「upper- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(191ページ目) - Weblio英語例文検索

A wafer has a plurality of substantially same semiconductor dies separated by scribing lines; and a layer of silicon nitride 22 with a top face substantially in parallel with a wafer plane is formed on the wafer plane, and the layer of silicon dioxide 28 having different heights in the upper section of the top face is deposited on the top face.例文帳に追加

ウェーハは、スクライブラインで互いに分離された複数の実質的に同一な半導体ダイを有し、ウェーハ平面上に、この平面と実質的に平行な上面を有する窒化シリコン２２の層が形成され、この上面に、上面上方の高さが異なる二酸化シリコン２８の層が堆積される。 - 特許庁

A lower magnetic pole layer 19 and/or an upper magnetic pole layer 21 is formed by plating of NiFe alloy composed of 76 to 90 mass% Fe in the composition ratio or NiFe alloy which is 130 to 175 Å in average crystal grain diameter and composed of 70 to 90 mass% Fe in the composition ratio.例文帳に追加

下部磁極層１９及び／または上部磁極層２１を、Ｆｅの組成比が７６質量％以上で９０質量％以下、あるいは平均結晶粒径が１３０Å以上で１７５Å以下で且つＦｅの組成比が７０質量％以上で９０質量％以下のＮｉＦｅ合金でメッキ形成する。 - 特許庁

A rubbing device by which an alignment layer is aligned by rubbing the upper surface of a substrate for the liquid crystal display device, on which the alignment layer is formed, by using a rubbing cloth attached to the outer peripheral surface of a roller, is characterized in that a surface potentiometer for measuring the surface electric potential of the rotating rubbing cloth is provided.例文帳に追加

ローラの外周面に装着されたラビング用布で、配向膜の形成された液晶表示装置用基板の上面を擦ることにより、該配向膜を配向付けをするラビング装置において、回転する上記ラビング用布の表面電位を測定する表面電位計を設けたことを特徴とするラビング装置。 - 特許庁

To obtain a felt facilitating the insertion of a selvage to a seam part by preventing the distance between yarns of the upper yarn layer and the lower yarn layer forming the loop at the seam part from being narrowed, and preventing a needle-punched web from being dropped by fixing the web to the seam part well.例文帳に追加

シーム部ループを形成する上糸層と下糸層との糸間隔が狭くなるのを防ぎ、また、ループ列の中心高さの波打ちを解消することによって、シーム部への耳糸の挿入を容易とすると共に、シーム部にニードルパンチしたウエブを良好に固定しその脱落を防ぐ事の出来るフエルトを得る。 - 特許庁

At the time of carrying out a reaction layer formation process by thermally press-fitting the both of them, the Au thin film 20 on the upper face of the In film 14 is crushed by the hard Ti film 18, a metallic compound is formed of the Au film 12 and the In film 14, and a reaction layer containing the fraction of the Ti film 18 is formed.例文帳に追加

両者を熱圧着することで反応層形成工程を実施すると、硬いＴｉ膜１８によりＩｎ膜１４の上面のＡｕ薄膜２０が破砕され、Ａｕ膜１２とＩｎ膜１４とが金属化合物を形成し、Ｔｉ膜１８の断片を含んだ反応層を形成する。 - 特許庁

The positive photosensitive lithographic printing plate material has a lower image forming layer containing an alkali-soluble resin, an acid decomposable compound and an acid generator on an aluminum support, and has an upper image forming layer containing an alkali-soluble resin on the lower image forming layer, wherein the lower image forming layer contains a copolymer containing a repeating unit represented by general formula (1) as the alkali-soluble resin.例文帳に追加

アルミニウム支持体上に、アルカリ可溶性樹脂、酸分解性化合物および酸発生剤を含む画像形成層下層を有し、該画像形成層下層上にアルカリ可溶性樹脂を含む画像形成層上層を有するポジ型感光性平版印刷版材料であって、該画像形成層下層が、該アルカリ可溶性樹脂として、下記一般式（１）で示される繰り返し単位を含む共重合体を含有することを特徴とするポジ型感光性平版印刷版材料。 - 特許庁

This optical semiconductor integrated device comprises a mesa stripe 6 including an upper clad layer 5 laminated on the optical waveguide 4 and having side faces insulated by a high resistance embedded layer 7, and first and second electrodes 12a, 12b provided on the upper surface of the mesa stripe 6 via a separating zone 10.例文帳に追加

光導波路４上に積層された上部クラッド層５を含み、その側面が高抵抗の埋込み層７により絶縁されたメサストライプ６と、そのメサストライプ６の上面に分離帯１０を介して設けられた第１及び第２の電極１２ａ、１２ｂとを有する光半導体集積素子において、分離帯１０でのメサストライプ６の最小幅を、第１の電極１２ａ下の最大幅及び第２の電極１２ｂ下の最大幅より狭く構成する。 - 特許庁

At the bonding part C, upper layer part of the plurality of polishing cloths 11 including the upper surface for polishing an object are disposed in proximity to each other or touching each other and are not bonded to each other whereas lower layer part including the lower surface not polishing the object are butt boded through adhesive T.例文帳に追加

前記研摩マット１は複数枚の研摩布１１同士が同一平面に沿って互いに接合されており、前記接合された接合部Ｃにおいて、前記複数枚の研摩布１１は対象物を研摩するための上面を含む上層部が互いに近接ないし接触していると共に接着されておらず、かつ、前記対象物を研摩しない下面を含む下層部においては互いに接着剤Ｔにより突き合わせ接合されていることを特徴とする。 - 特許庁

In the vertical alignment liquid crystal display device including the pixel electrode formed on a lower substrate, the counter electrode formed on an upper electrode and a vertical alignment layer vertically aligning liquid crystal molecules in a liquid crystal layer, the counter electrode is formed vertically overlapping with the pixel electrodes and moved away from the pixel electrodes to the lower substrate or upper substrate in parallel at a fixed interval.例文帳に追加

下部基板に形成された画素電極と、上部基板に形成された対向電極と、液晶層内の液晶分子を垂直配向させる垂直配向膜を含む垂直配向モードの液晶表示装置において、前記対向電極は、前記画素電極と上下に一部重畳するように形成されていて、前記画素電極に対して前記下部基板または上部基板面の方向に一定間隔で平行移動している。 - 特許庁

This belleville spring formed substantially like a circular ring has a a conical upper side 12 placed substantially outward and a conical underside 13 placed substantially inward, wherein an outer annular edge part 14 and an inner annular edge part 15 are positioned between them, and in the unloaded condition, a surface layer 17 of the underside 13 includes inherent compressive stress higher than a surface layer 16 of the upper side 12.例文帳に追加

実質上円形のリング形状の形からなる板ばねは、それらの間に外方環状縁部１４および内方環状縁部１５が位置決めされる実質上外方に円錐の上方側１２および実質上内方に円錐の下方側１３を有し、そのさい負荷されてない状態において、前記下方側１３の表面層１７が前記上方側１２の表面層１６より高い固有の圧縮応力を含んでいる。 - 特許庁

The thin-film solar battery cell 5 is made by forming a lower conductive layer 2, semiconductor layer 3, and upper transparent conductive layer 4 in order on the metal substrate 1.例文帳に追加

金属基板１上に下部導電層２と半導体層３と上部透明導電層４とを順次形成した薄膜太陽電池セル５を複数個直列接続した薄膜太陽電池モジュールを、薄膜太陽電池セル５ごとに金属基板１を分離し、互いに隣接する一方の薄膜太陽電池セル５の上部透明導電層４を他方の薄膜太陽電池セル５の下部導電層２と金属基板１の少なくとも一方に接続した構造とする。 - 特許庁

The resist film 28 patterned and formed on an overcoat layer 12, formed on a thin-film transistor and an upper layer side of a pixel electrode, as a mask for exposing at least a part of a pixel electrode from the overcoat film 12 is removed using a mixed gas of one of COF_2 and F_2 and an oxygen gas, after at least the part of the pixel electrode is exposed from the overcoat layer 12.例文帳に追加

薄膜トランジスタ及び画素電極の上層側に成膜されたオーバーコート膜１２から前記画素電極の少なくとも一部を露出させる際のマスクとして前記オーバーコート層１２上にパターニングして形成されたレジスト膜２８を、前記オーバーコート層１２から前記画素電極の少なくとも一部を露出させた後にＣＯＦ_２またはＦ_２のいずれか一方と酸素ガスとを含む混合ガスを用いて除去する。 - 特許庁

The construction method of a concrete structure comprises a first step of laying an electrode for electric protection on a lower layer-side concrete, a second step of placing a concrete for protection to cover the electrode for electric protection on the lower layer-side concrete, a third step of assembling reinforcements after the concrete for protection is placed, and a fourth step of placing an upper layer-side concrete after the reinforcements are assembled.例文帳に追加

コンクリート構造物の施工方法として、下層側コンクリート上に電気防食用電極を敷設する第１の工程と、前記下層側コンクリート上において前記電気防食用電極を覆うように保護用コンクリートを打設する第２の工程と、前記保護用コンクリートの打設後に鉄筋を組み立てる第３の工程と、前記鉄筋の組み立て後に上層側コンクリートを打設する第４の工程とを含む。 - 特許庁

The fluid ejection device includes: a circuit layer 100 having a fluid outlet on a lower surface 110; a chamber substrate 10 having a fluid inlet on an upper surface 45; an electrical contact 105 electrically connecting the chamber substrate 10 to the lower surface 110 of the circuit layer 100; and seals 80, 90 forming a fluid connection between the fluid outlet of the circuit layer 100 and the fluid inlet of the chamber substrate.例文帳に追加

流体吐出装置は、下面１１０に流体出口を有する回路層１００と、上面４５に流体入口を有する流体室基板１０と、流体室基板１０を回路層１００の下面１１０に電気的に接続する電気接点１０５と、回路層１００の流体出口と流体室基板の流体入口との間に流体接続を形成するシール８０、９０と、を有する。 - 特許庁

The titanium oxide film having a multilayer structure, in which an upper layer film containing the rutile type titanium oxide less in the crystal defects is formed on an under layer film, can be obtained by sputtering a target containing titanium in a plasma containing oxygen while controlling the substrate temperature and the sputtering pressure on the surface of the substrate, on which the under layer film composed of crystal oriented rutile type titanium oxide is formed.例文帳に追加

結晶配向したルチル型酸化チタンからなる下層膜が形成された基板表面に、基板温度及びスパッタリング圧を制御した状態で、酸素を含むプラズマ中でチタンを含むターゲットをスパッタリングすることによって、前記下層膜の表面に結晶欠陥少ないルチル型酸化チタンが含まれた上層膜を形成した複層構造を有する酸化チタン膜を得ることができる。 - 特許庁

This rubber-reinforcing glass fiber used by burying it in the parent material rubber on preparing the transmission belt is characterized by forming a primary coating layer containing a monohydroxybenzene-formaldehyde resin, vinyl pyridine-styrene-butadiene copolymer and chlorosulfonated polyethylene on a glass fiber cord consisting of a multiple number of glass fiber yarns, and installing a secondary coating layer containing a halogen-containing polymer and maleimide as its upper layer.例文帳に追加

伝動ベルトを作製する際に、母材ゴムに埋設して使用するゴム補強用ガラス繊維であって、複数本のガラス繊維ヤーンからなるガラス繊維コードにモノヒドロキシベンゼンーホルムアルデヒド樹脂とビニルピリジン−スチレン−ブタジエン共重合体とクロロスルホン化ポリエチレンとを含有する１次被覆層を形成し、その上層にハロゲン含有ポリマーとマレイミドを含有する２次被覆層を設けてなることを特徴とするゴム補強用ガラス繊維。 - 特許庁

Common electrodes 134 being connected electrically with heating parts 122, 132 through branch joints 134A, respectively, are formed beneath an electrothermal conversion element layer 121 having the heating parts 122, 132 while being stacked through a protective layer 126 and individual electrodes 124, 136 are formed on the upper surface of the electrothermal conversion element layer 121 on the opposite sides of the branch joint 134A.例文帳に追加

発熱部１２２および１３２を有する電気熱変換素子層１２１の下方に、発熱部１２２および１３２にそれぞれ分岐接続部１３４Ａを介して電気的に接続される共通電極１３４が、保護層１２６を介して積み重ねられて形成されるとともに、個別電極１２４および１３６がそれぞれ、分岐接続部１３４Ａを挟んで電気熱変換素子層１２１の上面に形成されるもの。 - 特許庁

The thin film acoustic resonator comprises a substrate 21; a sound reflector 24 formed by laminating a low acoustic impedance layer 23, and a high acoustic impedance layer 22 having an acoustic impedance higher than that of the low acoustic impedance layer 23 alternately on the substrate 21; and an acoustic resonator 28 formed by laminating a lower electrode 25, a piezoelectric film 26, and an upper electrode 27 sequentially on the sound reflector 24.例文帳に追加

薄膜音響共振器は、基板２１と、基板２１の上に低音響インピーダンス層２３と低音響インピーダンス層２３と比べて音響インピーダンスが高い高音響インピーダンス層２２とが交互に積層されてなる音響反射部２４と、音響反射部２４の上に下部電極２５と圧電膜２６と上部電極２７とが順次積層されてなる音響共振部２８とを備えている。 - 特許庁

Further, since the wire formed on the sacrifice layer is formed of a same conductive layer with an upper driving electrode of a movable electrode, it becomes thinner, but since the new wire is formed on a structural layer having a round-shaped step covered by a CVD film and since a film thickness is formed in 200 nm to 1 μm, the wire thinning and wire breakage or the like are prevented furthermore.例文帳に追加

また、犠牲層上に形成された配線は、可動電極である上部駆動電極と同一の導電膜で形成される為、薄膜化されているが、上述した新たな配線は、ＣＶＤ膜によって丸みを帯びた段差を有する構造層上に形成され、かつその膜厚は、２００ｎｍ〜１μｍで形成されるため、配線細りや配線の断切れ等をさらに防ぐことができる。 - 特許庁

In an electrode substrate 1 provided with a substrate 10 on which a laminated film 5 comprising at least a lower oxide layer 2, a silver based thin film 3 and an upper oxide layer 4 are laminated successively, the lower oxide layer 2 comprises mixed oxide prepared by mixing cerium oxide as a main component and one or more oxides selected from the group of yttrium oxide, zirconium oxide, niobium oxide, hafnium oxide, tantalum oxide and tungsten oxide.例文帳に追加

基板上に少なくとも、下側酸化物層、銀系薄膜および上側酸化物層を順次積層した積層膜を配設した電極基板において、下側酸化物層を、酸化セリウムを主材とし、これに酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ニオブ、酸化ハフニウム、酸化タンタル、および酸化タングステンのうちから選ばれた１種類以上の酸化物を混合した混合酸化物とすることを特徴とする電極基板。 - 特許庁

The fuse element 25 comprises a lower side soldering material layer 27 formed by using first soldering material having a higher melting point than a peak temperature under reflow conditions of reflow soldering method to mount the chip fuse on a circuit board, and an upper side soldering material layer 29 directly formed on the lower side soldering material layer 27 by using second soldering material having a lower melting point than the above peak temperature.例文帳に追加

ヒューズ素子２５を、チップ型ヒューズを回路基板に実装するリフローソルダリング方法のリフロー条件におけるピーク温度よりも高い融点を有する第１の半田材料を用いて形成された下側半田材料層２７と、前述のピーク温度よりも低い融点を有する第２の半田材料を用いて下側半田材料層２７の上に直接形成された上側半田材料層２９とから構成する。 - 特許庁

The method for manufacturing a ferroelectric memory 1000 includes a step (a) wherein a lower electrode layer 20, a ferroelectric layer 30, and a first upper electrode layer 40 are stacked in sequence on a substrate 10; a step (b) to anneal the ferroelectric lamination; and a step (c) to pattern the ferroelectric lamination into a specified shape.例文帳に追加

本発明にかかる強誘電体メモリ１０００の製造方法は、（ａ）基体１０の上方に下部電極層２０、強誘電体層３０、および第１の上部電極層４０を順次積層することにより強誘電体積層体を形成する工程と、（ｂ）前記強誘電体積層体にアニール処理を行う工程と、（ｃ）前記強誘電体積層体を所定の形状にパターニングする工程と、を含む。 - 特許庁

In the multi layered magnetic recording medium suitable for high recording density and digital recording, having excellent electromagnetic recording characteristics in the entire range of a recording wavelength, excellent mechanical characteristics, improved surface smoothness and flat frequency response, an upper side magnetic recording layer having <0.5 μm layer thickness and at least one lower side layer containing magnetically soft pigment are formed.例文帳に追加

高記録密度及びディジタル記録に適し、そして全記録波長範囲で優れた電磁記録特性及び良好な機械特性を有し、改良された表面平滑性を有し、さらにフラットな周波数レスポンスを有する記録媒体で、層厚が０．５μｍ未満の上側の磁気記録層、及び磁気的に柔かい顔料を含む、少なくとも１層の下側層が設けられた多層磁気記録媒体。 - 特許庁

A manufacturing method of a nonvolatile semiconductor memory device of an embodiment includes: a step of forming a lower electrode on a semiconductor substrate 9; a step of forming a variable resistance layer 11 containing a carbon nanotube on the lower electrode; an irradiation step of irradiating the variable resistance layer with an electron beam or a photon beam; and a step of forming an upper electrode on the variable resistance layer after the irradiation step.例文帳に追加

実施形態の不揮発性半導体記憶装置の製造方法は、半導体基板９上に、下部電極を形成する工程と、前記下部電極の上にカーボンナノチューブを含む可変抵抗層１１を形成する工程と、前記可変抵抗層に電子線或いは光子線を照射する照射工程と、前記照射工程の後に、前記可変抵抗層の上に上部電極を形成する工程とを含む。 - 特許庁

The electronic timepiece with the solar cell wherein the solar cell is bent and arranged approximately vertically to the dial has a constitution with a resin substrate, a photoelectric conversion layer sandwiched by the upper electrode and a lower electrode, a protection film provided in the state of coating the upper electrode, and a resin film provided adherently onto the protection film.例文帳に追加

ソーラーセルを湾曲させて、文字板に対して略垂直に配置したソーラーセル付き電子時計において、樹脂基板と、上部電極と下部電極とで挟持される光電変換層と、前記上部電極を被覆して設けられる保護膜と、当該保護膜に被着して設けられた樹脂製のフィルムと、を備える構成とした。 - 特許庁

The piezoelectric resonator 1 of a thickness longitudinal vibration mode type includes at least a pair of upper and lower electrodes 5, 6 arranged on the upper side of a diaphragm, and a piezoelectric film 7 of at least one layer, disposed between the electrode 5 and 6 which are plural electrodes 52, 62 of continuous length and vertically intersected to interpose the piezoelectric film 7.例文帳に追加

ダイヤフラムの上側に設けられた少なくとも上下一対の電極５、６と、両電極５、６間に介装された少なくとも１層の圧電膜７とを含む厚み縦振動モード型の圧電共振子１であって、前記両電極は、複数の長尺状電極５２，６２とされて圧電膜７を間にして互いに上下で交差されている。 - 特許庁

This semiconductor device including a capacitive element includes: metal wiring 200a and a lower electrode 200b each including an aluminum alloy film 102 and an upper-layer barrier film 103 including a high-melting-point metal film; a capacitance insulating film 104 formed on the lower electrode 200b; and an upper electrode 105 formed on the capacitance insulating film 104.例文帳に追加

本発明は、容量素子を有する半導体装置であって、アルミニウム合金膜１０２と、高融点金属膜を含む上層バリア膜１０３とを含む金属配線２００ａおよび下部電極２００ｂと、下部電極２００ｂ上に形成された容量絶縁膜１０４と、容量絶縁膜１０４上に形成された上部電極１０５とを有する。 - 特許庁

In the method for manufacturing the Sn plated flat rectangular conductive body for the FFC, when a round conductive body having an Sn plated layer formed thereon is rolled by the roll cross rolling method using upper and lower rolling rolls, the crossed angle (θ) of the upper and lower rolling rolls is set within the range from 3° to 9°.例文帳に追加

ＦＦＣ用のＳｎめっき平角導体の製造方法であって、Ｓｎめっき層を形成した丸線導体を上・下段圧延ロールを用いるロールクロス圧延を行うに際し、前記上・下段ロールのクロス角度（θ）を３〜９°の範囲で圧延する、ＦＦＣ用のＳｎめっき平角導体の製造方法とすることによって、解決される。 - 特許庁

The vacuum heat shielding layer 70 is formed by combining, through close sealing at the lower ends and then setting the internal space thereof into the vacuum condition, a cylindrical vessel 73 which is formed by integrating the upper surface and side surface with the lower surface opened, and a cylindrical external vacuum vessel 74 which is formed by integrating the upper surface and side surface with the lower surface opened.例文帳に追加

真空断熱層７０は、上面および側面を一体に形成し且つ下面が開口した筒状の内側真空容器７３と、上面および側面を一体に形成し且つ下面が開口した筒状の外側真空容器７４とを下端部で密着シールして組み合わせ、その内部空間を真空状態とすることにより形成する。 - 特許庁

The capacitor 52 has an upper electrode 50 and a lower electrode 46 which are made of platium group elements, a dielectric thin film 48 which is formed between the upper and lower electrodes, and a buffer layer 47 which is made of group 3, group 4, or group 13 metal oxide between the lower electrode and dielectric thin film.例文帳に追加

白金族元素よりなる上部電極５０及び下部電極４６と、前記上部電極と下部電極との間に形成された誘電体薄膜４８と、前記下部電極と誘電体薄膜との間に形成され、３族、４族または１３族の金属酸化物よりなるバッファ層４７とを備えることを特徴とするキャパシタ５２。 - 特許庁

A current non-injection region where the contact layer 7 contacts the dielectric film 8 is formed on the upper surface of the ridge part 6a in the vicinity of the resonator end face, and the first electrode 9 and the second electrode 10 are formed separately from the upper surface region of the dielectric film 8 excluding a sidewall surface of the opening in the current non-injection region.例文帳に追加

共振器端面近傍のリッジ部６ａの上面において、コンタクト層７と誘電体膜８とが接する電流非注入領域が設けられ、第一電極９及び第二電極１０は、前記電流非注入領域における前記開口部の側壁面を除く誘電体膜８の上面領域から離間して設けられている。 - 特許庁

In addition, the support 30 is shifted in an antigravitational direction; the support 30 and the engaging implement 10 fixed to the support 30 pass through the inside of the solenoid 50; the support 30 can be pulled upward, and fixed by the solenoid 50 disposed on an upper tier; and the safety fence can be lifted to a position appropriate for the construction of an upper layer.例文帳に追加

また、支柱３０を反重力方向に移動させ、支柱３０及び支柱３０に固着する係合具１０はソレノイド５０の内側を通過し、支柱３０を上方に引き上げることが可能となり、上の段に配設したソレノイド５０で固定することができ、上層の施工時に適した位置に安全柵を上昇させることができる。 - 特許庁

The thermistor element includes a tabular metal oxide sintered material 2; insulating layers 3 each formed on the upper and lower surfaces of the tabular metal oxide sintered material 2, where part of the insulating layer is separately used as an electrode junction 2a; and a pair of electrode layers 4, each formed at least at the electrode junction 2a on the upper and lower surfaces of the tabular metal oxide sintered material 2.例文帳に追加

板状の金属酸化物焼結体２と、該金属酸化物焼結体２の上下面にそれぞれ一部を電極接合部２ａとして除いて形成された絶縁層３と、金属酸化物焼結体２の上下面の少なくとも電極接合部２ａに形成された一対の電極層４と、を備えている。 - 特許庁

The semiconductor laser element manufacturing method has a first step in which a striped ridge structure 8, 9 is formed to the upper part of a laminated structure, including an active layer 5 formed on a substrate 1, and a second step for forming a Schottky barrier SB on the upper face of the laminated structure, other than the ridge structure 8, 9 by utilizing ion bombardment.例文帳に追加

本発明に係る半導体レーザ素子の製造方法は、基板１上に形成された活性層５を含む積層構造の上部に、ストライプ状のリッジ構造８、９を形成する第１工程と、イオン衝撃を利用してリッジ構造８、９以外の積層構造の上面にショットキーバリアＳＢを形成する第２工程とを有する。 - 特許庁

On the wring board 1 with the heat sink adhering the wiring board 2 having a through hole 5 surrounding a mounting part 7 through an adhesive layer 4 on the upper face of the heat sink 3 having the mounting part 7 of the electronic parts on the upper face, the heat sink 3 has an annular projection 6 surrounding the mounting part positioned inside of the through hole 5.例文帳に追加

上面に電子部品の搭載部７を有する放熱板３の上面に、搭載部７を取り囲む貫通孔５を有する配線基板２を、接着材層４を間に介して接着して成る放熱板付配線基板１であって、放熱板３は、貫通孔５の内側に位置する、搭載部を取り囲む環状の凸部６を有する。 - 特許庁

The method includes such steps as flowing of oxygen by a first amount, flowing of deuterium by a second amount to form a vapor oxide with the oxygen of the first amount, inserting of a silicon substrate comprising an upper surface into the vapor oxygen, and raising the temperature of the silicon substrate in the vapor oxide to form a dielectrics layer on the upper surface.例文帳に追加

この方法は、第１の量の酸素を流し；第２の量の重水素を流して、前記第１の量の酸素と酸化蒸気を形成し；上面を有するシリコン基板を前記酸化蒸気内に挿入し；前記酸化蒸気中で前記シリコン基板の温度を上昇させて、前記上面上に誘電体層を形成するステップを備える。 - 特許庁

When the first sensor detects the upper surface of the sack, a roller moving electric cylinder for moving a roller supporting the rear of the stacked sack from downward is driven to cause the second bag position sensor to detect the upper surface of the rear of the sack to raise the rear, thereby holding the sack in the uppermost layer in a horizontal posture.例文帳に追加

そして、第１袋位置センサが大袋の上面を検出すると、第２袋位置センサが該大袋の後部の上面を検出するように、積層状態の大袋の後部を下方から支持するローラを移動させるローラ移動用電動シリンダを駆動して、前記後部を上昇させることにより、最上層の大袋を水平姿勢に保持する。 - 特許庁

The optical fiber having withstand voltage of 1MV is composed by polymerizing and bonding the upper surface of the lower acrylic resin plate 1 with the bottom surface of the upper acrylic plate 11 through polymer adhesive 8, where a U-shaped slot 2 is formed in the acrylic resin plate 1 and a polyimide wire optical fiber 5 is fixed to the bottom of the slot 2 with an adhesive layer 6.例文帳に追加

１ＭＶ耐圧光ファイバーは、下部のアクリル樹脂体１にＵ字溝２が形成され、そのＵ字溝２の底部にポリイミド素線光ファイバー５が接着層６によって固定され、下部のアクリル樹脂体１の上部平面は重合接着材８によって上部のアクリル樹脂体１１の下部平面と重合接着されている。 - 特許庁

This absorbent article includes a sheetlike first leak preventor, a sheetlike second leak preventor which exists at an upper rear section of the first leak preventor, and at least one layer of an absorber having a highly water absorbent resin to absorb a body liquid which is disposed from the upper front section of the first leak preventor to the bottom side of the second leak preventor.例文帳に追加

シート状の第１防漏体と、前記第１防漏体の上部の後部に存在するシート状の第２防漏体と、前記第１防漏体の上部の前部から前記第２防漏体の下側に至るまで、少なくとも１層配置された、高吸水性樹脂を含有し体液を吸収しうる吸収体とを具備する吸収体物品。 - 特許庁

The communication card comprises a bottom panel, an upper cover and an upper panel, and can house an electric apparatus therein, the electric apparatus comprises a substrate and an RF transceiver that is connected to the substrate, and further, the substrate comprises at least one metal ground layer stretched along all areas of the substrate and prevents electromagnetic waves from being discharged from the rear side of the substrate.例文帳に追加

通信カードは底部パネル、上部カバー及び上部パネルを具えて電気装置を収容可能で、該電気装置は基板と該基板に接続されたＲＦトランシーバーを具え、該基板はさらに基板の全領域に沿って延伸された少なくとも一つの金属接地層を具え、基板の後側からの電磁波放出を防止する。 - 特許庁

On a vibrating plate 4 arranged to cover a pressure generation chamber 2 formed in a channel substrate 1, a lower electrode 5, a piezoelectric layer 6 and an upper electrode 7 are laid in layers sequentially to form a piezolectric actuator section 8, and the upper electrode 7 and the lower electrode 5 are led out to a wiring joint 9 and connected with a wiring board supplying a drive signal.例文帳に追加

流路基板１に形成された圧力発生室２を覆うように配設された振動板４上に、下電極５、圧電層６、上電極７を順次積層して圧電アクチュエータ部８を形成し、上電極７および下電極５を配線接続部９まで引き出して、駆動信号を供給する配線基板に接続する。 - 特許庁

A material 24 of the metallic stack is a main conductor consisting of copper, and also the metal (that is, the conductor whose composition is mainly tungsten or titanium-tungsten) 26 of the upper layer has a prescribed thickness and optical properties which are selected so that the coupling between the lower metal 24 and the upper metal 26 gives high absorptive property to incident energy.例文帳に追加

金属のスタックの下層の材料２４は、銅より成る主導電体であり、また、上層の金属（すなわち組成物が主にタングステン、またはチタン−タングステンの導体）２６は、下層金属２４と上層金属２６の結合体が、入射エネルギーに対し高い吸収特性を与えるように、選ばれる所定の厚さと、光学特性とを有する。 - 特許庁

This ferroelectric memory device 1000 has a memory cell array 100 in which memory cells are arranged in a matrix-like state and a lower electrode 12, an upper electrode 16 arranged in a direction intersecting the lower electrode 12, and the ferroelectric layer 14 which is positioned in at least the intersecting area of the upper and the lower electrodes 16 and 12 are contained.例文帳に追加

強誘電体メモリ装置１０００は、メモリセルがマトリクス状に配列され、下部電極１２と、下部電極１２と交差する方向に配列された上部電極１６と、少なくとも上部電極１６と下部電極１２との交差領域に配置された強誘電体層１４と、を含むメモリセルアレイ１００を有する。 - 特許庁

In a capacitance element region 1 on a semiconductor substrate constituting a semiconductor device, a wiring layer of the semiconductor device is not formed in an upper region of a forming position of the semiconductor element on a first interlayer dielectric 8 to cover this capacitance element, and dummy patterns 2, 2a to be dummy wiring layers are formed at a peripheral of the upper region.例文帳に追加

半導体装置を構成する半導体基板上の容量素子領域１において、この容量素子を被覆する第１層間絶縁膜８上であって上記半導体素子の形成位置の上部領域には半導体装置の配線層が形成されず、上記上部領域の周辺部にダミー配線層となるダミーパターン２，２ａが形成される。 - 特許庁

A p^+ region 4 is formed over an entire upper portion of an n-type epitaxial layer 2 by high-temperature ion implantation, and an n-type region below the p^+ region 4a is partially exposed by selectively etching the p^+ region 4a, thereby forming a p^+ semiconductor projection 4 which is protruded upward from an upper surface of the n-type region.例文帳に追加

ｎ型のエピタキシャル層２の上部全体に高温イオン注入によってｐ^+領域４ａを形成し、当該ｐ^+領域４ａを選択的にエッチングしてｐ^+領域４ａ下のｎ型領域を部分的に露出させることにより、そのｎ型領域の上面より上方へ突出したｐ^+半導体凸部４を形成する。 - 特許庁