「upper- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(189ページ目) - Weblio英語例文検索

This method comprises a step for preparing a substrate, a step for forming an MSM lower electrode on the substrate, a step for forming a ZnOx semiconductor layer wherein x is within a range of about 1 to about 2 on the MSM lower electrode, and a step for forming an MSM upper electrode on the ZnOx semiconductor layer.例文帳に追加

基板を用意する工程と、基板上にＭＳＭ下部電極を形成する工程と、ＭＳＭ下部電極上に、ｘが約１以上約２以下の範囲内であるＺｎＯｘ半導体層を形成する工程と、ＺｎＯｘ半導体層上にＭＳＭ上部電極を形成する工程とを有している。 - 特許庁

In the chip type resistor built in the substrate, the thickness of the substrate is 70-100μm, the thickness of a surface electrode upper layer film is 10-25μm, the thickness of a surface electrode lower layer film is 7μm or less, and the total thickness of the chip type resistor is 132μm or less.例文帳に追加

本発明の要旨は、基板の厚さを７０μｍ〜１００μｍとし、表電極上層膜の厚さを１０μｍ〜２５μｍにするとともに表電極下層膜の厚さを７μｍ以下とし、チップ形抵抗器の総厚を１３２μｍ以下としたことを特徴とする基板内蔵用チップ形抵抗器にある。 - 特許庁

In the multilayered printed wiring board, wiring fixed to ground or power supply potential is arranged on upper and lower layers of a signal line disposed on the internal layer, and a shield strip line or a through hole or a via hole fixed to ground or power supply potential is arranged on both sides or one side of the same layer as the signal line.例文帳に追加

多層プリント配線板において、内層に配置された信号線の上下の層にグランドもしくは、電源電位に固定した配線を配置し、さらに信号線と同層の両側もしくは、片側にグランドもしくは電源電位に固定された、シールド用ストリップラインもしくは、スルーホールもしくはバイアホールを配置する。 - 特許庁

An as a result, the first end P1 and the second end P2 are extremely planarized, dispersions of the thicknesses of a lower organic layer 14 and the upper organic layer 15 are also extremely reduced, therefore light is efficiently and stably emitted, and unevenness of brightness in an in-plane direction in a light-emitting area is reduced.例文帳に追加

これにより、第１端部Ｐ１および第２端部Ｐ２が極めて平坦となり、かつ、下部有機層１４および上部有機層１５の厚みのばらつきも極めて小さなものとなるので、効率的に、かつ安定して発光が生じ、発光領域における面内方向の輝度むらが低減される。 - 特許庁

The structure comprises at least two layers, that is, the lower layer, which is obtained from a moisture curable composition containing (A) a polyisocyanate compound and (B) a compound dissociated by moisture to generate active hydrogen, and the upper layer comprising (C) a resin with a JIS-A hardness of 70 or more or a resin with a Shore D hardness of 50 or more.例文帳に追加

下層がポリイソシアネート化合物（Ａ）及び湿気で解離して活性水素を発生する化合物（Ｂ）を含有する湿気硬化性組成物から得られるものであり、また上層がＪＩＳ−Ａ硬度７０以上の樹脂又はショアーＤ硬度５０以上の樹脂（Ｃ）である、少なくとも二層からなる構造体。 - 特許庁

To solve problems wherein a structure becomes complicated due to a mechanism for making a guide rail follow relative displacement in the horizontal direction in a base isolation layer and floor area of a building is reduced in an elevator installed in the building provided with a base isolation device in an intermediate part and forming a shaft continuously from an upper story side to a lower story side of a base isolation layer story.例文帳に追加

中間に免震装置を備えた建物に設置され、昇降路を免震層階の上階側から下階側にわたり連続的に形成したエレベータにおいて、免震層での水平方向の相対変位にガイドレールを追従させる機構により構造が複雑になると共に建物の床面積が小さくなる。 - 特許庁

A first inter-layer insulation film 15 is formed on a semiconductor substrate formed with transistors; and lower electrodes 22 electrically connected to the transistors, capacitive insulation films 23, and upper electrodes 24 sequentially formed from the lower side form the capacitive element on the first inter-layer insulation film 15.例文帳に追加

トランジスタが形成された半導体基板の上に、第１の層間絶縁膜１５が形成され、第１の層間絶縁膜１５の上には、トランジスタと電気的に接続され、下から順次形成された下部電極２２と、ＳＢＴＮからなる容量絶縁膜２３と、上部電極２４とによって容量素子が形成されている。 - 特許庁

The semiconductor device including an LDMOSFET comprises a conductive plug extending downward from an upper surface in vicinity of an impurity doped region of a source of the LDMOSFET to vicinity of a silicon substrate through an epitaxy layer with a bottom edge staying in the epitaxy layer, and containing silicon as main composition.例文帳に追加

本願発明は、ＬＤＭＯＳＦＥＴを含む半導体装置であって、ＬＤＭＯＳＦＥＴのソース不純物ドープ領域の近傍の上面から下方に向けてエピタキシ層内をシリコン基板の近傍まで延び、前記エピタキシ層内にその下端があるシリコンを主要な成分とする導電プラグを有する。 - 特許庁

In other words, the semiconductor capacitive element includes a lower electrode formed by laminating a plurality of predetermined electrode materials, a side wall formed on the side wall of one part of the lower electrode, a dielectric layer formed on the lower electrode and an upper electrode formed on the dielectric layer.例文帳に追加

すなわち、本発明に係る半導体容量素子は、所定の電極材料を複数積層して形成される下部電極と；前記下部電極の一部の側壁に形成されるサイドウォールと；前記下部電極上に形成される誘電体層と；前記誘電体層上に形成される上部電極とを備えている。 - 特許庁

At least one semiconductor element having an n- polysilicon layer 4 and an n+ type polysilicon layer 5 is formed within an interlayer insulating film 2 as electrically insulated therefrom, and surfaces of the semiconductor elements are mutually connected by means of their electrodes (upper electrode 6 or lower electrode 3).例文帳に追加

層間絶縁膜２内にｎ^-型ポリシリコン層４およびｎ^+型ポリシリコン層５から成る少なくとも１つの半導体素子が電気的に絶縁されて形成されるとともに、各半導体素子のそれぞれの表面が、それぞれ電極（上部電極６または下部電極３）によって相互に接続されている。 - 特許庁

The method to to manufacture a nonvolatile memory 10, the nonvolatile memory 10 has lower electrodes 14, a metal oxide layer 15 having variable resistance property formed on the surface of the lower electrodes 14, and upper electrodes 16 formed on the surface of the metal oxide layer 15.例文帳に追加

本発明の不揮発性メモリの製造方法は、下部電極１４と、下部電極１４の表面に形成された可変抵抗特性を有する金属酸化物の層１５と、金属酸化物の層１５の表面に形成された上部電極１６と、を備えた不揮発性メモリ１０の製造方法である。 - 特許庁

To restrain filling failures when a lower blind through-hole is filled up with an upper resin layer in a so-called build-up technique where an insulating resin layer of permanent resin and a circuit pattern are successively formed on the surface of a circuit board.例文帳に追加

回路基板の表面上に永久レジストからなる絶縁樹脂層及び回路パターンを逐次的形成するいわゆるビルドアップ工法において、下層の非貫通式スルーホールを上層の樹脂層にて充填する際の充填不良の発生を抑制することができる配線板の製造方法を提供する。 - 特許庁

A design condition of at least one of the upper layer insulation film 7 and the overlaying metal film 8 is adjusted based on the measured thickness of the lower layer insulation film 4 such that a total value of electrostatic capacitance of the first MIM capacitor and electrostatic capacitance of the second MIM capacitor approximates intended electrostatic capacitance.例文帳に追加

第１のＭＩＭキャパシタの静電容量と第２のＭＩＭキャパシタの静電容量の合計値が所望の静電容量に近づくように、測定した下層絶縁膜４の厚みに基づいて、上層絶縁膜７及び上地金属膜８の少なくとも一方の設計条件を調整する。 - 特許庁

A thick film circuit component comprises: an insulated substrate 11; and thick film electrode wiring 12 disposed on the substrate, and the thick film electrode wiring 12 includes a bonding connection of an aluminum wire overlapping an Ag-Pt thick film 12a disposed in a lower layer, and an Ag-Pd thick film 12b disposed in an upper layer.例文帳に追加

絶縁性基板１１と、該基板上に配置された厚膜電極配線１２とを備えた厚膜回路部品であって、前記厚膜電極配線１２は、下層に配置されたＡｇ−Ｐｔ系厚膜１２ａと上層に配置されたＡｇ−Ｐｄ系厚膜１２ｂとを重ねた、アルミワイヤのボンディング接続部を含むものである。 - 特許庁

A first conductivity silicon region 1, a porous silicon layer 2 formed as an embedded layer inside the silicon region 1, and second conductivity source region 3a and drain region 4a which are different from the first conductivity and formed selectively in the upper surface of the silicon region 1, are provided.例文帳に追加

半導体装置は、第１導電型のシリコン領域１と、シリコン領域１の内部に埋め込み層として形成されたポーラスシリコン層２と、シリコン領域１の上面内に選択的に形成された、上記第１導電型とは異なる第２導電型のソース領域３ａ及びドレイン領域４ａとを備えている。 - 特許庁

In an execution method repairing the existing road surface A1 such as a concrete pavement surface or a tile pavement surface A, permeable panels 1 previously integrally provided with pedestals 3 having the permeable block 2 of the upper layer and the drain means of the lower layer or/and a storing space 4 are laid.例文帳に追加

コンクリート舗装面あるいはタイル舗装面Ａ等の既存の路面Ａ１を改修する施工方法において、路面Ａ１上に、上層の透水性ブロック２と下層の排水手段および／または貯留空間４を有する基台３とを予め一体的に設けた透水性パネル１を敷き並べること。 - 特許庁

The electronic component package includes a core substrate 30 of the structure that a recess 31 is provided by forming a prepreg insulating layer 10 having an opening on a resin layer 20a, and an electronic component 40 mounted so that the connecting pad 40a of the electronic part 40 becomes the upper side at the bottom of the recess 31 of the core substrate 30.例文帳に追加

樹脂層２０ａ上に、開口部を備えたプリプレグ絶縁層１０が形成されることによって凹部３１が設けられた構造のコア基板３０と、コア基板３０の凹部３１の底部に、電子部品４０の接続パッド４０ａが上側になって実装された電子部品４０とを含む。 - 特許庁

When plural photosensitive material layers 11, 12 each having a desired pattern are periodically laminated to obtain a laminated structure, the under surface of the upper layer side one of photosensitive material layers adjacent to each other in the laminating direction is formed apart from the substrate in the gaps in the pattern of the lower layer side one.例文帳に追加

所望のパターンを有する複数の感光材料層１１、１２が周期的に積層された積層構造体であって、積層方向で互いに隣接する感光材料層の下層側の感光材料層のパターン間において上層側の感光材料層の下面が下地から離間して形成されている。 - 特許庁

The average particle diameter of the dispersed phosphorescent particles is preferably 100-300 μm, and the dispersed phosphorescent particles can be produced by scattering a mixed glaze powder containing 0.5-5% phosphorescent material from a sieve on the upper surface of the lower glaze layer by dry process and forming a baked glaze layer.例文帳に追加

本発明において、点在する蓄光粒子の平均粒子径は、100〜300μmで有るのがよく、このような点在する蓄光粒子は、乾式法により前記下釉層の上面に質量%で蓄光材料を0.5〜5%含有する釉薬混合粉をふるい掛けして琺瑯焼成層を形成させることによって作製することができる。 - 特許庁

Next, one part of the conductive foil layer 43 is thermally transferred through the thermosetting adhesive agent layer 44 onto the sheet 12 by locally pressing and heating the film material 21 with an abnormality sensing circuit pattern forming part 34a of a first metal die 34 while pressing the upper surface of the film material 21 with the first metal die 34.例文帳に追加

次に第１の金型３４によりフィルム素材２１の上面を押圧し、第１の金型３４の異常感知回路様パターン成形部３４ａによりフィルム素材２１を局部的に押圧加熱し、導電箔層４３の一部を熱硬化性の接着剤層４４を介してシート１２に熱転写する。 - 特許庁

This magnetic head having such a structure that a recording gap 16 is held between a low layer core 11 and an upper layer core 18 constituted of a tip recording core 18 corresponded to the specified recording width and a back yoke 19, is furnished with an auxiliary magnetic pole 20 between the tip recording core 18 and the back yoke 19.例文帳に追加

本発明は、記録ギャップ１６を下層コア１１と所定の記録幅に対応した先端記録コア１８およびバックヨーク１９で構成される上層コアとで挟持した構造を備える磁気ヘッドにおいて、上層コアの先端記録コア１８とバックヨーク１９との間に補助磁極２０を備えるものである。 - 特許庁

An adhesive is coated to the surface of the flat board panel at the lower layer, the flat board panels in the upper layer are densely adhered and laminated by shifting back and forth and right and left directions of the flat board panel, and forming a predetermined size of a face body by repeating pluralities of sheets of lamination as the feature of the overlapped flat board panels.例文帳に追加

下層の平板パネル表面に接着剤を塗布し、該平板パネルの前後、左右方向に各々ずらして上層の平板パネルを密着積層し、それら複数枚の積層を繰り返すことにより所定の大きさの面体を形成してなることを特徴とする平板パネルの重ね構造。 - 特許庁

Since the end part of the insulating coat layer 4 is covered and overlapped by the anisotropic conductive adhesive layer 5 from the upper outer side and adhesion and connection are performed using a portion including this part, probability of a crack or a severance of wire occurring in the conductive pattern 3 is reduced even when stress such as bending is applied.例文帳に追加

絶縁性皮膜層４の端部を異方導電性接着剤層５で上方外側から被覆してこれらを重ね合わせ形成し、この部分を含む箇所を用いて接着・接続するので、折り曲げ等の応力が作用しても、導電パターン３にクラックや断線の発生する確率が低くなる。 - 特許庁

The technical idea lies in a configuration in which respective film thicknesses of silicon nitride films SN1 to SN3 to be formed by lamination are not a fixed value but become smaller in order from the silicon nitride film SN3 in the upper layer to the silicon nitride film SN1 in the lower layer while the total film thickness thereof is kept constant.例文帳に追加

本発明の技術的思想は、積層形成される窒化シリコン膜ＳＮ１〜ＳＮ３のそれぞれの膜厚を一定値ではなく、トータルの総膜厚を一定に保ちながら、上層の窒化シリコン膜ＳＮ３から下層の窒化シリコン膜ＳＮ１にしたがって膜厚を薄くするように構成している点にある。 - 特許庁

To provide a method for substrate treatment which obtains successful connection between lower layer Cu wiring and upper layer Cu wiring in a damascene method by simultaneously carrying out reduction treatment to an oxidized Cu exposure surface and degassing an SOD film by the same process in spite of reducing wiring resistance by using the SOD film.例文帳に追加

本実施形態の基板処理方法によれば、ＳＯＤ膜を用いて配線抵抗の低減化を図るも、酸化したＣｕ露出表面の還元処理及び当該ＳＯＤ膜の脱ガスを同一工程で同時に実行し、ダマシン法における下層Ｃｕ配線と上層Ｃｕ配線との間の良好な接続を実現する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor substrate capable of planarizing the surface of the semiconductor substrate, where uniformity in the coating thickness of the semiconductor layer of an upper layer is maintained highly, when manufacturing the semiconductor substrate having a DSB structure, and capable of efficiently removing an oxide film on the interface between two wafers by the same heat treatment.例文帳に追加

ＤＳＢ構造を有する半導体基板を製造する場合に、上層の半導体層の膜厚均一性を高く保持した半導体基板表面平坦化と、２枚のウェーハの界面の酸化膜除去を同一の熱処理で効率よく行うことを可能にする半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The stacked common mode choke coil comprises a coil formation layer 20 where a first coil 21 and a second coil 22 are formed by bifilar winding on the circumferential surface of a magnetic body in the lateral winding direction orthogonal to the thickness t of the magnetic body, and insulator layers 12 formed on the upper and lower surfaces of the coil formation layer 20.例文帳に追加

磁性体の周面に形成された第１コイル２１及び第２コイル２２が磁性体の厚さｔと直交する横巻方向のバイファイラー巻きに形成されているコイル形成層２０と、該コイル形成層２０の上下両面にそれぞれ形成された絶縁体層１２とを備えている。 - 特許庁

Consequently, the focusing position of the first laser light in the reproduction can be at the position shifting by the certain quantity toward an upper layer side from the focusing position of the laser light when the mark at the layer position to be reproduced is recorded, and consequently defocusing (ΔF) in the reproduction is suppressed to effectively suppress the decrease in SNR.例文帳に追加

これにより再生時における第１のレーザ光の合焦位置は、再生対象とする層位置のマークを記録したときのレーザ光の合焦位置から上層側に一定量ずれた位置となるようにすることができ、再生時のデフォーカス（ΔＦ）の抑制が図られ、ＳＮＲの低下を効果的に抑制できる。 - 特許庁

A conductive part 25A for inspection of the common electrodes is formed on the lower layer side of the insulating film and electrically connected to all the common electrodes 9 of odd numbers, while a conductive part 25B for inspection of the common electrodes is formed on the upper layer side of the insulating film 10 and electrically connected to all the common electrodes 9 of even numbers.例文帳に追加

また、絶縁膜の下層側に全ての奇数本目のコモン電極９と電気的に接続されたコモン電極検査用導電部２５Ａが形成され、絶縁膜１０の上層側に全ての偶数本目のコモン電極９と電気的に接続されたコモン電極検査用導電部２５Ｂが形成されている。 - 特許庁

To provide a liquid-liquid separation method which can perform the separation of an upper layer and an under layer with a high accuracy, can improve the qualities, such as those about color tone and impurities, of an obtained product, and can quickly perform the separation, improving productivity; and a (meth)acrylate production method using the separation method.例文帳に追加

上層と下層との分離を精度良く行うことができ、得られる製品の色調や不純物などについての品質を向上させることができると共に、分離を速やかに行うことができて生産性を向上させることができる液・液分離方法及び（メタ）アクリレートの製造方法を提供する。 - 特許庁

Bit lines 40, 41 of I/O lines of the data connected to a drain of the switching transistor are formed in a hierarchical structure formed of a metal wiring layer different from adjacent bit lines, and a shielding bit line 49 is provided in a vacant region of an upper layer side from the bit line formed in the hierarchical structure.例文帳に追加

前記スイッチングトランジスタのドレインと接続されたデータの入出力線であるビット線４０、４１が、隣り合うビット線と異なる金属配線層で構成された階層構造で形成されており、前記階層構造で形成されたビット線よりも上層側の空き領域に、シールドビット線４９が設けられている。 - 特許庁

The light source device 1 is provided with a mounting board 2 having a plate-shaped first metal layer 23 mounted on its upper surface and composed of a metal material and at least one light emitting device 4 which is mounted so as to contact the first metal layer 23 of the mounting board 2 and has a light emitting element.例文帳に追加

光源装置１は、板状をなし、その上面側に形成され、金属材料で構成された第１の金属層２３を有する搭載基板２と、搭載基板２の第１の金属層２３と接触するように搭載され、発光素子を有する少なくとも１つの発光装置４とを備えている。 - 特許庁

In this case, since a second resistor layer 3b is formed in a wide range from the upper part of a first resistor layer 3a toward the base end side of the contact part 2, the resistor 3 gradually reduced in thickness from the tip side of the contact part 2 toward the base end side thereof can be easily formed.例文帳に追加

この場合、第１の抵抗体層３ａの上から接触部２の基端側に向かって広い範囲に第２の抵抗体層３ｂを形成するようにしたので、接触部２の先端側から基端側に向かって徐々に厚さの小さくなる抵抗体３を容易に形成することができる。 - 特許庁

A soft magnetic metal glass layer 44, disposed on an upper surface of a substrate 110, maintains a structure similar to an amorphous structure without crystallization even when being heated and then gradually cooled in thermal imprinting, and as a result, a pattern is formed on the soft magnetic metal glass layer 44 with thermal imprinting without thermally influencing it.例文帳に追加

基板１１０上面に設けられた軟磁性金属ガラス層４４は、熱式インプリントの際に加熱されかつ徐冷されても、結晶化することなくアモルファスと同様の構造を維持するので、熱的な影響を与えることなく軟磁性金属ガラス層４４に熱インプリントでパターンを形成することができる。 - 特許庁

Transmission lines 3, 3 for drawing out the input and output signal of the semiconductor element 5 and an uncovered upper face ground metal pattern 4 isolated from the transmission lines 3, 3 and for covering the substantially whole face of the surface of the lower dielectric layer board 6 are provided on the surface of the lower dielectric layer board 6.例文帳に追加

下部誘電体層基板６の表面には、半導体素子５の入力及び出力信号を引き出すための伝送線路３・３と、伝送線路３・３とは絶縁されかつ下部誘電体層基板６の表面の略全面を覆う被覆されない上面グランドメタルパターン４とが設けられる。 - 特許庁

The method comprises the steps of forming an insulation spacer on a conductive layer pattern and a sidewall of the conductive layer pattern by a predetermined pattern through an ordinary step, removing an insulation film spacer formed on a region other than a region where a contact plug is to be formed, and entirely forming an interlayer insulation film on an upper part.例文帳に追加

通常の工程を経て所定のパターンで導電層パターン及び導電層パターンの側壁に絶縁膜素ぺーサを形成する段階と、コンタクトプラグが形成される領域以外の領域に形成された絶縁膜スペーサを除去する段階と、全体上部に層間絶縁膜を形成する段階とを含んでなる。 - 特許庁

A porous rigid base 30 is placed on a supporting face 10 of a base side molding tool 11, and a molten resin laminated sheet 31 m formed of an intermediate molten resin layer 32 m in which a foaming agent is kneaded and a surface molten resin layer 33 m laminated together is so fed as to coat a base side molding tool and the upper face of the base.例文帳に追加

剛性のある多孔性の基材３０を基材側成形型１０の支持面１１上に載置し、発泡剤が混練された中間溶融樹脂層３２ｍと表面溶融樹脂層３３ｍを重ねた溶融樹脂積層シート３１ｍを基材側成形型と基材の上面を覆うように供給する。 - 特許庁

This arch support for tunnel cultivation 1 forms a skeleton of a house for tunnel cultivation; wherein a plastic covering layer 4 is formed on a metal pipe 2, beltlike or dotted-chained knots 5 are formed on the surface of the covering layer 4 except for the upper part 1a of the support which forms the ceiling of the tunnel cultivation house.例文帳に追加

トンネル栽培用ハウスの骨格を構成し、金属管２に合成樹脂からなる被覆層４を形成したアーチ状のトンネル栽培用支柱１であって、トンネル栽培用ハウスの天井部を構成する支柱の上部１ａを除き、帯状又は点鎖状の節５を被覆層４の表面に形成する。 - 特許庁

The optical disk is manufactured by the method of locating two viscous sheets 4 and 6 to cover a center hole 3 on the substrate 1 of the optical disk, its peripheral portion, and the outer peripheral portion of the substrate 1 of the optical disk, respectively, afterwards, forming the light transmissible protecting layer on its upper layer and removing the viscous sheets 4 and 6.例文帳に追加

上記光ディスクは、２つの粘着性シート４・６を、それぞれ光ディスク基板１の中心孔３およびその周辺部と、光ディスク基板１の外周部分とを覆うように配置した後、その上層に光透過保護層を形成し、上記粘着性シート４・６を除去するという方法によって製造される。 - 特許庁

In this liquid chromatograph equipped with a column for holding a filling material, and a sample preparation means for preparing the sample to be introduced into the column, the sample preparation means is constituted so that the sample for preparation is collected from an upper layer part of a layer including many corpuscles in the sample including the corpuscles.例文帳に追加

充填剤を保持したカラムと、カラムに導入する試料を調製するための試料調製手段と、を備えた液体クロマトグラィ装置において、試料調製手段を、血球を含む試料における血球を多く含む層の上層部から調製用試料を採取するように構成した。 - 特許庁

This method further includes a process 830 of sticking a part of the bottom face of the laminated layer to part of the upper face of the insulated substrate, exposing each electrode to at least one micro-channel, and sticking the laminated layer to the insulated substrate so that each conductive trace electrically comes into contact with at least one conductive contact pad.例文帳に追加

その方法は、ラミネート層の底面の一部が絶縁基板の上面の一部に接着され、各電極が少なくとも一つのマイクロチャネルに露出され、各導電性トレースが少なくとも一つの導電性接触パッドに電気的に接触するように、ラミネート層を絶縁基板に接着する過程８３０をさらに含む。 - 特許庁

The image display device is provided with an undercut part 25 in between layers insulation film 14 arranged between an image signal wiring 8 and the scanning signal wiring 9 and the scanning signal wiring 9 is made to be a laminated structure of a lower layer film 92 composed of an aluminum film and an upper layer film 94 composed of aluminum alloy film with aluminum as a main component.例文帳に追加

映像信号配線８と走査信号配線９間に配置された層間絶縁膜１４にアンダーカット部２５を設けると共に、前記走査信号配線９をアルミニウム膜からなる下層膜９２と、アルミニウムを主成分とするアルミニウム合金膜からなる上層膜９４の積層構造とした。 - 特許庁

When a CF substrate 10 is regenerated, the organic material structures, namely, the alignment layer 7, a columnar spacer 5 and the protrusion structure 6 existing in an upper layer of an ITO transparent electrode 4 to be the inorganic material film are polished and removed by using an abrasive containing cerium oxide and by wet polishing using water.例文帳に追加

ＣＦ基板１０を再生するにあたり、無機材料膜であるＩＴＯ透明電極４より上層に存する有機材料構造物、即ち配向膜７、柱状スペーサ５及び突起構造物６を、酸化セリウムを含有する研磨剤及び水を用いた湿式研磨によって研磨除去する。 - 特許庁

An image formation material comprises a lower layer containing a polymer which has a carboxylic group in a side chain and at least a part of which forms a salt structure together with a univalent basic compound, and an infrared absorbent; and an upper layer of which solubility in alkali aqueous solution is increased by heating; which are sequentially arranged on a substrate.例文帳に追加

支持体上に、カルボン酸基を側鎖に有し、該カルボン酸基の少なくとも一部が一価の塩基性化合物と塩構造を形成しているポリマー及び赤外線吸収剤を含む下層と、熱によりアルカリ水溶液への溶解性が向上する上層とを、順次備える画像形成材料。 - 特許庁

To provide a method for slitting laser melting thermal transfer recording media each having at least a photothermal conversion layer and an ink layer on a support which is carried out with the use of an upper edge and a lower edge without using a cover sheet and without separating a film of an application face thereby suppressing generation of dust.例文帳に追加

支持体上に少なくとも光熱変換層とインク層とを有するレーザー溶融熱転写記録媒体を上刃と下刃を用いて行うスリッティング方法において、カバーシートを使用することなしに、塗布面の膜剥がれを生じさせることなく、ゴミの発生を抑えたスリッティング方法の提供。 - 特許庁