「upper- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(170ページ目) - Weblio英語例文検索

This method for amplifying a nucleic acid comprises a step of preparing a pipette chip as a reaction container, a step of preparing a layer of mixed liquid of a specimen containing the nucleic acid and amplification reaction liquid, and an oil layer covering the upper surface of the mixed liquid layer in the pipette chip and a step of performing the amplification of the target gene in the pipette chip.例文帳に追加

ピペットチップを反応容器として用意する工程と、前記ピペットチップ中に、標的核酸を含む試料及び増幅反応液の混合液の層と、前記混合液の層の上面を覆うオイルの層とを調製する工程と、前記ピペットチップ中で前記標的核酸の増幅を行う工程とを含む、核酸増幅法。 - 特許庁

The food packaging film comprising at least five layers is constituted by laminating adhesive layers, each of which is formed from an adhesive layer resin composition, on both upper and under surfaces of an intermediate layer formed from a 4-methyl-1-pentene polymer and further laminating outer layers, each of which is formed from an outer layer resin composition, on the surfaces of the respective adhesive layers.例文帳に追加

４−メチル−１−ペンテン系重合体から形成された中間層の表裏両面に下記接着層樹脂組成物から形成された接着層が積層され、更にそれぞれの接着層の表面に下記外層樹脂組成物から形成された外層が積層された少なくとも５層からなる食品包装用フィルム。 - 特許庁

Light incident from an upper face is diffracted by a diffraction grating layer 2, comprising a single dimensional periodical pattern formed in parallel so as to resonate with incident light wavelength in reflection; and when the propagation constant matches the propagation mode of a high-refractivity index two-dimensional waveguide (wave guide layer 3) formed on a lower part, the diffracted waves are propagated through the wave guide layer 3.例文帳に追加

上面から入射した光は、入射波長に共鳴反射するように平行に形成された１次元周期パターンからなる回折格子層２で回折され、その伝播定数が下部に形成された高屈折率の２次元導波路（導波層３）の伝播モードに一致するとき、回折波は導波層３を伝播する。 - 特許庁

In the phase-change memory, which is constituted of a substrate, a lower electrode, the phase transformed substance, an upper electrode and a heat dissipating layer, includes an AlN heat dissipating layer with high thermal conductivity as the dissipation layer, and a TiN lower electrode, which generates a large amount of heat by using small current and has low thermal conductivity, as the lower electrode.例文帳に追加

基板、下部電極、相変化物質、上部電極及び熱放出層から構成される相変化メモリにおいて、前記熱放出層として、熱伝導率の高いＡｌＮ熱放出層を含み、前記下部電極として、少ない電流で多量の熱を発生し、かつ熱伝導率の低いＴｉＮ下部電極を含むを含むことを特徴とする。 - 特許庁

Each layer of the plurality of hollow cylindrical bodies arranged in parallel is inclined in a state that inlet-side opening parts of the hollow cylindrical bodies are inclined downward, and the upper layer is shifted from the lower layer axially toward an outlet side opening part side by a specific distance by every specific number of layers of the vertically-stacked layers.例文帳に追加

複数本の中空筒体が並列されている各層は、前記中空筒体の入り口側開口部を下側に向けて傾斜させ、上下に積層される層は所定の数の層毎に、上側に配置される層が下側に配置される層に対して軸方向で出口側開口部側に向けて予め定めてある距離分ずらして配置する。 - 特許庁

The lithographic printing original plate has on a support a recording layer formed by sequentially stacking a lower layer containing a water-insoluble but alkali-soluble resin and an upper layer containing an iodonium salt, an infrared absorbent and a water-insoluble but alkali-soluble resin, and having solubility in an alkaline aqueous solution increased upon infrared laser exposure.例文帳に追加

支持体上に、水不溶性且つアルカリ可溶性樹脂を含む下層と、ヨードニウム塩、赤外線吸収剤、及び水不溶性且つアルカリ可溶性樹脂を含有し、赤外レーザ露光によりアルカリ性水溶液に対する溶解性が増大する上層と、を順次積層してなる記録層を有することを特徴とするポジ型平版印刷版原。 - 特許庁

In a variable capacitor formed by sequentially laminating a lower electrode layer 2, a dielectric layer 3 whose the dielectric constant varies by applying an outer control voltage, and a upper electrode 4 on a holding substrate 1, the dielectric layer 3 consists of perovskite oxide crystalline particles containing at least Ba, Sr, and Ti, and the crystalline particle is oriented to the face (111).例文帳に追加

支持基板１上に下部電極層２、外部制御電圧を印加することにより誘電率が変化する誘電体層３、上部電極層４を順次被着してなる可変容量コンデンサにおいて、前記誘電体層３が、少なくともBa、Sr、Tiを含有するペロブスカイト型酸化物結晶粒子からなり、その結晶粒子が（１１１）面に配向している。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element comprises a first conductivity-type semiconductor layer 14, a second conductivity-type semiconductor layer 13, a light-transmitting first electrode 15 which is formed on the first conductivity-type semiconductor layer 14 and comprises a recess 16 with its upper surface opened, and a second electrode 17 which is formed along the inside surface of the recess 16 to reflect light.例文帳に追加

第１導電型の半導体層１４と、第２導電型の半導体層１３と、第１導電型の半導体層１４の上に形成された、上面が開口された窪み１６を有する透光性の第１の電極１５と、窪み１６の内面に沿って形成された、光を反射する第２の電極１７と、を備えている。 - 特許庁

The actuator comprises a piezoelectric element 300 consisting of a lower electrode film provided on a substrate, a piezoelectric layer 70 provided on the lower electrode film, and an upper electrode film 80 provided on the piezoelectric layer 70 wherein the ratio between the thickness and the width of each crystal grain in the piezoelectric layer 70 constituting the piezoelectric element 300 is in the range of 1-100.例文帳に追加

基板上に設けられる下電極膜と、下電極膜上に設けられる圧電体層７０と、圧電体層７０上に設けられる上電極膜８０とからなる圧電素子３００を具備し、且つ圧電素子３００を構成する圧電体層７０の各結晶粒の厚さと幅との比が１以上１００以下であるようにする。 - 特許庁

A ceramic industry system siding material face 11 and a plurality of tile backs 13 are mutually firmly adhered through an organic adhesive agent layer 12, and a hard foamed body 15 is pressedly applied to a joint part 14 having the exposed organic adhesive agent layer 12, and an inorganic adhesive agent layer 16 is further applied onto its upper face.例文帳に追加

窯業系サイディング材１１面と複数個のタイル１３裏面とが有機系接着剤層１２を介して強固に接着され、この有機系接着剤層１２が露出する目地部１４には硬質発泡体１５が押込まれ圧着され、その上面には更に無機系接着剤層１６が塗布され床タイルパネル１０が構成されている。 - 特許庁

In the concrete, a negative pressure generating part for generating negative pressure by the action of the tide is formed at the upper end part of a communicative pipe which penetrates the muddy bottom layer on the seabed and reaches the gravel layer so that the ground water in the gravel layer is sucked up to the seabed through the communicative pipe by utilizing the negative pressure generated in the negative pressure generating part.例文帳に追加

具体的には、海水浄化装置は、海底の底泥層を貫通して砂礫層に通じる連通パイプの上端部に潮流の作用によって負圧を発生させる負圧発生部を形成し、この負圧発生部で発生した負圧を利用して砂礫層中の地下水を連通パイプを介して海底まで汲み上げるように構成した。 - 特許庁

In a thermal head wherein a heating element row comprising a large number of heating elements 3 are provided on the upper surface of an insulating substrate 1 and these heating elements 3 are coated with a protective layer comprising a inorg. material, a frame member 6 having heat conductivity smaller than that of the protective layer is provided on the protective layer so as to surround the heating element row.例文帳に追加

絶縁基板1 の上面に多数の発熱素子3 から成る発熱素子列を取着させるとともに、これら発熱素子3 を無機質材料から成る保護層で被覆したサーマルヘッドにおいて、前記保護層上に、該保護層よりも小さな熱伝導率を有する枠体6 を、前記発熱素子列を囲繞するように被着させる。 - 特許庁

It has a function layer formation process which forms a function layer 302 on an electrode 301 formed on a substrate 300, and a counter-electrode formation process which forms the counter electrode 303 which counters the electrode 301 on both sides of the function layer 302 by vacuum evaporation, then, the upper and lower sides of the substrate 300 are reversed between the both processes.例文帳に追加

基板３００上に形成された電極３０１上に機能層３０２を形成する機能層形成工程と、機能層３０２を挟んで電極３０１に対向する対向電極３０３を蒸着により形成する対向電極形成工程とを有し、両工程の間で、基板３００の上下を反転させる。 - 特許庁

In one of the interface, an upper layer part of the separable tape is peeled off, removed together with the active material layer thereon, and since the remaining separable tape and the active material layer are adjusted so as to have almost the same height, the whole surface is pressed with a roll press, and the remaining separable tape is peeled off to form the non-painting part on the current collector.例文帳に追加

その後、前記界面の一つにおいて、前記剥離性テープの上層部をはがしてその上の活物質層とともに除去し、残留した剥離性テープと活物質層の高さがほぼ同等となるようにしてから、全面にロールプレスを行い、残留した剥離性テープを剥離して集電体上に未塗工部分を形成する。 - 特許庁

Insulating films 17 covering inner surfaces of a plurality of trenches 16 from a surface of the n+ type source layer 14 to the n- type drift layer 12; source embedded electrodes 18 on a bottom part in the insulating films 17; gate electrodes 19 embedded along a thickness of the p- type base layer 13 at upper part in the insulating films 17; and interlayer insulating films 20 formed thereon are provided.例文帳に追加

ｎ＋型ソース層１４の表面からｎ−型ドリフト層１２へ至る複数のトレンチ１６の内面を被う絶縁膜１７、絶縁膜１７内の底部のソース埋込電極１８、絶縁膜１７内の上部のｐ−型ベース層１３の厚さに沿って埋め込まれたゲート電極１９、及びその上の層間絶縁膜２０を有する。 - 特許庁

In this polarizing plate having an adhesive layer, an average thickness of the adhesive layer in an in-plane peripheral part P2 including at least one part of at least one end face out of the upper, lower, left and right end faces is thinner than an average thickness of the adhesive layer in an in-plane central part P1, and this liquid crystal display has the polarizing plate.例文帳に追加

粘着剤層を有する偏光板であって、上下左右の少なくとも一つの端面の少なくとも一部を含む面内周辺部（Ｐ２）の粘着剤層の平均厚みが、面内中央部（Ｐ１）の粘着剤層の平均厚みよりも薄いことを特徴とする偏光板、及び該偏光板を有する液晶表示装置である。 - 特許庁

In the mat obtained by joining the mat fabric 2 onto the mat ground fabric, the ground fabric 3 is the integrated matter of double layer structure consisting of an upper layer 31 made of first thermoplastic resin and the lower layer 32 made of second thermoplastic resin, and the softening temperature of the first thermoplastic resin is lower than that of the second thermoplastic resin.例文帳に追加

マット原反２がマット基材３上に接合されてなるマット１において、マット基材３が、第１の熱可塑性樹脂からなる上の層３１と第２の熱可塑性樹脂からなる下の層３２との２層構造の一体物であり、第１の熱可塑性樹脂の軟化温度が第２の熱可塑性樹脂の軟化温度より低いことを特徴としている。 - 特許庁

This semiconductor integrated circuit device having multi-layer wiring structure comprises heat conduction parts 33, 35, 37 (see the regions A, E, F) extending to the upper layer side via paths different from a connection hole for signal transmission and a metal wiring layer (see the region C).例文帳に追加

多層配線構造を備えた半導体集積回路装置において、多層配線構造を構成する接続孔及び金属配線層と同じ導電材料からなり、信号伝送用の接続孔及び金属配線層（領域Ｃ参照）とは異なる経路で上層側に延びる熱伝導部３３，３５，３７を備えている（領域Ａ，Ｅ，Ｆ参照）。 - 特許庁

At least a bottom substrate among a top substrate, each of intermediate substrates and the bottom substrate is provided with a rigidity enforcement layer at its upper face that is extended nearly in point symmetry from the center toward an outer circumferential part except a region opposed to an input terminal and this rigidity enforcement layer is a conductive layer and its part configures a prescribed connection path.例文帳に追加

頂部基板、各中間基板及び底部基板のうち少なくとも底部基板が、その上面に入力端子に対峙する領域を除いて中心から外周部に向かってほぼ点対称にのびる剛性補強層を備え、このこの剛性補強層が導電性層であり、その一部が所定の接続通路を構成している。 - 特許庁

At least one side of a steel sheet or a plated steel sheet is provided with a substrate layer, the surface is provided with a lower rust preventive coating film layer contg. rust preventive pigment, and, the surface is provided with an upper rust preventive coating film layer contg. rust preventive pigment simultaneously contg. an ion source emitting vanadic acid ions and an ion source emitting phosphoric acid ions.例文帳に追加

鋼板もしくはめっき鋼板の少なくとも片面に、下地処理層を有し、その上に防錆顔料を含む下層防錆塗膜層を有し、更にその上にバナジン酸イオンを放出するイオン源とリン酸イオンを放出するイオン源を同時に含む防錆顔料を含む上層防錆塗膜層を有することを特徴とするプレコート鋼板。 - 特許庁

A method for manufacturing a ferroelectric thin film comprises the steps of forming a seed layer containing an ultra-fine particle powder which contains a constituting element of the ferroelectric thin film, on the surface of a substrate for constituting a substrate prior to a formation of the ferroelectric thin film, forming the ferroelectric thin film on an upper surface of the seed layer, and crystallizing the thin film with the seed layer as a nucleus.例文帳に追加

強誘電体薄膜の形成に先立ち、下地を構成する基板表面に、前記強誘電体薄膜の構成元素を含む超微粒粉を含むシード層を形成し、このシード層の上層に、強誘電体薄膜を形成し、このシード層を核として結晶化を行うようにしたことを特徴とする。 - 特許庁

At least part of the increment in the refractive index of the segregation layer 3a due to P2O5 from the refractive index in a part 3b of the upper clad 3 excluding the segregation layer is compensated by increasing the amount of B2O5 added to the segregation layer 3a or by adding another dopant to decrease the refractive index such as fluorine so as to decrease the refractive index.例文帳に追加

偏析層３ａのＰ_2Ｏ_5による上部クラッド部３の偏析層以外の部分３ｂに対する屈折率の上昇分の少なくとも一部を、偏析層３ａにおいて添加されたＢ_2Ｏ_3の添加量を増加させるか又は別の屈折率低下用ドーパント例えばフッ素の添加することによって屈折率の低下させて相殺する。 - 特許庁

When a second GaN layer 57 is epitaxially grown on the substrate, a lattice defect D that is propagated from the first GaN layer 53 exists merely in a region (defect region Ra) that is positioned at the upper part of the center part of the recess 53a, and there is hardly any lattice defect D that is propagated from the first GaN layer 53 in the other regions (low defect region Rb).例文帳に追加

基板上に、第２のＧａＮ層５７をエピタキシャル成長させると、凹部５３ａの中央部の上方に位置する領域（欠陥領域Ｒａ）にのみ第１のＧａＮ層５３から伝播した格子欠陥Ｄが存在し、その他の領域（低欠陥領域Ｒｂ）には第１のＧａＮ層５３から伝播した格子欠陥Ｄはほぼ存在しない。 - 特許庁

The double-sided printed circuit board includes a double insulating layers formed by folding one flexible insulative substrate, a circuit pattern formed over the folded side of the insulating layer and formed on the upper and lower sides of the insulating layer, a solder resist layer for protecting the circuit pattern, and a plurality of connection parts electrically connected by the circuit pattern and connected to the other substrate, chip or the like.例文帳に追加

１つのフレキシブル絶縁性基板を折って形成された２重の絶縁層と、前記絶縁層の折られた辺部を過ぎて前記絶縁層の上下面に設けられた回路パターンと、前記回路パターンの保護のためのソルダーレジスト層と、前記回路パターンによって電気的に連結され、他の基板又はチップなどに接続される複数の接続部とを含む。 - 特許庁

The plane type inductor 20 is formed out of a lower pattern, comprising a conductive layer formed on the base substrate 10, an annular core 22 comprising a magnetic-body layer formed on the lower pattern by a film-forming technique, and an upper pattern 23 electrically connected with the lower pattern which is a conductive layer formed on the front surface of the annular core 22.例文帳に追加

平面型インダクタ２０は、ベース基板１０に形成された導電層からなる下パターンと、下パターンの上に膜形成技術により形成された磁性体層からなる環状コア２２と、環状コア２２の表面に形成された導電層であって下パターンに電気的に接続される上パターン２３とにより形成される。 - 特許庁

A lower electrode 31 and the piezoelectric layer (PZT thin film) 32 are formed on the entire surface of one surface side of a support substrate (single-crystal MgO substrate) 1 before patterning, and an opening 4a partially exposing the piezoelectric layer 32 and an insulating layer 4 including an etching hole 5 are formed at one surface side of the support substrate 1, and then an upper electrode 33 is formed.例文帳に追加

支持基板（単結晶ＭｇＯ基板）１の一表面側の全面に下部電極３１、圧電層（ＰＺＴ薄膜）３２を形成した後にそれぞれをパターニングし、支持基板１の上記一表面側に圧電層３２の一部を露出させる開孔部４ａおよびエッチングホール５を有する絶縁層４を形成してから、上部電極３３を形成する。 - 特許庁

The magnetic recording medium includes at least a non-magnetic substrate 11 having 5-10 μm thickness, a magnetic film 12 provided on the non-magnetic substrate 11 and having 100-300 nm thickness, a lower layer carbon protective film 13 disposed on the magnetic film 12 and having 3-12 nm thickness and an upper layer carbon protective film 14 disposed on the lower layer carbon protective film 13.例文帳に追加

５乃至１０μｍ厚の非磁性基板１１と、この非磁性基板１１の上部に配置された１００乃至３００ｎｍ厚の磁性膜１２と、この磁性膜１２の上部に配置された３ｎｍ以上１２ｎｍ以下の下層カーボン保護膜１３と、この下層カーボン保護膜１３の上部に配置された上層カーボン保護膜１４とを少なくとも含む。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor device comprises the steps of forming an antireflection film made of a two-layer film of a lower layer as a reflection film and an upper layer as an interference film to an exposure light on the substrate, emitting a pattern inspecting light via the antireflection film in the case of exposing a desired pattern on a photosensitive thin film coating the antireflection film, thereby aligning a photomask with the substrate.例文帳に追加

露光光に対して下層は反射膜であり、上層は干渉膜である二層膜からなる反射防止膜を基板上に形成し、その反射防止膜上に塗布した感光性薄膜に所望のパターンを露光する際に、反射防止膜を介してパターン検出光を照射することにより、ホトマスクと基板とのアライメントを行う。 - 特許庁

The method for manufacturing an electronic member includes the processes for: (1) providing a synthetic resin coating layer 2 in a pattern form on a synthetic resin base material 1; (2) applying a sand blast treatment to the synthetic resin coating layer 2 from an upper part; (3) imparting a catalyst component for electroless plating; (4) removing the synthetic resin coating layer 2; and (5) performing electroless plating.例文帳に追加

（１）合成樹脂基体１に合成樹脂による被覆層２をパターン状に設ける工程、（２）該合成樹脂被覆層２の上方からサンドブラスト処理する工程、（３）無電解メッキ用触媒成分を付与する工程、（４）前記合成樹脂被覆層２を除去する工程、（５）無電解メッキする工程、を含む電子部材の製造方法。 - 特許庁

The heat-shrinkable polyolefinic laminated film is obtained by using a layer comprising a polyolefinic resin with a density of below 0.940 g/cm^3 as an interlayer and providing a surface layer and a back surface layer, both of which comprise a specific cycloolefinic resin and an olefin/vinyl aromatic compound copolymer, on the upper and back surfaces of the interlayer.例文帳に追加

密度０．９４０ｇ／ｃｍ^３未満であるポリオレフィン系樹脂からなる層を中間層とし、この中間層の表裏面にそれぞれ、特定の環状オレフィン系樹脂と、オレフィン-ビニル芳香族化合物共重合体との組成物からなる表面層及び裏面層を設けて積層した熱収縮性ポリオレフィン系積層フィルム。 - 特許庁

The method for manufacturing a substrate 10 for electro-optical devices includes: forming reflection patterns 7z and 9z for a monitor on a same layer of a pixel electrode 9a or a lower layer side than the pixel electrode 9a; and forming a first translucent film 181 and a second translucent film 182 on an upper layer side of the reflection patterns 7z and 9z for the monitor.例文帳に追加

電気光学装置の素子基板１０の製造方法では、画素電極９ａと同一の層あるいは画素電極９ａより下層側にモニター用反射パターン７ｚ、９ｚを形成しておき、画素電極９ａおよびモニター用反射パターン７ｚ、９ｚの上層側に第１透光膜１８１、および第２透光膜１８２を形成する。 - 特許庁

A semiconductor substrate comprises a first semiconductor layer 12 composed of a III-V or II-IV semiconductor in which an amorphous area 12b with an amorphous structure and a crystalline area 12a with a crystalline structure are formed on an upper surface, and a second semiconductor layer 20 formed on the first semiconductor layer through crystalline growth from the crystalline area.例文帳に追加

上面に非晶質構造を有する非晶質領域１２ｂと結晶構造を有する結晶質領域１２ａとが形成されたIII−Ｖ族半導体またはII−IV族半導体からなる第１半導体層１２と、結晶質領域から結晶成長されることにより第１半導体層上に形成された第２半導体層２０と、を備える。 - 特許庁

This ink jet recording paper has an ink accepting layer comprising a lower layer including a synthetic amorphous silica and a silicon emulsion resin having a group reacting or hydrogen-bonding with the silanol group held by the silica and an upper layer including a hydrophilic binder and a synthetic amorphous silica having the average particle diameter of 3 to 200 nm.例文帳に追加

多孔質基材上の少なくとも片面に、合成非晶質シリカ及び該シリカが有するシラノール基と反応し得る基、又は水素結合し得る基を有するシリコンエマルジョン樹脂を含む下層と、親水性バインダーと平均粒径３〜２００ｎｍの合成非晶質シリカを含む上層とを有するインク受容層を有することを特徴とするインクジェット記録用紙。 - 特許庁

To observe, at high resolution and stability, the image of a contact hole from a lower-layer current image which can not be observed using a secondary electron image of high aspect ratio and small diameter, related to an inspecting device which displays the inside of an opening reaching to a lower layer from an upper layer on an inspection substrate.例文帳に追加

本発明は、検査基板上の上層から下層に達する開口の内部を表示する検査装置に関し、試料にバイアス電圧をかけることによりアスペクト比が高く、直径の小さい２次電子像では観察不可能なコンタクトホールの像を下層電流像から高分解能、かつ安定に観察することを目的としている。 - 特許庁

In the surface treated metallic sheet having excellent heat absorbability and the metal-made exothermic element cover obtained by using the same, the surface of the metallic sheet is provided with a plated layer comprising, by mass, 5 to 20% Fe, and the balance Zn with inevitable impurities, and the upper layer of at least one side thereof is provided with a heat absorbable film layer.例文帳に追加

金属板の表面に、質量％で、Ｆｅ：５〜２０％を含有し、残部がＺｎ及び不可避不純物からなるめっき層を有し、その少なくとも片面の上層に熱吸収性皮膜層を有することを特徴とする熱吸収性に優れた表面処理金属板及びこれを用いた金属製発熱体カバー。 - 特許庁

The semiconductor light emitting device of the present invention comprises an n-type InP substrate 1, an n-type InP lower cladding layer 3 formed in stripe shape on the n-type InP substrate 1, an activity layer 4 having a resonator resonating in parallel direction against the above-mentioned n-type InP substrate 1, and a stripe structure 10 including the n-type InP upper cladding layer 5.例文帳に追加

本発明の半導体発光素子は、ｎ型ＩｎＰ基板１と、このｎ型ＩｎＰ基板１上にストライプ状に形成された、ｎ型ＩｎＰ下部クラッド層３、前記ｎ型ＩｎＰ基板１に対して平行な方向の共振器を有している活性層４、およびｐ型ＩｎＰ上部クラッド層５を含むストライプ構造１０とを備えている。 - 特許庁

A thin film for wiring is composed of a double layer structure composing of a Cr film contg. nitrogen element at a lower layer film 2, which is formed by sputtering with using CrN target and pure Ar gas as a sputtering gas, and a Cr film contg. no nitrogen element as an upper layer film 1, which is formed by sputtering with using Cr target and pure Ar gas as a sputtering gas.例文帳に追加

配線用薄膜を、ＣｒＮターゲットを用い、スパッタガスとして純Ａｒガスを用いたスパッタリングにより形成した窒素元素を含有するＣｒ膜を下層膜２とし、Ｃｒターゲットを用い、スパッタガスとして純Ａｒガスを用いたスパッタリングにより形成した窒素元素を含有しないＣｒ膜を上層膜１とした二層構造とする。 - 特許庁

The electroluminescent element manufactured by the method has the substrate, a layer doped with rare earth elements and rich in silicon formed on a gate oxide layer for radiating light at a prescribed wavelength, an upper end electrode formed on a layer doped with the rare earth elements and rich in silicon, and a combined CMOS IC structure manufactured there.例文帳に追加

基板、所定の波長の光を放出するためのゲート酸化物層上に形成された、希土類がドープされ且つシリコンリッチな層、上記希土類がドープされ且つシリコンリッチな層上に形成された上端電極、およびそこに製造された連合されたＣＭＯＳ ＩＣ構造体を有する本発明の方法によって製造されたエレクトロルミネセンス素子に関する。 - 特許庁

A recording head includes a lower magnetic pole layer 8, an upper magnetic pole layer 13, a recording gap layer 12 which is formed between the magnetic pole parts of layers 8 and 13 and the thin film coils 10 and 14 which are placed between the layers 8 and 13 and insulated from these layers.例文帳に追加

記録ヘッドは、下部磁極層８および上部磁極層１３と、この下部磁極層８の磁極部分と上部磁極層１３の磁極部分との間に設けられた記録ギャップ層１２と、下部磁極層８および上部磁極層１３の間に、これらに対して絶縁された状態で設けられた薄膜コイル１０，１４とを有している。 - 特許庁

The upper insulation layer 48 is composed of a first insulation part 48a arranged on a first phosphor layer 42 and a second insulation part 48b formed so as to cover a second phosphor layer 44, and the first insulation part 48a and the second insulation part 48b are arranged so as to overlap with each other at an area R between the pixels.例文帳に追加

また、上部絶縁体層４８は、第１蛍光体層４２上に設けられた第１絶縁部４８ａと、第２蛍光体層４４を覆うように形成された第２絶縁部４８ｂとから成っており、それらの第１絶縁部４８ａ及び第２絶縁部４８ｂは画素間の領域Ｒで重なり合うように設けられている。 - 特許庁

A core layer 3 having the uniform rectangular cross section shape and the uniform distribution of refractive index is provided by preparing ultraviolet ray absorbing layers 10-1, 10-2 having a ultraviolet ray absorbing function and a clad layer function on upper and rear surfaces of the core layer and side surface clad layers 4-1, 4-2 consisting of photo-breaching polymer.例文帳に追加

フォトブリーチング用ポリマからなるコア層３及び側面クラッド層４−１、４−２の上下に、紫外線光吸収機能とクラッド層の機能とを有する紫外線光吸収層１０−１、１０−２を設けることにより、均一な矩形断面形状と均一な屈折率分布とを有するコア層３を設けることができる。 - 特許庁

The method for flattening the metal foil 11 includes: a step of hardening a part of the top surface of the metal foil 11 to form a hardened layer 14; a step of removing an upper portion of the hardened layer 14 by polishing with a polisher having cutting action; and a step of polishing and removing the residual hardened layer 14 to flatten the surface.例文帳に追加

金属箔１１の表面側の一部を硬化させて硬化層１４を形成する工程と、切削作用を有する研磨器具を使用して研磨することにより、硬化層１４の上部を除去する工程と、残存する硬化層１４を研磨により除去して、表面を平坦化する工程とを含んで、金属箔１１の平坦化を行う。 - 特許庁

The magnetic head device is constituted by providing a short-circuit mechanism 3 between a grounded substrate 20 and a laminated film pattern 12A, electrically connecting each of a magnetic pole layer 18, a lower shield layer 10 and an upper shield layer 8 in a recording head with the substrate 20 and adjusting all the capacitances C28-C30 among those so as to be equal.例文帳に追加

この磁気ヘッドデバイスは、接地された基体２０と積層膜パターン１２Ａとの間に短絡機構３を設け、記録ヘッドにおける磁極層１８、下部シールド層１０および上部シールド層８の各々と基体２０とを電気的に接続し、かつ、それら相互間のキャパシタンスＣ２８〜Ｃ３０が全て等しくなるように調整したものである。 - 特許庁

The invention provides an in-plane switching mode liquid crystal display device that uses a ferroelectric liquid crystal layer, having superior response speed as a dynamic alignment layer for a twisted nematic liquid crystal layer on the upper substrate and a lower substrate, and has superior viewing angle and no decrease in the aperture ratio and the luminance which are disadvantages of a general lateral field type liquid crystal display device.例文帳に追加

従って、本発明は、応答速度の優れた強誘電性液晶層を上部基板及び下部基板において、ツイストネマティック液晶層のダイナミック配向膜として利用した、視野角が優れて、一般的な横電界型の液晶表示装置の短所である開口率及び輝度低下のない面駆動方式の液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor package including a sealing resin layer embedding a semiconductor chip therein includes the steps of arranging a semiconductor chip 4 with a pad forming surface 4a faced upward, forming a sealing resin layer 6 on a supporting board 2 to cover the semiconductor chip 4, and polishing the upper part of the sealing resin layer 6 until the upper surface 5a of a pad 5 of the semiconductor chip 4 is exposed.例文帳に追加

この半導体パッケージの製造方法は、半導体チップが埋設された封止樹脂層を有する半導体パッケージの製造方法であって、支持基板２上に、パッド形成面４ａを上向きにして半導体チップ４を配置する工程と、前記半導体チップ４が覆われるように、前記支持基板２上に封止樹脂層６を形成する工程と、前記半導体チップ４のパッド５の上面５ａが表出するまで、前記封止樹脂層６の上部を研磨する工程と、を備える。 - 特許庁