「vicinity type」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

An on resistance reducing n-type well 134 is formed in the vicinity of surface of the n^--type epitaxial layer 110 while n^+-type drain region 118 is formed in the vicinity of the surface.例文帳に追加

Ｎ^−型エピタキシャル層１１０の表面近傍には、オン抵抗低減用Ｎ型ウェル１３４が形成され、その表面近傍にはＮ^＋型ドレイン領域１１８が形成されている。 - 特許庁

An n-type channel cut layer 5 is formed at the vicinity of bottom surface of the first element separation 21 in the n-type well 3 and a p-type channel cut layer 6 is formed at the vicinity of bottom surface of the first element separation 21 of the p-type well 4.例文帳に追加

ｎ型ウェル３内の第１の素子分離２１の底面近傍にｎ型チャネルカット層５が形成され、ｐ型ウェル４の第１の素子分離２１の底面近傍にｐ型チャネルカット層６が形成されている。 - 特許庁

This type of sushi is also called barazushi (Osaka and its vicinity) and barachirashi (mainly outside the Kanto area). 例文帳に追加

ばら寿司（大阪近辺）・ばらちらし（主に関東以外）などとも呼ばれる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

This introduces a positive fixed charge in the vicinity of a channel layer of the N-type CN-FET 2 more than in the vicinity of the channel layer of the P-type CN-FET 3.例文帳に追加

これにより、Ｎ型ＣＮ−ＦＥＴ２のチャネル層近傍において、Ｐ型ＣＮ−ＦＥＴ３のチャネル層近傍よりも多くの正の固定電荷が導入される。 - 特許庁

By having n-type carriers included in the n-type layer 2b diffuse into the p-type layer 2a, a compensation region 2c is formed in the portion of the p-type layer 2a, which is present in the vicinity of the interface between the p-type layer 2a and the n-type layer 2b.例文帳に追加

ｎ型層２ｂ中のｎ型キャリアがｐ型層２ａ中に拡散することにより、ｐ型層２ａとｎ型層２ｂとの界面近傍のｐ型層２ａ中に補償領域２ｃが形成される。 - 特許庁

To reduce localized heat generated in a vicinity of an extraction end of a walking beam type heating furnace.例文帳に追加

ウォーキングビーム式加熱炉の抽出端近傍で発生する偏熱を低減すること。 - 特許庁

There are a variety of styles of vicinity type retail stores depending on the characteristics of local communities and their population compositions. 例文帳に追加

地域属性や人口構成により、近隣型小売店舗のあり方は多様である。 - 経済産業省

On a bottom of a mesa containing the vicinity of a junction part between a mesa type second emitter layer and second base layer in the vicinity of a surface of the second base layer, an n-type low resistant gate region 5 is provided via a p-type region 7.例文帳に追加

第２のベース層の表面近傍の、メサ型の第２エミッタ層と第２のベース層との接合部近傍を含むメサの底部に、ｐ型の領域７を介在させてｎ型の低抵抗ゲート領域５を設ける。 - 特許庁

Further, in the vicinity of the antenna, a detection electrode connected to an electric field type detection unit of electrostatic capacity type is disposed.例文帳に追加

また、アンテナの近辺には、静電容量型の電界式検出ユニットに接続された検出電極が配置されている。 - 特許庁

Therefore, the misfit dislocation occurs in the vicinity of the interface between the p-type distorted silicon layer 22 and the p-type silicon-germanium layer 24.例文帳に追加

したがって、ｐ型歪シリコン層２２とｐ型シリコン−ゲルマニウム層２４との界面近傍には、ミスフィット転位が発生している。 - 特許庁

An n-type converted region the conduction type of which is converted to an n-type is formed in a region in the vicinity of the groove of the p type depletion region enlargement layer, thus forming a carrier path.例文帳に追加

前記ｐ型空乏領域拡大層の溝近傍領域には、導電型をｎ型に転換したｎ型転換領域が形成され、キャリアの経路を構成している。 - 特許庁

N+ type diffusion regions 6a-6d as well as P- type diffusion region 5a and the like are formed on the surface and its vicinity of an N- type epitaxial layer 2 on a p-type silicon substrate 1.例文帳に追加

ｐ型シリコン基板１上のＮ−型エピタキシャル層２の表面およびその近傍にＮ＋型拡散領域６ａ〜６ｄおよびＰ型拡散領域５ａ等が形成されている。 - 特許庁

Consequently, the first P type well region 170 is formed in the vicinity of 4-12 μm depth.例文帳に追加

これにより、深さ４μｍ〜１２μｍ付近に第１Ｐ型ウエル領域１７０を形成する。 - 特許庁

A disc type installing base 3 is fixed by a fixing jig 4 in the vicinity of a flange 2.例文帳に追加

フランジ２に近接して固定治具４により円盤状の取付盤３が固定されている。 - 特許庁

The cowl 600 is mounted in the vicinity of the head pipe 201 of the saddle type vehicle 1000.例文帳に追加

このカウル６００は、鞍乗型車両１０００のヘッドパイプ２０１周りに取り付けられている。 - 特許庁

In the cane 20, the non-contact type pass 25 is arranged in a grip 21 part or its vicinity.例文帳に追加

非接触式の通行券２５は、杖２０の把手２１の部分またはその近傍に設けてある。 - 特許庁

In the titanium oxide layer, the ratio of the anatase-type titanium oxide present in the vicinity of the chromophore layer is greater than the ratio of the rutile-type titanium oxide present in the vicinity of the chromophore layer, and the ratio of the rutile-type titanium oxide present in the vicinity of the conductor is greater than the ratio of the anatase-type titanium oxide present in the vicinity of the conductor.例文帳に追加

酸化チタン層では、発色団層近傍領域ではアナターゼ型酸化チタンの存在比率がルチル型酸化チタンの存在比率よりも高く、且つ、導電体近傍領域ではルチル型酸化チタンの存在比率がアナターゼ型酸化チタンの存在比率よりも高く、且つ、真空準位を基準として、導電体近傍領域のフェルミ準位は発色団層近傍領域のフェルミ準位よりも大きい。 - 特許庁

To improve the appearance of a cowl structure mounted in the vicinity of a head pipe of a saddle type vehicle.例文帳に追加

鞍乗型車両のヘッドパイプ周りに取り付けられるカウルの構造について見栄えを良くしたい。 - 特許庁

The actuator 40 is a cantilever type and is provided in a vicinity of a fixed end 30a of the vibrator 30.例文帳に追加

アクチュエータ４０は、カンチレバー状で、振動子３０の固定端３０ａの近傍に設けられている。 - 特許庁

To obtain a means that can make the attenuation characteristic steep in the vicinity of a pass band in a ladder type SAW filter.例文帳に追加

ラダー型ＳＡＷフィルタにおける通過域近傍の減衰特性を急峻にする手段を得る。 - 特許庁

The gate voltage of the n-type thin film transistor 4 is capable of making smaller the leak current in the vicinity of a gate voltage 0V.例文帳に追加

ｎ型薄膜トランジスタ４のゲート電圧が０Ｖ近傍でのリーク電流をより小さくできる。 - 特許庁

The wall mounting type water purifier in which a water purifier body 5 is secured on a wall surface 3 in the vicinity of the sink 1 is constituted.例文帳に追加

シンク１近傍の壁面３に浄水器本体５を取り付けたて壁掛け型浄水器を構成する。 - 特許庁

To a given depth in the vicinity of the inside of the water-barrier wall 4, a closed conduit-type catchment facility 1 is laid circularly.例文帳に追加

地中遮水壁４の内側近傍の所定深さに、暗渠型集水施設１を環状に敷設する。 - 特許庁

When the reflecting mirror reaches the vicinity of the target position θ2, the controller controls the drive of the reflecting mirror through II-type control.例文帳に追加

反射鏡が目標角度位置θ２近傍まで到達すると、II型制御で反射鏡を駆動制御する。 - 特許庁

The mats are arranged in the vicinity of a peripheral part on the extreme inside of the chamber on a rotary type torque transmission mechanism (clutch).例文帳に追加

回転式トルク伝達機構（クラッチ）では、マットは、チャンバーの最内側周辺部の近傍に設置される。 - 特許庁

A movable operation type mode switching knob 12 is provided in the vicinity of a push operation type cursor operating plate 15 provided projectingly on a rear face of the camera body 2.例文帳に追加

カメラボディ２の背面に突出して設けられたプッシュ操作式のカーソル操作板１５の近傍に移動操作式のモード切替えつまみ１２を設ける。 - 特許庁

A P-type first drain region 16 is formed in the surface vicinity of the P-type second drain region 6 keeping a space from the gate electrode 14.例文帳に追加

Ｐ型第２ドレイン領域６の表面近傍にゲート電極１４とは間隔をもってＰ型第１ドレイン領域１６が形成されている。 - 特許庁

According to an hour 'Mezamashi chosatai' in a TV program "Mezamashi terebi" broadcast April 25, 2002, the boundary between the Kanto type soup broth and the Kansai type soup broth was reportedly in the vicinity of Sekigahara. 例文帳に追加

2002年4月25日放送『めざましテレビ』内「めざまし調査隊」コーナーでは、関東風・関西風つゆの境界線は関ヶ原近傍となっていた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To provide a projector type lighting fixture for a vehicle capable of eliminating a temperature difference between a vicinity of a light source and a vicinity of a projection lens by improving an overall heat dissipation effect of a light source unit.例文帳に追加

光源ユニットの全体的な放熱効果を高められて、光源周りと投影レンズ周りとの温度差をなくすことができるプロジェクタタイプの車両用灯具の提供を図る。 - 特許庁

This is why an increase in n-type impurity concentration C_ION in the vicinity of the interface provides the presence of an ionized doner (having a positive charge) in the vicinity of the interface.例文帳に追加

これは、当該界面近傍におけるｎ型不純物濃度Ｃ_ＩＯＮを増加させたため、イオン化したドナー（正の電荷を有する）が界面近傍に存在しているためである。 - 特許庁

A translucent electrode 22 that is a p-type side electrode is formed flat on the p-type GaN contact layer 20 to extend to the vicinity of the edge of the n-type GaN layer 16 and in a lateral direction to form an n-type side electrode 24.例文帳に追加

ｐ型ＧａＮコンタクト層２０上にはｐ型側電極である透光性電極２２を面状に形成し、ｎ型ＧａＮ層１６上の一端縁近傍かつ幅方向に延びてｎ型側電極２４を形成する。 - 特許庁

In the vicinity of edges mutually opposite to the substrate 1, resistance elements composed of n-type semiconductor layers 22, 21 are formed.例文帳に追加

また、基板１の対向する辺縁近傍にｎ型半導体層２２、２１で構成される抵抗素子を形成してある。 - 特許庁

To provide a control valve type lead storage battery having a structure with little fear of leaking of diluted sulfuric acid electrolyte solution from the vicinity of a terminal 7.例文帳に追加

端子7の付近から希硫酸電解液が濾液しにくい構造の制御弁式鉛蓄電池を提供する。 - 特許庁

A circular cylindrical ring-like eraser 2 is attached in the vicinity of a pen point of a mechanical pencil main body 1, and the eraser of a slide type is employed.例文帳に追加

シャープペンシル本体１のペン先付近に円筒形リング状消しゴム２を附属させておき、スライド式にしておく。 - 特許庁

In the interface system, a pen type pointing device 6 which outputs an optical signal 41 from the vicinity of the tip is used.例文帳に追加

このインターフェイスシステムでは、ペン型で、先端付近から光信号４１を出力するポインティングデバイス６を使用する。 - 特許庁

To obtain a means that enhances the increase in the bandwidth and the attenuation in the vicinity of the pass band f a flip chip ladder type surface acoustic wave filter.例文帳に追加

フリップチップラダー型ＳＡＷフィルタの広帯域化と通過域近傍の減衰量とを改善する手段を得る。 - 特許庁

The p-type dopant contained in the gate electrode 40 is diffused in the vicinity of an interface between the silicon carbide layer 20 just below the gate electrode 40 and the gate insulating film 30, and an impurity level in the vicinity of the interface is passivated by the p-type dopant.例文帳に追加

そして、ゲート電極４０中の上記ｐ型ドーパントを、ゲート電極４０直下の炭化珪素層２０とゲート絶縁膜３０との界面近傍に拡散させ、上記ｐ型ドーパントによって界面近傍の不純物準位をパッシベーションする。 - 特許庁

Further the box type panel heating elements having inserted the heat-sensitive element are arranged only in the center and at the prescribed positions in the vicinity of each coroner of the box type panel heating elements group.例文帳に追加

更に、箱型パネル発熱体群内の中央並びに各コーナーに近接の所定の位置にのみ感熱素子を挿通した箱型パネル発熱体を配置する。 - 特許庁

A backside of a P type silicon substrate 1 is used as a common anode, and a plurality of N+ type zones 2 for formation of PN junctions 4 are formed in parallel in the vicinity of a main surface of the substrate 1.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板の裏面を共通のアノードとして、シリコン基板の主面付近にＰＮ接合を形成するＮ^+ 型領域を複数並列して設けた。 - 特許庁

A gate electrode 70 is formed on the n^--type extended drain region 20 through the intermediary of a gate insulating film 65, and covers the end of the p^++-type source region 40 and its vicinity.例文帳に追加

ゲート電極７０は、Ｎ^-型延長ドレイン領域２０上に、ゲート絶縁膜６５を介して形成されており、Ｐ^++型ソース領域４０の端部付近をも覆っている。 - 特許庁

A D-type roller part 5a is arranged in the vicinity of the end of the pickup roller 5, and a roller part 5b is rotatably arranged in the part nipped by the D-type roller part 5a.例文帳に追加

ピックアップローラ５の端部近傍には、Ｄ型ローラ部５ａが配設され、Ｄ型ローラ部５ａに挟まれた部分には、ローラ部５ｂが回動自在に配設されている。 - 特許庁

To provide a band stop type dielectric filter that can increase attenuation in the vicinity of a high frequency band, especially in the vicinity of 3rd harmonic, without deteriorating pass characteristics in the vicinity of a fundamental frequency and to provide a dielectric duplexer using the filter.例文帳に追加

基本波周波数近傍における通過特性を劣化させることなく、高周波数帯域、特に３倍高調波近傍の減衰量を大きくすることのできる帯域阻止型誘電体フィルタと、これを用いた誘電体デュプレクサを提供する。 - 特許庁

An n^--type semiconductor region 2 is formed on a p-type semiconductor substrate 1, and an n^+-type semiconductor region 4 with high impurity concentration is formed in the n^--type semiconductor region 2, and then a p^+-type semiconductor region 5 with high impurity concentration is formed in the vicinity of the n^--type semiconductor region 2 in two dimensional manner.例文帳に追加

ｐ型の半導体基板１にｎ^−型半導体領域２が形成され、高不純物濃度のｎ^＋型半導体領域４がｎ^−型半導体領域２内に形成され、ｎ^−型半導体領域２の平面的に周囲の位置に高不純物濃度のｐ^＋型半導体領域５が形成されている。 - 特許庁

A material of ohmic contact nature is not joined to the second conduction type semiconductor crystal layer 4 in the vicinity of the penetrating dislocation defective 11, so that a current does not flow in the vicinity of the penetrating dislocation defective 11.例文帳に追加

貫通転位欠陥１１付近の第２導電型半導体結晶層４にオーミックコンタクト性の材料が接合されていないので、貫通転位欠陥１１付近を電流が流れない。 - 特許庁

The dyeing stand 10 is attached in the vicinity of an opening of a portable type liquid receiving tank 11 so that a slit shelf 12 can be attached thereto and detached therefrom.例文帳に追加

染色台１０は、ポータブル式の液受槽１１の開口部付近にスリット棚１２が着脱可能に取り付けられる。 - 特許庁