「upper- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(166ページ目) - Weblio英語例文検索

The film bulk acoustic resonator includes a substrate, a protection layer vapor-deposited on the substrate, a membrane vapor-deposited on the protection layer and at a predetermined distance from an upper side of the substrate, and a laminated resonance part vapor-deposited on the membrane.例文帳に追加

本発明に係る薄膜バルク音響共振器は、基板と、基板上に蒸着された保護層と、基板上部の表面と一定の距離隔てるように保護層に蒸着されたメンブレイン層と、前記メンブレイン層の上部に配する積層共振部とを含む。 - 特許庁

Specifically, since plate materials 3 are laminated in a thickness direction and the nano-wires 11 protrude from the base materials 7 of the top and bottom plate materials 3 toward an intermediate metal layer 5, each metal layer 5 has a thickness set so that the upper and lower nano-wires 11 may not abut on each other.例文帳に追加

詳しくは、板材３は厚み方向に積層され、ナノワイヤ１１は上下の板材３の母材７から中間の金属層５に向けて突出するので、各金属層５は、上下のナノワイヤ１１同士が当接しない様な厚みに設定されている。 - 特許庁

To improve protection of a folded portion and conveyance stability of a folding roller, and so on, when an image is placed on the folded portion by forming a transparent layer near the folded portion of a sheet and on the image upper side of the sheet so that the thickness of the toner layer, including an image surface, becomes uniform.例文帳に追加

透明トナー層を、シート折り部近傍に、シート上の画像面上面側に、画像面と合わせたトナー層の厚さが均一になるよう形成し、折り部に画像を載せる場合の、折り部の保護及び折りローラ等による搬送安定性を向上させる。 - 特許庁

The inkjet head includes: an insulating protective layer 106 which interrupts the contact between an electric heat conversion element 108 and ink in an ink passage; and a plurality of upper protective layers 107 formed so as to cover a portion heated by the electric heat conversion element of the protective layer.例文帳に追加

インクジェットヘッドは、電気熱変換素子１０８とインク流路内のインクとの接触を遮断する絶縁性の保護層１０６と、保護層の電気熱変換素子によって加熱される部分を覆うように形成された複数の上部保護層１０７とを含む。 - 特許庁

An unoccupied area capable of arranging the first test pad in a test pad arranging layer immediately the an upper side of the selected processing pattern is searched out of the processing patterns by an unoccupied area searching means 12 based on wiring rule information 31 and target layer information 34.例文帳に追加

そして、配線ルール情報３１とターゲット層情報３４に基づいて、空き領域探索手段１２により、選択された処理パターンの直上のテストパッド配線層に第１テストパッドを配置できる空き領域が処理パターン中から探索される。 - 特許庁

Preferably, the handle part and the dish-like recess part have hollow parts, respectively, the hollow parts communicates with each other, the hollow parts are filled with the fluid, and the upper layer part of the dish-shaped recess part is more flexible than the lower layer part.例文帳に追加

前記柄部と皿状凹部が、共に中空部を有していて、中空部は互いに連通しており、中空部に流動体が充填されており、皿状凹部の上層部が下層部より柔軟性を有しているスプーン様喫食器具は、好ましい態様である。 - 特許庁

In a hole part formation process in a process (1), a mask layer 3 is formed in an in-face predetermined area on the main surface of a substrate 1 so that a residual area except the formation area of the mask layer 3 can be formed with a plurality of holes 4 whose upper parts are opened.例文帳に追加

工程（１）の孔部形成工程にて、基板１の主表面上における面内の所定領域にマスク層３を形成することにより、マスク層３の形成領域を除く残余領域に、上部が開口した複数の孔部４を形成する。 - 特許庁

The face material bearing wall panel is constructed so that a ventilating layer is further provided at a space between the heat insulating material 30 and the structural face material 10, and a ventilating groove for connecting upper and lower ends is formed in the face of the structural face material 10 on the ventilating layer side.例文帳に追加

さらに、断熱材３０と構造用面材１０との間に間隔をあけて通気層Ａを設けるとともに、構造用面材１０の通気層Ａ側の面に上下端を結ぶ通気溝１１を形成した面材耐力壁パネル２を構成する。 - 特許庁

In the liquid crystal display panel, the connection wiring consisting of a two-layered structure composed of indium tin oxide (ITO) layer and the low-reflection metallic layer is formed in a non-image display portion on an upper substrate and, on the other hand, a shielding film is formed in a non-image display portion on a lower substrate.例文帳に追加

液晶表示パネルにおいて、上側基板上で非画像表示部には酸化インジウム錫（ＩＴＯ）と低反射金属層との２層構造からなる接続配線を形成し、一方、下側基板上で非画像表示部には遮蔽膜を形成する。 - 特許庁

In this planting roof structure with a planting part S provided on a roof B2 provided with a waterproof layer 1, a waterproof sheet 4 is stuck to roof backing to constitute the waterproof layer 1, and a support 3 that can support the planting part S is adhesively fixed onto the upper face of the waterproof sheet 4.例文帳に追加

防水層１を設けた屋根Ｂ２上に、植栽部Ｓを設けてある植栽屋根構造において、防水シート４を屋根下地に固着して防水層１を構成し、防水シート４の上面に、植栽部Ｓを支持自在な支持具３を接着固定してある。 - 特許庁

To provide an excreta treatment material for a pet constituting a systematic toilet laid on an upper layer of a container of a two-layer structure that has enough antifungal without including an antifungal agent and suppresses adhesion of an odor derived from urine to the container.例文帳に追加

２層構造の容器の上層に敷設されてシステムトイレを構成するペット用排泄物処理材であって、抗カビ剤を含まなくても充分な抗カビ性を有し、容器への尿由来の臭気の付着も抑制できるペット用排泄物処理材の提供。 - 特許庁

This inkjet recording medium is manufactured by coating a lower layer, which is composed of a water-absorbing inorganic pigment, latex and a boracic acid or a borate, and an upper layer, which is composed of a submicronic pigment, polyvinyl alcohol and a cationic urethane compound, on the air-permeable substrate, and then subjecting them to casting treatment.例文帳に追加

透気性の支持体上に、吸水性無機顔料、ラテックス、ホウ酸またはその塩からなる下層と、サブミクロン顔料、ポリビニルアルコール、カチオン性ウレタン化合物からなる上層を塗工し、キャスト処理をして製造されてなるインクジェット記録媒体。 - 特許庁

The wafer retainer 1 is constituted of a plate-type ceramic body 2 whose upper surface is used as a wafer mounting surface 3, and which is arranged on a base member 4 for cooling the plate-type ceramic body 2 from the lower surface side thereof through an interposing layer 6 having a region 6b different in heat conductivity from that of the interposing layer 6.例文帳に追加

上面をウェハ載置面３とした板状セラミック体２を、この板状セラミック体２を下面側から冷却するベース部材４の上面に、熱伝導率の異なる領域６ｂを有する介在層６を介して配置したウェハ保持体１である。 - 特許庁

The adhesion between the metal wiring and the interlayer film is enhanced by inserting a first insulating film 10 between the lower layer metal film 2 and the organic interlayer film 4 and a second insulating film 14 between the upper layer metal wiring 7 and the organic interlayer film 4.例文帳に追加

下層金属配線２と有機層間膜４との間に第１の絶縁膜１０を介在させ、上層金属配線７と有機層間膜４との間には第２の絶縁膜１４を介在させて金属配線と層間膜との間の密着性を高める。 - 特許庁

To provide a barrier laminate with an organic layer formed between inorganic layers, featuring its successful adhesion between the organic layer and the upper/lower inorganic layers, and also, successful bending resistance and low rate of permeability of water vapor, as well as a method for manufacturing the barrier laminate.例文帳に追加

無機層の間に有機層が形成されているバリア性積層体であって、有機層と上下の無機層との密着性が良好であり、且つ曲げ耐性も良好で水蒸気透過率も低いバリア性積層体およびその製造方法の提供。 - 特許庁

A catalyst layer 3, which contains noble metal supported heat-resistant powder, wherein at least one of Pt and Pd is supported on heat-resistant particles, and Rh doped CeZr type composite oxide powder, is provided on the upper side of the zeolite-containing layer 2 on a carrier 1.例文帳に追加

担体１上のゼオライト含有層２の上側に、Ｐｔ及びＰｄのうちの少なくとも一方が耐熱性粒子に担持されてなる貴金属担持耐熱性粉末とＲｈドープＣｅＺｒ系複合酸化物粉末とを含有する触媒層３を設ける。 - 特許庁

In an organic electroluminescent element 3 constituted by putting at least light emitting layer 503 between a lower electrode 4 as an anode and an upper electrode 6 as a cathode, the light emitting layer 503 is emitted in green light by containing fluoranthene dielectric.例文帳に追加

陽極となる株電極４と陰極となる上部電極６との間に少なくとも発光層５０３を挟持してなる有機電界発光素子３において、発光層５０３がフルオランテン誘導体を含有して緑色に発光することを特徴としている。 - 特許庁

To provide a method of patterning a lower layer film by which the film reduction of a resist pattern in the upper layer is suppressed and a pattern having sidewalls perpendicular to the film and a good square cross-sectional form can be formed with high resolution and high dimensional accuracy.例文帳に追加

下層膜をパターニングする方法において、その上層のレジストパターンの膜減りを抑制するとともに、垂直な側壁を有し、断面が矩形の良好な形状を有するパターンを高い解像度、かつ高い寸法精度で形成する方法を提供する。 - 特許庁

The multilayer wiring structure has a lower layer conductor wiring 12 and an upper layer conductor wiring 14 insulated from each other by an interlayer insulation film 13 provided with a via hole 15 for electrically conducting two conductor wiring layers.例文帳に追加

多層配線構造は、層間絶縁膜１３によって相互に絶縁された下層導体配線１２と上層導体配線１４とを有し、当該２層の導体配線層の電気的導通を取るために層間絶縁膜１３にヴィアホール１５が設けられている。 - 特許庁

A first set of marks and a second set of marks for overlay measurement are formed at prescribed positions of the lower layer and upper layer, respectively, of a semiconductor chip.例文帳に追加

重ね合わせ量を測定するための第１のマークと第２のマークがそれぞれ半導体チップ上の下層と上層の所定の領域に形成され、第１のマークは微細スペース６で囲われた凸状パターンで形成され第２のマークはレジストパターン８，８ａで形成される。 - 特許庁

The nitride semiconductor wafer is formed by stacking a nitride semiconductor lamination structure including at least a p-type conductive layer and an n-type conductive layer, on a substrate wherein the group V polarity surface of a wurtzite or sphalerite type nitride semiconductor is provided on its upper most surface.例文帳に追加

最表面にウルツ鉱型又は閃亜鉛鉱型の窒化物半導体のＶ族極性面を有する基板上に、少なくともｐ型伝導層とｎ型伝導層を含む窒化物半導体積層構造を積層した窒化物半導体ウェハの構造とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of achieving stable characteristic with high light emission efficiency and low resistance in forming an electrode contact by exposing the upper surface of a lower electrode contact layer even if the contact layer is thin.例文帳に追加

下側の電極コンタクト層の厚さが薄い場合において当該電極コンタクト層の上面を露出させて電極コンタクトを形成する場合であっても、高発光効率及び低抵抗な安定した特性を実現することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

The second conduction layer 88 prevents any nano-tubes 100 remained on the upper surface of the first conduction layer 84 from emitting electron 98 upwards, and restricts all emitted electron 98 downwards toward an anode 80 formed on a glass panel 72.例文帳に追加

第２導電層８８は、第１導電層８４の上面上に残るいかなるナノチューブ１００も上方に電子９８を放出することを防止し、全ての放出された電子９８を底部ガラスパネル７２上に形成されるアノード８０に向かって下方に制限する。 - 特許庁

It further includes second conductivity type fourth semiconductor layers 4 disposed respectively to make contact with the upper portion of the third semiconductor layer, between the second semiconductor layers and first conductivity type fifth semiconductor layers 5 formed respectively on the surface of the fourth semiconductor layer.例文帳に追加

装置は更に、第２半導体層間で第３半導体層の上部と夫々接するように配設された第２導電型の第４半導体層４と、第４半導体層の表面に夫々形成された第１導電型の第５半導体層５と、を有する。 - 特許庁

The semiconductor device packaged to include a semiconductor has a structure in which a mesh-like conductive layer 16m is formed on the semiconductor substrate 10 having an active element formed thereon, and a semiconductor chip 19 having an active element formed thereon is mounted on its upper layer.例文帳に追加

半導体を含んでパッケージ化された半導体装置であって、能動素子が形成された半導体基板１０上にメッシュ状導電層１６ｍが形成されており、その上層に、能動素子が形成された半導体チップ１９がマウントされた構成とする。 - 特許庁

After a molding body constituting a lower seat layer 2 is put in a mold, polyurethane raw liquid is injected in the mold and foamed to produce the seat 1 for a rolling stock in which an upper seat layer 3 made of a flexible polyurethane foam is integrally molded.例文帳に追加

成形型内に座席下層部２を構成する成形体を配置した後、ポリウレタン原料液をこの型内に注入、発泡させて座席下層部２上に軟質ポリウレタンフォーム製の座席上層部３が一体成形された車両用座席１を製造する。 - 特許庁

An AlN piezoelectric thin film 14 whose major component is a thin film AlN, a lower layer electrode 16a, an AlN piezoelectric thin film 18 whose major component is piezoelectric thin film AlN and an upper layer electrode 16b are formed on the Si substrate 12 in this order.例文帳に追加

Ｓｉ基板１２の上には、薄膜としてのＡｌＮを主成分とするＡｌＮ圧電薄膜１４、下層電極１６ａ、圧電薄膜としてのＡｌＮを主成分とするＡｌＮ圧電薄膜１８および上層電極１６ｂが、その順番に形成される。 - 特許庁

A first dielectric region is formed between the first source/drain region and the second source/drain region in the MOS device, and defines the boundary of a trench which extends downward into the semiconductor layer from the upper surface of the semiconductor layer to a first distance.例文帳に追加

第１の誘電領域が、ＭＯＳデバイス内に形成され、半導体層の上面から下方に第１の距離まで半導体層の中へ延在するトレンチの境界を画定し、第１のソース／ドレイン領域と第２のソース／ドレイン領域との間に形成されている。 - 特許庁

In this planer optical waveguide including a waveguide core layer held between an upper and lower clad layers, the so-called 'effective' thermal expansion coefficient of the layer including the waveguide ore is made almost equal to that of the base plate supporting the optical waveguide.例文帳に追加

本発明は上部及び下部クラッド層間にはさまれた導波路コア層を含むプレーナ光導波路に係り、導波路コアを含む層のいわゆる“実効的”熱膨張係数が、光導波路を支持する基板のそれとほぼ同じであることを特徴とする。 - 特許庁

Nt product of the upper electron supply layer 140 is set to about 1.4 times the maximum sheet carrier concentration Nsmax of a heterojunction interface and the Nt product of the lower electron supply layer 120 to about 1.1 times the maximum sheet carrier concentration Nsmax and to lie within the range of 1.0 times to 2.0 times.例文帳に追加

上側電子供給層１４０のＮｔ積をヘテロ結合界面の最大シートキャリア濃度Ｎｓmax の約１．４倍とし、下側電子供給層１２０のＮｔ積を最大シートキャリア濃度Ｎｓmax の約１．１倍とし、１．０倍〜２．０倍の範囲内とした。 - 特許庁

To allow a user to easily discriminate the position of an opening part in an absorbing laminate comprising an upper-layer absorbent web body having the opening part effectively twisted according to the body type and the movement of a wearer, and an unopened lower-layer absorbent web body.例文帳に追加

着用者の体型や動きに合わせて効果的に縒れることのできる開口部を有する上層吸収ウエブ体と開口していない下層吸収ウエブ体とで構成される吸収用積層体において、開口部の位置を簡単に判別できるようにする。 - 特許庁

To provide a semiconductor apparatus with a structure in which an SiGe layer is formed in a source-drain region of a PMOS transistor and the upper surface of the SiGe layer is silicided, wherein a contact resistance between the source-drain region and the metal silicide can be reduced.例文帳に追加

ＰＭＯＳトランジスタのソース・ドレイン領域にＳｉＧｅ層が形成されており、当該ＳｉＧｅ層の上面がシリサイド化されている構成において、ソース・ドレイン領域と金属シリサイドとの接触抵抗の低減を図ることができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

When the surface irregular layer 12 and the protrusion forming film 11 are etched continuously by anisotropic dry etching, irregularities corresponding to those on the surface of the surface irregular layer 12 are formed on the upper surface side of the etched protrusion forming film 11.例文帳に追加

次に、表面凸凹膜１２および凸部形成用膜１１を、異方性ドライエッチングにより連続してエッチングすると、エッチングされた凸部形成用膜１１の上面側に、表面凸凹膜１２の表面の凸凹形状に応じた形状の凸凹が形成される。 - 特許庁

To provide a display system capable of integrally displaying information relating to a component of a lower layer as information of an upper layer according to a size of a display area by making components to be displayed become a hierarchical structure and by defining the minimum size of each component.例文帳に追加

表示するコンポーネントを階層構造にし、各コンポーネントの最小サイズを定義することで、表示領域の大きさに応じて下位層のコンポーネントに関する情報を上位層の情報として集約表示することが可能な表示システムを提供する。 - 特許庁

The sidewalls of the first to fifth inter-word-line insulation layers 31a-31e on the memory columnar semiconductor layer 38 side are formed to tilt in a direction approaching the center axis of the memory columnar semiconductor layer 38 as they move from the upper side to the lower side.例文帳に追加

第１〜第５ワード線間絶縁層３１ａ〜３１ｅのメモリ柱状半導体層３８側の側壁は、上方から下方へと移動するに従いメモリ柱状半導体層３８の中心軸に近づく方向へ傾斜するように形成されている。 - 特許庁

Thereafter, an AlN layer 30 is formed as a surface protecting film on the upper front surface 28 of the AlGaN layer under the condition that the GaN semiconductor substrate is kept to 500°C or higher but to the temperature equal to the growth temperature or less, following the process to form the GaN semiconductor substrate.例文帳に追加

ＧａＮ半導体基板を形成する工程に引き続いて、ＧａＮ半導体基板を５００℃以上成長温度以下の温度に保持した状態で、ＡｌＧａＮ層の上側表面２８上に、表面保護膜としてＡｌＮ層３０を形成する。 - 特許庁

A member composed by forming bumps 43 each having a projecting part on electrode pads 41 of a substrate 40A, and bringing a sheet-like member 51 into press contact with an insulation layer 44 to expose partial parts of the projecting parts 43b to the upper surface of the insulation layer 44 is segmented to provide electronic components 40.例文帳に追加

基板４０Ａの電極パッド４１上に突起部を有するバンプ４３を形成し、シート状の部材５１を絶縁層４４に圧着して突起部４３ｂの一部を絶縁層４４の上面に露出させたものを個片化して電子部品４０を得る。 - 特許庁

The recording head is provided with a lower magnetic pole layer 8a to 8d and an upper magnetic pole layers 13a to 13c, which include magnetic pole parts facing each other with a recording gap layer 12 between them, and thin film coils 10 and 15 arranged between them in the insulated state.例文帳に追加

記録ヘッドは、記録ギャップ層１２を介して互いに対向する磁極部分を含む下部磁極層８ａ〜８ｄおよび上部磁極層１３ａ〜１３ｃと、これらの間に絶縁された状態で配設された薄膜コイル１０，１５とを有している。 - 特許庁

The insulating films 106 and 108 (lower-layer insulating portion 110) disposed on the side of the light shield film 102 have an opening on an electrode 104 of the holding capacitor 92, and an insulating film 112 (upper-layer insulating portion 112) is laminated on the electrode 104 through the opening.例文帳に追加

遮光膜１０２側に位置する絶縁膜１０６，１０８（下層絶縁部１１０）は保持容量９２の電極１０４上で開口しており、当該開口を介して電極１０４上に絶縁膜１１２（上層絶縁部１１２）が積層されている。 - 特許庁

The other end of the first and the second conductive layer is connected to the contact pad to be connected to an external circuit through the conductor layer 38a which is integrally formed with the upper shield 34, and through the conductor layers 51a, 52a which are simultaneously formed with thin film coils 40, 42.例文帳に追加

第１および第２の導電層の他端は、上部シールド３４と一体に形成される導体層３８ａ並びに薄膜コイル４０，４２と同時に形成される導体層５１ａおよび５２ａを介して外部回路に接続される接点パッドに接続する。 - 特許庁

In the contacting of a word line with an upper-layer metal wiring, a polysilicon region 100-2 including the contact (for example, 12_2) is formed under the polysilicon for forming the word line (for example, 10_2) to adopt the poly-silicon region 100-2 as an etch-stop layer used, when the contact 12_2 is formed.例文帳に追加

ワード線と上層の金属配線とのコンタクト部においては、ワード線（たとえば１０＿２）を形成するポリシリコンの下部に、コンタクト部（たとえば１２＿２）を包含するポリシリコン領域１００＿２が、コンタクトを形成する際のエッチングストップ層として形成される。 - 特許庁

Since the part of the lower- layer wiring 3 underlying the upper-layer wiring 4 is made larger in thickness, the wiring 3 becomes larger in thickness and the resistance of the wiring 3 becomes smaller, and in addition, since the interlayer insulating film 2 becomes smaller in thickness in the overlapped part, the electrostatic capacitance between the wiring 3 and 4 becomes larger and power supply noise is reduced.例文帳に追加

下層配線３の上層配線４との重なり部分を厚くすることで、配線が太くなるため、抵抗が小さくなり、また、層間絶縁膜２がその部分で薄くなるので、静電容量が大きくなり、電源ノイズの低減が実現する。 - 特許庁

The bottom structure of the one-side bottom glued bag 1 is formed by pressing a bottom part 2' of an inner layer bag 2 into the inside of the inner layer bag 2, and gluing 3, 3 the front and rear external faces of the pressed portion on the front and rear internal faces of an upper section of the one-side bottom 1'.例文帳に追加

ひだ無し片底貼袋１において、内層袋２の底部２’を該内層袋２の内部に押込み、該押込部の外側前後面を上記片底１’の上部内側前後面に貼着３，３してなるひだ無し片底貼袋における底部構造。 - 特許庁

A capacitor C11 and capacitors C13 and C14 are embedded in the insulating connecting members 18 in the lower face of the core insulating layer L12 of the block B11 and the upper face of he core insulting layer L13 of the block B12 immediately below and above the semiconductor parts 12a.例文帳に追加

半導体部品１２ａの真下及び真上のブロックＢ１１のコア絶縁層Ｌ１２下面及びブロックＢ１２のコア絶縁層Ｌ１３上面に、コンデンサＣ１１及びコンデンサＣ１３、Ｃ１４が共に絶縁性接合材１８に埋め込まれて形成されている。 - 特許庁

The pressure detecting element 100 has the Si semiconductor substrate including the pressure-sensing resistor 113 and the temperature-sensitive resistor 114, an insulating layer in which contact holes 115C, 115D are bored, and a wiring layer 116 connected to upper surfaces 113U, 114U of the resistors.例文帳に追加

圧力検出素子１００は、感圧抵抗体１１３及び感温抵抗体１１４と、コンタクトホール１１５Ｃ，１１５Ｄが穿孔された絶縁層と、抵抗体の上面１１３Ｕ，１１４Ｕに接続する配線層１１６と、を有するＳｉ半導体基板を備える。 - 特許庁