「upper- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(186ページ目) - Weblio英語例文検索

A backside of conductive patterns 11 is exposed to form a shield layer 14 made of such a metal as copper or the like in an upper surface of an insulative resin 13 for covering circuit components 12, metal thin wires 16 and conductive patterns 11.例文帳に追加

導電パターン１１の裏面を露出させて、回路素子１２、金属細線１６および導電パターン１１を被覆する絶縁性樹脂１３の上面に、銅等の金属からなるシールド層１４を形成する。 - 特許庁

A device 100 comprises a semiconductor substrate 110 with a front side and a back side, a sensor element 120 formed on the front side of the semiconductor substrate 110, a light reflecting layer (LRL) 130 formed to cover the upper part of the sensor element (120).例文帳に追加

デバイス100は、前面と背面を有する半導体基板110と、前記半導体基板110の前面に形成されるセンサ素子120と、前記センサ素子120の上部を覆って配置される光反射層（ＬＲＬ）130とを有する。 - 特許庁

A heat conduction layer 17 is formed of a metal material such as aluminum foil of high heat conductivity on an upper surface of the heat radiation plate 5 formed on the stainless material or the like of the low heat conductivity and the heater 6 is arranged on it.例文帳に追加

熱伝導率の小さいステンレス材などで形成する放熱板５の上面に、熱伝導率の大きなアルミニウム箔などの金属材で熱伝導層17を形成し、その上にヒータ６を配置する。 - 特許庁

The strip-like cathode layer 2 of SSC or the like, and the permeable strip-like anode layers 3_1, 3_2 of rhenium metal powder or the like are arranged on the upper face of the solid organic substrate 1 such as a polyester film in parallel at prescribed intervals.例文帳に追加

ポリエステルフィルム等の固体有機物基板１の上面に、ＳＳＣ等の帯状カソード層２と、レニウム金属粉末等の透過性の帯状アノード層３_１、３_２とを所定間隔空けて並行配列する。 - 特許庁

A vertical incidence/reflection factor to read light L2 that enters through the substrate 20 of a second electrode layer being provided on a surface in contact with the upper surface of the substrate 20 of a device 30 is set to 50% or less.例文帳に追加

デバイス部３０の基板２０の上面２０ａと接する面に設けられた第２電極層の基板２０を通して入射する読取光L2に対する垂直入射反射率を５０％以下にする。 - 特許庁

For removing moisture in the element, a thin film layer that has a certain pattern shape and moisture absorption function is formed in an array of the upper substrate of the organic electroluminescent element or the lower substrate thereof, and on the outer periphery part.例文帳に追加

素子内部の水分を除去するために有機電界発光素子の上部基板または下部基板のアレイ内部及び外廓部に一定パターン形状を有しながら吸湿機能を有する薄膜層を形成する。 - 特許庁

For example, if the orientation of the upper face S_15 of the compound semiconductor layer 15 is set as the (110) plane and a side on which a pattern is formed is set as the [1-11] orientation, the etching rate in side etching is nearly 1/√2 times that in the depth direction.例文帳に追加

たとえば、化合物半導体層１５の上面Ｓ_15の面方位を（１１０）面とし、パターンを形成する辺を［１−１１］方向とすることで、サイドエッチングのエッチングレートは深さ方向の１／√２倍程度になる。 - 特許庁

A stress relax member 30 consisting of a high thermal conductivity material and having a stress absorption space is metal bonded between the metal layer 12 of the insulating substrate 10 and the upper case 41 of the heat sink 40.例文帳に追加

絶縁基板１０の金属層１２とヒートシンク４０の上側ケース４１との間には、高熱伝導性材料からなり、かつ、応力吸収空間を有する応力緩和部材３０が金属接合されている。 - 特許庁

In the method for removing the slag 5 on the upper layer of the molten iron from a furnace opening part by sidewise tilting the converter while leaving the molten iron 4 in the converter, the removal of the slag is performed while adjusting the tilting speed of the converter so as to satisfy expression (1), T2/T1≥2.1.例文帳に追加

溶鉄４を転炉内に残したまま、転炉を横転させて溶鉄の上層のスラグ５を炉口から排滓する方法において、転炉の傾動速度を式（１）を満足するように調整しながら排滓する。 - 特許庁

To provide an elevator supporting structure which can follow the relative displacement of lower and upper structures 11 and 12 of a building by a base-isolated layer 13, without constructing a special framework around an elevator shaft 22a.例文帳に追加

エレベーターシャフト２２ａの周囲に特別な骨組を構築することなく、免震層１３による建物の下層構造体１１と上層構造体１２の相対変位に追随可能なエレベーター支持構造を提供する。 - 特許庁

The difference in oxidizing speed of an oxide film by thermal oxidation between a polysilicon of a gate electrode 13 and a semiconductor substrate is utilized to form an inter-layer insulating film 17 embedded in the opening part of a trench 7 at the upper part of the gate electrode 13.例文帳に追加

ゲート電極１３のポリシリコンと半導体基板の熱酸化による酸化膜の酸化速度の違いを利用し、ゲート電極１３上部のトレンチ７開口部に埋め込まれた層間絶縁膜１７を形成する。 - 特許庁

The LED carrier includes a metallic core jointed with a circuit layer having a mounting pad on an upper face for mounting each LED and a connector, and the connector offer connection to a circuit conductor connected with the mounting pad.例文帳に追加

ＬＥＤキャリアは、上面が各ＬＥＤおよびコネクタのための装着パッドを有する回路層に結合された金属コアを含んでおり、コネクタは、装着パッドに接続された回路導体への接続を提供する。 - 特許庁

To provide a highly usable drawer cabinet facilitating the arrangement of articles stored in an upper-layer side drawer immediately before and, even if an article having an extremely large height, storing it in a drawer.例文帳に追加

直前まで上段側の引出しに収納されていた物品整理が容易で、高さが著しく大きな物品であっても引出し内に収納できる使い勝手の良い引出しキャビネットを提供を提供すること。 - 特許庁

An auxiliary pad 2 formed by laminating soft/hard layers and a polishing pad 3 are secured by this order to an upper surface of a polishing base 1, the hard layer of the auxiliary pad 2 is opposed to the polishing base 1.例文帳に追加

研磨台１の上面には、軟質層及び硬質層を積層してなる補助パッド２及び研磨パッド３がこの順番で固着してあり、補助パッド２は硬質層が研磨台１に対向させてある。 - 特許庁

In a purifying layer 10 composed of cobble stones (a) or the like, a plate 5 is laid on the under surface, a cleaning pipe 8 is arranged in the recessed part (a groove) 7, and a purifying body such as the cobble stones (a) is filled in the upper surface.例文帳に追加

玉石ａなどから成る浄化層１０はその下面に板５を敷き、その凹部（溝）７に洗浄管８を配置するとともに、上面に玉石ａなどの浄化体を充填したものである。 - 特許庁

The exterior wall 2 of a lower floor and the exterior wall 3 of an upper floor are continued, and only the exterior wall 2 of the lower floor has an air flow path (an air layer) 5 on the inside of a sheathing material 6 forming the external surface of the exterior wall 2.例文帳に追加

下階の外壁２と上階の外壁３とが連なっており、下階の外壁２のみが外壁２の外表面を形成する外装材６の内側に空気流通路（空気層）５を備えている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a thin film magnetic head which allows the throat height of a recording head to be controlled precisely, allows not only a magnetic pole tip but an upper magnetic pole layer to be processed ultra-finely with submicron-width precision.例文帳に追加

記録ヘッドにおけるスロートハイトの正確な制御が可能であり、磁極先端部だけでなく、上部磁極層のサブミクロン幅の極微細加工が可能な薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁

A Ca(OH)_2 packed tower 101 holds a Ca(OH)_2 layer 110 on a mesh plate 102, and is provided with an HF-containing gas introducing port at the lower part, and a discharge port of HF-removed gas at an upper part.例文帳に追加

Ｃａ(ＯＨ)_2充填塔１０１はメッシュ板１０２上にＣａ(ＯＨ)_2層１１０を保持したものとし、下部にＨＦ含有ガスの導入口、上部にＨＦが除去されたガスの排出口を設ける。 - 特許庁

Damping paint is applied to the surface of a rotor 11 in a prescribed position other than an area of contact with a stator 8 (slide contact face 18a), the upper face of a thin portion 14b in this case, to from a damping paint layer 17.例文帳に追加

ロータ１１表面におけるステータ８との接触部（摺接面１８ａ）以外の所定位置、この場合、薄肉部１４ｂの上面に制振塗料を塗布してなる制振塗料層１７が備えられる。 - 特許庁

A Ca(OH)_2-packed column 101 has: a Ca(OH)_2 layer 110 held on a meshed plate 102; an HF-containing gas introducing port in the lower part; and an HF-free gas discharging port in the upper part.例文帳に追加

Ｃａ（ＯＨ）_２ 充填塔１０１はメッシュ板１０２上にＣａ（ＯＨ）_２ 層１１０を保持したものとし、下部にＨＦ含有ガスの導入口、上部にＨＦが除去されたガスの排出口を設ける。 - 特許庁

The piezo-electric element receiving package 201 is formed on the periphery of the recess 109 of the upper surface 108 of the insulating substrate 101, and is provided with a metallized layer 103 to which the outer peripheral part of lower surface of the semiconductor element 203 is bonded.例文帳に追加

圧電素子収納用パッケージ２０１は、絶縁基体１０１の上面１０８の凹部１０９の周囲に形成され、半導体素子２０３の下面の外周部が接合されるメタライズ層１０３を備えている。 - 特許庁

In (a) of a drawing 1, the upper layer part 1a composed of this porous concrete is provided with plural through-holes 2 in the vertical direction, and sufficient earth can be filled in a void of these through-holes 2 and the porous concrete 1a.例文帳に追加

図１のａにおいて、ポーラスコンクリートからなる上層部１ａは、垂直方向に複数個の貫通孔２が設けられ、この貫通孔２及びポーラスコンクリート１ａの空隙には、十分な土を充填し得る。 - 特許庁

To provide a material for an organic electric field light emitting element that does not induce solution mixing or swelling mixing when an upper layer is coated, has excellent film quality and contributes to enhancement of element performance (high light emission efficiency and low driving voltage).例文帳に追加

上層塗布時に溶解混合又は膨潤混合を起こさず、膜質に優れ、かつ素子性能向上（高発光効率、及び低駆動電圧）に寄与する有機電界発光素子用材料を提供すること。 - 特許庁

A silicide layer 108 is formed on each upper face of the gate electrode 104a and the gate interconnect line 104b, and it is also formed in a portion, in which the insulating side wall 105 is removed, of a side face of the gate interconnect line 104b.例文帳に追加

ゲート電極１０４ａ及びゲート配線１０４ｂのそれぞれの上面、並びにゲート配線１０４ｂの側面における絶縁性サイドウォール１０５が除去された部分にシリサイド層１０８を形成する。 - 特許庁

There are provided: a plurality of light emitting elements 102 disposed, arranged with a predetermined space on a substrate; a bridge part 105 in a space located between the light emitting elements; and a wavelength conversion layer 103 integrally covering the upper surfaces of the light emitting element and the bridge parts.例文帳に追加

基板上に所定の間隙をあけて並べて配置された複数の発光素子102と、発光素子間の間隙にブリッジ部105と、発光素子の上面およびブリッジ部を一体に覆う波長変換層103とを有する。 - 特許庁

The organic EL element 100 is provided with a substrate 10, an organic EL layer 20 arranged at an upper face 10U side of the substrate 10, and red-, green-, and blue-color filters 22R, 22G, 22B arranged at an underside 10D of the substrate 10.例文帳に追加

有機ＥＬ素子１００は、基板１０と、基板１０の上面１０Ｕ側に配置された有機ＥＬ層２０と、基板１０の下面１０Ｄ側に配置された赤、緑、青色フィルタ２２Ｒ、２２Ｇ、２２Ｂを備える。 - 特許庁

Thus it is possible to prevent a sink mark from being generated in a design surface by molding the fitting boss parts 8 and 9 and the non-expanded layer 6 of the upper end part and the lower end part of the skin material 3 in one piece and thereby, and to enhance the molding quality.例文帳に追加

取付ボス部８、９を表皮材３の上端部及び下端部の非発泡層６と一体に成形することにより、意匠面にヒケが発生するのを防止して、成形品質を高めることができる。 - 特許庁

In an upper layer of the P-type region 7a, a P-type doped polysilicon film 12 having an impurity concentration higher than that of the P-type region 7a and equivalent to that of the P-type region 4 is formed in contact with the P-type region 7a.例文帳に追加

Ｐ型領域７ａの上層には、不純物濃度はＰ型領域７ａより高く、Ｐ型領域４と同程度のＰ型ドープトポリシリコン膜１２がＰ型領域７ａに接触して形成されている。 - 特許庁

To provide a treating apparatus for molten metal in which the molten metal having a desired depth can be left at the bottom part of a pouring basin and a treating vessel can surely be air-tightly sealed to the atmosphere at the upper part of the molten metal by which molten metal layer.例文帳に追加

貯留槽の底部に所望の深さの溶湯を残留させることができ、この溶湯層によって処理槽を溶湯上方の大気に対して確実に気密シールすることができる溶湯処理装置を提供する。 - 特許庁

The user of the terminal unit selects, as a connection target candidate, at least one terminal unit among the plurality of terminal units of which participation statuses are displayed, and connects the above connection target candidate as an upper layer terminal unit.例文帳に追加

端末装置の利用者は、参加状況を表示した複数の端末装置のうち少なくとも一つの端末装置を接続先候補として選択し、この接続先候補を上層の端末装置として接続する。 - 特許庁

Antiferromagnetic layers 41 and 42 have lower surfaces partially overlapping the upper surface of the free layer 301 of the MR film 300 and exchange bonding takes place at the overlapped part thus applying a bias field due to exchange bonding to the MR film 300.例文帳に追加

反強磁性層４１、４２は、下面がＭＲ膜３００のフリー層３０１の上面と、部分的に重なり、重なり部分で交換結合を生じ、ＭＲ膜３００に交換結合によるバイアス磁界を印加する。 - 特許庁

On the other hand, on the second inter-layer film 20, there are provided main wiring 36 of X-bridge wiring 31 and main wiring 36 of Z-detection upper electrode wiring 33 in a direction crossing the inter-element wiring 43.例文帳に追加

一方、第２層間膜２０上において、素子間配線４３を横切る方向にＸ−ブリッジ配線３１の主配線３６およびＺ−検出上部電極配線３３の主配線３６が敷設されている。 - 特許庁

In the control rod guide thimble tube 2 of a fuel assembly for a pressurize water reactor, an inner surface treatment layer (a) is formed in the inner surface of the thimble tube 2, in the range starting from the upper end, to the location of a dashpot part (b).例文帳に追加

加圧水型原子炉用燃料集合体の制御棒案内シンブル管２において、シンブル管２内面に、上端からダッシュポット部ｂ位置までの範囲において内面処理層ａを形成した。 - 特許庁

An NiSi layer 102 is formed on the upper surface of a semiconductor substrate 101, then, an interlayer insulating film 103 is deposited on the semiconductor substrate 101, and the contact hole 104 is formed on the interlayer insulating film 103 thereafter.例文帳に追加

半導体基板１０１の上面にＮｉＳｉ層１０２を形成し、半導体基板１０１の上に層間絶縁膜１０３を堆積した後、層間絶縁膜１０３にコンタクトホール１０４を形成する。 - 特許庁

Preferably, a gold (Au)-made conductive bump is formed on the passivation layer and makes electrical contact with the upper surface region which extends via the opening in the passivation and to which the contact pad is exposed.例文帳に追加

好適には金（Ａｕ）からなる導電性バンプが該パッシベーション層の上に形成されて該パッシベーションにおける開口を介して延在し該コンタクトパッドの露出されている上表面区域と電気的に接触している。 - 特許庁

A sewage treating device having the anaerobic treating tank 1 is provided with a carrier layer 4 filled with soft porous carriers 3 having water absorbing property and water holding property at the upper part in the neighborhood of the water surface A of the anaerobic tank 1.例文帳に追加

嫌気処理槽１を有する汚水処理装置に於いて、嫌気処理槽１の水面Ａ付近の上方に、吸水性及び保水性を有する軟質の多孔質担体３を充填した担体層４を設ける。 - 特許庁

To provide an optical switching element with which symmetry of a response voltage waveform is ensured in AC driving even when an upper charge generation layer is formed by applying a dispersion, and an optically writable medium for display.例文帳に追加

上部電荷発生層を分散液塗布により形成した場合でも、交流駆動時に応答電圧波形の対称性を確保できる光スイッチング素子および光書き込み型表示媒体を提供することである。 - 特許庁

To provide a semiconductor element in which high heat dissipating characteristics and high product yield are maintained by forming a metal layer having a sufficient film thickness as an upper electrode close to a light emitting end surface (cleaved end surface).例文帳に追加

上部電極として十分な膜厚の金属層を発光端面（劈開端面）近傍まで形成し、高い放熱性を維持できると共に、製品歩留まりを高く維持することができる半導体素子を提供する。 - 特許庁

The upper electrode 113 is directly in contact with at least one of the surface, both side surfaces and bottom surface of the contact layer in the ridge part, and the surface of the ridge part other than them is covered with an insulation film 111.例文帳に追加

リッジ部におけるコンタクト層の表面と、その両側面および底面の少なくともいずれかに、上側電極１１３が直接接しており、それ以外のリッジ部表面は絶縁膜１１１で覆われている。 - 特許庁

Heating elements 35 are arranged on the upper layer of an uppermost wiring pattern 30 formed on a semiconductor substrate 22 or on the wiring pattern 31 for power supply or the wiring pattern for earth formed on the semiconductor substrate 22.例文帳に追加

本発明は、半導体基板２２の最上層の配線パターン３０の上層に、又は半導体基板２２の電源用配線パターン３１又はアース用配線パターンの上層に、発熱素子３５を配置する。 - 特許庁

The couple line 111 consists of a stepwise conductor pattern, arranged on an upper part of the insulation layer 120 so that it is overlapped with a part of the inductance line 123 and it is not overlapped with the inductance line 121.例文帳に追加

カップルライン１１１は、階段形状の導体パターンからなり、インダクタンス線路１２３の一部と重ね合わされるようにして、絶縁層１２０上方に配置され、インダクタンス線路１２１とは重ならないようにされる。 - 特許庁

The upper section of the substrate 1 is coated with a paste comprising aluminum, the paste is baked in an atmosphere in which the sum of the partial pressure of oxygen and nitrogen reaches 10 kPa or less, and the aluminum electrode layer 8 is formed.例文帳に追加

シリコン半導体基板１の上にアルミニウムを含むペーストを塗布し、酸素と窒素の分圧の和が１０ｋＰａ以下の雰囲気中で加熱することによってペーストを焼成してアルミニウム電極層８を形成する。 - 特許庁

During dry etching of the carbon-contained film for forming a lower mold layer, a storage node hole having an outer diameter size that is larger in a lower part than in an upper part by using an isotropic etching characteristic of the carbon-contained film.例文帳に追加

下部モールド層の形成のための炭素含有膜のドライエッチング時、炭素含有膜の等方性エッチング特性を利用して、上部より下部でさらに大きい外径サイズを持つストレージノードホールを形成できる。 - 特許庁

In the atmosphere an inert gas, sputtering is executed using a second target comprising tungsten to deposit it on a tungsten film 105, which is to be come the upper layer part of the gate electrode on the tungsten nitride film 104.例文帳に追加

不活性ガスの雰囲気中において、タングステンからなる第２のターゲットを用いてスパッタリングを行なうことにより、タングステン窒化膜１０４の上に、ゲート電極の上層部となるタングステン膜１０５を堆積する。 - 特許庁

The conductive impurity region 3 for transferring the electric signal from the light receiving element 14 to the signal processing circuit 15 is formed from the bottom of the trench as far as the upper surface of the semiconductor growth layer 2.例文帳に追加

受光素子１４からの電気信号を信号処理回路１５へ伝送するための導電性不純物領域３は、トレンチの底部から半導体成長層２の上面まで至るように形成されている。 - 特許庁