「upper- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(172ページ目) - Weblio英語例文検索

The method comprises a step of forming a lower electrode 33 on a substrate 10, a step of forming a titanium seed layer on the lower electrode 33 by sputtering method, a step of forming a piezoelectric film 43 on the titanium seed layer, and a step of forming an upper electrode 44 on the piezoelectric film 43.例文帳に追加

基板１０上に下部電極３３を形成する工程と、この下部電極上に種チタン層をスパッタ法により形成する工程と、この種チタン層上に圧電体膜４３を形成する工程と、この圧電体膜上に上部電極４４を形成する工程とを備える。 - 特許庁

To provide a method for forming metal wiring of a semiconductor element that selectively vapor-deposits a metal layer having low specific resistance and flattens it after heat treatment by applying chemical vapor deposition only to an upper part of a barrier metal layer inside a trench, thereby being able to form a low specific resistance metal wiring.例文帳に追加

トレンチ内の障壁金属層の上部にのみ化学気相蒸着方法を用いて選択的に比抵抗が低い金属層を蒸着し、熱処理を実施した後、平坦化して低抵抗金属配線を形成することができる半導体素子の金属配線形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a light-emitting element in which a current diffusion layer is formed by using a material capable of making the formation of the diffusion layer easier than a conventional material, so that a current supplied from an upper electrode is diffused sufficiently sideways by an easier method to improve light extraction efficiency.例文帳に追加

従来よりも実現が容易な材料を用いて電流拡散層を構成し、上部電極から注入された電流をより容易な方法で横方向へと十分に拡散させ、光取出し効率を向上させた発光素子を提供することにある。 - 特許庁

The buried strap on a capacitor center electrode 105 is enabled to come into contact with the backside of an SOI layer 60 by increasing the depth of a recess at the upper part of the trench and laterally undercutting the insulating layer, thereby increasing the degree of vertical separation between the passing wordline 214 and the strap.例文帳に追加

トレンチ上部でリセスの深さを増やし、絶縁層を横方向にアンダーカットすることは、キャパシタ中心電極１０５上の埋め込みストラップがＳＯＩ層６０の裏面に接触することを可能にし、それによって、パッシング・ワード線２１４とストラップと間の垂直分離を増加させる。 - 特許庁

For example, the lower electrode layer 103 is a conductive thin film as thick as 20 nm made of ruthenium and nitrogen; the metal oxide layer 104 is a metal oxide film as thick as 30 nm made of bismuth, titanium, and oxygen; and the upper electrode 105 is made of a ruthenium film as thick as 20 nm.例文帳に追加

例えば、下部電極層１０３は、ルテニウムと窒素とからなる膜厚２０ｎｍの導電薄膜であり、金属酸化物層１０４は、ビスマスとチタンと酸素からなる膜厚３０ｎｍの金属酸化物膜であり、上部電極１０５は、膜厚２０ｎｍのルテニウム膜から構成されたものである。 - 特許庁

A temperature-compensating capacitor 1 of the present invention includes a silicon hydride oxidation film composed of a silicon atom, an oxidation atom, and a hydrogen atom between a lower electrode layer 3 and an upper electrode layer 5, and a dielectric thin film 4, having a negative capacity temperature coefficient, is interposed therebetween.例文帳に追加

本発明の温度補償用コンデンサ１は、下部電極層３と上部電極層５との間に、珪素原子と酸素原子と水素原子とから構成される水素化酸化珪素膜からなり、負の容量温度係数を有する誘電体薄膜４が挟持されている。 - 特許庁

The structure having at least two layers comprises the lower layer obtained from the wet curable composition containing a polyisocyanate compound (A) and a compound (B) for generating an active hydrogen by dissociating by a wet, and the upper layer obtained from a composition containing the aqueous resin (C).例文帳に追加

下層がポリイソシアネート化合物（Ａ）及び湿気で解離して活性水素を発生する化合物（Ｂ）を含有する湿気硬化性組成物から得られるものであり、また上層が水性樹脂（Ｃ）を含む組成物からなるものであることを特徴とする少なくとも二層からなる構造体。 - 特許庁

To improve reliability against electromigration (EM) disconnection by suppressing current concentration in supplying power from upper layer power supply wires to a cell power supply wire on a lower layer without increasing the area of cells in a semiconductor integrated circuit provided with a plurality of cells.例文帳に追加

複数個のセルを備えた半導体集積回路において、セルの面積の増大を招かずに、上層の電源配線から下層のセル電源配線に電源供給する際の電流集中を抑制して、ＥＭ（エレクトロマイグレーション）断線に対する信頼性の向上を図る。 - 特許庁

A MOS transistor 102 formed in the n^- semiconductor layer 2 of the nMOS region 202 includes an n^+ impurity region 12 provided within the upper surface of the n^- semiconductor layer 2 in the nMOS region 202 and a drain electrode 24 electrically connected to the n^+ impurity region 12.例文帳に追加

ｎＭＯＳ領２０２のｎ^-半導体層２に形成されたＭＯＳトランジスタ１０２は、ｎＭＯＳ領域２０２内のｎ^-半導体層２の上面内に設けられたｎ^+不純物領域１２と、ｎ^+不純物領域１２に電気的に接続されたドレイン電極２４とを有している。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a printed wiring board to form a flat and smooth substrate having through holes and conductive circuits and assuring excellent connection property and reliability by forming on the substrate an interlayer resin insulation layer and upper layer conductive circuit.例文帳に追加

スルーホールおよび導体回路を有する平滑な基板を形成することができ、その結果、その上に層間樹脂絶縁層や上層導体回路を形成することにより、接続性及び信頼性に優れたプリント配線板とすることができるプリント配線板の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The bench 1 is provided with a plural-layer panel 9, wherein the solar battery cells 13 are arranged along an upper translucent panel 11a and a lower translucent panel 11b between the panel 11a and the panel 11b, and supporting parts 5 connected to the end parts of the plural-layer panel 9, which is made a seat 3.例文帳に追加

本発明のベンチ１は、上下の透光パネル１１ａ、１１ｂ間に太陽電池セル１３を透光パネル１１ａ、１１ｂに沿って配置した複層パネル９と、複層パネル９の端部に連結した支持部５とを備え、複層パネル９を座部３とした。 - 特許庁

The second magnetic layer 3b (upper layer) contains ferromagnetic fine powder, mainly made of Fe and Co with major axis length of 100 nm or smaller and carbon black, and a relation between the major axis length (L) of the ferromagnetic fine powder, and the particle size α of the carbon black is set to L≤a<250 nm.例文帳に追加

前記上層の第二磁性層３ｂは、長軸長が１００ｎｍ以下のＦｅおよびＣｏを主成分としてなる強磁性体微粉末と、カーボンブラックを含有してなり、かつ、強磁性体微粉末の長軸長Ｌとカーボンブラックの粒子サイズαの関係を、Ｌ≦α＜２５０ｎｍとする。 - 特許庁

The fabric for papermaking, owing to the construction thus described, prevents both the warps and wefts from water absorption and prevents causing the selvedge curls by releasing the tension difference between the upper layer and the lower layer caused by factors such as shrinkability and bendablity of the warps and the wefts.例文帳に追加

本発明の製紙用織物は、かかる構成とすることにより、経糸及び緯糸の吸水を防止し、また、経糸・緯糸の収縮性、屈曲のつきやすさ等の要因から生じる上層と下層の引張り方の差違を緩和することにより、耳カールが生じるのを防止することができる。 - 特許庁

There are provided, at an upstream side of an internal reaction tube 102, an underlayer introducing passage 102a for introducing the raw gases containing 5 group atom sources, an middle-layer introducing passage 102b for introducing the raw gases containing 3 group atom sources, and an upper-layer introducing passage 102c for introducing the raw gases containing subflow gases.例文帳に追加

内部反応管１０２の上流側には、Ｖ族源を含む原料ガスを導入する下層導入路１０２ａと、ＩＩＩ 族源を含む原料ガスを導入する中層導入路１０２ｂと、サブフローガスを導入する上層導入路１０２ｃとが設けられている。 - 特許庁

A functional element 120 comprises a piezoelectric body layer 121, and an upper electrode 122 and a lower electrode 123 formed in a way of holding the layer 121 therebetween, and is formed via an insulating film (not shown) or the like, on a board 110 formed with a cavity 113 provided so as not to hinder the mechanical vibration of the functional section.例文帳に追加

機能素子１２０は、圧電体層１２１とそれを挟むように形成された上部電極１２２、下部電極１２３とからなり、機能部の機械振動を阻害しないように備えられた空洞１１３が形成された基板１１０に、絶縁膜（図示せず）等を介して形成される。 - 特許庁

The mat 1 has a pile 3 planted on the upper surface of a base fabric 2, a non-woven fabric layer 4 laminated and integrated on the lower surface of the base fabric 2, and a resin coating part 10 formed by applying and hardening a resin on the peripheral side surfaces of the non-woven fabric layer 4.例文帳に追加

この発明に係るマット１は、基布２の上面にパイル３が植設され、該基布２の下面に不織布層４が積層一体化され、該不織布層４の周側面に、樹脂が塗布されて硬化してなる樹脂コート部１０が形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

The sticking spores of algae are degraded to prevent the generation of the algae and the inhabitant of chironomus larva and the deterioration of water quality are inhibited by photocatalytic action of the photocatalytic layer 22 on the upper surface of the trough side wall and the inside surface of the trough and the photocatalytic layer on the surface of the overflow plate 4.例文帳に追加

トラフ内面及びトラフ側壁上面の光触媒層２２や、越流板４表面の光触媒層の光触媒作用によって、付着する藻類の胞子を分解し、藻類の発生を防止し、ユスリカ幼虫の生息や水質の悪化を阻止する。 - 特許庁

The occlusion obtaining tool 1 is equipped with a flat core material 2, a first obtaining layer 3 located on one surface of the core material 2, and a second obtaining layer 4 located on the other surface of the core material 2 equipped with an anti-sliding means for preventing the sliding at a slanting surface between upper and lower teeth.例文帳に追加

咬合採得用具１は、平坦な芯材２と、該芯材２の一方の面に位置する第１の採得層３と、該芯材２の他方の面に位置する第２の採得層４とを備え、該芯材２は、上下の歯の傾斜面で生じるスライドを防止するためのスライド防止手段を備えている。 - 特許庁

The waste tire chips are spread and leveled and fixed on a fixed bedrock 1 together with a binder to form a rubber lower layer section 2, and a rubber upper layer section 3 in which the waste tire chips 31 in which color rubber chips 32 are mixed partially are spread and leveled and fixed within a fixed range is formed, thus constructing the rubber pavement.例文帳に追加

所定の基盤１上に、廃タイヤチップをバインダーと一緒に敷き均して固定してゴム下層部２を形成した後、カラーゴムチップ３２を一部混合した廃タイヤチップ３１を所望の範囲に敷き均して固定してなるゴム上層部３を形成してゴム舗装を構築する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a transistor formed by a diffusion layer 103 and gate polysilicon 104 that becomes a gate electrode, an element separation region using a LOCOS oxide film 102, net-like gate polysilicon wiring 101 formed at the element separation region, and metal film wiring 105 arranged on the upper layer.例文帳に追加

拡散層１０３とゲート電極となるゲートポリシリ１０４により形成されたトランジスタと、ＬＯＣＯＳ酸化膜１０２を用いた素子分離領域と、素子分離領域に形成された、網目状のゲートポリシリ配線１０１と、この上層に配置された金属膜の配線１０５とを備える。 - 特許庁

Wiring coating layers 5 and 5', which cover a lower wiring layer 3a and an upper wiring layer 3b composed of Au on or above a compound semiconductor substrate 1 and are composed of tantalum or titanium that is a metal having a smaller thin film stress than Au and having a high melting point than Au, are formed by sputter.例文帳に追加

化合物半導体基板１上の、Ａｕからなる下部配線層３ａと上部配線層３ｂの上部を覆って、Ａｕより薄膜応力が小さく高融点を有する金属であるタンタルあるいはチタンからなる配線被覆層５と５’をスパッタにより形成する。 - 特許庁

When a splitting groove 14 is formed in a lower electrode layer 12 by the laser scribe method and a substrate is insulated and split, a square groove 15 is formed just beneath a position where an upper electrode layer 19 is insulated and split and a square insulating and isolating area insulated electrically from its periphery is formed.例文帳に追加

レーザ・スクライブ法によって下部電極層１２に分割溝１４を形成して絶縁分割する際に、上部電極層１９を絶縁分離する位置の直下に矩形溝１５を形成して、周辺と電気的に絶縁された矩形の絶縁分離領域を形成する。 - 特許庁

The powder layer forming part 4 includes: a chamber 43 which has a window 44 allowing the light beam L to pass through, on the upper surface, and whose lower part is opened to cover the powder layer 31; and a gas feed opening for an inert gas performing the removal of fume in the chamber 43 and the treatment of window cleaning.例文帳に追加

粉末層形成部４は、光ビームＬを透過させるウィンドウ４４を上面に有し、下方が開口して粉末層３１を覆うチャンバー４３と、チャンバー４３内のヒュームの除去とウィンドウ清掃の処理を行なう不活性ガスの給気口とを有している。 - 特許庁

Here, since the first and second semiconductor construction bodies 2a and 2b are laminated and embedded into an insulator, constituted of the lower layer insulatingfilm 1, the insulatinglayer 32, and the upper layer insulatingfilm 33, the package density can be made larger than when one semiconductor constructing body is embedded.例文帳に追加

この場合、下層絶縁膜１、絶縁層３２および上層絶縁膜３３からなる絶縁材内に第１、第２の半導体構成体２ａ、２ｂを積層して埋め込んでいるので、１つの半導体構成体を埋め込む場合と比較して、実装密度を大きくすることができる。 - 特許庁

This indoor heater performs a heating wherein upper air layer is relatively cool as compared with floor side air layer, by a method wherein an air conditioner 2 is operated for heating by using a heating target temperature T4 determined by a set temperature T3 of the air conditioner 2 and a floor temperature T1 of a floor heater 3.例文帳に追加

リモートコントローラ４により設定された空気調和機２の設定温度Ｔ３と床暖房装置３の床温度Ｔ１によって決定される暖房目標温度Ｔ４によって空気調和機２を暖房運転することで頭寒足熱の暖房を行なう。 - 特許庁

An upper magnetic layer 105 which is a magnetic recording layer formed on a nonmagnetic base 101 of the magnetic recording medium is formed by dispersing magnetic powder 111 deposited or mixed with carbon 109 on or with hexagonal system ferrite particles 107 into an organic binder 113.例文帳に追加

磁気記録媒体の非磁性支持体１０１上に形成される磁気記録層である上層磁性層１０５は、六方晶系フェライト粒子１０７に対してカーボン１０９が被着または混合された磁性粉末１１１が、有機バインダー１１３中に分散されてなる。 - 特許庁

To provide a method for correcting an FIB wiring of a flip-chip LSI by an FIB of only a normal ion beam, by enabling removal of the upper layer interconnection and the lower layer interconnection on an FIB processing region through wet etching.例文帳に追加

ＦＩＢ加工領域上の上層配線および下層配線をウェットエッチングで除去することができるようにすることにより、通常のイオンビームのみのＦＩＢで、フリップチップＬＳＩのＦＩＢ配線修正加工が可能である、フリップチップＬＳＩの配線修正方法を提供する。 - 特許庁

To provide a scale removing method of a chromium-containing steel material for sufficiently removing, with a simple facility, scale of a bilayer structure having a lower layer containing high chromium oxide content formed on the surface of the chromium-containing steel material and an upper layer mainly made of iron oxide.例文帳に追加

クロム含有鋼材料の表面に形成された酸化クロム含有量の多い下層と、酸化鉄を主体とする上層とを含んだ二層構造のスケールを簡易な設備で十分に除去することができるクロム含有鋼材料のスケール除去方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device 100 has upper-lower two cut-out semiconductor wafers 5, a resin sealing layer 28 held by these two semiconductor wafers 5 and formed, and conductive posts 30 formed at the outer edge section of the resin sealing layer 28 and exposed to the outside.例文帳に追加

半導体装置１００は、上下２枚の切り出された半導体ウェハ５と、これら２枚の半導体ウェハ５に挟まれて形成されている樹脂封止層２８と、この樹脂封止層２８の外縁部に形成され、外部に露出している導電性ポスト３０とを有する。 - 特許庁

A connection wiring 25 for connecting an upper electrode 23 of the capacitor C to the layer 12 is formed by a first layer metal on an interlayer film 24 coating the capacitor C, and a shunt wiring 26 for short circuiting the word line is formed.例文帳に追加

強誘電体キャパシタＣを覆う層間絶縁膜２４上に、第１層メタルにより、強誘電体キャパシタＣの上部電極２３とトランジスタ拡散層１２の間を接続する接続配線２５が形成され、またワード線を短絡するためのシャント配線２６が形成される。 - 特許庁

The rainwater inflow side ditch 20 is constituted by positioning its rainwater outlet 21 on an upper layer region side of the stratum 50 composed of pebbles across a concrete floor slab 25, and a rainwater inflow part of the holed underground pipe 30 is positioned on a lower layer region side of the stratum 50 composed of pebbles.例文帳に追加

雨水流入側溝２０はその雨水流出口２１を、コンクリート床版２５を挟んで、小石から成る層５０の上層領域側に位置させており、有孔地中埋設管３０はその雨水流入部を小石から成る層５０の下層領域側に位置させている。 - 特許庁

The pattern of the lower wiring layer Ma of the monitor mark formation region and a pattern of wiring trenches TRb (or upper wiring layer Mb) include repetitive patterns, respectively, in a rectangular region R having a breadth of 3 μm-100 μm and extend in the same direction parallel with each other.例文帳に追加

モニター用マーク形成領域の下層配線層Ｍａのパターンと配線溝ＴＲｂ（または上層配線層Ｍｂ）のパターンとは３μｍ〜１００μｍ□の広さを有する矩形領域Ｒ内において、繰り返しパターンを有しており、かつ互いに同じ方向に平行に延びている。 - 特許庁

The shot magnification etc., of an exposure system 21 is corrected by measuring the superimposing accuracy between the lower-layer pattern and an upper-layer pattern in a chip area, by measuring the patterns by using an evaluation device 11 utilizing a substrate current signal induced when an electron beam is projected upon an overlay mark.例文帳に追加

重ね合わせマークに電子ビームを照射したときに誘起される基板電流信号を利用した評価装置１１を用いて、チップエリアの下層パターンと上層パターンを測定することで重ね合わせ精度を測定し、露光装置２１のショット倍率等を補正する。 - 特許庁

The p-side electrode 114 of a multiple structure formed on the surface of the second conductivity type semiconductor layer group on the side of an upper ridge 130 makes contact with the side surface of the ridge 130 and with the surface of the second conductivity type semiconductor layer group in the vicinity of the ridge 130.例文帳に追加

上記第２導電型の半導体層群の上側のリッジ部１３０側の表面に形成された多層構造のｐ側電極１１４が、リッジ部１３０の側面およびリッジ部１３０近傍の第２導電型の半導体層群の表面に接している。 - 特許庁

To provide an organic EL (electroluminescent) element restrained or reduced in driving voltage rise due to damage to an organic EL layer in forming an upper electrode by a high-energy film formation method, in an organic EL element including a buffer layer containing a phthalocyanine compound, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

フタロシアニン化合物を含有するバッファ層を含む有機ＥＬ素子において、高エネルギー成膜法による上部電極の形成の際の有機ＥＬ層へのダメージによる駆動電圧上昇を抑制または低減化した有機ＥＬ素子及びその製造を提供すること。 - 特許庁

Thereafter, on the surfaces of a metal support substrate 2, a base insulating layer 3 and the conductor pattern 4, a semiconductive layer 5 composed of an oxidized metal is formed by sputtering from the upper part in the thickness direction of the conductor pattern 4 so as to form a cut 10 at the side etching part 9.例文帳に追加

その後、金属支持基板２の表面、ベース絶縁層３の表面および導体パターン４の表面に、導体パターン４の厚み方向上方からのスパッタリングにより、酸化金属からなる半導電性層５を、サイドエッチング部分９に切り目１０が形成されるように、形成する。 - 特許庁

An oxygen barrier layer 108A connected to the upper end of the plug 107 is formed on the first protective insulation film 103, and the oxygen barrier layer 108A is composed of multiple nitride which is the mixture of a first conductive nitride and a second insulating nitride or an alloy.例文帳に追加

第１の保護絶縁膜１０３の上には、プラグ１０７の上端と接続する酸素バリア層１０８Ａが形成されており、該酸素バリア層１０８Ａは、導電性を有する第１の窒化物と、絶縁性を有する第２の窒化物との混合物又は合金である複合窒化物からなる。 - 特許庁

A CPP structure indicates "a structure comprising a columnar conductive part and insulator part surrounding its periphery" worked in a vertical direction to layers for passing a current from an upper layer to lower layer (or in the reverse direction), in a wiring circuit and an electronic element having a multilayer structure.例文帳に追加

ＣＰＰ構造は、多層構造を持つ電子素子、配線回路において、上層から下層（あるいはその反対方向）に電流を流すために、層に対して垂直な方向に加工された「柱状の導電性部分とその周辺を囲う絶縁体部分からなる構造」を指す。 - 特許庁

Even when a leakage path is generated in the layer 14a of the larger Pb composition amount by a lead dioxide generated by electrochemical reaction under the highly humid environment, since the leakage path is not generated in the layer 14b of the smaller Pb composition amount, the decline is prevented in the insulation between upper and lower electrodes.例文帳に追加

Ｐｂ組成量の多い層１４ａに高湿度環境下で電気化学的な反応によって発生する二酸化鉛によるリークパスが発生したとしても、Ｐｂ組成量の少ない層１４ｂではリークパスが発生しないので、上下電極間での絶縁性の低下を防ぐことができる。 - 特許庁

More specifically, the method for forming the semiconductor device, containing a stack consisting of a dielectric layer and a conductive material on the surface being an upper section or an internal section of a germanium contained material in which a non-oxygen chalcogen is rich (layer or wafer) or both of them is provided.例文帳に追加

具体的には、本発明は、その表面が非酸素カルコゲンに富んだＧｅ含有材料（層またはウェーハ）の上部またはその内部あるいはその両方に誘電体層と導電材料を含むスタックを含む半導体デバイスを形成する方法を提供する。 - 特許庁

To form a polishing stopper film with a low dielectric constant on an organic interlayer insulating film of a semiconductor device having a multi-layered wiring structure with the organic interlayer insulating film and to form a wiring pattern of an upper layer stably in a favorable yield even if a lower-layer wire is dished.例文帳に追加

有機層間絶縁膜を有する多層配線構造を備えた半導体装置において、前記有機層間絶縁膜上に、低誘電率の研磨ストッパ膜を形成し、さらに下層配線パターンにディッシングが生じた場合にも上層の配線パターンを歩留まり良く、安定して形成する。 - 特許庁

The display device has a lower capacity electrode 24a provided to the TFT array substrate 100, a first inter-layer insulating film 25 formed on the lower capacity electrode 24a, and an upper capacity electrode 26a formed on the lower-capacity electrode 24a with the first inter-layer insulating film 25 interposed.例文帳に追加

これは、ＴＦＴアレイ基板１００に設けられた下部容量電極２４ａと、下部容量電極２４ａ上に形成された第１層間絶縁膜２５と、第１層間絶縁膜２５を介して、下部容量電極２４ａ上に形成された上部容量電極２６ａとを有する。 - 特許庁

The imaging device 10 furthermore comprises a lower transparent electrode film 50 provided over the photodetective sensor 12, a refractive index variable material layer 52 having an electro-optical effect provided on the lower transparent electrode film 50, and an upper transparent electrode film 54 provided on the refractive index variable material layer 52.例文帳に追加

撮像素子10はさらに、受光センサ部12の上方に設けられた下部透明電極膜50と、下部透明電極膜50上に設けられた電気光学効果を有する屈折率可変材料層52と、屈折率可変材料層52上に設けられた上部透明電極膜54とを含む。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which the adhesiveness of a bonding pad and a second wiring layer to an insulating film is improved, and even when any stress is applied from the upper part to the bonding pad, the insulating film between the bonding pad and the second wiring layer can be prevented from being cracked.例文帳に追加

ボンディングパッドと第２配線層および絶縁膜との密着性が良好であり、かつ、ボンディングパッドに上方からストレスが加わっても、ボンディングパッドと第２配線層との間の絶縁膜に亀裂が入ることを回避することのできる半導体装置を提供する。 - 特許庁

In the semiconductor laser device where the semiconductor lasers having a couple of wavelengths are formed on one substrate, the layers above a clad layer of a second conductivity type at the upper part of an active layer of each semiconductor laser are simultaneously crystal-grown to conduct in common the step of forming the current pinching part.例文帳に追加

２つの波長の半導体レーザを１つの基板上に作成する半導体レーザ素子において、各半導体レーザの活性層上部の第２導電型のクラッド層より上の層を同時に結晶成長させ、電流狭窄部の形成工程を共通化する。 - 特許庁