「upper- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(166ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method of patterning a lower layer film by which the film reduction of a resist pattern in the upper layer is suppressed and a pattern having sidewalls perpendicular to the film and a good square cross-sectional form can be formed with high resolution and high dimensional accuracy.例文帳に追加

下層膜をパターニングする方法において、その上層のレジストパターンの膜減りを抑制するとともに、垂直な側壁を有し、断面が矩形の良好な形状を有するパターンを高い解像度、かつ高い寸法精度で形成する方法を提供する。 - 特許庁

The multilayer wiring structure has a lower layer conductor wiring 12 and an upper layer conductor wiring 14 insulated from each other by an interlayer insulation film 13 provided with a via hole 15 for electrically conducting two conductor wiring layers.例文帳に追加

多層配線構造は、層間絶縁膜１３によって相互に絶縁された下層導体配線１２と上層導体配線１４とを有し、当該２層の導体配線層の電気的導通を取るために層間絶縁膜１３にヴィアホール１５が設けられている。 - 特許庁

A first set of marks and a second set of marks for overlay measurement are formed at prescribed positions of the lower layer and upper layer, respectively, of a semiconductor chip.例文帳に追加

重ね合わせ量を測定するための第１のマークと第２のマークがそれぞれ半導体チップ上の下層と上層の所定の領域に形成され、第１のマークは微細スペース６で囲われた凸状パターンで形成され第２のマークはレジストパターン８，８ａで形成される。 - 特許庁

The nitride semiconductor wafer is formed by stacking a nitride semiconductor lamination structure including at least a p-type conductive layer and an n-type conductive layer, on a substrate wherein the group V polarity surface of a wurtzite or sphalerite type nitride semiconductor is provided on its upper most surface.例文帳に追加

最表面にウルツ鉱型又は閃亜鉛鉱型の窒化物半導体のＶ族極性面を有する基板上に、少なくともｐ型伝導層とｎ型伝導層を含む窒化物半導体積層構造を積層した窒化物半導体ウェハの構造とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of achieving stable characteristic with high light emission efficiency and low resistance in forming an electrode contact by exposing the upper surface of a lower electrode contact layer even if the contact layer is thin.例文帳に追加

下側の電極コンタクト層の厚さが薄い場合において当該電極コンタクト層の上面を露出させて電極コンタクトを形成する場合であっても、高発光効率及び低抵抗な安定した特性を実現することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

The second conduction layer 88 prevents any nano-tubes 100 remained on the upper surface of the first conduction layer 84 from emitting electron 98 upwards, and restricts all emitted electron 98 downwards toward an anode 80 formed on a glass panel 72.例文帳に追加

第２導電層８８は、第１導電層８４の上面上に残るいかなるナノチューブ１００も上方に電子９８を放出することを防止し、全ての放出された電子９８を底部ガラスパネル７２上に形成されるアノード８０に向かって下方に制限する。 - 特許庁

It further includes second conductivity type fourth semiconductor layers 4 disposed respectively to make contact with the upper portion of the third semiconductor layer, between the second semiconductor layers and first conductivity type fifth semiconductor layers 5 formed respectively on the surface of the fourth semiconductor layer.例文帳に追加

装置は更に、第２半導体層間で第３半導体層の上部と夫々接するように配設された第２導電型の第４半導体層４と、第４半導体層の表面に夫々形成された第１導電型の第５半導体層５と、を有する。 - 特許庁

The semiconductor device packaged to include a semiconductor has a structure in which a mesh-like conductive layer 16m is formed on the semiconductor substrate 10 having an active element formed thereon, and a semiconductor chip 19 having an active element formed thereon is mounted on its upper layer.例文帳に追加

半導体を含んでパッケージ化された半導体装置であって、能動素子が形成された半導体基板１０上にメッシュ状導電層１６ｍが形成されており、その上層に、能動素子が形成された半導体チップ１９がマウントされた構成とする。 - 特許庁

After a molding body constituting a lower seat layer 2 is put in a mold, polyurethane raw liquid is injected in the mold and foamed to produce the seat 1 for a rolling stock in which an upper seat layer 3 made of a flexible polyurethane foam is integrally molded.例文帳に追加

成形型内に座席下層部２を構成する成形体を配置した後、ポリウレタン原料液をこの型内に注入、発泡させて座席下層部２上に軟質ポリウレタンフォーム製の座席上層部３が一体成形された車両用座席１を製造する。 - 特許庁

An AlN piezoelectric thin film 14 whose major component is a thin film AlN, a lower layer electrode 16a, an AlN piezoelectric thin film 18 whose major component is piezoelectric thin film AlN and an upper layer electrode 16b are formed on the Si substrate 12 in this order.例文帳に追加

Ｓｉ基板１２の上には、薄膜としてのＡｌＮを主成分とするＡｌＮ圧電薄膜１４、下層電極１６ａ、圧電薄膜としてのＡｌＮを主成分とするＡｌＮ圧電薄膜１８および上層電極１６ｂが、その順番に形成される。 - 特許庁

In a seat cushion part 10, a base network 170 for cushion is hung around to become a loop shape with a predetermined gap between the upper layer surface and a lower layer surface, between a front frame 130 supported resiliently by torsion bars 150, 160 and a rear frame 140.例文帳に追加

シートクッション部１０において、トーションバー１５０，１６０により弾性的に支持された前部フレーム１３０及び後部フレーム１４０間に、上層面と下層面との間に所定間隙をおいたループ状となるように、クッション用ベースネット１７０が掛け回されている。 - 特許庁

Gases are jetted from the gas ports 21, 22 on the lower layer side toward the machining point of the laser beam, the gases are sucked by a gas port 24 on a stage moving side in the gas ports 23, 24 on the upper layer side, and the gas port 23 facing the gas port 24 jets a gas to the machining point.例文帳に追加

下層側のガスポート２１、２２よりガスをレーザ光の加工点に向けて噴出させ、上層側のガスポート２３、２４のうちのステージ進行側のガスポート２４にガスを吸引し、これに対向するガスポート２３は、加工点に対してガスを噴出する。 - 特許庁

Also, in the insulator 22, a projection guide unit 35 is formed, such that it is circumferentially projected from a first side 32c of the tooth covering unit 32, and guides a root 23b of the lead line 23s to an upper-layer side of a first layer coil line 41 of the coil 23.例文帳に追加

また、インシュレータ２２には、ティース被覆部３２の第１側部３２ｃから周方向に突出し、引き出し線２３ｓの根本部分２３ｂをコイル２３の第１層コイル線４１よりも上層側に案内するための突出案内部３５が形成される。 - 特許庁

A connection pitch L4 is made smaller than that of a connecting method using Cu core-containing solder balls by using metal paste for electric connection between an upper layer-side wiring board 20 and a lower layer-side wiring board 10 which are stacked, and the connection is made at low temperature.例文帳に追加

積層された上層側配線基板２０および下層側配線基板１０の電気的接続に金属ペーストを使用することで、Ｃｕコア入り半田ボールを使用した接続方法に比べ接続ピッチＬ４を小さくし、低温での接続を実現する。 - 特許庁

On the main face side of the wiring board 2C, an electrode pad 4B is formed which is electrically connected to the conductive member 3B, and on which a semiconductor member 32 of an upper layer is loaded, and the electrode pad 4B is disposed, also at a position overlapping with a semiconductor chip 22 of a lower layer in a plane.例文帳に追加

配線基板２Ｃの主面側には、導電性部材３Ｂと電気的に接続し、上段の半導体部材３２が搭載される電極パッド４Ｂを形成し、電極パッド４Ｂは平面で下段の半導体チップ２２と重なる位置にも配置する。 - 特許庁

A trapezoidal trench is formed on the surface of a semiconductor substrate by using a LOCOS method and wet etching, and a lower electrode layer 5 is formed on the surface of the trapezoidal trench, and a capacitance insulating film 6 and an upper electrode 7 are laminated in this order over the lower electrode layer.例文帳に追加

半導体基板の表面にＬＯＣＯＳ法およびウェットエッチングを用いて台形状トレンチを設け、台形状トレンチ表面に下部電極層５を形成し、下部電極層の上に容量絶縁膜６と上部電極７を順次積層する。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive composition used for patterning due to double exposure, suitably used for a liquid immersion exposure process, such as water, without requiring separate formation of an upper layer film, and which os suitably used for forming a first resist layer.例文帳に追加

二重露光によるパターンニングに用いられ、上層膜を別途形成する必要がなく、水等の液浸露光プロセスにも好適に用いられることが可能であり、第一のレジスト層を形成するために好適に用いられる感放射線性組成物を提供すること。 - 特許庁

In the sealing lid 1, there are formed cutting lines 41 which reach the boundary between the lower layer part 11 and the upper layer part 12 of the first sheet 10 in the thickness direction and radially extend in the orientation direction of the first sheet 10 and the second sheet 20.例文帳に追加

シール蓋１には、厚み方向において、第１シート１０の下層部１１と上層部１２との境界にまで到達し、前記第１シート１０及び前記第２シート２０の延伸方向において、放射状に伸びる切断線４１が形成される。 - 特許庁

An antenna module 10 includes a loop-shaped antenna coil 14 formed on an insulating substrate 12, a ferrite core 18 formed on an upper face side at an inner layer of the insulating substrate 12, and a Liqualloy sheet 20 prepared with space on the lower face side in the inner layer of the insulating substrate 12.例文帳に追加

アンテナモジュール１０は、絶縁基板１２に形成されたループ状のアンテナコイル１４と、絶縁基板１２の内層で上面側に設けられたフェライトコア１８と、絶縁基板１２の内層で下面側に間隔を置いて設けられたリカロイシート２０とを備える。 - 特許庁

An upper substrate having an opening part and also having a circuit formed on a surface layer, an inter-substrate connection sheet having an opening part and also having a conduction hole formed by filling a through hole with conductive paste, and a lower substrate having a circuit formed on a surface layer are laminated, and heated and pressed.例文帳に追加

開口部を有し表層に回路が形成された上側基板と、開口部を有し貫通孔に導電性ペーストが充填された導通孔を有する基板間接続シートと表層に回路が形成された下側基板を積層し加熱加圧する。 - 特許庁

To provide an absorptive article formable of an erected end different from a base end part of an erected portion, by providing a side sheet formed with a multilayer portion partially in a width-directional side way, and by making a lower layer side sheet of the side sheet separable from an upper layer side sheet.例文帳に追加

幅方向側方に部分的に多層部分を形成したサイドシートを有し、該サイドシートの下層側シートが上層側シートと分離可能とされることによって、起立部分の基端部とは異なる起立端を形成可能な吸収性物品を提供すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a liquid crystal display with reduced contact resistance by which the contact resistance can be reduced by depositing a buffer layer on the upper surface of an aluminum base metal and performing an annealing process so that the metal atoms of the buffer layer remain.例文帳に追加

アルミニウムベースメタルの上面にバッファ層を形成し、そのアーニリング過程でバッファ層の金属原子が残存するようにして、接触抵抗を減少させることができるようにした、接触抵抗を減少させた液晶ディスプレイの製造方法を提供する。 - 特許庁

Since a protecting diode electrode 18 is formed in a form covering the upper surface and a side surface of the polycrystalline silicon layer 14 formed with the protecting diode, the light is shielded by the protecting diode electrode 18 and does not enter into the polycrystalline silicon layer 14.例文帳に追加

保護用ダイオード電極１８は、保護用ダイオードが形成された多結晶シリコン層１４の上面及び側面を覆う形態で形成されているため、この光は、保護用ダイオード電極１８によって遮蔽され、多結晶シリコン層１４には入射しない。 - 特許庁

This roof module for the automobile has an internal shell molded out of a plastic foam material and is divided at the vicinity of a support part of the module to a body frame into an upper layer supportable to the body frame and a lower layer useful for adjustment to the line of the body frame.例文帳に追加

プラスチック発泡材から成型された内部シェルを持つ自動車用ルーフモジュールであり、本体枠組へのモジュールの支持部の近くで、本体枠組に支持できる上側層と本体枠組の線と合わせるのに役立つ下側層に分割されている。 - 特許庁

Additionally, on the upper surface of the base region 14, a recombination layer 17, which functions as the recombination center of minority carriers(electrons in this case), is formed, and a groove section 18 is formed at the side of the emitter region 15 and at the side of the collector region 16 in the recombination layer 17.例文帳に追加

更に、ベース領域１４の上面には、少数キャリア（ここでは、電子）の再結合中心として機能する再結合層１７が形成され、再結合層１７のエミッタ領域１５側及びコレクタ領域１６側に溝部１８が形成されている。 - 特許庁

A probe 24 of a friction stir welding tool 20 is buried, while being rotated, in the second workpiece 14 which is the uppermost layer, passing the through hole 18 of the holed workpiece 16 and reaching the upper end face exposed in the through hole 18 in the first workpiece 12 (the lowest layer).例文帳に追加

摩擦撹拌接合用工具２０のプローブ２４は、回転動作しながら最上層である第２ワーク１４に埋没し、有孔ワーク１６の貫通孔１８を通過して第１ワーク１２（最下層）における貫通孔１８に露呈した上端面に到達する。 - 特許庁

A semiconductor chip 16 is mounted on the dent 9, and a bonding wire 18 is connected between an electrode 17 of a semiconductor chip 16 and an outside conductive layer 10 and an inside conductive layer 11 of upper stage region and a lower stage region of the step part 20, respectively.例文帳に追加

窪み９に半導体チップ１６を搭載して、半導体チップ１６の電極１７と段部２０の上段領域及び下段領域それぞれの外側導電層１０及び内側導電層１１との間にボンディングワイヤ１８を接続する。 - 特許庁

A bonding pad electrode 20, that is connected to the wiring layer 14 via the connection hole 16a by patterning while depositing a conductive material such as Al alloy, is deposited on the upper surface of the substrate, and a connection layer 20A for connecting the electrode 20 to the electrode 18 are formed.例文帳に追加

基板上面にＡｌ合金等の導電材を堆積してパターニングすることにより接続孔１６ａを介して配線層１４につながるボンディングパッド電極２０と、この電極２０を電極１８に接続する接続層２０Ａとを形成する。 - 特許庁

To provide a magnetic head and its manufacturing method in which an upper layer coil piece formed on an insulation layer having a difference in level can be formed accurately with a prescribed shape, while yoke length can be shortened, and recording efficiency can be improved.例文帳に追加

段差のある絶縁層上に形成される上層コイル片を所定形状にて精度良く形成できるとともに、ヨーク長を短くでき、記録効率の向上を図ることが可能な磁気ヘッド及びその製造方法を提供することを目的としている。 - 特許庁

Nt product of the upper electron supply layer 140 is set to about 1.4 times the maximum sheet carrier concentration Nsmax of a heterojunction interface and the Nt product of the lower electron supply layer 120 to about 1.1 times the maximum sheet carrier concentration Nsmax and to lie within the range of 1.0 times to 2.0 times.例文帳に追加

上側電子供給層１４０のＮｔ積をヘテロ結合界面の最大シートキャリア濃度Ｎｓmax の約１．４倍とし、下側電子供給層１２０のＮｔ積を最大シートキャリア濃度Ｎｓmax の約１．１倍とし、１．０倍〜２．０倍の範囲内とした。 - 特許庁

To allow a user to easily discriminate the position of an opening part in an absorbing laminate comprising an upper-layer absorbent web body having the opening part effectively twisted according to the body type and the movement of a wearer, and an unopened lower-layer absorbent web body.例文帳に追加

着用者の体型や動きに合わせて効果的に縒れることのできる開口部を有する上層吸収ウエブ体と開口していない下層吸収ウエブ体とで構成される吸収用積層体において、開口部の位置を簡単に判別できるようにする。 - 特許庁

To prevent peeling and cracking of an antireflection film at the end face of a harmonics generating element which is structured to hold a wavelength conversion layer between upper and lower substrates with an organic resin adhesive, and to prevent combustive destruction of an adhesive layer near the end face of the element.例文帳に追加

波長変換層を有機樹脂接着剤によって上下の基板間に挟んだ構造の高調波発生素子において、素子の端面における反射防止膜の剥離やクラックを防止し、かつ素子の端面近傍での接着層の燃焼破壊を防止する。 - 特許庁

To provide a semiconductor apparatus with a structure in which an SiGe layer is formed in a source-drain region of a PMOS transistor and the upper surface of the SiGe layer is silicided, wherein a contact resistance between the source-drain region and the metal silicide can be reduced.例文帳に追加

ＰＭＯＳトランジスタのソース・ドレイン領域にＳｉＧｅ層が形成されており、当該ＳｉＧｅ層の上面がシリサイド化されている構成において、ソース・ドレイン領域と金属シリサイドとの接触抵抗の低減を図ることができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

When the surface irregular layer 12 and the protrusion forming film 11 are etched continuously by anisotropic dry etching, irregularities corresponding to those on the surface of the surface irregular layer 12 are formed on the upper surface side of the etched protrusion forming film 11.例文帳に追加

次に、表面凸凹膜１２および凸部形成用膜１１を、異方性ドライエッチングにより連続してエッチングすると、エッチングされた凸部形成用膜１１の上面側に、表面凸凹膜１２の表面の凸凹形状に応じた形状の凸凹が形成される。 - 特許庁

To provide a display system capable of integrally displaying information relating to a component of a lower layer as information of an upper layer according to a size of a display area by making components to be displayed become a hierarchical structure and by defining the minimum size of each component.例文帳に追加

表示するコンポーネントを階層構造にし、各コンポーネントの最小サイズを定義することで、表示領域の大きさに応じて下位層のコンポーネントに関する情報を上位層の情報として集約表示することが可能な表示システムを提供する。 - 特許庁

The sidewalls of the first to fifth inter-word-line insulation layers 31a-31e on the memory columnar semiconductor layer 38 side are formed to tilt in a direction approaching the center axis of the memory columnar semiconductor layer 38 as they move from the upper side to the lower side.例文帳に追加

第１〜第５ワード線間絶縁層３１ａ〜３１ｅのメモリ柱状半導体層３８側の側壁は、上方から下方へと移動するに従いメモリ柱状半導体層３８の中心軸に近づく方向へ傾斜するように形成されている。 - 特許庁

Specifically, since plate materials 3 are laminated in a thickness direction and the nano-wires 11 protrude from the base materials 7 of the top and bottom plate materials 3 toward an intermediate metal layer 5, each metal layer 5 has a thickness set so that the upper and lower nano-wires 11 may not abut on each other.例文帳に追加

詳しくは、板材３は厚み方向に積層され、ナノワイヤ１１は上下の板材３の母材７から中間の金属層５に向けて突出するので、各金属層５は、上下のナノワイヤ１１同士が当接しない様な厚みに設定されている。 - 特許庁

To improve protection of a folded portion and conveyance stability of a folding roller, and so on, when an image is placed on the folded portion by forming a transparent layer near the folded portion of a sheet and on the image upper side of the sheet so that the thickness of the toner layer, including an image surface, becomes uniform.例文帳に追加

透明トナー層を、シート折り部近傍に、シート上の画像面上面側に、画像面と合わせたトナー層の厚さが均一になるよう形成し、折り部に画像を載せる場合の、折り部の保護及び折りローラ等による搬送安定性を向上させる。 - 特許庁

The inkjet head includes: an insulating protective layer 106 which interrupts the contact between an electric heat conversion element 108 and ink in an ink passage; and a plurality of upper protective layers 107 formed so as to cover a portion heated by the electric heat conversion element of the protective layer.例文帳に追加

インクジェットヘッドは、電気熱変換素子１０８とインク流路内のインクとの接触を遮断する絶縁性の保護層１０６と、保護層の電気熱変換素子によって加熱される部分を覆うように形成された複数の上部保護層１０７とを含む。 - 特許庁

An unoccupied area capable of arranging the first test pad in a test pad arranging layer immediately the an upper side of the selected processing pattern is searched out of the processing patterns by an unoccupied area searching means 12 based on wiring rule information 31 and target layer information 34.例文帳に追加

そして、配線ルール情報３１とターゲット層情報３４に基づいて、空き領域探索手段１２により、選択された処理パターンの直上のテストパッド配線層に第１テストパッドを配置できる空き領域が処理パターン中から探索される。 - 特許庁

The waveguide type rat race circuit has excellent electric characteristics prevented from deteriorating owing to resonance of a leaked electromagnetic wave, in the region enclosed with the upper main conductor layer 51a, lower main conductor layer 51b, and through conductor group 52a for the inner peripheral tube wall.例文帳に追加

上側主導体層51ａ，下側主導体層51ｂ，内周管壁用貫通導体群52ａで囲まれた領域内に漏洩した電磁波の共振による電気特性の劣化が防止された良好な電気特性を有する導波管型ラットレース回路である。 - 特許庁

In a hole part formation process in a process (1), a mask layer 3 is formed in an in-face predetermined area on the main surface of a substrate 1 so that a residual area except the formation area of the mask layer 3 can be formed with a plurality of holes 4 whose upper parts are opened.例文帳に追加

工程（１）の孔部形成工程にて、基板１の主表面上における面内の所定領域にマスク層３を形成することにより、マスク層３の形成領域を除く残余領域に、上部が開口した複数の孔部４を形成する。 - 特許庁

The face material bearing wall panel is constructed so that a ventilating layer is further provided at a space between the heat insulating material 30 and the structural face material 10, and a ventilating groove for connecting upper and lower ends is formed in the face of the structural face material 10 on the ventilating layer side.例文帳に追加

さらに、断熱材３０と構造用面材１０との間に間隔をあけて通気層Ａを設けるとともに、構造用面材１０の通気層Ａ側の面に上下端を結ぶ通気溝１１を形成した面材耐力壁パネル２を構成する。 - 特許庁

A capacitor C11 and capacitors C13 and C14 are embedded in the insulating connecting members 18 in the lower face of the core insulating layer L12 of the block B11 and the upper face of he core insulting layer L13 of the block B12 immediately below and above the semiconductor parts 12a.例文帳に追加

半導体部品１２ａの真下及び真上のブロックＢ１１のコア絶縁層Ｌ１２下面及びブロックＢ１２のコア絶縁層Ｌ１３上面に、コンデンサＣ１１及びコンデンサＣ１３、Ｃ１４が共に絶縁性接合材１８に埋め込まれて形成されている。 - 特許庁

The pressure detecting element 100 has the Si semiconductor substrate including the pressure-sensing resistor 113 and the temperature-sensitive resistor 114, an insulating layer in which contact holes 115C, 115D are bored, and a wiring layer 116 connected to upper surfaces 113U, 114U of the resistors.例文帳に追加

圧力検出素子１００は、感圧抵抗体１１３及び感温抵抗体１１４と、コンタクトホール１１５Ｃ，１１５Ｄが穿孔された絶縁層と、抵抗体の上面１１３Ｕ，１１４Ｕに接続する配線層１１６と、を有するＳｉ半導体基板を備える。 - 特許庁