「upper- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(184ページ目) - Weblio英語例文検索

Then, the second resist film 14 is separated, a contact/seed layer 15 is deposited on surfaces of the anodized film 6 and the metal film 5, and a conductor pattern 8 is formed on the anodized film 6 to serve as an upper electrode.例文帳に追加

次いで、第２のレジスト膜１４を剥離し、陽極酸化膜６及び金属被膜５の表面に密着／シード層１５を被着し、陽極酸化膜６上に上部電極となる導体パターン８を形成する。 - 特許庁

The insulating film of two layers or more is formed by the deposition method, so that the insulating film can be deposited flatly, and when an upper wiring layer is formed thereon, short-circuit between wirings can be prevented.例文帳に追加

そのような堆積方法により絶縁膜を２層以上にすることで、平坦に絶縁膜を堆積することが可能となり、そこに上部配線層を形成した場合には配線間の短絡を防ぐことができる。 - 特許庁

Inclined faces 10a are formed on the upper surface of the lower core layer 10 so as to be inclined in directions away from the track width regulating section 14, thereby write fringing can be adequately prevented.例文帳に追加

さらに下部コア層１０の上面にはトラック幅規制部１４から離れる方向に向かって傾斜する傾斜面１０ａが形成されており、これによりライトフリンジングの発生を適切に防止することができる。 - 特許庁

To provide a high quality electroluminescent lamp capable of uniformly displaying letters and the whole graphic form making a light emission layer located in an upper part between split-formed drive electrodes emit light without causing a dielectric breakdown.例文帳に追加

絶縁破壊を起こすことなく、分割形成された駆動電極間の上部に位置する発光層を発光させ、文字や図形全体を均一に表示させることができる高品質の電界発光灯を提供する。 - 特許庁

On an upper face of the solid oxide substrate 1 such as alumina ceramic, a belt-state cathode layer 2 such as SSC, and permeable belt-state anode layers 3_1, 3_2 of rhenium metal powders or the like are arranged in parallel with a prescribed spacing.例文帳に追加

アルミナセラミック等の固体酸化物基板１の上面に、ＳＳＣ等の帯状カソード層２と、レニウム金属粉末等の透過性の帯状アノード層３_１、３_２とを所定間隔空けて並行配列する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a drift region 102, a base region 108 formed on the upper layer of the drift region 102, source regions 109 formed on the base region 108, and gate electrodes 107A and gate dielectrics 106A.例文帳に追加

ドリフト領域１０２と、ドリフト領域１０２の上層部に形成されたベース領域１０８と、ベース領域１０８に形成されたソース領域１０９と、ゲート電極１０７Ａ及びゲート絶縁膜１０６Ａを備える。 - 特許庁

The wafer 12 is mounted on a susceptor 4 which supplies reaction gas to the chamber 2 and in which an upper surface is made a retaining surface for retaining the wafer 12, the susceptor 4 and the wafer 12 in the chamber 2 are hearted, and an epitaxial layer is grown.例文帳に追加

チャンバ２内に反応ガスを供給し、上面がウェハ１２を支持する支持面となっているサセプタ４上にウェハ１２を載置し、チャンバ２内のサセプタ４とウェハ１２を加熱しエピタキシャル層を成長させる。 - 特許庁

A semiconductor chip 11 is provided with a silicon substrate 16 including an element forming region 21 on the upper side of which a MIS transistor source-drain diffusion layer is formed, and a scribe region 22 for surrounding the element forming region 21.例文帳に追加

半導体チップ１１は、ＭＩＳトランジスタのソース・ドレイン拡散層を上面に有する素子形成領域２１と、素子形成領域２１の周囲を囲むスクライブ領域２２とを有するシリコン基板１６を備える。 - 特許庁

Then, the image 2 is formed on the transfer paper 3 in a printing order in which the transmissivity of the paints of four colors after printing is made lower on the side of the ceramic 1 and is made higher on an upper layer by the printer.例文帳に追加

そして、このプリンタにおいて、前記４色の絵具が、その絵具の焼付け後における透過度が、セラミックス１側が低く、上層ほど高くなるような刷り順で、前記画像２が転写紙３に形成される。 - 特許庁

Besides, metal conductors 16 and 17 are formed from the upper ends to the lower ends of castellation C3 and C4 and electrically connected with a metal layer 11 and ground terminals E3 and E4 formed on the base of the ceramic package.例文帳に追加

またキャスタレーションＣ３，Ｃ４には上端から下端にわたり金属導体１６，１７が形成されており、前記金属層１１とセラミックパッケージ底面に形成されたアース端子Ｅ３，Ｅ４と電気的につながっている。 - 特許庁

The re-retrieval item condition generation means 6 sets another conception included in the classification time of the upper layer as a new retrieval object classification item to generate a re-retrieval item condition 9c.例文帳に追加

次に、再検索項目条件生成手段６は、上位階層の分類項目に含まれる別の概念を新たな検索対象分類項目として設定した再検索項目条件９ｃを生成する。 - 特許庁

The exterior wall of the large diameter part 62 comprises an upper exterior wall 62a with the bare stainless steel bar, a middle exterior wall 62b formed with the plated layer, and a lower exterior wall 62c with the bare stainless steel bar.例文帳に追加

大径部６２の外壁は、ステンレス鋼棒が露出している上部外壁６２ａ、めっき層が形成されている中央部外壁６２ｂ、及びステンレス鋼棒が露出している下部外壁６２ｃとからなる。 - 特許庁

An insulating film 106 is formed to cover a part of an upper surface of the piezoelectric thin film 105, one of side surfaces of the piezoelectric thin film 105, and one of side surfaces of the lower electrode layer 104 within the same plane as the side surface.例文帳に追加

圧電体薄膜１０５の上面の一部と、圧電体薄膜１０５の側面の一つと、その側面と同じ平面内の下部電極層１０４の側面の一つと、を覆うように絶縁膜１０６を形成する。 - 特許庁

An insulating film 73 is laminated on the upper layer of the first electrode 91a, and a recessed part within a contact hole 72b is perfectly filled up with the insulating film 73, and a space between the adjacent first electrodes 91a is also filled up therewith.例文帳に追加

第１電極９１ａの上層には絶縁膜７３が積層され、かかる絶縁膜７３によって、コンタクトホール７２ｂ内の凹部は完全に埋められ、隣接する第１電極９１ａの間も埋められている。 - 特許庁

In the surface emitting semiconductor laser 100, a pillar-shaped part 110 is formed in a part of a resonator 120, which is formed by laminating a lower mirror 103, an active layer 105 and an upper mirror 117.例文帳に追加

面発光型半導体レーザ１００は、共振器１２０の一部に柱状部１１０が形成され、共振器１２０は、下部ミラー１０３、活性層１０５、および上部ミラー１１７が積層されて形成される。 - 特許庁

A filter medium packing part 15 packed with a filter medium 14 and a washing device 16 for allowing the filter medium 14 in the upper layer part of the filter medium packing part 15 to be floated for washing are provided within the filtration tank 12.例文帳に追加

ろ過槽１２の内部には、ろ材１４が充填されて形成されたろ材充填部１５と、このろ材充填部１５の上層部のろ材１４を浮上させて洗浄する洗浄装置１６とが設けられる。 - 特許庁

To provide a thin film processing method and a manufacturing method for a thin film magnetic head by which a target and an address under a non-transparent film can be referred to even when the non-transparent film is formed at an upper layer in a thin film wafer process.例文帳に追加

薄膜ウエハ工程において上層に不透明膜を形成した場合にもその下のターゲット及びアドレスを参照可能となる薄膜処理方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a thin film transistor wherein a color filter is formed not on the substrate side of the thin film transistor, but rather on the upper layer or inside the thin film transistor, to provide a method for manufacturing the thin film transistor, and to provide an image display apparatus.例文帳に追加

カラーフィルタを薄膜トランジスタの基板側ではなく上層、もしくは薄膜トランジスタ内部にカラーフィルタを形成する薄膜トランジスタ及びその製造方法並びに画像表示装置を提供する。 - 特許庁

Since the group III nitride crystal is subjected to a step-flow growth from the portions of the repeated steps, its through-dislocations generated from its upper layer 2 are so bent in response to the step-flow growth of the group III nitride crystal that its penetrative dislocations are eccentrically located as the group III nitride crystal is grown thereafter.例文帳に追加

III族窒化物結晶は段差部分からステップフロー成長するので、上部層２からの貫通転位はこれに伴い屈曲させられ、その後の結晶成長につれて偏在化する。 - 特許庁

To solve a problem of a tank whose allowable pressure must be designed larger, since a surface layer whose temperature is higher than the entire liquid is formed on the surface of the liquid in a low-temperature liquefied gas tank and thus an inner pressure at an upper part of the tank is raised.例文帳に追加

低温液化ガスタンクの液表面に液全体よりも高温の表層が形成されてタンク上部の内部圧力が上昇するので、タンクの許容圧力を大きくして設計しなければならない。 - 特許庁

An adhesive solution is applied to the upper surface of a mold release film 1 comprising a polyethylene terephthalate film using a roll-to-roll process and the coated film is passed through a drying oven 500 set to 60-150°C to form an adhesive layer 2.例文帳に追加

ロールトゥロール工程を用いてポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型フィルム１上に接着剤溶液を塗布し、６０℃〜１５０℃に設定された乾燥炉５００を通過させ、接着剤層２を形成する。 - 特許庁

A wiring board 100 comprising, at its center, a metal plate 101, and first and second insulating layers 103 and 105 are formed on its upper and lower surfaces 101a and 101b while an in-hole insulating layer 107 is provided in a through hole 101h.例文帳に追加

配線基板１００は、中心に金属板１０１を有し、その上下面１０１ａ，ｂには、第１，第２絶縁層１０３，１０５が形成され、貫通孔１０１ｈ内には、孔内絶縁層１０７を備える。 - 特許庁

The beams 12a and 12b fixing both steel plates 10a and 10b are shifted from each other by one layer, and the lower half parts and upper half parts of both steel plates are lapped to hold a viscoelastic body between them in an adhesive state.例文帳に追加

双方の鋼板を固定する梁を互いに１層分ずらして各階において双方の鋼板の下半部と上半部とを重ね合わせてそれらの間に粘弾性体１１を接着状態で挟み込む。 - 特許庁

To prevent trouble in a circuit provided to a device even when an electronic element such as a TFT formed on a layer under an interlayer insulation film is short-circuited to a wiring formed on the upper side of the interlayer insulation film.例文帳に追加

例えば、層間絶縁膜の下層に形成されたＴＦＴ等の電子素子が層間絶縁膜の上側に形成された配線とショートした場合でも、装置が備える回路に不具合が生じることを防止する。 - 特許庁

The decorative steel sheet comprises the plated steel sheet in which the zinc-plated film and a posttreated film containing vanadium or cobalt in its upper layer are formed on both surfaces of the steel sheet, and an organic resin film laminated on at least one surface of the plated steel sheet.例文帳に追加

鋼板の両面に亜鉛めっき皮膜とその上層にバナジウムまたはコバルトを含む後処理皮膜を形成させためっき鋼板の少なくとも片面に、有機樹脂皮膜を積層して化粧鋼板とする。 - 特許庁

Then, a TFT array substrate (10) configured by successively forming upper layers of the lower capacitive electrode (71) and a counter substrate (20) are stuck to each other through a liquid crystal layer (50) to manufacture a liquid crystal device (1).例文帳に追加

その後、下部容量電極（７１）の上層部分を順次形成してなるＴＦＴアレイ基板（１０）と、対向基板（２０）とを液晶層（５０）を介して貼り合せることによって、液晶装置（１）を製造する。 - 特許庁

In a base station 100, a scheduling/transmission parameter deciding unit 113 inputs soft handover information from an upper layer, but will not perform a discreet assignment processing to a mobile station which is in a soft handover state.例文帳に追加

基地局１００において、スケジューリング／送信パラメータ決定部１１３は、上位レイヤからソフトハンドオーバ情報を入力し、ソフトハンドオーバ状態にある移動局に対して、個別の割り当て処理を行わない。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can avoid a short circuit between each electric wiring in an upper layer electric wiring, even when a part of top of a FSG film is exposed by dispersion of a manufacturing process.例文帳に追加

製造工程のばらつきによってＦＳＧ膜の上面の一部が露出した場合であっても、上層配線層における配線間のショートの発生を回避し得る半導体装置の製造方法を得る。 - 特許庁

Although the coating film is converted to silicon oxide films 2, 10 by heat treatment, cracks may be generated in the silicon oxide film 10 at an upper layer by thermal shrinkage stress, which can be prevented by the silicon nitride film 9.例文帳に追加

熱処理を行うと塗布膜はシリコン酸化膜２、１０に転換するが、このとき熱収縮応力により上層のシリコン酸化膜１０にクラックが発生することがあるが、シリコン窒化膜９で阻止できる。 - 特許庁

The second metal film 24 includes: a first portion 26 covering the whole upper surface of the first metal film 22; and a second portion 28 placed on a layer under the first metal film 22 and covering the end face of the first metal film 22.例文帳に追加

第２金属膜２４は、第１金属膜２２の上面を全て覆う第１部分２６と、第１金属膜２２の下の層に載るとともに第１金属膜２２の端面を覆う第２部分２８と、を含む。 - 特許庁

Each dummy gate electrode is embedded with a sidewall insulation film, the polysilicon film at an upper portion of each dummy gate is removed, a recess is formed on the insulation layer, and a second metal film is laminated in the recess to form a CMOS gate electrode.例文帳に追加

各ダミーゲート電極を、側壁絶縁膜で埋め込み、各ダミーゲートの上部のポリシリコン膜を除去し、絶縁層に凹部を形成した後、凹部内に第二の金属膜を積層し、ＣＭＯＳのゲート電極とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that shields an upper part where inductor is formed, so that deterioration of inductor performance is prevented within a permitted value even when the inductor is arranged on a global layer; and to provide a method of manufacturing and designing the semiconductor device.例文帳に追加

インダクタをグローバル層に配置してもインダクタ性能の低下を許容値内に抑えるようにインダクタの形成領域上部をシールドできる半導体装置、製造方法および設計方法を提供すること。 - 特許庁

Second diffusion preventive layers 123, 224 are formed on at least one copper-containing wiring layers 134, 238 other than the lowermost copper-containing wiring layer 132 while avoiding the upper side of the photoelectric converting section 103.例文帳に追加

第２の拡散防止層１２３、２２４が、最下層の銅含有配線層１３２以外の少なくとも１つの銅含有配線層１３４、２３８上に、光電変換部１０３上方を避けて形成される。 - 特許庁

Further, an organic functional layer 107 formed on the anode 105 has a film thickness t_3 equal to or larger than the film thickness t_1 of the anode 105, and is formed from an upper surface of the anode 105 to a side face of an end.例文帳に追加

また、陽極１０５上に形成された有機機能層１０７は、その膜厚ｔ_３が、陽極１０５の膜厚ｔ_１以上であり、陽極１０５の上面から端部の側面にわたって形成されている。 - 特許庁

By this, a memory cell array area and a predetermined pad can be connected within a shorter distance by using a wiring formed in an upper layer that has lower electrical resistance, and power potential can be stably supplied to the memory cell array area.例文帳に追加

これにより、上層の低抵抗配線を用いてメモリセルアレイ領域と所定のパッドとを短距離で接続できるため、メモリセルアレイ領域に電源電位を安定的に供給することが可能となる。 - 特許庁

A non-cut part 21b is left by not cutting the skin layer 22 of the section corresponding to a connection pipe insertion direction upper side on the inner bottom surface of the seal ring fitting groove 21 of the inner tube 2 and keeping it as it is.例文帳に追加

内筒２のシールリング嵌合溝２１の内底表面における接続管差込み方向上手側に対応する箇所のスキン層２２は切削しないでそのままにした非切削部２１ｂを設ける。 - 特許庁

A touch panel controller 3 selects sensor electrodes of the touch panel 1 provided on an upper layer of a liquid crystal display panel 2 one by one to determine for contact of a conductor to the position according to each selected sensor electrode.例文帳に追加

タッチパネルコントローラ３は、液晶表示パネル２の上層に設けられたタッチパネル１のセンサ電極を一つずつ選択し、選択したセンサ電極に応じた位置に対する導体の接触の有無を判定する。 - 特許庁

Insulating layers 90, 92 and 94 are formed between the upper surface of the semiconductor substrate 12 over a boundary part 72 between the cathode region 30 and collector region 52 and the solder layer 96 over the boundary part 72.例文帳に追加

カソード領域３０とコレクタ領域５２の境界部７２の上方の半導体基板１２の上面と前記境界部７２の上方のはんだ層９６との間に、絶縁層９０、９２、９４が形成されている。 - 特許庁

Each upper clad layer of optical waveguide regions 11, 13 of the optical waveguide 10, optical waveguide regions 21, 23 of the optical waveguide 20, the incident side optical demultiplexer 30, and the emission side optical multiplexer 40 comprise a semi-insulating semiconductor.例文帳に追加

光導波路１０の光導波領域１１，１３、光導波路２０の光導波領域２１，２３、入射側分波器３０及び出射側合波器４０の各上部クラッド層は、半絶縁半導体からなる。 - 特許庁

A power generation unit 20 including a positive electrode 11 and a negative electrode 12 is housed in a battery can 2 of which the upper part is open, and a thermosetting resin layer 25 is formed on the inner bottom face 2b of the battery can 2.例文帳に追加

正極電極１１および負極電極１２を含む発電ユニット２０を、上部が開口された電池缶２内に収容し、電池缶２の底部内面２ｂに熱硬化樹脂層２５を形成する。 - 特許庁

The upper layer 10 is made of innumerable large-diameter aggregates 1 obtained by crushing a waste tile material at a 5-10 mm average particle diameter, and hyaline 5 binding each of the large-diameter aggregates 1 while securing a space 1a between each of the large-diameter aggregates 1.例文帳に追加

上層１０は、廃瓦材が平均粒径５〜１０ｍｍで粉砕された無数の大径骨材１と、各大径骨材１間に間隙１ａを確保しつつ各大径骨材１を結合するガラス質５とからなる。 - 特許庁

Consequently, the mixture in the storage tank 301 is discharged into the solid-liq. separator 400 from the outlet 308, and the solid such as sludge suspending in the upper layer oaf the storage tank 301 is treated.例文帳に追加

これにより貯留槽３０１の混合物は，排出口３０８から固液分離装置４００へと流出して，当該貯留槽３０１の上層に浮遊する汚泥等の固体物が処理できるようになる。 - 特許庁

The metal sheet treatment tank is characterized by a coating layer which is formed of a hydrophilic material and provided at least on the upper inner surface of the treatment tank for treating the surface of the metal sheet with the use of a treatment liquid.例文帳に追加

処理液を用いて金属板の表面を処理する処理槽の少なくとも上部内面に、親水性を有する材料からなるコーティング層が設けられていることを特徴とする金属板処理槽である。 - 特許庁

This tile for planting is characterized by consisting of a base plate part constituted with a foamed ceramic-baked material and a surface layer part constituted with a crack-grooved ceramic-baked material formed as one unit at the upper surface side of the base plate part.例文帳に追加

この植栽用タイルは、発泡セラミックス焼成体で構成された基板部と、該基板部の上面側に一体的に形成された裂溝セラミックス焼成体で構成された表層部とからなることを特徴とする。 - 特許庁

A surface-emitting semiconductor laser includes a lower DBR 14 formed on a VCSEL 10 and a substrate 12, including a current construction layer 32, consisting of Al, an active region 16, and an upper DBR 18 fabricated on a post P.例文帳に追加

ＶＣＳＥＬ１０、基板１２上に形成され、Ａｌを構成元素とする電流狭窄層３２を含む下部ＤＢＲ１４と、活性領域１６と、ポストＰに加工された上部ＤＢＲ１８とを備える。 - 特許庁