「upper- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(197ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for manufacturing a chromium-free surface-treated galvanized steel sheet having a surface treatment film comprising an underlayer as a bonding layer formed by an organic coating agent containing a silane coupling agent and an upper coating layer thereon, and having a superior corrosion resistance and adhesiveness of the surface treatment film to a base plated steel sheet.例文帳に追加

シランカップリング剤を含む有機系コーティング剤で形成した下層接着層と、その上の上層被覆層とから構成される表面処理皮膜を有し、耐食性に優れ且つ表面処理皮膜の下地めっき鋼板への密着性にも優れた非クロム型処理亜鉛系めっき鋼板を製造する新しい方法を提供すること。 - 特許庁

The semiconductor device includes a semiconductor chip 11, with electrodes 16 formed on the upper surface thereof, a substrate 21 having a die bonding region to which an adhesive material layer actually contacts out of an area for die-bonding the semiconductor chip thereto via the adhesive material layer 18, and a wire bonding region electrically connected to the electrodes via wires 17.例文帳に追加

上面に電極１６が設けられた半導体チップ１１と、半導体チップが接着材層１８を介してダイボンディングされるエリアのうち当該接着材層が実際に接しているダイボンディング領域、及び、電極とワイヤ１７を介して電気的に接続されるワイヤボンディング領域を有する基板２１とを備えた半導体装置。 - 特許庁

A method and apparatus 20 for connecting a solar cells connects an electrically conductive adhesive layer 16 on a front surface electrode 13 and a wiring member 17, and an electrically conductive adhesive layer 16 on a rear surface electrode 15 and a wiring member 17, respectively, by thermocompression-bonding simultaneously at front and rear sides using a lower-side thermocompression-bonding head 25 and an upper-side thermocompression-bonding head 26.例文帳に追加

この太陽電池セルの接続方法及び接続装置２０では、表面電極１３上の導電性接着剤層１６と配線部材１７、及び裏面電極１５上の導電性接着剤層１６と配線部材１７を、下側熱圧着ヘッド２５及び上側熱圧着ヘッド２６によって表裏同時に熱圧着する。 - 特許庁

The diode element 24 comprises a P-type well 21 formed in the semiconductor substrate 1, an N-type diffusion layer 8 formed on a P-type well 21 in the semiconductor substrate 1, an N-type second polysilicon film 9 formed in an upper side of the N-type diffusion layer 8 on the semiconductor substrate 1 and a nickel cilicide 12 formed on the second polysilicon film 9.例文帳に追加

ダイオード素子２４は、半導体基板１に形成されたＰ型ウェル２１と、半導体基板１におけるＰ型ウェル２１の上に形成されたＮ型拡散層８と、半導体基板１上におけるＮ型拡散層８の上側に形成されたＮ型の第２のポリシリコン膜９と、第２のポリシリコン膜９の上に形成されたニッケルシリサイド１２とを含む。 - 特許庁

A method for producing the objective nitride semiconductor substrate comprises forming the seed crystal 2 of the nitride semiconductor on a substrate 1 different therefrom, forming a protective film 4, on the upper part of which the nitride semiconductor does not grow, and then growing a second nitride semiconductor layer 6 in a transverse direction from the edge face of a first nitride semiconductor layer 5 formed only by a transversely directional growth.例文帳に追加

窒化物半導体とは異なる異種基板１上に窒化物半導体のシード結晶２を形成し、その上部に窒化物半導体が成長しない保護膜４を形成し、横方向成長のみで形成された第１の窒化物半導体層５の端面から第２の窒化物半導体層６を横方向成長させる。 - 特許庁

This decurling mechanism is provided with a holder 3 which holds the roll paper 7 with the thermosensitive coloring layer 7' rolled its inside in such a state as being pulled out with the thermosensitive coloring layer 7' facing downward, and a correction edge 11 which abuts on the upper surface of the roll paper 7 to be pulled out from the holder 3 and decurls the roll paper 7.例文帳に追加

感熱発色層７’を内側にして巻回したロール紙７を、その感熱発色層７’が下面となる状態で引き出されるように保持するホルダー３と、該ホルダー３から引き出されるロール紙７の上面に当接して該ロール紙７を巻き癖と逆方向に屈曲させる矯正縁１１とを備えてなるように巻き癖矯正機構を構成した。 - 特許庁

In this ultraviolet curing resin composition which is laminated on a cyclic olefinic resin film serving as a lower layer material to form a cured film serving as an upper layer material, an initiator of a specific polybenzophenone compound having two or more benzophenone structures in the molecule is used as a photopolymerization initiator to be contained in the composition.例文帳に追加

下層材料としての環状オレフィン系樹脂フィルム上に積層し、上層材料としての硬化膜を形成するための紫外線硬化型樹脂組成物において、組成物中に含有させる光重合開始剤を、ベンゾフェノン構造を１分子中に２個以上有する特定のポリベンゾフェノン化合物からなる開始剤とする。 - 特許庁

This liquid crystal display element is constituted of a lower substrate 2, an upper substrate 1 disposed oppositely to the substrate 2 and a liquid crystal/polymer composite layer 7 disposed between the substrates 1, 2 so that the layer 7 has a region A and a region B different from each other in a impressed voltage versus light transmittance characteristics in one pixel.例文帳に追加

液晶表示素子は、下基板２と、該下基板２に対向して配置される上基板１と、上基板１及び下基板２の間に配置された液晶・高分子複合体層７とを有し、該液晶・高分子複合体層７は１画素内に於いて印加電圧−光透過率特性の相互に異なる領域Ａと領域Ｂとを有して構成されている。 - 特許庁

The air conditioning floor surface unit and the constructing method thereof comprise a panel 2 of a fixed unit area having a large number os ventilating holes 1, a film or a sheet 3 having an adhesive layer on both surfaces on the panel, and a synthetic resinous or woven fabric, or nonwoven fabric surface finishing layer 4 of a fixed unit area having permeability on the upper surface of the film or sheet 3.例文帳に追加

多数の通気孔１を有する一定単位広さのパネル２と、該パネル上に両面に粘着剤層を有するフィルム又はシート状物３と、更に、その上面に一定単位広さの通気性を有する合成樹脂製、織布製又は不織布製表面仕上げ層４を有する空調用床面ユニットおよびその施工方法。 - 特許庁

The method of manufacturing the magnetic recording medium includes processes of: disposing at least a silicon layer on a substrate; disposing an uneven structure including regularly arranged projections on the silicon layer; disposing magnetic material on the upper surfaces of the projections and within recessed parts of the uneven structure; and allowing the magnetic material disposed within each recessed part to be changed into silicon compound by heat treatment.例文帳に追加

基板上に少なくともシリコン層を配置する工程と、該シリコン層の上に突起物を規則的に配列してなる凹凸構造を配置する工程と、該突起物の上面と該凹凸構造の凹部に磁性体を配置する工程と、熱処理により該凹部に配置した磁性体をシリコン化合物とする工程を含む磁気記録媒体の製造方法。 - 特許庁

The upper layer of each side strand is constituted by twisting resin wires constituted so as to have diameters larger than the diameter of the element wire to form spaces between the side strand and the core rope, and among each side strand by the presence of the resin wires having relatively larger diameters, and the resin for coating the outer layer is pressed and filled into the spaces.例文帳に追加

各側ストランドの上層が素線径よりも大きな径に構成された樹脂線を撚りあわせて構成され、相対的に径の大きな前記樹脂線の存在により前記側ストランドと心ロープ間、各側ストランド間にそれぞれ隙間が形成され、それらの隙間を通して外層被覆用の樹脂が圧入充填されている。 - 特許庁

Polysilicon electric charge transfer electrodes 34, 35, adjacent to each other in an electric charge transfer direction, are polished by the CMP method and formed to have nearly the same thickness, without being overlapped, and electric charge transfer electrodes adjacent in a direction of crossing (or orthogonal to) the electric charge transfer direction are electrically connected by a metallic wiring layer 37, provided to the upper layer.例文帳に追加

電荷転送方向に隣接するポリシリコン電荷転送電極３４，３５がＣＭＰ法により研磨されて重ならずに略同じ厚みに形成され、電荷転送方向と交差（または直交）する方向に隣接する電荷転送電極の間が上層に設けられた金属配線層３７によって電気的に接続されている。 - 特許庁

The building has a heat insulated space 3 below the first floor in the area exposed from ground surface along the reinforced concrete continuous footing 1 of the outer circumference of a building, and consists of a heat storage layer made of a reinforced light bubble concrete panel 6, and the first floor 9 including floor finish materials 8 in the upper part of the heat storage layer.例文帳に追加

建物外周の鉄筋コンクリート布基礎１の地表からの露出部分で断熱して断熱空間とした１階床下空間３を有すると共に、鉄筋補強された軽量気泡コンクリートパネル６からなる蓄熱層と、該蓄熱層の上層に床仕上げ材８を含む１階床部９と、を有することを特徴とする。 - 特許庁

A first interlayer connection part 48 to connect the drain region 44 and the lower electrode 52 and a second interlayer connection part 50 to connect the drain region 44 and the pixel electrode layer 34 are drawn out from respectively different positions on the drain region 44 and the upper electrode 56 for the capacitor covers the lower electrode 52 for the capacitor via the dielectric layer 54.例文帳に追加

ドレイン領域４４と下部電極５２とを接続する第１層間接続部４８と、ドレイン領域４４と画素電極層３４とを接続する第２層間接続部５０とが、ドレイン領域４４の異なる位置から引き出されており、キャパシタ用上部電極５６が誘電体層５４を介してキャパシタ用下部電極５２を覆っている。 - 特許庁

In the manufacturing process of the semiconductor integrated circuit using a multilayered wiring process, the wiring is formed of lower first-layer aluminum wiring 201, and upper second-layer aluminum wiring 202, and through holes 203 which electrically connect the aluminum wirings 201 and 202 to each other are disposed in an array-like (lattice-like) state.例文帳に追加

多層配線プロセスを用いた半導体集積回路の製造工程において、配線を下位層の第１層アルミ配線２０１と上位層の第２層アルミ配線により形成するとともに、この第１層アルミ配線２０１−第２層アルミ配線２０２間を電気的に接続するスルーホール２０３をアレイ状（格子状）に配置する。 - 特許庁

A memory device capacitor, including a transistor structure, comprises a lower electrode 40, which is formed above an impurity region 22b of the transistor structure and includes a metal electrode 36 and a metal oxide electrode 35; a ferroelectric layer 37, which is formed so that it surrounds the lower electrode 40; and an upper electrode 38 formed on the ferroelectric layer 37.例文帳に追加

トランジスタ構造体の不純物領域２２ｂ上に形成され、金属電極３６及び金属酸化物電極３５を含む下部電極４０と、下部電極４０を取り囲んで形成された強誘電体層３７と、強誘電体層３７上に形成された上部電極３８と、を含むトランジスタ構造体を含むメモリ素子のキャパシタである。 - 特許庁

Vertical cell transfer transistors Tr1, Tr2 and Tr3 having a channel region consisting of a single crystal silicon layer 18 formed by epitaxial growth, a source-drain region consisting of n-type diffusion regions 14 and 23 formed in upper and lower parts of the single crystal silicon layer 18 and an embedded gate electrode consisting of work line 21 are formed.例文帳に追加

エピタキシャル成長により形成された単結晶シリコン層１８からなるチャネル領域と、単結晶シリコン層１８の上部と下部に形成されたｎ型拡散領域１４、２３からなるソース・ドレイン領域と、ワード線２１からなる埋め込み型のゲート電極とを有する縦型セルトランスファトランジスタＴｒ１、Ｔｒ２、Ｔｒ３が形成される。 - 特許庁

On the p-type layer 104, a positive electrode E101 consisting of a translucent electrode E101a of oxide semiconductor, and a positive contact electrode E101b connected electrically with the translucent electrode is formed wherein the area of the positive contact electrode E101b is less than a half that of the upper surface of the p-type layer 104.例文帳に追加

ｐ型層１０４上には、酸化物半導体からなる透光性電極Ｅ１０１ａと、透光性電極と電気的に接続した正の接点電極Ｅ１０１ｂと、からなる正電極Ｅ１０１が形成されており、正の接点電極Ｅ１０１ｂの面積は、ｐ型層１０４の上面の面積の２分の１未満である。 - 特許庁

In applying broadcast encryption (decryption) to a hierarchical encoding strategy for image data, etc., suitable for multicast distribution, the method generates a secret key of an upper layer subordinately from a secret key (master key) corresponding to a lower layer hierarchy image by using a one-way hash function, as for a plurality of secret keys required for each image of different stage.例文帳に追加

本発明は、マルチキャスト配信に適する映像データ等の階層符号化方式にブロードキャスト暗号化（復号化）を適用するにあたり、異なる段階の画像毎に必要となる複数の秘密鍵に対して、下位階層画像に対応する秘密鍵（マスタキー）から一方向性ハッシュ関数を用いて従属的に上位階層の秘密鍵を生成する。 - 特許庁

A semiconductor device has: a source electrode 20, a gate electrode 24, and a drain electrode 22 formed on a nitride semiconductor layer 19; a silicon nitride film 26 formed on the nitride semiconductor layer in a state contacted with it; and an organic insulation film 32 provided in a state contacted with an upper surface of the silicon nitride film between the gate electrode and the drain electrode.例文帳に追加

窒化物半導体層１９上に形成されたソース電極２０、ゲート電極２４およびドレイン電極２２と、前記窒化物半導体層上に接して形成された窒化シリコン膜２６と、前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間の前記窒化シリコン膜の上面に接して設けられた有機絶縁膜３２と、を含む半導体装置。 - 特許庁

A concealing layer main body, which can not be viewed in an ordinary and general state but contains a light reflecting substance transparentizing a layer irreversibly when a transparentizing means is added from the upper surface of a transparent film and a light absorbing substance having a light absorbing function, is formed on the undersurface of the transparent film to constitute a concealing seal.例文帳に追加

透明フィルムの一側下面に、普通一般の状態では目視することができない反面、一側上面から透明化手段を加えると不可逆的に層を透明化する光反射物質並びに光を吸収する機能を有する光吸収物質とを含む隠蔽層本体を形成したことを特徴とする隠蔽シール。 - 特許庁

In an external electrode 8 provided on a semiconductor device 1 of P-VQFN as one of non-lead surface mounting, a metal plating layer 8b composed of a metal such as copper (Cu) and a solder plating layer 8c composed of a solder are respectively formed on the upper surface and lower surface of an electrode part 8a (on the mount face side and opposite side of a package 7).例文帳に追加

ノンリード表面実装の１つであるＰ−ＶＱＦＮの半導体装置１に設けられた外部電極８には、電極部８ａの上面と下面（パッケージ７の実装面側とその反対面側）に銅（Ｃｕ）などの金属による金属めっき層８ｂ、およびはんだによるはんだめっき層８ｃがそれぞれ形成されている。 - 特許庁

In the solar cell watch having such a structure that the indication plate obtained by laminating a transparent substrate 15 on the solar cell 11 through a light-transmissive hologram reflection plate 13 and an adhesive layer 14 is arranged therein, a colored layer 16 whose color is similar to reflected light, is disposed on the under surface of the transparent substrate, or the upper or under surface of the hologram reflection plate.例文帳に追加

ソーラーセル付携帯時計で、ソーラーセル１１の上に光透過性のホログラム反射板１３と接着層１４を介して、透明基板１５を積層した表示板を配置した構造で、前記透明基板の下面もしくはホログラム反射板の上面またはもしくは下面に反射光と同系統色の着色層１６を設ける。 - 特許庁

In the semiconductor device which comprises a circuit component 30 formed in a semiconductor substrate constituted as a chip, and an electrode pad 10 formed in the upper layer for electrically connecting the circuit component outside; the test element (TEG element) 20, not electrically connected to the electrode pad, is provided in the silicon substrate 1 of the lower layer region of the electrode pad 10.例文帳に追加

チップとして構成される半導体基板に形成された回路素子３０と、その上層に形成され、回路素子を外部に電気接続するための電極パッド１０を備える半導体装置において、電極パッド１０の下層領域のシリコン基板１に電極パッドに電気接続されていないテスト素子（ＴＥＧ素子）２０を備える。 - 特許庁

To prevent the movement and excessive ventilation of dirty indoor air between an upper layer story and a lower layer story; and to always reduce electric power consumption in ventilation by controlling an air flow by temperature difference ventilation by adjusting air supply quantity and air exhaust quantity by mechanical ventilation of a class 1 ventilation system in a two-story house.例文帳に追加

２階建て住宅において、第１種換気方式の機械換気による給気量及び排気量を調整することで、温度差換気による空気の流れを制御して、上層階と下層階との間での汚れた室内空気の移動や過換気を防止するとともに、常時換気に際しての消費電力の低減も図る。 - 特許庁

By electrically connecting an n-channel type MISFETQs in the direct peripheral circuit arranged in close to a memory array and a common source line PN_1 via a pad layer 16 composed of the same conductive film as that of a storage electrode 15 of the memory cell, the aspect ratio of a contact hole 22 formed at the upper part of the pad layer 16 is reduced.例文帳に追加

メモリアレイに近接して配置した直接周辺回路のｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱｓと共通ソース線ＰＮ_１との接続を、メモリセルの蓄積電極１５と同一の導電膜で構成したパッド層１６を介して電気的に接続することにより、パッド層１６の上部に形成するコンタクトホール２２のアスペクト比を小さくする。 - 特許庁

The antistatic laminated body is to be used in the polarizing plate, is composed of a light transmitting base material 2 and an antistatic layer 3 formed on the light transmitting base material and composed of an antistatic prevention agent (fine particles) 5, wherein the antistatic layer is not positioned upper than a polarizing element of the polarizing plate.例文帳に追加

偏光板に使用される帯電防止積層体であって、光透過性基材２と、該光透過性基材の上に形成され、帯電防止剤（微粒子）５でなる帯電防止層３とにより構成されてなり、かつ、前記帯電防止層が前記偏光板の偏光素子よりも上面に位置しないものである帯電防止積層体により達成される。 - 特許庁

The plating surface of a galvanized steel sheet is coated with a lower layer film bases on a silicic acid compound (at least a part of which preferably comprises a silane coupling agent) and a resin and containing fluoride and a phosphate compound as an F element and a P element in an amount of 0.5-5 at.% and an upper layer resin film having lubricity and fingerprint resistance.例文帳に追加

亜鉛系めっき鋼板のめっき面を、珪酸化合物 (少なくとも一部はシランカップリング剤からなることが好ましい) と樹脂を主成分とし、フッ化物とリン酸化合物を、それぞれＦ元素およびＰ元素として 0.5〜５at％の量で含有する下層皮膜と、その上の潤滑性または耐指紋性のある上層の樹脂皮膜とで被覆する。 - 特許庁

The angular velocity sensor includes: an analog layer 17 having the oscillator analog signal wiring pattern 18 from a surface flush with the inner bottom surface of a recess 12 in a substrate 11 to an upper side; and a digital layer 19 having the digital signal wiring pattern 21 from a surface flush with the inner bottom surface of the recess 12 to a lower side.例文帳に追加

本発明の角速度センサは、基板１１の凹部１２における内底面と同一面から上側にかけて振動子アナログ信号配線パターン１８を有するアナログ層１７を設けるとともに、凹部１２における内底面と同一面から下側にかけてデジタル信号配線パターン２１を有するデジタル層１９を設けたものである。 - 特許庁

Although, stripline is constituted, by forming ground electrodes GNDb, GNDa in the lower layer and the upper layer of the line conductor ML in an electrode pattern, a ground electrode non-forming part A for reducing the capacity generated between input/output terminals 13in, 13out on the rear surface electrically continuous with the line conductor and the ground electrode is provided.例文帳に追加

電極パターンによる線路導体ＭＬの下層および上層にグランド電極ＧＮＤｂ，ＧＮＤａを形成してストリップ線路を構成するが、その線路導体に導通する裏面の入出力端子１３ｉｎ，１３ｏｕｔとグランド電極との間に生じる容量を減少させるグランド電極非形成部Ａを設ける。 - 特許庁

A light reflecting layer 130 or a light shielding layer 150 of conductive material is formed between the insulation films of the adjacent devices and electrically connected to an upper electrode 125 to reduce fluctuations of brightness due to wiring resistance, and to prevent crosstalk between the devices, providing a homogenous and eye-friendly organic light emitting display device.例文帳に追加

隣り合う素子の絶縁膜と絶縁膜の間に導電性材料からなる光反射層１３０あるいは光遮光層１５０を形成し、上部電極１２５と電気的に接続することで配線抵抗による輝度のばらつきを低減し、かつ素子間のクロストークを防止し、均質で見やすい有機発光表示装置を提供するというものである。 - 特許庁

Therefore, the light from the light source 15 is diffused and reflected within the light diffusion layer 16 prepared circularly and is derived along the periphery of the watch glass 2 and then the derived light is emitted circularly from the upper and lower surface of watch glass 2 at the place corresponding to both an inner periphery edge of the light diffusion layer 16 and an inner periphery edge of the bezel 7.例文帳に追加

従って、光源１５からの光がサークル状に設けられた光拡散層１６によって拡散反射されて時計ガラス２の周囲に沿って導かれ、この導かれた光が光拡散層１６の内周端とベゼル７の内周端とに対応する位置における時計ガラス２の上下面からサークル状に放出される。 - 特許庁

The liquid crystal display device 20 is a transflective liquid crystal display device 20 which has liquid crystal 26 is held between an upper substrate 24 and a lower substrate 23 arranged opposite each other, and provided with a translucent reflecting layer 35 made of cholesteric liquid crystal and a pigment color filter layer 32 on the lower substrate 23 and equipped with a back light 22.例文帳に追加

本発明の液晶表示装置２０は、互いに対向配置された上基板２４と下基板２３との間に液晶２６が挟持され、下基板２３上にコレステリック液晶からなる半透過反射層３５と顔料カラーフィルター層３２とが設けられ、バックライト２２が備えられた半透過反射型の液晶表示装置である。 - 特許庁

Further, it is provided with a SiO2 layer 118 to electrically insulate the upper electrode 107 from a wiring 105, a contact hole 103a for forming a W plug 113 to electrically connect the doped layer 117 and the lower electrode 111, and a contact hole 103b to electrically connect the lower electrode 111 and the wiring 105.例文帳に追加

さらに、上部電極１０７と配線１０５とを電気的に絶縁するＳｉＯ2層１１８と、不純物層１１７と下部電極１１１とを電気的に接続するためのＷプラグ１１３を形成するコンタクトホール１０３ａと、下部電極１１１と配線１０５とを電気的に接続するためのコンタクトホール１０３ｂとを備える。 - 特許庁

Further, the capacitor 102 is provided with an SiO_2 layer 118 for electrically insulating the upper electrode 107 and wiring 105, a contact hole 103a to form a W-plug 113 for electrically connecting an impurity layer 117 and the lower electrode 111, and a contact hole 103b for electrically connecting the lower electrode 111 and wiring 105.例文帳に追加

さらに、上部電極１０７と配線１０５とを電気的に絶縁するＳｉＯ2層１１８と、不純物層１１７と下部電極１１１とを電気的に接続するためのＷプラグ１１３を形成するコンタクトホール１０３ａと、下部電極１１１と配線１０５とを電気的に接続するためのコンタクトホール１０３ｂとを備える。 - 特許庁

This tag-holding card type cartridge for holding the tag having the reversible recording layer allowing reversible display or erasure of a visible image by a temperature at least on one face is formed with a recessed part sunk with the tag in an upper face thereof, and is formed with an absorbent foamed resin layer wherein bubbles are exposed in the bottom face of the recessed part.例文帳に追加

温度により可逆的に可視画像を表示し又は消去することが可能な可逆性記録層を少なくとも一方の面に有するタグを保持するためのタグ保持用カード型カートリッジを、その上面にタグが没入する凹部を設け、この凹部の底面に、気泡を表出させた吸着性発泡樹脂層を設けて構成する。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device comprises: (a) a process of forming the contact hole (6) at an upper part inside an insulation layer 3 containing a silicon oxide by dry etching using a first etching gas containing an Xe gas, (b) and a process of deepening the contact hole 7 more inside the insulation layer 3 by dry etching using a second etching gas not containing the Xe gas.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、（ａ）Ｘｅガスを含む第１エッチングガスを用いたドライエッチングにより、酸化シリコンを含む絶縁層３内の上部にコンタクトホール（６）を形成する工程と、（ｂ）Ｘｅガスを含まない第２エッチングガスを用いたドライエッチングにより、絶縁層３内でコンタクトホール７をより深くする工程とを具備する。 - 特許庁

The programmable controller at an upper layer calculates time from transmission of a time counting command according to timing of a CPU interruption signal 15 synchronized with voltage waves of a commercial power source 1 (d1), reception of the command by the programmable controller at a lower layer (d2) to return of a response command according to the timing of the initial CPU interruption signal 15 (d3).例文帳に追加

上位層のプログラマブルコントローラは、商用電源１の電圧波に同期したＣＰＵ割込信号１５のタイミングに従って時間計測コマンドを送信してから（ｄ１）、下位層のプログラマブルコントローラが受信し（ｄ２）、最初のＣＰＵ割込信号１５のタイミングに従って応答コマンドを返送する（ｄ３）までの期間における時間を求める。 - 特許庁

The memory device 100 comprising an organic material layer 20 between an upper electrode 10 and a lower electrode 30, The organic material layer 20 comprises a dendrimer containing at least one electron donating group and at least one electron accepting group.例文帳に追加

上部電極１０と下部電極３０との間に有機材料層２０を含むメモリ素子１００であって、有機材料層２０が、少なくとも１つの電子供与基（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｄｏｎａｔｉｎｇ ｇｒｏｕｐ）および少なくとも１つの電子受容基（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ａｃｃｅｐｔｉｎｇ ｇｒｏｕｐ）を有するデンドリマーを含む。 - 特許庁

The purified polyol is obtained by adding a decomposing agent comprising an amine compound and a derivative thereof in a molar ratio of 1/1.25 to 10/1 based on a urethane bond contained in the polyurethane resin to chemically decompose the polyurethane resin, separating the obtained polyurethane-decomposed product, and distilling a crude polyol layer which is the upper layer under a reduced pressure.例文帳に追加

この発明は、ウレタン樹脂中に含まれるウレタン結合に対して、アミン化合物及びその誘導体からなる分解剤をモル比で１／１．２５〜１０／１添加し、化学分解して得られたウレタン樹脂分解物を分離させ、上層である粗製ポリオール層を減圧蒸留することによって、精製ポリオールを得ることを特徴とする。 - 特許庁

Here, each bank 19 is structured, such that a lower metal layer 19a formed of the thin film of titanium, chromium, etc., and an upper metal layer 19b formed of the thin film of aluminum, copper, etc., are laminated on a base insulating film 18, formed covering column-directional peripheral edge portions of pixel electrodes 15 formed in the respective pixel formation regions Rpx.例文帳に追加

ここで、バンク１９は、各画素形成領域Ｒpxに形成される画素電極１５の列方向の周縁部を覆うように形成された下地絶縁膜１８上に、チタンやクロム等の薄膜からなる下層金属層１９ａと、アルミニウムや銅等の薄膜からなる上層金属層１９ｂとを積層した構造を有している。 - 特許庁

A glass window 106 at a lower face of a box 104 in which a UV lamp 102 of the UV irradiation means 100 disposed above the platen 20 is stored is formed in a three layer structure wherein a vacuum layer 109 which resists conduction of radiant heat or the like emitted from the UV lamp 102 is interposed between upper and lower two sheets of glass plates 107 which can pass ultraviolet rays.例文帳に追加

プラテン２０上方に配置されたＵＶ照射手段１００のＵＶランプ１０２が収容されたボックス１０４下面のガラス窓１０６が、紫外線が通過可能な上下２枚のガラス板１０７の間に、ＵＶランプ１０２から発せられた輻射熱等が伝わりにくい真空層１０９が介在する３層構造に形成する。 - 特許庁

The water sealing walls 4, as shown in a of the figure, have the lower ends set lower than the polluted region 2, and distantly set from an upper face of of a water impermeable layer or a hardly water permeating layer 9 spread in the polluted soil 3, to allow ground water to flow into a washing space 10 in the polluted soil 3 put between the water sealing walls 4.例文帳に追加

ここで、遮水壁４は同図(a)に示すように、その下端を汚染領域２より下方であって汚染土壌３内に拡がる非透水層又は難透水層９の上面から離隔させてあり、遮水壁４，４に挟み込まれた汚染土壌３内の洗浄空間１０に地下水が流入できるようになっている。 - 特許庁

The organic electroluminescence element and its manufacturing method are such that by thin forming an inorganic pixel defining film layer having an opening exposing at least a part of the upper part of a first electrode by a vapor deposition method, breakage of the formed organic film layer pattern caused by the step between the first electrode and the inorganic pixel defining film can be prevented.例文帳に追加

前記有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法は、第１の電極の上部の少なくとも一部を露出させる開口部を具備する無機画素定義膜を蒸着法を用いて薄く形成することにより、形成される有機膜層パターンが第１の電極と無機画素定義膜との段差によって切れることを防ぐといった効果がある。 - 特許庁

Both of a lower resin layer constituted mainly of a polyolefin resin and containing 5% or more of rutile type titanium oxide and an upper resin layer constituted mainly of the polyolefin resin and containing one or more fluorescent whitening agents selected from bis-stilbene, bis-naphthalene and bis-thiophene ones are formed on at least one surface on the support by a melt extrusion method.例文帳に追加

支持体上の少なくとも一方の表面に、ポリオレフィン樹脂を主成分とし、ルチル型酸化チタンを５％以上含む下層樹脂層と、ポリオレフィン樹脂を主成分とし、ビス−スチルベン系、ビス−ナフタレン系、ビス−チオフェン系から１つ以上選ばれた蛍光増白剤を含む上層樹脂層をいずれも溶融押し出し法により形成する。 - 特許庁