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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > write currentに関連した英語例文

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write currentの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 569



例文

The test execution control section 231 repeats same processing by changing the write current value.例文帳に追加

テスト実行制御部231は、ライト電流値を変化させて同様の処理を繰り返す。 - 特許庁

To write with little current and low voltage by enhancing charge injection efficiency.例文帳に追加

電荷注入効率を高め、少ない電流及び低い電圧での書込みを可能にする。 - 特許庁

MAGNETIC MEMORY CELL ARRAY, SELECTION METHOD OF MAGNETIC MEMORY CELL WRITE CURRENT AND MAGNETIC RESISTANCE ACCESS MEMORY例文帳に追加

磁気メモリセルのアレイ、磁気メモリセル書き込み電流選択方法および磁気抵抗アクセスメモリ - 特許庁

Consequently, the current of the write discharge decreases and a writing operation can stably be performed.例文帳に追加

これにより、書き込み放電の電流は低下し書き込み動作が安定して行える。 - 特許庁

例文

To efficiently and appropriately determine a write current setting value to temperature of a magnetic head.例文帳に追加

磁気ヘッドの温度に対するライト電流設定値を、効率的かつ適切に決定する。 - 特許庁


例文

To reduce a discharging current of write discharge without lowering display luminance.例文帳に追加

表示輝度を低下させることなく、書き込み放電の放電電流を減少させること。 - 特許庁

To perform write-in by switching continuously a column address while suppressing current consumption.例文帳に追加

消費電流を抑制しつつ、カラムアドレスを連続的に切り替えて書き込みを行う。 - 特許庁

In a selected state of word lines (WL), a write current can be supplied into bit lines.例文帳に追加

ワード線(WL)を選択した状態でビット線に書込電流を流すことができる。 - 特許庁

MAGNETIC MEMORY WITH THERMALLY ASSISTED SPIN MOVING TORQUE WRITING PROCEDURE USING LOW WRITE CURRENT例文帳に追加

低書き込み電流を用いる熱支援スピン移動トルク書き込み手順を備えた磁気メモリ - 特許庁

例文

To provide a semiconductor device provided with a MRAM simplifying a write driver controlling a bit line current during data write.例文帳に追加

データ書込時のビット線電流を制御するライトドライバを簡略化できるMRAM構成を備えた半導体装置を提供する。 - 特許庁

例文

To reduce current consumption at the time of auto-refresh, to improve the reliability of a cell, and to improve the margin of a cycle time in FCRAM having a 'Late Write' function.例文帳に追加

「Late Write」機能を有するFCRAM において、オートリフレッシュ時の消費電流の低減、セル信頼性の向上、サイクルタイムのマージンアップを図る。 - 特許庁

When the asymmetry value is close to 0, the overwriting (DOW: Direct Over Write) operation is carried out with a current asymmetry value AS by a laser driving circuit 36.例文帳に追加

アシンメトリ値が0付近になれば、レーザ駆動回路36は、現在のアシンメトリ値ASで上書き(DOW:Direct Over Write)動作を行なう。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can cope with unevenness of write current thresholds in memory cells and secure write margins.例文帳に追加

各メモリセルにおける書込電流閾値のばらつきに対応でき、かつ、書込みマージンを確保することが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

When the switching control signal Csw(I) is supplied, the gradation current Idata(i) output by a current output unit 37(i) is output to the data line Ld(i), voltage write-in is performed according to a current write-in system.例文帳に追加

切り替え制御信号Csw(I)が供給されと、電流出力部37(i)が出力した階調電流Idata(i)がデータ線Ld(i)に出力されて、電流書き込み方式に従って電圧書き込みが行われる。 - 特許庁

The vertical magnetic recording and writing head includes: a write pole; an electrically conductive coil coupled to the write pole for generating magnetic flux in the write pole in the presence of electrical write current; and a spin torque oscillator (STO) that injects auxiliary magnetic flux to the write pole in a direction generally orthogonal to the write pole to facilitate magnetization switching of the write pole.例文帳に追加

書き込み極と、書き込み極に結合され、書き込み電流が存在する場合に書き込み極に磁束を生成する導電性コイルと、書き込み極にほぼ直交する方向において補助磁束を書き込み極に注入して、書き込み極の磁化切り替えに役立つスピントルク発振器(STO)とを有する垂直磁気記録書き込みヘッド。 - 特許庁

The memory array has nonvolatile memory cells, in which a write voltage is applied from a write selection word line according to an address signal in the write operation and also a write current is supplied from a transistor (TR6) switching controlled by a write selection bit line and the parallel write restriction circuit according to logical values of write data.例文帳に追加

メモリアレイは、書き込み動作においてアドレス信号に従って書き込み選択とされるワード線から書き込み電圧が印加され、且つ、書き込みデータの論理値に従って書き込み選択ビット線と並列書き込み制限回路によりスイッチ制御されるトランジスタ(TR6)から書き込み電流が供給される不揮発性メモリセルを有する。 - 特許庁

A driver transistor 35 for supplying the data write current to a write digit line WDL is disposed along its gate lengthwise direction which is a same direction as the write digit line WDL.例文帳に追加

データ書込電流をライトディジット配線WDLへ供給するドライバトランジスタ35は、そのゲート長方向がライトディジット線WDLと同じ方向に沿うように配置される。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory in which refresh-operation is not hindered by late-write and further, current consumption in a write-in cycle in which late-write is performed can be reduced.例文帳に追加

レイトライトによってリフレッシュ動作が阻害されることがなく、しかもレイトライトが行われる書き込みサイクルでの消費電流を低減することができる半導体記憶装置を提供すること。 - 特許庁

A data write current for applying a data write magnetic field along an axis of hard magnetization to a selected memory cell is supplied to a write word line WWWLi corresponding to a selected row.例文帳に追加

選択行に対応するライトワード線WWLiには、磁化困難軸に沿ったデータ書込磁界を選択メモリセルに印加するためのデータ書込電流が供給される。 - 特許庁

Since a data write current in the direction of row is made to flow only in the write digit line corresponding to a selected memory cell block, erroneous write of data in an unselected memory cell can be prevented.例文帳に追加

行方向のデータ書込電流は、選択メモリセルブロックに対応するライトディジット線WDLのみで流されるので,非選択メモリセルに対するデータ誤書込の発生を抑制できる。 - 特許庁

To reduce power consumption of a write driver that supplies a write current to a write element in a disk drive system and to minimize signal reflection on a channel interconnect.例文帳に追加

ディスク・ドライブ・システムの書き込み素子に書き込み電流を供給する書き込みドライバの、消費電力を少なくし、伝送路インターコネクト上の信号反射を最小限に抑える。 - 特許庁

Thereby, Each block performs write-in of data for a selected memory cell by the data write-in current from the current supply part connected to the independent power source voltage and the ground voltage.例文帳に追加

これにより、各ブロックは独立した電源電圧および接地電圧と接続される電流供給部からのデータ書込電流により選択メモリセルへのデータ書込を実行する。 - 特許庁

A test computer 51 determines a set value of write current as a function of temperature for every head element section 12 from relation with write current and error rate.例文帳に追加

本発明の一実施形態において、テスト・コンピュータ51は、ライト電流とエラー・レートとの関係から、ヘッド素子部12ごとに温度の関数としてのライト電流の設定値を決定する。 - 特許庁

A write control section 104 monitors a write level of the cell 101a by e.g. measuring a bit line current in writing operation and compares it with a predetermined set level (predetermined current value).例文帳に追加

書き込み制御部104は、書き込み動作時に、例えばビット線電流を計測することで、セル101aの書き込みレベルを監視し、所定の設定レベル(所定の電流値)と比較する。 - 特許庁

To provide a magnetic disk device which can actually optimize the write current value of a recording head during manufacture or use of a disk drive and a write current regulating method.例文帳に追加

ディスクドライブの製造時や使用時において、記録ヘッドのライト電流値の最適化を実際に行なうことか可能な磁気ディスク装置及びライト電流調整方法を提供することにある。 - 特許庁

(b) shows write and read current Iw, Ir to be superimposed on the driving current Id and added to the magnetic storage element.例文帳に追加

(b)は、磁気記憶素子へ、駆動電流I_dに重畳して加える書き込み・読み出し電流I__w,I_rを示している。 - 特許庁

The display device includes a display controller for controlling a driving circuit which applies a write current to an electrochemical display element per period of a frame in a first write mode or a second write mode, and the number of times of frames in which the write current is applied to the electrochemical display element in the first write mode is smaller than that in the second write mode.例文帳に追加

第1の書き込みモードまたは第2の書き込みモードのいずれか一方でフレームの期間毎に電気化学表示素子に書き込み電流を印加する駆動回路を制御する表示コントローラを有し、電気化学表示素子に書き込み電流を印加するフレームの回数は、第2の書き込みモードより第1の書き込みモードの方が少ないことを特徴とする表示装置。 - 特許庁

In a data recording mode, a recording current signal (WS) 44 corresponding to write data is outputted from a data write driver 212 to a head 12.例文帳に追加

データ記録モードでは、データライトドライバ212からヘッド12に対し、ライトデータに対応する記録電流信号(WS)44が出力される。 - 特許庁

To provide a constitution of a thin film magnetic storage device which supplies a data write current according to a write data level with a simple circuit constitution.例文帳に追加

簡易な回路構成で書込データレベルに応じたデータ書込電流を供給可能な薄膜磁性体記憶装置の構成を提供する。 - 特許庁

A column pulse buffer circuit 11 determines whether the current operation is the write/mask processing operation or not depending on the mask signal DQMX for instructing existence or no-existence of the write/mask operation.例文帳に追加

コラムパルスバッファ回路11は、ライト・マスク動作の有無を指令するマスク信号DQMXに基づいてライト・マスク処理動作かどうか判断する。 - 特許庁

At the time of write data, a data write current having a direction in accordance with a level of the stored data to be written is made to flow in the intermediate layer 107.例文帳に追加

データ書込時において、中間層107には、書込まれる記憶データのレベルに応じた方向のデータ書込電流が流される。 - 特許庁

WRITE-IN AMPLIFIER HAVING IMPROVED SWITCHING CHARACTERISTIC, IN-PHASE NODE VOLTAGE, AND HEAD CURRENT CONTROL例文帳に追加

改善された、スイッチング特性、同相モード電圧、とヘッド電流制御を持つ書き込み増幅器 - 特許庁

The write current for servo pattern writing is set in accordance with the change of the disk revolution speed.例文帳に追加

また、ディスク回転数の変更に対応してサーボパターン書き込みのライト電流を設定すること。 - 特許庁

The pseudo-current part 104 includes a pseudo-light emitting thyristor Ld and a pseudo-write-in thyristor Md.例文帳に追加

擬似電流部104は、擬似発光サイリスタLd、擬似書込サイリスタMdを備えている。 - 特許庁

Also, A second data write current is supplied to one of a plurality of bit lines during the test time.例文帳に追加

また、テスト時に複数のビット線のうちの1本に第2のデータ書込電流を供給する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile storage device in which desired data write-in current is supplied.例文帳に追加

所望のデータ書込電流を供給することが可能な不揮発性記憶装置を提供する。 - 特許庁

The free layer can be switched using spin transfer when a write current is passed through the magnetic element.例文帳に追加

自由層は、書き込み電流が磁気素子を通過する時にスピン転移を用いて切換え得る。 - 特許庁

To ensure completion of write of a drive current within a predetermined time period without increasing the circuit scale.例文帳に追加

回路規模を増大させることなく所定期間内に駆動電流の書き込みを完了させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device resistant to noise, high in write operation speed and low in current consumption.例文帳に追加

ノイズに強く、書込動作が速く、消費電流が小さな半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a flash memory device having cell current measuring scheme utilizing a write-in driver.例文帳に追加

書き込みドライバを利用したセル電流測定スキームを有するフラッシュメモリ装置を提供する。 - 特許庁

In order to write in the magnetic memory element, a current I_MTJ pulse (125) is fed through the MTJ (37).例文帳に追加

磁気メモリ素子に書き込むには、MTJ(37)の中に電流I_MTJパルス(125)を流す。 - 特許庁

A write-current waveform control circuit 24 generates a write word line drive signal WWLDRV, write word line synch- signal WWLSNK, write bit line drive signal WBLDRV, and a write bit line synch-signal WBLSNK based on this setting data.例文帳に追加

書き込み電流波形制御回路24は、この設定データに基づいて、書き込みワード線ドライブ信号WWLDRV、書き込みワード線シンク信号WWLSNK、書き込みビット線ドライブ信号WBLDRV及び書き込みビット線シンク信号WBLSNKを生成する。 - 特許庁

The field assist current persists after the write current is terminated to provide field assisted precession to the desired magnetic state.例文帳に追加

フィールドアシスト電流は、書込電流が停止された後も持続され、所望の磁化状態へのフィールドアシストされた歳差を提供する。 - 特許庁

To provide a highly reliable storage element which inhibits variation in thermal stability and a write current (inversion current) to stably operate.例文帳に追加

書き込み電流(反転電流)および熱安定性のばらつきを抑制し、安定して動作する、信頼性の高い記憶素子の提供。 - 特許庁

To provide a current generating and supplying circuit which speedily carries out the operation of generating a write current even the write current to be supplied to display pixels is small, and is capable of outputting the write current of a suitable amount corresponding to display data, to provide a control method therefor, and to provide a display device provided with the current generating and supplying circuit.例文帳に追加

表示画素に供給される書込電流が微小な場合であっても、該書込電流を生成する動作を迅速に実行するとともに、表示データに対応した適切な電流値の書込電流を出力することができる電流生成供給回路及びその制御方法、並びに、該電流生成供給回路を備えた表示装置を提供する。 - 特許庁

Bit lines (BL0 to BL3) are arranged to intersect the write bit lines, and a current is supplied in a given direction irrespective of a logical value of the write data.例文帳に追加

一方、書込ビット線と交差するようにビット線(BL0−BL3)を配置し、書込データの論理値にかかわらず一定方向に電流を流す。 - 特許庁

Also, the SpRAM includes a voltage control part 11 that supplies a write current to the storage element 2 by write voltage having independent pulse trains of two or more.例文帳に追加

また、独立した2つ以上のパルス列から成る書き込み電圧で、記憶素子2に書き込み電流を供給する電圧制御部11を備える。 - 特許庁

Sync circuits S are connected mutually among ends of the first write lines and the connection lines to draw a current from the connected first write lines.例文帳に追加

シンク回路Sは、第1書き込み線の端および接続線の相互間において接続され、接続された第1書き込み線から電流を引き抜く。 - 特許庁

To provide constitution of a thin film magnetic memory device in which a data write-in current in accordance with a write-in data level can be supplied with simple circuit constitution.例文帳に追加

簡易な回路構成で書込データレベルに応じたデータ書込電流を供給可能な薄膜磁性体記憶装置の構成を提供する。 - 特許庁

例文

In the case of WhRh, write start is permitted under the condition: a free capacity of the FIFO memory 11>{Ws (the current write data size)-Rs}.例文帳に追加

Wh≦Rhの場合には、FIFOメモリ11の空き容量>{Ws(現在の書き込みデータサイズ)−Rs}を条件に書き込み開始を許可する。 - 特許庁




  
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