「upper- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(190ページ目) - Weblio英語例文検索

An adhesive is coated to the surface of the flat board panel at the lower layer, the flat board panels in the upper layer are densely adhered and laminated by shifting back and forth and right and left directions of the flat board panel, and forming a predetermined size of a face body by repeating pluralities of sheets of lamination as the feature of the overlapped flat board panels.例文帳に追加

下層の平板パネル表面に接着剤を塗布し、該平板パネルの前後、左右方向に各々ずらして上層の平板パネルを密着積層し、それら複数枚の積層を繰り返すことにより所定の大きさの面体を形成してなることを特徴とする平板パネルの重ね構造。 - 特許庁

The technical idea lies in a configuration in which respective film thicknesses of silicon nitride films SN1 to SN3 to be formed by lamination are not a fixed value but become smaller in order from the silicon nitride film SN3 in the upper layer to the silicon nitride film SN1 in the lower layer while the total film thickness thereof is kept constant.例文帳に追加

本発明の技術的思想は、積層形成される窒化シリコン膜ＳＮ１〜ＳＮ３のそれぞれの膜厚を一定値ではなく、トータルの総膜厚を一定に保ちながら、上層の窒化シリコン膜ＳＮ３から下層の窒化シリコン膜ＳＮ１にしたがって膜厚を薄くするように構成している点にある。 - 特許庁

To provide a method for substrate treatment which obtains successful connection between lower layer Cu wiring and upper layer Cu wiring in a damascene method by simultaneously carrying out reduction treatment to an oxidized Cu exposure surface and degassing an SOD film by the same process in spite of reducing wiring resistance by using the SOD film.例文帳に追加

本実施形態の基板処理方法によれば、ＳＯＤ膜を用いて配線抵抗の低減化を図るも、酸化したＣｕ露出表面の還元処理及び当該ＳＯＤ膜の脱ガスを同一工程で同時に実行し、ダマシン法における下層Ｃｕ配線と上層Ｃｕ配線との間の良好な接続を実現する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor substrate capable of planarizing the surface of the semiconductor substrate, where uniformity in the coating thickness of the semiconductor layer of an upper layer is maintained highly, when manufacturing the semiconductor substrate having a DSB structure, and capable of efficiently removing an oxide film on the interface between two wafers by the same heat treatment.例文帳に追加

ＤＳＢ構造を有する半導体基板を製造する場合に、上層の半導体層の膜厚均一性を高く保持した半導体基板表面平坦化と、２枚のウェーハの界面の酸化膜除去を同一の熱処理で効率よく行うことを可能にする半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The stacked common mode choke coil comprises a coil formation layer 20 where a first coil 21 and a second coil 22 are formed by bifilar winding on the circumferential surface of a magnetic body in the lateral winding direction orthogonal to the thickness t of the magnetic body, and insulator layers 12 formed on the upper and lower surfaces of the coil formation layer 20.例文帳に追加

磁性体の周面に形成された第１コイル２１及び第２コイル２２が磁性体の厚さｔと直交する横巻方向のバイファイラー巻きに形成されているコイル形成層２０と、該コイル形成層２０の上下両面にそれぞれ形成された絶縁体層１２とを備えている。 - 特許庁

Consequently, the focusing position of the first laser light in the reproduction can be at the position shifting by the certain quantity toward an upper layer side from the focusing position of the laser light when the mark at the layer position to be reproduced is recorded, and consequently defocusing (ΔF) in the reproduction is suppressed to effectively suppress the decrease in SNR.例文帳に追加

これにより再生時における第１のレーザ光の合焦位置は、再生対象とする層位置のマークを記録したときのレーザ光の合焦位置から上層側に一定量ずれた位置となるようにすることができ、再生時のデフォーカス（ΔＦ）の抑制が図られ、ＳＮＲの低下を効果的に抑制できる。 - 特許庁

A conductive part 25A for inspection of the common electrodes is formed on the lower layer side of the insulating film and electrically connected to all the common electrodes 9 of odd numbers, while a conductive part 25B for inspection of the common electrodes is formed on the upper layer side of the insulating film 10 and electrically connected to all the common electrodes 9 of even numbers.例文帳に追加

また、絶縁膜の下層側に全ての奇数本目のコモン電極９と電気的に接続されたコモン電極検査用導電部２５Ａが形成され、絶縁膜１０の上層側に全ての偶数本目のコモン電極９と電気的に接続されたコモン電極検査用導電部２５Ｂが形成されている。 - 特許庁

To provide a liquid-liquid separation method which can perform the separation of an upper layer and an under layer with a high accuracy, can improve the qualities, such as those about color tone and impurities, of an obtained product, and can quickly perform the separation, improving productivity; and a (meth)acrylate production method using the separation method.例文帳に追加

上層と下層との分離を精度良く行うことができ、得られる製品の色調や不純物などについての品質を向上させることができると共に、分離を速やかに行うことができて生産性を向上させることができる液・液分離方法及び（メタ）アクリレートの製造方法を提供する。 - 特許庁

Bit lines 40, 41 of I/O lines of the data connected to a drain of the switching transistor are formed in a hierarchical structure formed of a metal wiring layer different from adjacent bit lines, and a shielding bit line 49 is provided in a vacant region of an upper layer side from the bit line formed in the hierarchical structure.例文帳に追加

前記スイッチングトランジスタのドレインと接続されたデータの入出力線であるビット線４０、４１が、隣り合うビット線と異なる金属配線層で構成された階層構造で形成されており、前記階層構造で形成されたビット線よりも上層側の空き領域に、シールドビット線４９が設けられている。 - 特許庁

The light source device 1 is provided with a mounting board 2 having a plate-shaped first metal layer 23 mounted on its upper surface and composed of a metal material and at least one light emitting device 4 which is mounted so as to contact the first metal layer 23 of the mounting board 2 and has a light emitting element.例文帳に追加

光源装置１は、板状をなし、その上面側に形成され、金属材料で構成された第１の金属層２３を有する搭載基板２と、搭載基板２の第１の金属層２３と接触するように搭載され、発光素子を有する少なくとも１つの発光装置４とを備えている。 - 特許庁

In this case, since a second resistor layer 3b is formed in a wide range from the upper part of a first resistor layer 3a toward the base end side of the contact part 2, the resistor 3 gradually reduced in thickness from the tip side of the contact part 2 toward the base end side thereof can be easily formed.例文帳に追加

この場合、第１の抵抗体層３ａの上から接触部２の基端側に向かって広い範囲に第２の抵抗体層３ｂを形成するようにしたので、接触部２の先端側から基端側に向かって徐々に厚さの小さくなる抵抗体３を容易に形成することができる。 - 特許庁

A soft magnetic metal glass layer 44, disposed on an upper surface of a substrate 110, maintains a structure similar to an amorphous structure without crystallization even when being heated and then gradually cooled in thermal imprinting, and as a result, a pattern is formed on the soft magnetic metal glass layer 44 with thermal imprinting without thermally influencing it.例文帳に追加

基板１１０上面に設けられた軟磁性金属ガラス層４４は、熱式インプリントの際に加熱されかつ徐冷されても、結晶化することなくアモルファスと同様の構造を維持するので、熱的な影響を与えることなく軟磁性金属ガラス層４４に熱インプリントでパターンを形成することができる。 - 特許庁

Transmission lines 3, 3 for drawing out the input and output signal of the semiconductor element 5 and an uncovered upper face ground metal pattern 4 isolated from the transmission lines 3, 3 and for covering the substantially whole face of the surface of the lower dielectric layer board 6 are provided on the surface of the lower dielectric layer board 6.例文帳に追加

下部誘電体層基板６の表面には、半導体素子５の入力及び出力信号を引き出すための伝送線路３・３と、伝送線路３・３とは絶縁されかつ下部誘電体層基板６の表面の略全面を覆う被覆されない上面グランドメタルパターン４とが設けられる。 - 特許庁

The method comprises the steps of forming an insulation spacer on a conductive layer pattern and a sidewall of the conductive layer pattern by a predetermined pattern through an ordinary step, removing an insulation film spacer formed on a region other than a region where a contact plug is to be formed, and entirely forming an interlayer insulation film on an upper part.例文帳に追加

通常の工程を経て所定のパターンで導電層パターン及び導電層パターンの側壁に絶縁膜素ぺーサを形成する段階と、コンタクトプラグが形成される領域以外の領域に形成された絶縁膜スペーサを除去する段階と、全体上部に層間絶縁膜を形成する段階とを含んでなる。 - 特許庁

A porous rigid base 30 is placed on a supporting face 10 of a base side molding tool 11, and a molten resin laminated sheet 31 m formed of an intermediate molten resin layer 32 m in which a foaming agent is kneaded and a surface molten resin layer 33 m laminated together is so fed as to coat a base side molding tool and the upper face of the base.例文帳に追加

剛性のある多孔性の基材３０を基材側成形型１０の支持面１１上に載置し、発泡剤が混練された中間溶融樹脂層３２ｍと表面溶融樹脂層３３ｍを重ねた溶融樹脂積層シート３１ｍを基材側成形型と基材の上面を覆うように供給する。 - 特許庁

At least one semiconductor element having an n- polysilicon layer 4 and an n+ type polysilicon layer 5 is formed within an interlayer insulating film 2 as electrically insulated therefrom, and surfaces of the semiconductor elements are mutually connected by means of their electrodes (upper electrode 6 or lower electrode 3).例文帳に追加

層間絶縁膜２内にｎ^-型ポリシリコン層４およびｎ^+型ポリシリコン層５から成る少なくとも１つの半導体素子が電気的に絶縁されて形成されるとともに、各半導体素子のそれぞれの表面が、それぞれ電極（上部電極６または下部電極３）によって相互に接続されている。 - 特許庁

The method to to manufacture a nonvolatile memory 10, the nonvolatile memory 10 has lower electrodes 14, a metal oxide layer 15 having variable resistance property formed on the surface of the lower electrodes 14, and upper electrodes 16 formed on the surface of the metal oxide layer 15.例文帳に追加

本発明の不揮発性メモリの製造方法は、下部電極１４と、下部電極１４の表面に形成された可変抵抗特性を有する金属酸化物の層１５と、金属酸化物の層１５の表面に形成された上部電極１６と、を備えた不揮発性メモリ１０の製造方法である。 - 特許庁

This rail crossing mat 1 is constituted by arranging a sheet-like protective layer on an upper surface of a backing layer 10 integrally joined by using a binder composed of a urethane resin in state of mutually entangled brown algae-like rubber chips 10a, etc., by crushing the used tire in a brown algae shape, for example, as indicated in a drawing 1.例文帳に追加

例えば図１に示すように、古タイヤをひじき状に粉砕してなるひじき状ゴムチップ１０ａ…が互いに絡み合った状態で、ウレタン系樹脂からなるバインダを用いて一体に接合してなる下地層１０の上面に、シート状の保護層を設けてレール横断用マット１を構成する。 - 特許庁

A lower magnetic pole layer 19 and/or of an upper magnetic pole layer 21 are formed by plating them with the NiFe alloy having ≥76% and ≤90% composition ratio of Fe by mass or having ≥130 Å and ≤175 Åaverage grain size and ≥70% and ≤90% composition ratio of Fe by mass.例文帳に追加

下部磁極層１９及び／または上部磁極層２１を、Ｆｅの組成比が７６質量％以上で９０質量％以下、あるいは平均結晶粒径が１３０Å以上で１７５Å以下で且つＦｅの組成比が７０質量％以上で９０質量％以下のＮｉＦｅ合金でメッキ形成する。 - 特許庁

Corrosion-proof close-contact type dummy patterns 511 to 531 for assuring close contact of the embedded layer dummy patterns 611 to 631 to the total range to the interlayer insulation film 43 of the upper most layer from the semiconductor substrate 2 in the connection hole dummy patterns 4101 to 4301 are formed in the interlayer insulation film isolating band 12 as the barrier with respect to moisture.例文帳に追加

層間絶縁膜分離帯１２に、半導体基板２から最上層の層間絶縁膜４３に到る全範囲に、埋め込み層ダミーパターン６１１〜６３１を接続孔ダミーパターン４１０１〜４３０１内に密着せしめる耐蝕性の密着層ダミーパターン５１１〜５３１を形成し、水分に対するバリアとする。 - 特許庁

The hermetic structure is constituted by forming a stripping material layer at least on the upper inner peripheral surface of the container, mounting the moisture cutoff sheet having an outer dimension formed to be slightly smaller than a cross-sectional form of the container on the surface of the moisture setting composition, and hardening the composition placed between the periphery of the sheet and the stripping material layer.例文帳に追加

容器の少なくとも上部内周面上に剥離材層を形成し、その外形を容器の横断面形状よりわずかに小さく形成した湿気遮断シートを湿気硬化型組成物の表面に載置し、シートの周縁部と剥離材層の間に臨ませた部分の組成物を硬化させたこと - 特許庁

This invention relates to a reflective base photographic element including a base including a biaxially oriented polymer sheet having a micro void layer whose upper surface has L* of at least 93.5 and an image forming layer whose exposure range is 125 nsec to 0.5 sec when the loss of the shoulder of status A reflection density as the function of cyan recording is ≤8%.例文帳に追加

本発明は、上部表面のＬ^* が少なくとも93.5であるミクロボイド化二軸配向ポリマーシートを含む支持体と、シアン記録の関数としてのステータスＡ反射濃度の肩部の損失が８％以下である場合の露光域が 125ナノ秒〜 0.5秒である像形成層とを含んでなる反射型ベース写真要素に関する。 - 特許庁

The capacitor 11 has such a structure that a lower conductor 21 consisting of an underlying conductor 21a and a conductor 21b, a dielectric film 31 composed of alumina, a resin layer J1 composed of resist, and an upper conductor 25 consisting of an underlying conductor 25a and a conductor 25b are formed on the planarization layer 52 of the substrate 51.例文帳に追加

コンデンサ１１は、基板５１の平坦化層５２上に、下地導体２１ａ及び導体２１ｂからなる下部導体２１、アルミナ等からなる誘電体膜３１、レジスト等からなる樹脂層Ｊ１、並びに、下地導体２５ａ及び導体２５ｂからなる上部導体２５が形成された構造を有している。 - 特許庁

An adhesive is applied on the surface of a lower layer three dimensional panel and an upper layer planar panel( or three dimensional panel) is closely laminated while mutually sifting them in the right and left directions and the forward and rearward directions of the three dimensional panels and the plurality of laminated sheets are repeated to form a specified size of face plate.例文帳に追加

下層の立体パネル表面に接着剤を塗布し、該立体パネルの前後、左右方向に各々ずらして上層の平板パネル（又は立体パネル）を密着積層し、それら複数枚の積層を繰り返すことにより所定の大きさの面体を形成してなることを特徴とするパネルの重ね構造。 - 特許庁

A semiconductor device is formed in a wafer 11, and after forming a multilayer film 15 including an insulating film 16 low in dielectric constant in an upper layer of the wafer, a metallization layer functioning as at least one side between a positioning mark 13 and test pads of 14-1, 14-2 is formed on a dicing line 12 in the above-mentioned multilayer film.例文帳に追加

ウェーハ１１中に半導体素子を形成し、このウェーハの上層に比誘電率が低い絶縁膜１６を含む多層膜１５を形成した後、上記多層膜におけるダイシングライン１２上に位置合わせマーク１３及びテストパッド１４−１，１４−２の少なくとも一方として働く金属層を形成する。 - 特許庁

A gap, provided between fixed electrodes Dx+, Dx-, Dy+, Dy-, Dz+ formed on the upper face of a board 1 and an electrode D formed on the lower flat face of a movable electrode 2, is formed by the thickness of soldering layers H1, H2 formed on the board 1, a conductive elastomer layer or a conductive adhesive material layer.例文帳に追加

基板１上面に形成された固定電極Ｄｘ＋，Ｄｘ−，Ｄｙ＋，Ｄｙ−，Ｄｚ＋と、可動電極板２の下平面に形成された電極Ｄとの間に設けられるギャップを、基板１上に形成した半田層H1, H2、導電性エラストマー層又は導電性接着材層の厚みにより形成している。 - 特許庁

The light emitting element package includes: a package body including a cavity disposed at an upper portion; an insulating layer disposed on a surface of the package body; a plurality of metal layers disposed on the insulating layer; a light emitting element disposed in the cavity; and a first metal plate disposed on the undersurface of the package body corresponding to the light emitting element.例文帳に追加

本発明に従う発光素子パッケージは、上部にキャビティーを含むパッケージ本体と、上記パッケージ本体の表面に絶縁層と、上記絶縁層の上に複数の金属層と、上記キャビティーに発光素子と、上記発光素子に対応する上記パッケージ本体の下面に第１金属プレートと、を含む。 - 特許庁

The inkjet recording medium for the proof-printing operation is made by coating with an anchor layer formed from a coating composition including a polyvinylalcohol and an absorptivity inorganic pigment of polymerization degrees of 1,500 or more on a support, an underlayer formed of an absorptivity inorganic pigment, a latex, and a boric acid or its salt, and an upper layer formed of a submicron pigment, and a polyvinylalcohol.例文帳に追加

支持体上に重合度１５００以上のポリビニルアルコールと吸水性無機顔料を含む塗工組成物から形成されてなるアンカー層と、吸水性無機顔料、ラテックス、ホウ酸またはその塩からなる下層と、サブミクロン顔料、ポリビニルアルコールからなる上層を塗工されてなる校正用インクジェット記録媒体。 - 特許庁

In insulating films a1 to a10, no conductor pattern is formed in upper and lower outer-most layers a1, a10 but conductor patterns (b) are formed from inside insulating film layer a2 to insulating film layer a9, respectively, and they are defined as capacitance elements and inductance elements and connected mutually to provide a configuration of a low-pass filter.例文帳に追加

絶縁膜ａ１からａ１０において、上下の最外層ａ１，ａ１０には導体パターンを形成しないが、内側の絶縁膜層ａ２から絶縁膜層ａ９にはそれぞれ導体パターンｂを形成し、それらは容量素子および誘導素子とし、相互の接続によりローパスフィルタの構成にする。 - 特許庁

In a seal material 30, a flexible material layer 32 formed of an elastic material more flexible than that of a seal body 31 is integrated with a seal part 31A of a seal material body 31 formed of an elastic material such as rubber or plastics of a predetermined hardness, and an upper face of the flexible material layer 32 is constituted as a seal face 33.例文帳に追加

シール材３０は、所定硬度のゴム又はプラスチック等の弾性素材によって形成されたシール材本体３１のシール部３１Ａに、シール本体３１より柔軟な弾性素材によって形成された柔軟材層３２が一体に設けられ、その柔軟材層３２の上面をシール面３３として構成されている。 - 特許庁

On a transparent substrate 1, there is provided an underfill 6 comprising the laminate of a lower-side bonding layer 2 made of a thermosetting resin and an upper-side bonding layer 5 made of an anisotropic conductive boding material having a thermohardening resin, to dispose a semiconductor chip 4 on the underfill 6 and to thermocompressvely bond the chip 4 to the substrate 1 by a pressing heater 7.例文帳に追加

透明基板１上に、熱可塑性樹脂の下側接着層２と熱硬化性樹脂を有する異方導電性接着材からなる上側接着層５とを積層してなるアンダーフィル６を設け、このアンダーフィル６上に半導体チップ４を配置して加圧ヒータ７で熱圧着する。 - 特許庁

A hierarchical wavelet transform coefficient 3 is referenced from the designated image size 2 and a hierarchical number (i) is obtained to satisfy a directly upper layer (i+1) closest or equal to a designated expanded image size in terms of an inner size and a directly lower layer (i) closest to the designated expanded image size greater than the expanded image size or equal thereto.例文帳に追加

指定された画像サイズ２から階層型ウェーブレット変換係数３を参照し、指定された伸長画像サイズに内端で最も近いかまたは等しい直上階層（ｉ＋１）、および、指定された伸長画像サイズを上回り、最も近いかまたは等しい直下階層（ｉ）を満たす階層番号ｉを求める。 - 特許庁

After a source/drain electrode pattern is formed of the similar catalyst 2 at a part for forming a source/drain electrode 3B on an insulating layer 4 formed on the upper surface of the gate electrode 3A, similar plating agent is touched to the source/drain electrode pattern on the insulating layer 4 thus forming the source/drain electrode 3B.例文帳に追加

そして、このゲート電極３Ａの上面に形成した絶縁層４上のソース／ドレイン電極３Ｂを形成する部分に、同様の触媒２でソース／ドレイン電極パターンを形成した後、同様のメッキ剤を絶縁層４上のソース／ドレイン電極パターンに接触させてソース／ドレイン電極３Ｂを形成する。 - 特許庁

On one substrate 1, a plurality of pixel electrodes 5 distributed on the upper layer, a plurality of switching elements TFT distributed on the lower layer via intermediate insulating layers 6a, 6b, and contact parts 7 for electrically connecting each pixel electrode 5 and each switching element TFT through the insulating layers 6a, 6b are formed.例文帳に追加

一方の基板１には、上層に配された複数の画素電極５と、中間の絶縁層６ａ，６ｂを介して下層に配された複数のスイッチング素子ＴＦＴと、絶縁層６ａ，６ｂを通して各画素電極５と各スイッチング素子ＴＦＴを互いに電気接続するコンタクト部７とが形成されている。 - 特許庁

This LED element is characterized in that the LED chip is jointed by a Au-Sn alloy layer formed directly on the upper surface of the heat radiation member, and the Au-Sn alloy layer has a concentration distribution wherein the concentration of the Au constituent is reduced toward the heat radiation member in the thickness direction.例文帳に追加

ＬＥＤ素子は、放熱部材の上面に直接形成されたＡｕＳｎ合金層によって当該ＬＥＤチップが接合されてなり、当該ＡｕＳｎ合金層が厚さ方向において放熱部材に向かうに従ってＡｕ成分の濃度が小さくなる濃度分布を有することを特徴とする。 - 特許庁

A plane coil is pinched between a lower ferrite magnetic layer that is formed by baking a mixture of ferrite magnetic powder and a resin binder and an upper ferrite magnetic layer formed of a ferrite sintered plate, and gaps among coil wires of the plane coil are filled with a ferrite magnetic resin as a mixture of the ferrite magnetic powder and resin binder.例文帳に追加

フェライト磁性粉と樹脂バインダとの混合物を焼成して得た下部フェライト磁性層とフェライト焼結板からなる上部フェライト磁性層との間に、平面コイルを挟み、該平面コイルのコイル線間の空隙に、フェライト磁性粉と樹脂バインダとの混合物であるフェライト磁性樹脂を充填する。 - 特許庁

Thereafter, a second doped polysilicon film 28a and a second tungsten silicide film 28b are sequentially formed on the surface of a contact hole and the interlayer insulating film, and the second tungsten silicide film 28b and the second doped polysilicon film are patterned into an upper conductive layer pattern which comes into contact with the lower conductive layer pattern.例文帳に追加

その後、熱処理したコンタクト孔表面及び前記層間絶縁膜上に第２のドープしたポリシリコン膜２８ａと第２のタングステンシリサイド膜２８ｂを順次形成し、第２のタングステンシリサイド膜と第２のドープしたポリシリコン膜をパターニングし、下部導電層パターンとコンタクトする上部導電層パターンを形成する。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor substrate includes a process for forming a porous silicon layer 12 on an upper surface of a silicon substrate 11, and a process for supplying a mixed gas of hydrogen gas and hydrocarbon-based gas or a hydrocarbon-based gas, crystallizing and carbonizing the surface of the porous silicon layer 12, and forming a silicon carbide film 13.例文帳に追加

シリコン基板１１の上面に多孔質な多孔質シリコン層１２を形成する工程と、水素ガス及び炭化水素系ガスの混合ガスまたは炭化水素系ガスを供給し、多孔質シリコン層１２の表面を結晶化及び炭化して炭化珪素膜１３を形成する工程と、を備える。 - 特許庁

To achieve stable power generation by using thermocouple generators by obtaining heat energy sources on a road, on the rooftop of a building, on an open field, in the upper layer of the underground, and in the deep layer of the underground and by using unused heat energy without causing the discharge of a carbon dioxide.例文帳に追加

地表と地中が有する熱エネルギーの温度差から熱電対発電機で発電する装置に関し、路面、構築物の屋上面、露地面、地中上層部、地中深層部に熱エネルギー源を求め、未利用熱エネルギーを使い二酸化炭素の排出をせず熱電対発電機にて安定した発電を目的とする。 - 特許庁

A wire connected to the gate of a MOS transistor for composing a signal read-out circuit is set to be the wiring 41 on the lower layer in the wires connected to the signal read-out circuit attached to and formed at each photoelectric conversion circuit, and the wiring connected to the source or drain of the MOS transistor is set to be the wiring 42 on the upper layer.例文帳に追加

各光電変換素子に付設形成された信号読出回路に接続される前記配線のうち信号読出回路を構成するＭＯＳトランジスタのゲートに接続される配線を下層の配線４１とし、ＭＯＳトランジスタのソースまたはドレインに接続される配線を上層の配線４２とする。 - 特許庁

The second conductive layer 170 is formed to surround a central part of the upper surface 132 of the columnar part 130 by bypassing a second opening part 172 which opens to an outer direction from the central part, and formed to overlap more than half of a planar area of the first conductive layer 160 over the columnar part 130.例文帳に追加

第２の導電層１７０は、柱状部１３０の上面１３２の中央部から外方向に開口する第２の開口部１７２を避けて該中央部を囲むように形成され、かつ柱状部１３０の上方において第１の導電層１６０の平面面積の半分以上とオーバーラップして形成されている。 - 特許庁

In the organic solid storage apparatus having a solid storage tank receiving wastewater containing an organic solid and removing the solid by sedimention separation to allow treated water to flow out, the lower layer part of the solid storage tank is set to a solid storage part and the upper layer part thereof is set to an aerobic biological treatment part.例文帳に追加

有機性固形物を含む排水が流入し、固形物を沈殿分離により除去して処理水を流出する固形物貯留槽において、該固形物貯留槽の下層部分を固形物貯留部とし、上層部分を好気性生物処理部としたことを特徴とする有機性固形物の貯留装置。 - 特許庁

The thickness of this decorative layer 16 gradually becomes larger from the boundary B of the surface side formed by the artificial marble 11 and the decorative layer 16 toward the upper site C in the figure 1 and see-through clarity to the artificial marble 11 is gradually decreased thereby toward the site C.例文帳に追加

この加飾層１６の厚みは、人造大理石１１と加飾層１６とによって形成される表面側の境界Ｂから図１中上方の部位Ｃに向かって次第に大きくなっており、これによって、人造大理石１１への透視鮮明度が境界Ｂから部位Ｃに向かって徐々に低下することとなる。 - 特許庁

Gas forming members 21, 22 house an MEA 15 in the inside of framework-like frames 13, 14, and the first and second gas passage forming members 21, 22 are interposed between an anode layer 17 and a cathode layer 18 of the MEA 15 and first and second separators 23, 24 joined to the upper and lower surfaces of the frames 13, 14.例文帳に追加

枠状のフレーム１３，１４の内部にＭＥＡ１５を収容し、該ＭＥＡ１５のアノード電極層１７及びカソード電極層１８と、前記フレーム１３，１４の上下両面に接合固定された第１，第２セパレータ２３，２４との間に第１，第２ガス流路形成部材２１，２２を介在する。 - 特許庁

A second contact hole 42a passing through a second interlayer dielectric 42 and a third interlayer dielectric 43 is formed at a position off the upper layer side light reflecting film 7a, and a reflecting film pattern 5c comprising the lower layer side light reflecting film is formed at a position overlapped with the second contact hole 42a in the plane view.例文帳に追加

第２層間絶縁膜４２および第３層間絶縁膜４３を貫通する第２コンタクトホール４２ａは、上層側光反射膜７ａからずれた位置に形成され、第２コンタクトホール４２ａに対して平面視で重なる位置には下層側光反射膜からなる反射膜パターン５ｃが形成されている。 - 特許庁