「upper- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(193ページ目) - Weblio英語例文検索

An aluminum electrode 104 for an outside connection formed on the surface of a silicon substrate 101 and the protruded electrode 114 are connected by using a conductive resin layer 108 whose upper and lower parts are covered by insulating resin layers 107, 109.例文帳に追加

シリコン基板１０１表面上に形成された外部接続用のアルミニウム電極１０４と突起電極１１４とを導電性樹脂層１０８により接続し、その上下を絶縁性樹脂層１０７、１０９により覆う。 - 特許庁

A seal means 140 having a metal-comprising layer 202 is brazed through a braze material 204 between an upper platen 106 and an extension member 142 of a supporting platform housing 108 that have different thermal extension coefficients.例文帳に追加

異なる熱膨張係数を有する上部平盤１０６と支持プラットフォームハウジング１０８の延長部材１４２との間にろう付け材料２０４を介して金属包含層２０２をもったシール手段１４０をろう付けする。 - 特許庁

Urethane 70 is injected from openings 40C formed in an upper location of the partition wall 40, however, deformation of the partition wall 40 is small, since foaming pressure is received by the reinforcing plates 60, to thereby positively form the prescribed heat insulation layer and the space.例文帳に追加

ウレタン７０は隔壁４０の上部に設けた開口部４０Ｃから注入するが、発泡圧は補強板６０が受圧するので隔壁４０の変形は小さく、所定の断熱層と空間が確実に形成できる。 - 特許庁

A conductive bump construction for IC (Integrated Circuit) construction has a passivation layer such as silicon oxide/nitride silicon stack, which is formed on each upper surface of IC conductive contact pads (e.g., Al pads).例文帳に追加

集積回路（ＩＣ）構成体用の導電性バンプ構成体が、シリコン酸化物／窒化シリコンスタック等のパッシベーション層を有しており、それはＩＣの導電性コンタクトパッド（例えば、Ａｌパッド）の各々の上表面上に形成されている。 - 特許庁

This plate for preventing scattering of the sand is characterized by providing an elastic plate material from a material having moderate elasticity, forming plural slits extending from the upper edge of the plate material to the middle thereof and forming an adhesive layer in place under the undersurface of an elastic plate.例文帳に追加

適度の弾力性を有する素材にて弾力板体を設け、該板体の上縁より中程に至るスリットを複数個形成し、弾力板体裏面下部適所に粘着層を形成したことを特徴とする。 - 特許庁

The effective oxide film thickness of a gate insulating film 15 at the upper part of the channel region 12 without the charge storage layer is made thinner than the effective oxide film thickness of the gate insulating films 19 and 20, in a region with the charge storage layers 18a and 18b.例文帳に追加

電荷蓄積層のないチャネル領域１２上部のゲート絶縁膜１５の実効的酸化膜厚を電荷蓄積層１８ａ、１８ｂの持つ領域のゲート絶縁膜１９、２０の実効的酸化膜厚より薄くする。 - 特許庁

To provide a method for closing a through hole which is intended to enhance reliability in products or a flatness of an upper layer, and further in which a problem of contamination does not occur, by not forming so large recesses in a vertical direction of a filler.例文帳に追加

充填物の上下にさほど大きな凹みができないようにして，製品の信頼性や上層の平坦性の向上を図り，また汚染の問題も生じないようにしたスルーホールの閉鎖方法を提供すること。 - 特許庁

The lower marking part 99A of the marker 99 is arranged at a position with a distance corresponding to a suitable layer thickness of mixed rice, and the upper marking part 99B is arranged at a position higher than the lower marking part by one grain.例文帳に追加

層厚マーカー９９の下段マーク部９９Ａは、混合米の好適な層厚に対応した離間寸法位置に配置され、上段マーク部９９Ｂは、下段マーク部９９Ａよりも一粒分だけ上方位置に配置されている。 - 特許庁

The upper surface of the wafer is covered with a metal mask opened at a part of the region of the electrode 14, and then a thin film layer, which is very thin of tin having a thickness of about 1 to 10 nm, is formed by chemical vapor deposition method or physical vapor deposition method.例文帳に追加

外部接続用電極１４の領域の部分を開口したメタルマスクで覆い、次にＣＶＤ法またはＰＶＤ法により厚みがおよそ１ｎｍから１０ｎｍの錫のごく薄の薄膜層を形成する。 - 特許庁

A blocking plate 33 provided along the edge of the drainage precipitating tank 3 blocks the mixture of fine solids into overflowing water and facilitates only the upper layer to be fed to the water purifying tank 4, so that the load of the water purifying tank is reduced and clean water is obtained all times.例文帳に追加

汚水沈澱槽３の縁に沿って設けた阻止板３３が、越流水に微細固体が混入するの阻止し、上澄みのみが浄水槽４に送られ、浄水槽の負荷が軽減され、常に清浄な清水が得られる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a flash memory which prevents an occurrence of an abnormal oxidation due to an exposure of a metal layer in the upper part of a gate when an insulating film spacer is removed, and can enhance the reliability of the process.例文帳に追加

絶縁膜スペーサの除去の際にゲート上部の金属層が露出して異常酸化が発生することを防止して工程の信頼性を向上させることが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

In this way, a shadow which will be inevitably cast by the upper edge of the opening of the through hole 8 when the thickness of the mask body 5 is increased is avoided, and the light-emitting layer 7 with a cross-sectional shape having an even height can be accurately formed.例文帳に追加

これにて、マスク本体５の板厚を大きくした場合に不可避の通孔８の開口上端縁による影をなくして、均一な高さ寸法を有する断面形状の発光層７を精度良く形成することができる。 - 特許庁

The upper layer materials comprising about 20-80 wt.% of vitreous material in an particle size of about 0.5-5 mm that converts to transmitting glass substance by firing and about 80-20 wt.% of the substrate material that converts to opaque substrate are mixed.例文帳に追加

焼成により透光性のガラス質となる粒径約０．５〜５ｍｍのガラス質材約２０〜８０重量％と、焼成により非透光性の素地となる素地材約８０〜２０重量％を含む上層材料を混合する。 - 特許庁

The outer peripheral side surface of an epitaxial layer covered with an insulative protective film 40 forms inclination (forward taper) which spreads from the upper side where the n-contact electrode 130 is formed to the lower side as the support substrate 200 side.例文帳に追加

絶縁性保護膜４０で覆われたエピタキシャル層の外周側面は、ｎコンタクト電極１３０を形成された上側から、支持基板側２００側である下側に向って広がるような、傾き（順テーパ）を形成している。 - 特許庁

The main body 2 includes a main part 2M including a plurality of layer portions 10 and a plurality of terminals 4 that are disposed on at least either one of the upper or lower surface of the main part 2M and are connected with the plurality of wires W.例文帳に追加

本体２は、複数の階層部分１０を含む主要部分２Ｍと、主要部分２Ｍの上面と下面の少なくとも一方に配置されて複数のワイヤＷに接続された複数の端子４とを有している。 - 特許庁

In the semiconductor laser, an active layer 4 is provided inside an element body 5, a first electrode 6 is formed on an upper surface of the element body 5, and a second electrode 7 and a third electrode 8 are formed on a lower surface of the element body 5.例文帳に追加

素子本体５の内部に活性層４が設けられると共に、素子本体５の上面には第１の電極６が形成され、素子本体５の下面には第２の電極７、及び第３の電極８が形成されている。 - 特許庁

The DRAM cell is equipped with: a substrate 100 composed of a semiconductor material and having a main surface 102; a transistor 120 formed on the main surface 102; and a magnetic capacitor 140 formed in a metal layer provided on the upper side of the transistor 120.例文帳に追加

ＤＲＡＭセルは、半導体材料からなり、主表面１０２を有する基板１００と、主表面１０２に形成されたトランジスタ１２０と、トランジスタ１２０の上方に設けた金属層に形成した磁器コンデンサ１４０とを備える。 - 特許庁

On an upper layer of control software of the image processing apparatus, an interpreter 45 is provided to transmit and receive, code and decode, interpret, and execute mobile agents, and to execute mobile agents 41, 42 that are moved from client devices such as computers or word processors.例文帳に追加

画像処理装置の制御ソフトウェアの上位層に、モバイルエージェントを送受信、符号／復号化、解釈、実行するインタープリタ４５を配し、コンピュータやワードプロセッサなどのクライアント装置から移動してきたモバイルエージェント４１、４２…を実行する。 - 特許庁

To provide a high-reliability device configuration by achieving secure element isolation by a simple technique minimizing the increase of processes without causing warpage in a substrate nor degrading crystallinity of a compound semiconductor layer on the upper side of the substrate.例文帳に追加

工程増を最小限とした簡便な手法で、基板に反りを生ぜしめることなく、また基板上方の化合物半導体層の結晶性を損なうことなく確実な素子分離を実現し、信頼性の高い装置構成を得る。 - 特許庁

The frame 21 side end of a piezoelectric conversion region where a piezoelectric layer 24b touches the lower electrode 24a and the upper electrode 24c, respectively, in the piezoelectric conversion unit 24 is aligned with the boundary of the frame 21 and the cantilever 22.例文帳に追加

圧電変換部２４において圧電層２４ｂと下部電極２４ａおよび上部電極２４ｃそれぞれとが接する圧電変換領域のフレーム部２１側の端を、フレーム部２１とカンチレバー部２２との境界に揃えてある。 - 特許庁

The upper clad layers 15a of the mesa structure part 19a includes a first region 151a arranged on the core layer 14a, and a second region 152a and a third region 153a arranged on the first region 151a in parallel.例文帳に追加

メサ構造部１９ａの上部クラッド層１５ａは、コア層１４ａ上に配置された第一領域１５１ａと、第一領域１５１ａ上に並んで配置された第二領域１５２ａ及び第三領域１５３ａとを含む。 - 特許庁

A phase control part 10 of the Mach-Zehnder type optical modulator 1A has mesa structure parts 19a, 19b containing an n-type lower clad layer 13, core layers 14a, 14b, and upper clad layers 15a, 15b respectively.例文帳に追加

マッハツェンダー型光変調素子１Ａの位相制御部１０は、ｎ型下部クラッド層１３、コア層１４ａ及び１４ｂ、並びに上部クラッド層１５ａ及び１５ｂをそれぞれ含むメサ構造部１９ａ及び１９ｂを有する。 - 特許庁

As shown in chart (a) in Fig.3, a multimode VCSEL that has yet to suffer ESD damage exhibits an emission spectrum showing a number of peaks corresponding to the structure of an active layer (MQW) and upper and lower reflectors (DBR).例文帳に追加

図３（ａ）は、ＥＳＤダメージを受ける前のマルチモードＶＣＳＥＬの発光スペクトラムを示しており、活性層（ＭＱＷ）及び上下の反射鏡（ＤＢＲ）の構造に対応した数分のピークを示す発光スペクトラムが得られる。 - 特許庁

The single atomic layer deposition apparatus comprises a reaction vessel 106 comprising an upper plate 30 and a lower plate 40 and internally provided with a reaction chamber 20 and the test piece holder 50 for supporting a test piece 60 to be loaded in the reaction chamber 20.例文帳に追加

上板３０及び下板４０を備え、内部に反応室２０が設けられる反応容器１０６及び反応室２０内部にロードされる試片６０を支持する試片ホルダー５０を備える単原子蒸着装置である。 - 特許庁

The T-shaped turning clamp 20 clamps the shielding layer of a cable 30 with its T-shaped leg part, and guides each wire into a cover 5 through the inside of the generally cylindrical flange part used as the rotation axis formed at the upper part of the T-shaped form.例文帳に追加

このＴ字状回動クランプはＴ字形の脚部でケーブル３０のシールド層をクランプし、Ｔ字形上部に設けられた回転軸となる前記略円筒形のフランジ内部を通して各ワイヤーをカバー５内に導く。 - 特許庁

Related to an embedded second layer wiring L2, comprising a conductive barrier film 17a that has barrier properties for diffusion of copper and the main conductor film 18a containing copper as the main component, the upper corners of the main conductor film 18a are made round.例文帳に追加

銅の拡散に対してバリア性を有する導電性バリア膜１７ａおよび銅を主成分とする主導体膜１８ａを有する埋込第２層配線Ｌ２において、主導体膜１８ａの上部角に丸みを形成した。 - 特許庁

For example, for an optical waveguide main line 10 guiding a plurality of wavelength lights (λ1, λ2, ... λn-1, λn), there are arranged, on its upper layer, micro ring optical resonators 11a-11f that are directly optically coupled to the optical waveguide main line 10.例文帳に追加

たとえば、複数の波長光（λ1 ，λ2 ，…，λn-1 ，λn ）を導波する光導波路主線１０に対し、その上層に、光導波路主線１０と直接光結合するマイクロリング光共振器１１ａ〜１１ｆを配置する。 - 特許庁

The fraction of the sum of the cloud bottom height data from height 0 to the upper limit of each cloud layer candidate to the data total obtained by weighted computation on the number of the cloud bottom height data obtained in a specific time is defined as a cloud cover.例文帳に追加

前記所定時間内において取得した雲底高度データ数に加重計算して得たデータ総数に対する、高度０から各雲層候補の上限高さまでの雲底高度データの積算値の割合を雲量とする。 - 特許庁

To attach a float capable of adjusting buoyancy to a lower suction port for pumping up a lower water layer to arbitrarily adjust the position of the lower suction port in a water purifying apparatus for mixing upper and lower water layers of a closed water area or the like.例文帳に追加

閉鎖水域等の上下層水を混合する水質浄化装置において、下層水を汲み上げる下部吸込口に浮力調整できる浮力体を取り付けて下部吸込口の位置を任意に調整できるようにする。 - 特許庁

Since the upper and lower planes 14 and 15 of the pedestal 10 is made smooth, the accuracy of the plane on which diamond abrasive grain is electrodeposited is extremely high, and the plane accuracy of the abrasive grain layer 18 is improved by uniformly controlling the quantity of electrodeposition.例文帳に追加

台座１０の上・下平面１４、１５を平滑に加工しているため、ダイヤモンド砥粒が電着される平面精度が極めて高く、電着量を均一に制御することで砥粒層１８の平面精度が高められる。 - 特許庁

To provide a composition for a thermosetting silicon-containing film allowing formation of a silicon-containing film which can be used as a good dry etching mask and having good etching selectivity especially with a photoresist on an upper layer in a multilayer resist process.例文帳に追加

多層レジスト法において、良好なドライエッチングマスクとして使用できるケイ素含有膜を形成でき、特に上層のフォトレジストとのエッチング選択性が良好な熱硬化性ケイ素含有膜形成用組成物の提供。 - 特許庁

There is provided an upper semiconductor multilayer 26, which contains semiconductor layers 24 and 25, over a structure in which an active layer 11 is embedded in a semiconductor and grown, and a lower semiconductor multilayer 5, which contains semiconductor layers 3 and 4 grown under the structure.例文帳に追加

活性層１１とそれを半導体埋込成長した構造の上下に、半導体層２４／半導体層２５の上部多層半導体層２６と、半導体層３／半導体層４の下部多層半導体層５を有する。 - 特許庁

A groove part 31 is formed between the adjacent ridge parts 30 and a wiring layer 35 for electrically connecting an upper electrode 33 with a pad electrode 34 is disposed in hollow at least over the groove part 31.例文帳に追加

互いに隣接するリッジ部３０の間に溝部３１が設けられており、上部電極３３とパッド電極３４とを電気的に接続する配線層３５が、少なくとも溝部３１上において中空に配置されている。 - 特許庁

In relation to a sealing material formed by covering a flexible foamed body formed of synthetic rubber, natural rubber or a thermoplastic resin with adhesive butyl rubber, this butyl rubber composite sealing material is characterized by one part of its upper surface being a foamed body exposing layer.例文帳に追加

合成ゴム、天然ゴムまたは熱可塑性樹脂よりなる柔軟な発泡体を粘着性ブチルゴムで被覆したシール材において、上面の一部分が発泡体露出層であることを特徴とするブチルゴム複合シール材。 - 特許庁

A light guide 11 makes light incident from the upper end and makes the light incident into the inside incident and absorb onto a solar battery layer composed of a p-type organic semiconductor 13 and an n-type organic semiconductor 14.例文帳に追加

導光部１１は、その上端から光を入射させ、その内部に入射された光をＰ型有機半導体１３とＮ型有機半導体１４とからなる太陽電池層に入射させて吸収させるようにしている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a wiring board that suppresses a decrease in yield due to breaking of upper-layer wiring of the wiring board having a multilayer wiring structure, and improves reliability, a light emitting device, and electronic equipment.例文帳に追加

多層配線構造を有する配線基板において、上層配線の断線等による歩留まりの低下を抑制し、信頼性を向上させることのできる配線基板の製造方法、発光装置及び電子機器を提供する。 - 特許庁

The upper transparent electrode plate 10 is provided with a transparent substrate 1, a transparent electrode layer 3 formed on the back face of the transparent substrate 1, and a polarizing plate 2 laminated on the front face of the transparent substrate 1 integrally with the transparent substrate 1.例文帳に追加

上部透明電極板１０は、透明基板１と、透明基板１の裏面上に形成された透明電極層３と、透明基板１の表面上に透明基板１と一体的に積層された偏光板２とを備える。 - 特許庁

After that, a feed gas for semiconductor crystal growth such as a GaN-family compound semiconductor is supplied to the substrate, and crystal growth is simply carried out from the upper part of the projection part 11, thus forming a first semiconductor layer 2.例文帳に追加

その後、この基板に例えばＧａＮ系化合物半導体などの半導体結晶成長用の原料ガスを供給し、凸部１１の上方部から専ら結晶成長させることで第１の半導体層２を形成する。 - 特許庁

A wiring 10 is formed on the upper layer of an interlayer insulator film 9 which covers MISFETQ1 formed on the main surface of a semiconductor substrate 1, and a dummy wiring 11 is disposed in a region where the distances between the wirings 10 are large.例文帳に追加

半導体基板１の主面上に形成されたＭＩＳＦＥＴＱ１を覆う層間絶縁膜９の上層に配線１０を形成するとともに、その配線１０間の間隔が広い領域にダミー配線１１を配置する。 - 特許庁

Then the film 5 for the reflection electrode is formed, on which a resist layer 6 for patterning the film 5 for the reflection electrode is applied, and the film 5 for the reflection electrode in the upper part of the base film 3a is removed by patterning.例文帳に追加

次に、反射電極用膜５を成膜し、さらにその上に反射電極用電極５パターニング用のレジスト層６を塗布して、下地膜３ａ上方部分の反射電極用電極５がパターニングにより除去される。 - 特許庁

An embodiment includes the formation of a flexible layer (12) having first and second ends (13, 14), an intermediate section (70) connecting the first and second ends, and upper and lower surfaces (48, 15).例文帳に追加

実施形態は、第１および第２の端部分（１３、１４）、第１および第２の端部分を連結する中間部分（７０）、ならびに上側および下側の表面（４８、１５）を有する柔軟な層（１２）を形成することを含む。 - 特許庁

A capacitor lower electrode 3 is connected to the gate electrode 6a, and a capacitor upper electrode 6b is connected to a P-type ground layer 12 to form a capacitor in parallel to a gate comprising the gate electrode 6a and a gate insulating film 4.例文帳に追加

キャパシタ下部電極３をゲート電極６ａと結線し、またキャパシタ上部電極６ｂをＰ型接地層１２と結線する事により、ゲート電極６ａとゲート絶縁膜４から成るゲートに並列にキャパシタを形成する。 - 特許庁

Since the resistance value of the semiconductor layer 140 varies with the written data, it is possible to identify the written data from a current value which is detected when a reading voltage is applied between the upper electrodes 150, 160.例文帳に追加

書き込まれたデータによって半導体層１４０の抵抗値が異なるので、上部電極１５０、１６０間への読み出し電圧印加時に検出される電流値から、書き込まれているデータを識別して読み出すことができる。 - 特許庁

A second interlayer insulation film is formed on the first interlayer insulation film where the barrier metal layer is formed, a second contact hole is formed at the upper part of the barrier metal film of the film, and a plug is formed there through selective CVD.例文帳に追加

そのバリヤ金属層を形成させた第１層間絶縁膜の上に第２層間絶縁膜を形成させ、その膜のバリヤ金属層の上側の部分に第２コンタクトホールを形成させ、そこに選択的ＣＶＤでプラグを形成させる。 - 特許庁

By layering a flow passage unit and the piezoelectric actuator and pressing the upper surface 42A of the piezoelectric layer 42 toward the flow passage unit by a heater having a flat pressing surface, the flow passage unit and the piezoelectric actuator are bonded with the adhesive.例文帳に追加

そして、流路ユニットと圧電アクチュエータとを積層させ、平坦な押圧面を有するヒータによって圧電層４２の上面４２Ａを流路ユニットに向けて押圧することによって、流路ユニットと圧電アクチュエータとを接着剤で接着する。 - 特許庁