60 and the insulating substrate 10 is mitigated, and the disconnection of the wiring layer 30 near the bottom part of the drive circuit part 60 is prevented.例文帳に追加

そして、さらに駆動回路部６０の上面に形成されたＳＯＧ膜２６をエッチバックすることによって除去することによって駆動回路部６０の上面と絶縁性基板１０との間の段差を緩和し、駆動回路部６０の底部近傍で配線層３０が断線することを防止する。 - 特許庁

In the electroluminescence display device, a metal thin film having light transmission properties, such as, for example, calcium, lithium, etc. is formed on upper surfaces of an organic compound layer 22 and a partition wall 21 in a cathode 23, and an antireflection film having optical absorptivity is formed to prevent the outdoor light from being reflected on the upper surface of the metal thin film.例文帳に追加

陰極２３は、有機化合物層２２及び隔壁２１の上面に、例えばカルシウムやリチウム等の光透過性のある金属薄膜が形成されていて、前記金属薄膜の上面には外光の反射を防止するために光吸収性のある反射防止膜が形成されている。 - 特許庁

A capacitor structure part 12 is configured so that a vibrating film 32A consisting of a polymer film formed with a conductive thin film 32a on the upper face and a back electrode board 34 formed with an electret layer 34B on the upper face of the electrode board main body 34A are arranged so as to be opposite to each other with the vibrating film 32A faced upward.例文帳に追加

コンデンサ構造部１２を、上面に導電薄膜３２ａが形成された高分子フィルムからなる振動膜３２Ａと、電極板本体３４Ａの上面にエレクトレット層３４Ｂが形成された背面電極板３４とが、振動膜３２Ａを上にして対向配置されてなる構成とする。 - 特許庁

Then, an upper polarizing plate 36 is provided on the outer surface side of the upper substrate 14, a lower polarizing plate 28 is provided on the outer surface side of the lower substrate 13, and a phase difference layer 20 having the phase difference of 1/4 wavelength is successively provided only in a reflection display area R on the inner surface side of the lower substrate 13.例文帳に追加

そして、上基板１４の外面側に上偏光板３６が設けられるとともに下基板１３の外面側に下偏光板２８が設けられ、下基板１３の内面側の反射表示領域Ｒのみに１／４波長の位相差を持つ位相差層２０が順次設けられている。 - 特許庁

In the semiconductor device provided with fuse wiring for element separation for separating a defective element, an etching stop film (insulating film) 180 capable of securing a selection ratio in respect to a metal wiring insulating film 120 is provided on the upper surface of the metal wiring insulating film 120 provided on the upper layer of metal wiring 110 for fuse.例文帳に追加

不良素子を分離するための素子分離用ヒューズ配線を設けた半導体装置で、ヒューズ用金属配線１１０の上層に設けられる金属配線間絶縁膜１２０の上面に、金属配線間絶縁膜１２０に対して選択比を確保できるエッチング停止膜（絶縁膜）１８０を設ける。 - 特許庁

The ferroelectric memory device 1000 is such that memory cells are arranged in a matrix, and includes a memory cell array 100 which comprises lower electrodes 12, upper electrodes 16 arranged in a direction crossing the lower electrodes 12, and the ferroelectric layer 14 disposed at least in regions where the upper electrodes 16 and the lower electrodes 12 cross one another.例文帳に追加

強誘電体メモリ装置１０００は、メモリセルがマトリクス状に配列され、下部電極１２と、下部電極１２と交差する方向に配列された上部電極１６と、少なくとも上部電極１６と下部電極１２との交差領域に配置された強誘電体層１４と、を含むメモリセルアレイ１００を有する。 - 特許庁

A capacitive insulation film 23 and the upper electrodes 24 are sequentially formed on the upper side on the second inter-layer film 25 in a way of bridging over the openings and the peripheral region of the openings, and the effective region of the capacitive element is equal to a region of the capacitive insulation film 23 in contact with the lower electrodes 22.例文帳に追加

第２の層間絶縁膜２５の上面における開口部及び開口部の周辺領域に跨るように容量絶縁膜２３と上部電極２４とが順次形成されており、容量素子の有効領域は、容量絶縁膜２３が下部電極２２と接する領域と等しくなっている。 - 特許庁

The seismic isolator 3 wherein a plurality of metal sheets an rubber sheets are bonded on both sides and are integrated in a lamination layer between an upper and lower flanges 4, 5 is characterized in that the thickness dimension t of the upper and lower flanges 4, 5 is set as against a diameter D of a laminated portion 6 to be t>D/20.例文帳に追加

上下部フランジ４、５間に、複数の金属板とゴムシートとが両面接着されて積層状に一体化された免震装置３において、上下部フランジ４、５の厚さ寸法ｔを、積層部分６の直径Ｄに対して、ｔ＞Ｄ／２０となるように設定したことを特徴とする。 - 特許庁

A light emitting element 4 and a light receiving element 5 are mounted on the upper surface of an insulating substrate 1, sealing resin 14 is applied to cover both elements 4 and 5 and a reflective layer 15 formed by depositing, plating or transferring a metal, e.g. Al or Ag, is provided on the planar upper surface 14a thereof.例文帳に追加

絶縁性基板１の上面に発光素子４と受光素子５を実装し、両素子４、５を覆うように、封止樹脂１４で封止し、その上面１４ａの平坦面に、ＡｌまたはＡｇ等の金属を蒸着法またはメッキ法、または転写法により形成した反射層１５を設ける。 - 特許庁

The rugged interface part 12 is an interface layer formed when the light guide plate upper part 11 and the light guide part lower part 13 overlap with each other, and is composed of a deformable substance, such as air, whose refractive index is smaller than the refractive index of the light guide plate upper part 11 and light guide plate lower part 13.例文帳に追加

凹凸界面部１２は、導光板上部１１と導光板下部１３とが重なり合うことによって形成される界面層であり、屈折率が導光板上部１１および導光板下部１３の屈折率よりも小さい屈折率の変形可能な物質たとえば空気から構成される。 - 特許庁

To exactly retreat the tip surface of an upper pole from an air bearing surface without giving variation to the dimensions and shape of a pole chip in an induction type thin film magnetic head which forms a light gap layer on an lower pole formed on a substrate, forms the pole chip thereon and forms the upper pole on this pole chip.例文帳に追加

基体上に形成した下部ポールの上にライトギャップ層を形成し、その上にポールチップを形成し、このポールチップの上に上部ポールを形成した誘導型薄膜磁気ヘッドにおいて、ポールチップの寸法、形状に変動を与えることなく上部ポールの先端面をエアベアリング面から正確に後退させる。 - 特許庁

To provide a method for operating a smelting reduction furnace with which chromium-containing molten metal is produced by arranging tuyeres for blowing high temperature oxygen-enriched air into a filling layer of carbon- base solid reducing agent in at least the upper and the lower two-steps, and injecting powdery and granular metallic oxide-containing raw material from at least the upper step of the tuyere.例文帳に追加

炭素系固体還元剤の充填層に高温の酸素富化空気を吹き込む羽口を少なくとも上下二段に設け、該羽口の少なくとも上段から粉粒状の金属酸化物含有原料を吹き込み、含クロム溶融金属を製造する溶融還元炉の操業方法に関する。 - 特許庁

By setting the thickness of the mask layer 15 thinner than the implanted depth of the impurity, a high dose region 12 is formed in a region, not covered by the mask, of the upper part of the SiC substrate 11, while low-dose regions 13 are formed in regions, covered by the mask, of the upper part of the SiC substrate 11.例文帳に追加

マスク層１５の厚さを不純物注入深さよりも浅く設定しておくことにより、ＳｉＣ基板１１の上部のうちマスクにより覆われていない部分には多量ドーズ領域１２を形成し、ＳｉＣ基板１１の上部のうちマスクにより覆われている部分には低量ドーズ領域１３を形成する。 - 特許庁

The optoelectronic device is provided with a pixel electrode (9a), a TFT (30) connected thereto, an upper side light-shielding layers (300, 6a) covering at least the channel region of the TFT from the upper side, and a lower side light-shielding layer (11a) covering at least the channel region of the TFT from the lower side on a TFT array substrate (10).例文帳に追加

電気光学装置は、ＴＦＴアレイ基板（１０）上に、画素電極（９ａ）と、これに接続されたＴＦＴ（３０）と、このＴＦＴの少なくともチャネル領域を上側から覆う上側遮光層（３００、６ａ）と、このＴＦＴの少なくともチャネル領域を下側から覆う下側遮光層（１１ａ）とを備える。 - 特許庁

This tilling machine comprises a soil breaking part 8, upper cover 7 covering the soil breaking part 8 and levelers 14, 15 swingably linked on the rear of the upper cover 7, and has a configuration suspending a separating rake 13 adjacent along to tracks of rotation of the soil breaking part 8 to mix the muddy water and mud in the soil breaking time and to form a homogeneous muddy layer.例文帳に追加

砕土部と、砕土部を被覆する上部カバーと、上部カバーの後部にレベラーを揺動自在に連結してなる代掻装置であって、前記砕土部の回転軌跡に沿って、近接させた仕切レーキを垂下させた構成によって砕土時の泥水と砕土とを混和させて、均一な泥土層を作り上げる。 - 特許庁

In this manufacturing method, a first resist pattern 7 having an aperture 7a for exposing source/drain regions 5, 6 to expose the upper surface of a gate electrode 2 is formed and a second resist pattern 8 having the second apertures 8d, 8e, 8c for defining source/drain electrodes 10, 11 and upper layer wiring 9 is laminated on a first resist pattern.例文帳に追加

ソース・ドレイン領域５，６を表出する開口７ａを有しゲート電極２上面を表出する第一のレジストパターン７を形成し，その上にソース・ドレイン電極１０，１１及び上層配線９を画定する第二の開口８ｄ，ｅ，ｃを有する第二のレジストパターン８を積層する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises: a metal pad 2 formed on a semiconductor chip 1; a post 3 electrically connected on the metal pad 2 with a plane roughness of its upper surface of not more than 30 nm; a resin layer 4 for sealing the post 3 and the main surface of the semiconductor chip 1; and a solder terminal 5 formed on the upper surface of the post 3.例文帳に追加

半導体チップ１上に形成されたメタルパッド２と、メタルパッド２上に電気的に接続され、上面の面粗度が３０ｎｍ以下であるポスト３と、ポスト３および半導体チップ１の主面を封止する樹脂層４と、ポスト３の上面に形成された半田端子５とを備えた。 - 特許庁

A tray 11 for plating is used, in which a recessed part for silicon substrate arrangement is formed in the almost central part of the upper surface of a rectangular insulating substrate 12, and a metal layer 14 is formed in a region except the recessed part for silicon substrate arrangement and specified three edge parts, on the upper surface of the insulating substrate 12.例文帳に追加

メッキ用トレー１１として、長方形状の絶縁性基板１２の上面のほぼ中央部にシリコン基板配置用凹部が設けられ、絶縁性基板１２の上面においてシリコン基板配置用凹部及び所定の３辺部を除く領域に金属層１４が設けられたものを用いる。 - 特許庁

A method of forming a nitride system semiconductor device includes a step in which a plurality of columns 1a made of Si are formed on an upper surface of an Si substrate 1 by machining the upper surface of the Si substrate 1, and a step in which an n-type GaN layer 5 is made to grow on the plurality of columns 1a.例文帳に追加

この窒化物系半導体の形成方法は、Ｓｉ基板１の上面を加工することによって、Ｓｉ基板１の上面に、Ｓｉからなる複数の円柱状部１ａを形成する工程と、その複数の円柱状部１ａ上に、ｎ型ＧａＮ層５を成長させる工程とを備えている。 - 特許庁