「upper- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(177ページ目) - Weblio英語例文検索

Then, the system analysis support device determines an object of batch processing based on the occupancy of an occupation period of the immediately upper layer protocol to the tabulation period T and the appearance rate of each object.例文帳に追加

そして、システム分析支援装置は、集計期間Ｔに対する直上層のプロトコルの占有期間の占有率と、オブジェクトごとの出現率とに基づいて、バッチ処理のオブジェクトを判断する。 - 特許庁

To provide an optical semiconductor element subcarrier wherein a wiring conductor layer is formed from an upper surface of an insulating base all over one side surface by raising reliability of electrical connection and light-electrical conversion responsiveness.例文帳に追加

電気的接続の信頼性および、光—電気変換応答性を高くして絶縁基台の上面から一側面にわたって配線導体層を形成した光半導体素子サブキャリアを提供する。 - 特許庁

The upper-layer connection pad 34 for the auxiliary capacitance electrode is connected to the other end part of the relay wiring line 31 (metal film 31c) for the auxiliary capacitance electrode through a contact hole 33 (with excellent ohmic connection).例文帳に追加

補助容量電極用上層接続パッド３４は、コンタクトホール３３を介して補助容量電極用中継配線３１（金属膜３１ｃ）の他端部に接続されている（オーミック接続良好）。 - 特許庁

The upper-layer film 114 is formed by denaturalizing the amorphous film of phosphorus-dope silicon in a thermal process, comprising a rough 116 formed under the effect of crystallinity of the rough 110 (figure 1 (b)).例文帳に追加

上層膜１１４は，熱処理によりリンドープシリコンの非晶質膜から変化したものであり，凹凸１１０（図１（ｂ））の結晶性の影響を受けて形成される凹凸１１６を有する。 - 特許庁

To provide a technique for exposing a part of a lower semiconductor layer without damaging its surface, in a semiconductor laminate with the lower and the upper semiconductor layers laminated each other.例文帳に追加

半導体下層と半導体上層が積層された半導体積層体において、半導体下層の表面に損傷を与えることなく、半導体下層の一部を露出させる技術を提供する - 特許庁

A bump-land 6 connecting with the solder bump 10A and the Cu wiring 10 formed together with it in one-piece, consists of a stacked-layer film of a Cu film and a Ni film formed on its upper portion.例文帳に追加

半田バンプ６が接続されるバンプ・ランド１０Ａおよびこれと一体に形成されたＣｕ配線１０は、Ｃｕ膜とその上部に形成されたＮｉ膜との積層膜で構成されている。 - 特許庁

Therefore, the upper layer wiring 152 and the 1st inter-substrate conduction terminals 170 on each side face of the bed electrode 122 are electrically connected to the bed electrode 122 via the side faces 122A.例文帳に追加

このため、下地電極１２２の各側面１２２Ａに掛かる上層配線１５２および第１基板間導通端子１７０は、側面１２２Ａを介して下地電極１２２に電気的に接続される。 - 特許庁

Carbon black particles or the similar conductive material are dispersed in an upper made of HDPE or the similar material, but a lower layer does not include the conductive particles.例文帳に追加

ＨＤＰＥや同様の材料で形成される上側層には、カーボンブラック粒子や同様の導電性材料が分散されているが、下側層には、こうした導電性粒子を含有していない。 - 特許庁

To provide an image encoding method requiring no transparent color data by making it possible to encode an upper layer image by an irreversible encoding system under a state where a region rendered transparent can be specified.例文帳に追加

透明とする領域を特定可能な状態で、上層画像を非可逆符号化方式で符号化することを可能とし、透明色データを不要とした画像符号化方法を提供すること。 - 特許庁

In this instance, no dedicated solder ball is required on the connection pad part of the second upper layer wiring 29c for test, therefore, the planar size of the overall device can be downsized.例文帳に追加

この場合、テスト用の第２の上層配線２９ｃの接続パッド部上にそれ専用の半田ボールを設ける必要がなく、それに応じて、装置全体としての平面サイズを小さくすることができる。 - 特許庁

In the hot water reservoir 19, the melted slag 8b and the non-melted incinerated ash 8b are inverted with the aid of a specific gravity difference, and the incinerated ash 8a is positioned on an upper layer to promote heat transfer to the incinerated ash 8a.例文帳に追加

湯溜め１９内で、溶融スラグ８ｂと未溶融の焼却灰８ａとを比重差で反転させて、焼却灰８ａを上層に位置させ、焼却灰８ａへの伝熱を促進させる。 - 特許庁

At the third step, the solvent is applied onto the coating film and after 1-300 seconds have passed, the upper layer portion of the coating film is removed by rotating the substrate for 30-300 seconds at 500-5,000 (revolutions per minute) revolving speed.例文帳に追加

第３工程が、前記塗布膜上に溶剤を塗布し、１〜３００秒間経過後、前記基板を回転速度５００〜５０００（回／分）、回転時間３０〜３００秒で回転することによる。 - 特許庁

Then a substituted honeycomb 26' is adjoined to the upper side of the mending material and pressed to the mending material layer 66, these layers are hardened, as the result, the same composite structure as the original member can be restored to its original state.例文帳に追加

次いで、代替ハニカム２６´が補修材料の上に接合されて、補修材料層６６に与圧され、これらの層が硬化されて、元の部品と同様の複合構造体が復元される。 - 特許庁

The first conductive layer 160 is formed to surround a central part of the upper surface 132 of the columnar part 130 by bypassing a first opening part 162 which opens to an outer direction from the central part.例文帳に追加

第１の導電層１６０は、柱状部１３０の上面１３２の中央部から外方向に開口する第１の開口部１６２を避けて該中央部を囲むように形成されている。 - 特許庁

Hereby, deterioration of the oxidation-resistant property of the upper layer 32 which is the outermost surface of this optical element 40 can be prevented, to thereby maintain the reflection characteristic of the optical element 40 over a long period.例文帳に追加

これにより、光学素子４０の最表面である上部層３２の耐酸化性の劣化を防ぐことができ、光学素子４０の反射特性を長期にわたって維持することができる。 - 特許庁

Moreover, the bottom part having the roughly ring shape and the recessed shape of the interlayer film 19 of the upper layer is constituted so as to be positioned at the end face of the switching element 3 and the end face of the metallic film 2 between the substrate 1 and the switching element 3.例文帳に追加

この上層層間膜４ｂの概略環状の凹形状の底部をスイッチング素子３の端面と基板１とスイッチング素子３との間の金属膜２の端面に位置する構成をとる。 - 特許庁

The conductive layer 2a of the lower surface of the 2nd component 2 is soldered 3 and connected to the upper conductive surface 1a of the 1st component 1 by a fillet 3a formed along the rise surface 5a of the recessed part 5 of the 1st component 1 located under the 2nd component 2.例文帳に追加

第２の部品２の下面の導体層２ａは、第２の部品２の下に位置する第１の部品１の凹部５の立上がり面５ａに沿ったフィレット３ａで半田３付け接続する。 - 特許庁

Furthermore, an upper surface of the insulating layer 21 is intensively flattened to suppress reduction in propagation efficiency of surface acoustic waves and to reduce increase in an insertion loss of a resonator.例文帳に追加

さらに、絶縁層２１の上面を意図的に平坦面にすることにより弾性表面波の伝播効率の低下を抑えることができ共振器の挿入損失の増加を低減することができる。 - 特許庁

A part of the silylation resist 14 is exposed in a hole pattern (a cylindrical form) and crosslinked, then the whole surface of the wafer is silylated to add Si in the part except for the crosslinked part 15 of the upper layer resist.例文帳に追加

シリル化レジスト１４の一部を穴状に（円柱状に）露光して架橋させ、その後ウエハ全面をシリル化処理して、上層レジストの架橋部１５以外の部分にＳｉ元素を付与する。 - 特許庁

To simplify assembly of the roof module to an automobile body, the upper layer, that is, the roof module on the whole, is fixed to the body frame using a fixing screw to allow the sunvisor and hand hold to be fixed.例文帳に追加

車体へのルーフモジュールの組付けを簡単化するためには、上側層したがって全体としてルーフモジュールを、固定ねじを使用して本体枠組に固定し、サンバイザーとハンドホールドを固定できるようにする。 - 特許庁

More specifically, in the region in which no conductive patterns 14 exist, the upper surface of the metal substrate 12 is not coated with the insulating layer 24, and a metal material composing the metal substrate 12 is exposed.例文帳に追加

即ち、導電パターン１４が存在しない領域では、金属基板１２の上面が絶縁層２４により被覆されずに、金属基板１２を構成する金属材料が露出している。 - 特許庁

An opening part 1107h obtained by partially removing a near region of a resonator end face in the thickness direction is formed in the p-type cap layer 1107 constituting an upper part of the ridge stripe 1700.例文帳に追加

リッジストライプ部１７００の上部を構成するｐ型キャップ層１１０７には、共振器端面近傍領域を厚み方向に部分的に除去した開口部１１０７ｈが形成されている。 - 特許庁

To fabricate highly reliable high performance MIM type capacitor elements with a high yield by facilitating machining of a metal layer for upper electrode and a dielectric film, which was difficult in prior art.例文帳に追加

ＭＩＭ型容量素子において、従来困難であった上部電極用金属層と誘電体膜との加工を容易にして高性能、高信頼性の容量素子を歩留まりよく製造する。 - 特許庁

In particular, method and apparatus are provided for cross-bar switches 200, a multiple protocol interface device, a low latency upper communication protocol layer, addressing and remote direct memory access over a massively parallel network.例文帳に追加

この方法及び装置では、クロスバースイッチ２００、マルチプロトコルインターフェースデバイス、低レイテンシー上位通信プロトコル層、アドレス指定、及び超並列ネットワークにリモートダイレクト通信アクセスをするために提供されている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a display device having superior mass-productivity and improved long-term reliability by enabling the formation of an upper electrode preventing damage to an organic layer and the display device.例文帳に追加

量産性に優れ、かつ有機層へのダメージを防止した上部電極の形成を可能にすることで長期信頼性にも優れた表示装置の製造方法および表示装置を提供する。 - 特許庁

A width Tb1 of a pattern 21a of an embedded via mask 1a for forming the via contact is made broader than a width TL1 of the pattern 26 of an upper-layer wiring mask 6.例文帳に追加

前記ビアコンタクトを形成するための埋め込みビアマスク１ａのパターン２１ａの幅Ｔ_b1は前記上層配線を形成するための上層配線マスク６のパターン２６の幅Ｔ_L1より広くなっている。 - 特許庁

The upper layer polycrystalline silicon film 5b is added with carbon at a concentration in a range of 1×10^18 atoms/cm^3 or higher, for example, 2×10^20 to 2×10^21 atoms/cm^3 when forming the film.例文帳に追加

上層多結晶シリコン膜５ｂは、成膜時に炭素を１×１０^18ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3以上例えば２×１０^20〜２×１０^21ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3の範囲の濃度で添加される。 - 特許庁

In a functional element region 2, an upper wiring 29 connected to a lower wiring 25 and a cap metal layer 32 are formed between the surface of a third interlayer insulating film 27 and a passivation film 33.例文帳に追加

機能素子領域２においては、第３層間絶縁膜２７表面とパッシベーション膜３３との間には、下配線２５に接続される上配線２９およびキャップメタル層３２が形成されている。 - 特許庁

To provide a liquid crystal device, a method of manufacturing the same, and an electronic device capable of flattening the upper layer side of a depression without performing long time deposition and polishing.例文帳に追加

長時間の成膜や研磨を行なわなくても、凹部の上層側を平坦化することのできる液晶装置、該液晶装置の製造方法、および当該液晶装置を備えた電子機器を提供すること。 - 特許庁

The second common wiring 44b is led out to the upper surface of the piezoelectric layer 42 by means of four second extensions 44b1 and through holes 54 and 55 formed to face a second joint 44b2.例文帳に追加

第２共通配線４４ｂは、４つの第２延在部４４ｂ１、及び、第２接続部４４ｂ２と対向するように形成されたスルーホール５４、５５により、圧電層４２の上面に引き出されている。 - 特許庁

The oxide semiconductor layer has a characteristic structure that upper and lower layers in its channel formation region are silicon oxide/nitride films of at least 3 atom% and not more than 30 atom% in nitrogen content.例文帳に追加

また、酸化物半導体層のチャネル形成領域の上層及び下層が、窒素含有量が３原子％以上３０原子％以下の酸化窒化珪素膜であることを特徴的な構造とする。 - 特許庁

To provide an image forming apparatus suppressing decrease in a color component of a toner in an upper most layer when a plurality of toner images stacked on an intermediate transfer body is transferred to a recording medium.例文帳に追加

中間転写体上で重ねられた複数のトナー像が記録媒体に転写されたときに最上層となるトナーの色成分の低下が抑制される画像形成装置を提供する。 - 特許庁

Further, a p-type impurity is ion-implanted into an upper layer of the gate electrode 78 of the transistor using a mask 51 having an opening 50 narrower than a gate electrode width to form an LDD region 90.例文帳に追加

また、トランジスタのゲート電極７８の上層にゲート電極幅よりも狭い開口部５０を有するマスク５１を用いてｐ型の不純物をイオン注入してＬＤＤ領域９０を形成する。 - 特許庁

A light emitting device having a light emitting element mounted on a circuit board has an insulative reflecting layer with metallic luster formed directly on an upper surface of the circuit board which includes an electrode member.例文帳に追加

回路基板上に発光素子を実装した発光装置において、前記回路基板の電極部材を含む上面に金属性光沢を有する絶縁性反射層を直接形成するようにした。 - 特許庁

To prevent the adverse effect of alteration occurrence in a protective-film upper-surface-layer during a manufacture of a semiconductor device including a silicon substrate on which the protective-film made of a polyimide or the like is formed.例文帳に追加

シリコン基板上にポリイミドなどからなる保護膜が形成された半導体装置の製造中に、保護膜の上面層が変質しても、この変質による悪影響が生じないようにする。 - 特許庁

A first interface unit 31 inputs transmission target data and a trigger relating to cancellation of transmission of the transmission data from a processing unit 30 that performs processing in compliance with a communication protocol of an upper layer.例文帳に追加

第１インタフェース部３１は、送信対象データおよび送信対象データの送信のキャンセルに関係するトリガを、上位層の通信プロトコルに従った処理を行う処理部３０から入力する。 - 特許庁

Upper and lower surfaces of disk-like shapes act as two electrodes in the diode 11, and the electrode of the lower surface is connected to a bottom surface of the recessed part in the supporting electrode 12 via a solder layer 13.例文帳に追加

円板形状における上下面が、ダイオード１１における２つの電極となっており、下面の電極は、はんだ層１３を介して支持電極１２における凹部の底面に接続されている。 - 特許庁

Then, a conductive film 51 is formed on almost entire region of the upper surface of the piezoelectric layer 42 (conductive film forming step) followed by cutting out a common electrode 44 from the conductive film 51 by laser processing (laser processing step).例文帳に追加

次に、圧電層４２の上面のほぼ全域に導電膜５１を形成し（導電膜形成工程）、続いて、レーザ加工により、導電膜５１から共通電極４４を切り出す（レーザ加工工程）。 - 特許庁

An upper-stage metal conductor portion 45b constituting the mother substrate connection terminal 45 is formed on the lower-stage metal conductor portion 45a and resin insulating layer 21 to cover an opening edge of the opening 37.例文帳に追加

母基板接続端子４５を構成する上段金属導体部４５ｂは、開口部３７の開口縁を覆う状態で下段金属導体部４５ａ及び樹脂絶縁層２１の上に形成されている。 - 特許庁

The waterproof sheet comprises a joint part which is composed of a mesh woven fabric having a part exposed on the end of the waterproof sheet and having the other parts embedded in the upper or lower part of the end of the rubberized asphalt layer.例文帳に追加

前記防水シートは、該防水シートの端部上に一部が露出し、前記ゴム化アスファルト層の端部の上部または下部に他部が埋め込まれたメッシュ状の織布からなる継ぎ手部を含む。 - 特許庁

Also, the upper end section of the TaN film 30 for composing the bonding layer is recessed to the lower portion than the opening end section of the groove 29, and is completely covered with the Ru film 32a for composing the lower electrode 32.例文帳に追加

また、接着層を構成するＴａＮ膜３０の上端部は、溝２９の開孔端部よりも下方にリセスされ、下部電極３２を構成するＲｕ膜３２ａで完全に覆われている。 - 特許庁

A light reflecting structure 4a comprising an inorganic thin film configured by laminating a plurality of evaporated films so as to reflect near infrared light is deposited on an upper layer of the light absorbing structure 3.例文帳に追加

光吸収構造体３の上層には、近赤外光を反射するように複数の蒸着膜を積層して構成した無機薄膜から成る光反射構造体４ａが成膜されている。 - 特許庁

To provide a method by which a partition component is united with a memory device, and a lamination related to a previously formed cell or an additional memory layer lamination to an upper portion of the previously formed cell and its programming are simplified.例文帳に追加

パーティションコンポーネントはメモリデバイスと一体化され、以前に形成されたセルに関連づけられた、または以前に形成されたセルの上部への付加的メモリ層の積層とそのプログラミングとを容易にする。 - 特許庁

On an upper portion surface to the step 8, a semiconductor light emitting device 1 is mounted via an AuSn solder layer 2 and the electrode of this semiconductor light emitting device 1 is connected with a terminal for the electrode wiring using an Au wire.例文帳に追加

段差８の上側面にはAuSn系半田層２を介して半導体発光素子１をマウントし、この半導体発光素子１の電極を電極配線用ターミナルとAuワイヤーにより接続する。 - 特許庁

Also, the opposite portion of the thermohardening resin of the upper-side bonding layer 5 to the rear surface of the semiconductor chip 4 is so hardened as to join the semiconductor chip 4 to the transparent substrate 1 by this hardened portion 5a.例文帳に追加

また、上側接着層５の熱硬化性樹脂のうち、半導体チップ４の下面に対応する部分が硬化し、この硬化部分５ａによって半導体チップ４が透明基板１に接合される。 - 特許庁