「upper- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(180ページ目) - Weblio英語例文検索

A positioning guide 13 is not continuously formed over the whole periphery of the case 5, and the atmospheric layer 12 formed between the case 5 and the upper bracket 3 is not sealed and is communicated with the outside.例文帳に追加

位置決めガイド１３は、ケース５の全周に亘って連続的に形成されておらず、ケース５とアッパーブラケット３との間に形成された大気層１２は、密閉されることなく外部と連通している。 - 特許庁

To provide a burying method for a drainpipe in the existing highway bridge, a burying structure and the drainpipe capable of preventing the upper end section of the drainpipe buried for exhausting water infiltrated into an asphalt layer of the existing highway bridge from being damaged in the case an asphalt paving is repaired.例文帳に追加

既設道路橋のアスファルト層に浸透した水を排水するために埋設される水抜管の上端部が、アスファルト舗装の改修時に損傷されないようにすることである。 - 特許庁

The load resistance element 62 serves to control speeds of charging and discharging of electric charges to and from a liquid crystal layer through a scanning electrode 6, and its resistance value has its upper-limit value and lower-limit value determined.例文帳に追加

負荷抵抗素子６２は、走査電極６を通して電荷が液晶層に充放電される速度を制御する役目を有しており、その抵抗値は、上限値及び下限値が決定される。 - 特許庁

A flat bag part 4 is formed as a middle layer of poorly permeable cloth in the bag surface cloth 2 and the filler cotton 3 is put into upper and lower layers above and under the bag part 4.例文帳に追加

上記表地２の中層に、通気性の乏しい生地で扁平な袋状部４を形成し、該袋状部４の上下の空間である上層及び下層内に中入れ綿３を挿入する。 - 特許庁

In the sand-cushion plate, the top face of a mat made of a synthetic resin on a porous concrete layer has a plurality of projected articles having elasticity, and the plate is used while the upper section of the mat is covered with sand.例文帳に追加

ポーラスコンクリート層上の合成樹脂製マットの上面に弾性を有する突起状物を複数有し、該合成樹脂製マットの上に砂を覆土して用いることを特徴とするサンドクッション平板。 - 特許庁

The method further includes a step of forming rewiring circuits 3, 4 on both the upper and lower surfaces of the wafer 1, and connecting the rewiring circuits 3, 4 by a plating 9 applied on the insulating layer 14 in the through hole 2.例文帳に追加

該ウエハ１の上下両面に再配線回路３、４を形成すると共に該再配線回路３、４を前記スルーホール２内において絶縁層１４上に施したメッキ９により接続する。 - 特許庁

The terminal connection table is prepared by selecting terminals 12 and 13 of the cells in the circuit diagram in the upper layer, and inputting the connection destinations of the selected terminals 12 and 13 for each symbol number.例文帳に追加

前記端子接続表は、上位階層の回路図におけるセルの端子１２、１３を選択し、該選択した端子１２、１３におけるシンボル番号毎の接続先を入力することによって作成される。 - 特許庁

An upper magnetic pole top end 23a is formed so as to be made longer than the lower magnetic pole top end 19a on a recording gap layer 22, and extended to a position facing one part of a thin film coil 21.例文帳に追加

上部磁極先端部２３ａは、記録ギャップ層２２上において下部磁極先端部１９ａよりも長く形成されており、薄膜コイル２１の一部に対向する位置まで延在している。 - 特許庁

In a method of manufacturing the semiconductor device, a light-emitting element 12, which forms a p electrode 13 and a low-melt-point metal diffusion prevention layer 14 on the upper surface and comprises a plurality of group III nitride semiconductors, is formed on a sapphire substrate 10.例文帳に追加

ｐ電極１３および低融点金属拡散防止層１４が上面に形成された、複数のIII 族窒化物半導体からなる発光素子１２を、サファイア基板１０上に形成する。 - 特許庁

To obtain a capacitor whose reliability is high, even when the film thickness of an oxide film forming an insulating layer is extremely thin, for example, 100 Å or smaller in a capacitor having polycrystalline silicon films as the upper and lower electrode layers.例文帳に追加

多結晶シリコン膜を上下の電極層として有するキャパシタにおいて、絶縁層をなす酸化膜の膜厚が１００Å以下と非常に薄い場合でも、信頼性の高いキャパシタを得る。 - 特許庁

On the inner surfaces of the upper housing 15a and the lower housing 15b, a heat insulation layer 30 is formed, which is formed by laminating a plurality of sheet-like heat insulation materials on which a number of through holes 33 are formed.例文帳に追加

上ハウジング１５ａ及び下ハウジング１５ｂの内面には、多数の貫通孔３３が形成されたシート状の断熱材が複数枚積層された断熱層３０が形成されている。 - 特許庁

A mobile electrode 10 and an elastic layer 11, made of silicon rubber or the like applied on the upper face of the electrode, are disposed as movable in a direction toward a top or a back face inside a space 9 constituting one pixel.例文帳に追加

１画素を構成する空間９内には移動電極１０およびその上面に設けられたシリコーンゴムなどからなる弾性層１１が表裏方向に移動可能に設けられている。 - 特許庁

The cellular shock-absorbing sheet 1 consists of three-layer films, i.e., an air cap film 2 having a plurality of projecting parts 5 formed on an upper side, a flat base film 3 in a center thereof, and a flat film member 4 on a lower side.例文帳に追加

気泡性緩衝シート１は、上面に複数の凸部５が形成されたエアキャップフィルム２、真ん中に平坦なベースフィルム３、下面に平坦なフィルム部材４の３層のフィルムから構成されている。 - 特許庁

In the piezoelectric oscillator plate having a piezoelectric ceramics plate, electrodes formed on upper and lower surfaces thereof and a layout electrode, both electrodes are composed of a metal layer formed by nonelectrolytic plating.例文帳に追加

圧電セラミックス板と、その上面および下面に形成した電極と、引き回し電極を有する圧電振動子板において、その電極のいずれも無電解メッキで形成した金属層で構成する。 - 特許庁

To easily manufacture a semiconductor device with high reliability by forming a lower electrode of an MIM capacitor element at the same time with a wiring layer and then eliminating a leak current between an upper electrode and the lower electrode.例文帳に追加

ＭＩＭ型容量素子の下部電極が配線層と同時形成され、上部電極と下部電極との間のリーク電流をゼロにして信頼性の高い半導体装置を簡易に製造する。 - 特許庁

The upper surfaces of the first electrodes 12 are exposed by cleaning and the coating layer 13 is formed at recessed parts 11B between the first electrodes 12 and the peripheral part 11A of the base material 11.例文帳に追加

続いて、洗浄により第１電極１２の上面を露出させると共に、第１電極１２の間の凹部１１Ｂおよび基材１１の周縁部１１Ａに被覆層１３を形成する。 - 特許庁

Further, the threshold value is determined on the basis of the number of TFCIs in use notified from an upper layer so as to obtain error correction capability not inferior to that in the case of performing correlation decoding.例文帳に追加

また、しきい値を上位レイヤから通知された使用されるＴＦＣＩ数を元に決定することにより、相関復号を行う場合に比べても遜色ない誤り訂正能力を得る。 - 特許庁

Line patterns 13 constituted of a photoresist similar to the pattern 11 for measuring overlapping precision are formed on an upper layer film 15 provided on a semiconductor substrate 14, so that the line patterns 12 can be covered.例文帳に追加

ラインパターン１２を覆うようにして半導体基板１４上に設けた上層膜１５上に、重ね合わせ精度測定用パターン１１と相似のフォトレジストからなる、ラインパターン１３を形成する。 - 特許庁

An MMIC 100 is provided with an FET provided on a GaAs substrate 10, and an MIM capacitor having a dielectric layer 20b interposed between a lower electrode 18b and an upper electrode 22b.例文帳に追加

ＭＭＩＣ１００は、ＧａＡｓ基板１０上に設けられたＦＥＴと、下側電極１８ｂと上側電極２２ｂとの間に誘電体層２０ｂが介在しているＭＩＭキャパシタとを備えている。 - 特許庁

An extension region 6 is formed to an upper layer of the silicon substrate 1 with a channel region under the gate electrode 5 inbetween and a source / drain region 9 connected to the extension region 6 is formed.例文帳に追加

ゲート電極５下方のチャネル領域を挟んでシリコン基板１上層にエクステンション領域６が形成され、エクステンション領域６に接続するソース・ドレイン領域９が形成されている。 - 特許庁

The separation regions 13A and the like continuously extend from an upper face to a lower face of a semiconductor substrate 11, and an insulator layer 14A consisting of a silicon oxide film etc. is formed inside.例文帳に追加

この分離領域１３Ａ等は、半導体基板１１の上面から下面まで連続して延在していおり、内部にはシリコン酸化膜等から成る絶縁物層１４Ａが形成されている。 - 特許庁

Pattern data showing such a state that each layer of the fiber sheet is independently observed from the upper part are individually prepared, and rendering is operated in a state that the fiber sheet is mapped on a virtual object.例文帳に追加

繊維シートの各レイヤーを単独で上方から観察した状態を示す絵柄データをそれぞれ別個に用意し、仮想物体上にこの繊維シートをマッピングした状態のレンダリングを行う。 - 特許庁

For example, the upper layer film is formed by mixing colloidal silica and alumina sol in various ratios and baking the mixture to the steel sheet having the forsterite film in the temperature range of 900 to 1,050°C.例文帳に追加

例えば、上記上層被膜はコロイダルシリカとアルミナゾルを種々の割合で混合し、この混合物をフォルステライト被膜のある鋼板に900℃から1050℃の温度範囲で焼き付けることで形成される。 - 特許庁

To keep a semiconductor device formed of a plurality of semiconductor chips as thinner as possible, and to improve a degree of freedom on the occasion of forming an electronic device on the semiconductor chip in the upper layer.例文帳に追加

複数の半導体チップが積層されて成る半導体装置の厚さを極力薄く抑えると共に、上層の半導体チップに電子デバイスを形成する際の自由度を向上させる。 - 特許庁

An image signal to be supplied to the pixel electrode 9aa is supplied to only the pixel electrode 9aa via the second relay layer 400, the upper capacitance electrode 300 and a TFT 30.例文帳に追加

画素電極９ａａに供給されるべき画像信号が、第２中継層４００、上部容量電極３００及びＴＦＴ３０を介して画素電極９ａａにのみ供給される。 - 特許庁

A capacitor 10 has a lower electrode (first conductor film 14) formed on one face with a dielectric layer 11 therebetween and an upper electrode (second conductor film 15) formed on the other face.例文帳に追加

キャパシタ１０は、誘電体層１１を挟んで一方の面に下部電極（第１の導体膜１４）が形成され、他方の面に上部電極（第２の導体膜１５）が形成された構造を有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device wherein the coverage of an organic resin film is applied to the upper corner of a Cu electrode layer, even without making the organic resin film thick, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

有機樹脂膜全体を特に厚膜化しなくても、Ｃｕ電極層の上面コーナ部における有機樹脂膜のカバレッジを良好にできる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The piezoelectric resonator is composed of a lower electrode 3, a piezoelectric material 1, a spurious control layer 16, and an upper electrode 2 each formed in order on a substrate 5 provided with a cavity 4.例文帳に追加

本発明の圧電体共振器は、キャビティ４が設けられた基板５の上に、下部電極３、圧電体１、スプリアス制御層１６及び上部電極２が順に形成された構造である。 - 特許庁

A pair of disk detecting levers are rotatably supported on a top chassis 8 placed on the upper end of the chassis, and a disk switching mechanism loaded on a clamp arm 6 is selectively operated by one disk detecting layer.例文帳に追加

シャーシの上端に架設したトップシャーシ８に一対のディスク検知レバーを回転可能に支持し、一方のディスク検知レバーによりクランプアーム６に搭載したディスク切換機構を選択的に動作させる。 - 特許庁

A piezoelectric actuator 10 comprises an insulator layer 20, an upper piezoelectric part 30, a surface electrode 40 including a first surface electrode 41 to a fourth surface electrode 44, and a lower piezoelectric part 50.例文帳に追加

圧電アクチュエータ１０は、絶縁層２０と、上側圧電部３０と、第１表面電極４１乃至第４表面電極４４からなる表面電極４０と、下側圧電部５０とを備えている。 - 特許庁

Then a through-hole as the pressure chamber 10 is formed in the cavity plate 21 by etching and then individual electrodes 44 are formed on an upper layer 42 at a position opposite the pressure chamber 10.例文帳に追加

次に、エッチングによりキャビティプレート２１に圧力室１０となる貫通孔を形成してから、圧電層４２の上面の圧力室１０と対向する部分に個別電極４４を形成する。 - 特許庁

The principal component of the piezoelectric film 16 is aluminum nitride, the principal component of the lower electrode 15 and the upper electrode 17 is made of molybdenum, and the principal component of the insulation layer 13 is made of silicon oxide.例文帳に追加

圧電体膜１６は窒化アルミニウムを主成分とし、下部電極１５および上部電極１７はモリブデンを主成分とし、絶縁層１３は酸化シリコンを主成分とするものである。 - 特許庁

A switching chip 101, consisting of the matrix of silicon, is arranged on the upper surface of the cooling mechanism consisting of a heat sink 115, an insulation substrate 114 and a conductive plate 108 through a first conductive layer 109A.例文帳に追加

ヒートシンク１１５、絶縁基板１１４及び導通板１０８から成る冷却機構の上面上に、第１導電層１０９Ａを介して、シリコンを母材とするスイッチングチップ１０１を配設する。 - 特許庁

To provide a highly reliable multilayer printed wiring board which prevents occurrence of a crack in a resin portion caused by having a roughened face different in an upper face and side faces of a lower layer conductor circuit.例文帳に追加

下層導体回路の上面と側面とが異なる粗化面を有することに起因する樹脂部分のクラックの発生を防止することができる、信頼性の高い多層プリント配線板を提供すること。 - 特許庁

The heating resistor layer 11 comprises a plurality of heating resistors 11a arranged on the upper faces of the respective individual electrodes 12a at spaces in the main scanning direction dm.例文帳に追加

発熱抵抗体層１１は、それぞれの個別電極１２ａの上面に発熱抵抗体１１ａが主走査方向ｄｍに間隔をおいて複数配列される発熱抵抗体１１ａから構成される。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an organic EL element equipped with a means which protects an organic EL layer from a damage caused by oxygen in forming an upper electrode by using a transparent conductive oxide.例文帳に追加

透明導電性酸化物を用いて上部電極を形成する際の酸素によるダメージから有機ＥＬ層を効果的に保護する手段を備えた有機ＥＬ素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The upper electrode 114 is formed by applying electrode paste made by dispersing the graphite particles and the silver particles in a synthetic resin binder on the emitter layer 113, and putting them under heat treatment.例文帳に追加

上部電極１１４は、合成樹脂のバインダーに黒鉛粒子及び銀微粒子を分散してなる電極ペーストをエミッタ層１１３上に塗布して熱処理することによって形成されている。 - 特許庁

The semiconductor device 10 has an optically detectable alignment mark 1 and includes a semiconductor substrate 16 and a metallic wire 14 formed on an upper layer of the substrate 16.例文帳に追加

本発明による半導体装置１０は、光学的に検出可能なアライメントマーク１を有し、半導体基板１６と、半導体基板１６の上層に形成された金属配線１４とを具備する。 - 特許庁

Furthermore, a selection circuit 43 is equipped for selectively extracting the output signal from the memory circuit 10 detouring a plurality of respective upper layer wiring patterns 40a, 40b, 40c, 40d or the mitigation layout cell circuit 1.例文帳に追加

また、複数の上層配線パターン４０ａ，４０ｂ，４０ｃ，４０ｄのそれぞれを経由するメモリ回路１０または緩和レイアウトセル回路１からの出力信号を選択的に抽出するための選択回路４３を、備えている。 - 特許庁

A p-type InP region 14 (a second conductive type semiconductor region) is formed on a portion of the upper surface of the n-type InP layer 13 by selectively performing impurity diffusion and ion implantation.例文帳に追加

選択的に不純物拡散やイオン注入を行うことで、ｎ型ＩｎＰ層１３の上面の一部にｐ型ＩｎＰ領域１４（２導電型半導体領域）が形成されている。 - 特許庁

The upper electrode 6 and the lower electrode 7 have a structure where a twin crystal epitaxial electrode 9, including an epitaxial film having a twin crystal structure, is formed on a base layer 8 with Ti as a main component.例文帳に追加

上電極６および下電極７は、Ｔｉを主成分とする下地層８上に、双晶構造を有するエピタキシャル膜からなる双晶エピタキシャル電極９を形成した構造とされる。 - 特許庁

To provide a simple-mechanism seedling transplanter with a fertilizer distributor, capable of widely distributing herbicide on the upper layer of the field, and avoiding to deeply bury the herbicide near the transplanted seedlings.例文帳に追加

移植苗の直近位置に除草剤が埋設される事態を回避して、圃場の上層に除草剤を広く散布することができる簡易な構成の施肥装置付き苗移植機を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of reducing the influence of a stress applied by an upper wiring layer on the semiconductor device, and maintaining the effect obtained by providing a dummy wiring pattern and applying a CMP technology.例文帳に追加

上部配線層が半導体素子に与えるストレスの影響を低減すると共に、ダミー配線パターンを設けてＣＭＰ技術を適用した効果を維持し得る半導体装置を提供する。 - 特許庁

Since the contact area is increased between the insulation layer 8 and the multilayer glass ceramic substrate 2, the shielding electrode 6 can be held more reliably on the upper surface of the multilayer glass ceramic substrate 2.例文帳に追加

これにより絶縁層８と多層型ガラスセラミック基板２との接触面積が拡大され、シールド用電極６をより確実に多層型ガラスセラミック基板２の上面に保持することが可能となった。 - 特許庁

Thereby the clock signals formed in the longitudinal direction in an upper wiring layer of the latches 21-2N can be formed in line, and the wiring distance of a clock signal wiring CP can be made minimum.例文帳に追加

よって、ラッチ２_1 〜２_N 上方の配線層に縦方向に形成されたクロック信号を一直線に形成することができ、クロック信号配線ＣＰの配線距離を最短にすることができる。 - 特許庁